JPH0729143A

JPH0729143A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0729143A
Application number: JP5168905A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Sugita; 龍二杉田; Kiyokazu Toma; 清和東間; Tatsuro Ishida; 達朗石田; Kazuya Yoshimoto; 和也吉本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-07-08
Filing date: 1993-07-08
Publication date: 1995-01-31

Abstract

(57)【要約】【目的】高いＳ／Ｎを有する磁気テープを提供するこ
とを目的とする。【構成】磁化容易軸が膜法線１６に対して傾斜してお
り６〜３５原子％の濃度の酸素を含む膜厚０．１μｍ以
下のＣｏ基の第１の磁性層12が形成され、その上に磁化
容易軸が膜法線１６に対して第１の磁性層１２と同方向
に傾斜しており６〜３５原子％の濃度の酸素を含む膜厚
０．１μｍ以下のＣｏ基の第２の磁性層１３が形成され
ており、第１の磁性層１２の長手方向の保磁力Ｈ_c1と第
２の磁性層１３の長手方向の保磁力Ｈ_c2が１＜Ｈ_c1／Ｈ
_c2≦１．５なる関係にあり、かつ第１の磁性層の磁化容
易軸と膜法線とのなす角α₁が第２の磁性層の磁化容易
軸と膜法線とのなす角α₂よりも小なることを特徴とす
る磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高いＳ／Ｎの得られる磁
気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づいてい
る。

【０００３】この限界を越えるものとして薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒
体における磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されている。磁気テープとして
実用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適し
ており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層とした蒸着テープが既
にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープとして実用化されている。

【０００４】蒸着テープ製造方法の一例を、図２を用い
て以下に説明する。図２は蒸着テープを作製するための
真空蒸着装置内部の構成の一例である。基板としての高
分子フィルム１は円筒状キャン２に沿って矢印６の向き
に走行する。蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、高分
子フィルム１に付着することにより磁性層が形成され
る。その際、蒸発原子の基板への入射角は膜形成開始部
の入射角θ_iから膜形成終了部における蒸発原子の基板
への入射角θ_fまで連続的に変化する。ここで蒸発原子
の入射角とは、膜法線から測定した、蒸発原子の基板へ
の平均の入射方向である。蒸発源８としては電子ビーム
蒸発源が適しており、この中に蒸発物質７としてのＣｏ
基の合金を充填する。なお、蒸発源として電子ビーム蒸
発源を用いるのは、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸発速度
で蒸発させるためである。３Ａ、３Ｂは不要な蒸発原子
が基板に付着するのを防ぐために設けてある遮蔽板であ
る。１０は蒸着時に真空槽内に酸素を導入するための酸
素導入口である。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ
用蒸着テープは、以上の様な方法で製造されている。
４、５はそれぞれ高分子フィルム１の供給ロールと巻き
取りロールである。

【０００５】このようにして作製されたＣｏ−Ｏあるい
はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ磁性層は、磁化容易軸が膜法線に対し
て傾斜している。すなわち、磁化容易軸が膜面内あるい
は膜法線方向にあるのではなく、蒸発原子の基板への入
射方向を含む法面内において、膜法線に対して斜めに傾
斜した方向にある。市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テー
プは、磁化容易軸がテープの長手方向を含む法面内にお
いて、膜法線から約70゜傾斜している。ここでテープの
長手方向とは、テープの長さ方向のことであり、図２の
ようにして製造する際には、高分子フィルムの走行方向
のことである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録再生装
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
Ｓ／Ｎ化、特に短波長領域における高Ｓ／Ｎ化を達成し
なければならない。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記要望を実現
したものであって、基板上に磁化容易軸が膜法線に対し
て傾斜しており６〜３５原子％の濃度の酸素を含む膜厚
０．１μｍ以下のＣｏ基の第１の磁性層が形成され、そ
の上に磁化容易軸が膜法線に対して第１の磁性層と同方
向に傾斜しており６〜３５原子％の濃度の酸素を含む膜
厚０．１μｍ以下のＣｏ基の第２の磁性層が形成されて
おり、第１の磁性層の長手方向の保磁力Ｈ_c1と第２の磁
性層の長手方向の保磁力Ｈ_c2が１＜Ｈ_c1／Ｈ_c2≦１．５
なる関係にあり、かつ第１の磁性層の磁化容易軸と膜法
線とのなす角が第２の磁性層の磁化容易軸と膜法線との
なす角よりも小なることを特徴とする。

【０００８】

【作用】磁気記録媒体を本発明の構成にすることによ
り、再生出力の向上及びノイズの低減を達成でき、高い
Ｓ／Ｎが得られる。

【０００９】

【実施例】次に、本発明の磁気記録媒体について説明す
る。図１は本発明の磁気記録媒体の基本構成を示す。本
発明の磁気記録媒体は、基板１１上に磁化容易軸が膜法
線１６に対して傾斜しており、６〜３５原子％の濃度の
酸素を含む膜厚０．１μｍ以下のＣｏ基の第１の磁性層
１２が形成され、その上に磁化容易軸が膜法線１６に対
して第１の磁性層と同方向に傾斜しており６〜３５原子
％の濃度の酸素を含む膜厚０．１μｍ以下のＣｏ基の第
２の磁性層１３が形成されており、第１の磁性層１２の
長手方向の保磁力Ｈ_c1と第２の磁性層１３の長手方向の
保磁力Ｈ_c2が１＜Ｈ_c1／Ｈ_c2≦１．５なる関係にあり、
かつ第１の磁性層１２の磁化容易軸方向１４と膜法線１
６とのなす角α₁が第２の磁性層１３の磁化容易軸方向
１５と膜法線１６とのなす角α₂よりも小なるように構
成されている。

【００１０】このような構成にすることにより優れたＳ
／Ｎが得られることについては後で詳しく述べることに
し、ここでまず本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例
を図２に基づいて説明する。

【００１１】第１の磁性層を成膜する際には、高分子フ
ィルム１を円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向き
に走行させる。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮
蔽板３Ａ、３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部
を通って蒸発原子９は高分子フィルム１に付着する。蒸
発物質７としてＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ合金を蒸発源
８に充填する。成膜中には酸素導入口１０から真空槽内
に酸素を導入する。第１の磁性層形成時の膜形成開始部
及び膜形成終了部における蒸発原子の高分子フィルム１
への入射角を、それぞれθ_i1及びθ_f1とする。

【００１２】次に、第２の磁性層の成膜方法を説明す
る。第１の磁性層が形成されて巻き取りロール５に巻き
取られた高分子フィルム１を円筒状キャン２の周面に沿
って矢印６の逆向きに走行させ、供給ロール４に巻き戻
す。この際に、蒸発源の電源は切っておき、蒸発を停止
させておく。あるいは、遮蔽板３Ａ、３Ｂの間の開口部
をシャッター（図示されていない）により閉じて、蒸発
原子が高分子フィルムに付着するのを防止する。

【００１３】次に、この高分子フィルム１を矢印６の向
きに走行させて、第２の磁性層を形成する。この際の膜
形成開始部及び膜形成終了部における蒸発原子の入射角
を、それぞれθ_i2及びθ_f2とする。蒸発物質７としては
Ｃｏ合金を蒸発源８に充填しておく。また、酸素導入口
１０から真空槽内に酸素を導入する。

【００１４】θ_i1、θ_f1、θ_i2、θ_f2の関係について
は、少なくともθ_i1＜θ_i2なる条件を満たす必要があ
る。このようにしないと本発明の構成の媒体は得られな
い。さらに、θ_f1≦θ_f2、さらに好ましくはθ_f1＜θ_f2
とすることにより、本発明の媒体が優れた特性を発揮す
る。θ_i1、θ_f1、θ_i2、θ_f2の具体的な値としては、６
０゜≦θ_i1≦８５゜、５１゜≦θ_f1≦７０゜、θ_i2≧８
０゜、５５゜≦θ_f2≦７５゜が望ましい。

【００１５】なお、第１、第２の磁性層とも膜中の平均
の酸素濃度は６〜３５原子％の範囲内にする必要があ
る。６原子％未満の酸素濃度では、高保磁力が得られな
いためにＳ／Ｎが低く、さらに、耐食性や耐久性が悪
い。また３５原子％を越えると、飽和磁化が低下しすぎ
るために高い再生出力が得られない。また、第１、第２
の磁性層ともに膜厚が０．１μｍを越えるとノイズが高
くなってしまい、高Ｓ／Ｎが得られない。

【００１６】従来、２層構造の磁気記録媒体において高
いＳ／Ｎを得るための媒体設計指針は、基板側にある第
１の磁性層の長手方向の保磁力Ｈ_c1及び磁化容易軸方向
α₁と、表面側にある第２の磁性層の長手方向の保磁力
Ｈ_c2及び磁化容易軸方向α₂との関係を、Ｈ_c1＜Ｈ_c2及
びα₁＞α₂とすることであると考えられていた。これに
対し本発明は、１＜Ｈ_c1／Ｈ_c2≦１．５かつα₁＜α₂な
る関係を満足することを特徴としている。

【００１７】このように、本発明の磁気記録媒体が従来
の磁気記録媒体と全く逆の構成になっている理由は、本
発明の磁気記録媒体が膜法線に対し斜め方向が磁化容易
軸である強い磁気異方性を有するためだと考えられる。
すなわち、膜法線に対し斜め方向が磁化容易軸である強
い磁気異方性を有する磁気記録媒体の場合には、リング
形磁気ヘッドで信号を記録する際に、本発明の構成にす
ることにより媒体に強い磁化を残せるものと推定され
る。

【００１８】高いＳ／Ｎを得るためには、従来と全く逆
のＨ_c1＞Ｈ_c2かつα₁＜α₂なる条件が必須であるが、さ
らにＨ_c1≦１．５Ｈ_c2なる条件も満足する必要がある。
これは、Ｈ_c1＞１．５Ｈ_c2になると、１層目と２層目の
磁性層特性の差が大きくなりすぎてしまうために、Ｓ／
Ｎが低下するからである。

【００１９】保磁力は磁気異方性と密接な関係があるの
で、下地や柱状結晶粒の傾斜角により制御できる。第１
の磁性層における長手方向の保磁力を、第２の磁性層に
おける長手方向の保磁力よりも高くする手段としては、
第１の磁性層形成時の基板温度を第２の磁性層形成時の
基板温度よりも高くする、あるいは酸素導入量を調整す
ること等が考えられる。

【００２０】これら以外にも、第１の磁性層をイオン処
理あるいは／及び電子ビーム処理した基板上に形成し、
第２の磁性層をそれらの処理を施さない基板上に形成す
る方法もある。このようにして本発明の構成の磁気記録
媒体が得られる理由は、磁性層をイオン処理あるいは／
及び電子ビーム処理した基板上に形成することにより、
保磁力を高くすることが可能だからである。

【００２１】また、基板として高分子フィルム上にＣｏ
基の酸化層が形成されたものを用いることが、第１の磁
性層の長手方向の保磁力を第２の磁性層の長手方向の保
磁力よりも高くする手段として有効である。Ｃｏ基の酸
化層は第１及び第２の磁性層と同様に作製すればよい。
ただし、蒸着時に酸素導入口から導入する酸素量は、付
着した膜が酸化膜になるだけの量にする必要がある。

【００２２】本発明の磁性層の磁気異方性は、結晶磁気
異方性と形状磁気異方性に起因している。第１の磁性層
の下地としてのＣｏ基の酸化層は、結晶磁気異方性に大
きな影響を及ぼし、この下地層の作製条件により、本発
明の構成になるように、すなわちα₁＜α₂になるように
磁化容易軸方向を制御できる。

【００２３】また、磁化容易軸方向は第１及び第２の磁
性層を構成している柱状結晶粒の方向とも関係してい
る。蒸発原子の入射角を変えると柱状結晶粒の方向が変
化し、結晶磁気異方性及び形状磁気異方性の両者に影響
を及ぼす。第１の磁性層を構成する柱状結晶粒の膜法線
に対する傾斜角が、第２の磁性層を構成する柱状結晶粒
の膜法線に対する傾斜角よりも小なるようにすることに
より、第２の磁性層の磁化容易軸を第１の磁性層の磁化
容易軸よりも傾斜させることが可能である。

【００２４】以上述べたように、α₁＜α₂なる条件は下
地あるいは柱状結晶粒の傾斜角、あるいはこれら両者の
制御によっても実現できる。すなわち、Ｃｏ基の酸化層
と柱状結晶粒の傾斜角を制御することにより、優れた特
性を有する磁気記録媒体が得られる。

【００２５】さらに、第１の磁性層よりも第２の磁性層
の充填率を小さくすることにより、さらなるノイズの低
下が期待できる。充填率をこのようにするためには、第
２の磁性層の平均の入射角を第１の磁性層の平均の入射
角よりも大きくする、あるいは第２の磁性層蒸着時に酸
素以外にアルゴンや窒素等のガスを導入することが考え
られる。

【００２６】以上のようにして、磁化容易軸が膜法線に
対して傾斜している酸素を含むＣｏ基の第１の磁性層が
形成され、その上に磁化容易軸が膜法線に対して傾斜し
ている酸素を含むＣｏ基の第２の磁性層が形成されてお
り、第１の磁性層の長手方向の保磁力Ｈ_c1と第２の磁性
層の長手方向の保磁力Ｈ_c2が１＜Ｈ_c1／Ｈ_c2≦１．５な
る関係にあり、かつ第１の磁性層の磁化容易軸と膜法線
とのなす角が第２の磁性層の磁化容易軸と膜法線とのな
す角よりも小なる磁気記録媒体が得られる。

【００２７】次に、第１の磁性層と第２の磁性層の長手
方向の保磁力及び磁化容易軸方向と、記録再生特性との
関連について説明する。第１の磁性層の長手方向の保磁
力Ｈ _c1が１３０ｋＡ／ｍ、第２の磁性層の長手方向の保
磁力Ｈ_c2が１２０ｋＡ／ｍであり、第１の磁性層の磁化
容易軸と膜法線とのなす角α₁が７０゜、第２の磁性層
の磁化容易軸と膜法線とのなす角α₂が７３゜の場合、
すなわち本発明の１例の場合を（１）、Ｈ_c1が１２０ｋ
Ａ／ｍ、Ｈ_c2が１３０ｋＡ／ｍであり、α₁が７０゜、
α₂が７３゜の場合を（２）、Ｈ_c1が１３０ｋＡ／ｍ、
Ｈ_c2が８０ｋＡ／ｍであり、α₁が７０゜、α₂が７３゜
の場合を（３）、Ｈ_c1が１３０ｋＡ／ｍ、Ｈ_c2が１２０
ｋＡ／ｍで、α₁が７３゜、α₂が７０゜の場合を
（４）、Ｈ_c1が１２０ｋＡ／ｍ、Ｈ_c2が１３０ｋＡ／ｍ
であり、α₁が７３゜、α₂が７０゜の場合を（５）、Ｈ
_c1が１３０ｋＡ／ｍ、Ｈ_c2が８０ｋＡ／ｍでα₁が73
゜、α₂が７０゜の場合を（６）として、それぞれの場
合の再生出力とノイズの１例を（表１）に示す。以上の
特性の磁気記録媒体は成膜時の入射角、導入酸素量等を
変えて作製した。なお記録再生特性測定の際には、媒体
表面に膜厚１０ｎｍのカーボン保護膜及び膜厚３ｎｍの
潤滑剤を形成した。再生出力は波長０．５μｍの信号を
記録再生した場合の値、ノイズは波長０．５μｍの信号
を記録再生した際の波長０．６μｍに相当する周波数で
の値である。また、（表１）中の値は（１）の値を０ｄ
Ｂとして、これに対する相対値で示してある。

【００２８】

【表１】

【００２９】（２）に対して（１）の再生出力が増加す
るのは、（１）の方が、ヘッド磁界の方向とその方向に
おける保磁力との関係が最適になっているためだと思わ
れる。その結果、ヘッド磁界を有効に生かした記録がで
き、また記録減磁を低下させることもできるものと思わ
れる。（１）と（２）のノイズは、磁性層全体の保磁力
がほぼ同じで磁化容易軸の傾斜角も同じであるためにほ
ぼ同じになっている。

【００３０】（３）の再生出力が（１）よりも２ｄＢ低
く、（３）のノイズが（１）よりも１ｄＢ高いのは、第
２の磁性層の保磁力が第１の磁性層に比べて低すぎるた
めだと思われる。このように、Ｈ_c1＞１．５Ｈ_c2になっ
てしまうと、高いＳ／Ｎは得られない。

【００３１】（１）よりも（４）及び（５）の再生出力
が低いのは、（４）及び（５）の第２の磁性層の磁化容
易軸の傾斜角が小さいためにスペーシングロスが多くな
り、短波長での出力低下が大きいためだと考えられる。

【００３２】（６）は第２の磁性層の磁化容易軸の傾斜
角が小さく、かつ保磁力が低すぎるために、再生出力は
大幅に低くノイズも高い。

【００３３】以上説明したように、２層構造の酸素を含
むＣｏ基の斜め蒸着媒体において、本発明の構成が最も
高いＳ／Ｎが得られる。

【００３４】次に、具体的な実施例について述べる。ま
ず、図２に示す構成で高分子フィルム１上にＣｏ基の酸
化層としてのＣｏＯ膜を形成した。蒸発源８に蒸発物質
７としてのＣｏを充填して、蒸着を行なった。円筒状キ
ャン２の直径は１ｍであり、その表面温度を室温とし
た。高分子フィルム１としては膜厚７μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを用いた。θ_iは３５゜、θ_f
は２０゜に設定した。また、酸素導入口１０から３ｌ／
ｍｉｎの量の酸素を真空槽内に導入した。この様にし
て、平均の膜堆積速度を０．５μｍ／ｓとして、膜厚
０．０２μｍの酸化層を形成した。

【００３５】次に、巻き取りロール５に巻き取られたＣ
ｏＯ膜の形成された高分子フィルムを、供給ロール４に
巻き戻した。この際に遮蔽板の開口部をシャッター（図
示されていない）により閉じておいた。

【００３６】次に、第１の磁性層を形成した。蒸発物質
７としてはＣｏＯ膜形成時に充填したＣｏをそのまま使
用した。円筒状キャンの表面温度は室温とした。θ_i1は
７５゜、θ_f1は５５゜に設定した。酸素導入口１０から
の酸素導入量は１．２ｌ／ｍｉｎとした。この様にし
て、平均の膜堆積速度を０．３μｍ／ｓとして、膜厚
０．０５μｍの第１の磁性層を形成した。

【００３７】次に、巻き取りロール５に巻き取られた、
ＣｏＯ膜及び第１の磁性層の形成された高分子フィルム
を、供給ロール４に巻き戻した。この際に遮蔽板の開口
部をシャッター（図示されていない）により閉じておい
た。

【００３８】最後に、第２の磁性層を形成した。蒸発物
質７としては既に充填されているＣｏをそのまま使用し
た。円筒状キャンの表面温度は室温とした。θ_i2は８５
゜、θ_f2は６５゜に設定した。酸素導入口１０からの酸
素導入量は０．８ｌ／ｍｉｎとした。この様にして、平
均の膜堆積速度を０．２μｍ／ｓとして、膜厚０．０５
μｍの第２の磁性層を形成した。

【００３９】第１の磁性層の保磁力は１４０ｋＡ／ｍ、
α₁は７０゜、第２の磁性層の保磁力は１３０ｋＡ／
ｍ、α₂は７３゜であった。

【００４０】このようにして作製した媒体をテープ状に
スリットし、センダストから成るギャップ長０．１８μ
ｍのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を
行なった。この際に、媒体表面に膜厚１０ｎｍのカーボ
ン保護膜及び膜厚３ｎｍの潤滑剤を形成した。その結
果、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、記
録波長５μｍで２ｄＢ、０．５μｍで７ｄＢ、０．４μ
ｍで８ｄＢ高い再生出力が得られた。また、ノイズは全
帯域にわたって、約１ｄＢ低かった。このように本発明
の磁気テープは、従来の蒸着テープに比べて大幅に高い
Ｓ／Ｎを有している。

【００４１】以上では、θ_i1を７５゜、θ_f1を５５゜、
θ_i2を８５゜、θ_f2を６５゜に設定してＣｏ−Ｏから成
る第１及び第２の磁性層を形成すると、市販の蒸着テー
プを越える高いＳ／Ｎを有する媒体が得られることを説
明した。しかし、これ以外の製造条件、製造方法あるい
は組成であっても、第１の磁性層の長手方向の保磁力Ｈ
_c1と第２の磁性層の長手方向の保磁力Ｈ_c2が１＜Ｈ_c1／
Ｈ_c2≦１．５なる関係にあり、かつ第１の磁性層の磁化
容易軸と膜法線とのなす角が第２の磁性層の磁化容易軸
と膜法線とのなす角よりも小なるようにすることによ
り、高いＳ／Ｎを達成できる。

【００４２】以上では磁性層の組成として、Ｃｏ−Ｏの
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｏ
等の組成でも、本発明の構成にすることにより、高いＳ
／Ｎが得られる。また、基板については、ポリエチレン
テレフタレートフィルムについて説明したが、ポリエチ
レンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ
アミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の高分
子フィルムでも、全く同様であることは言うまでもな
い。

【００４３】また、以上では第１の磁性層の上に直接第
２の磁性層を形成する例についてのみ説明したが、両磁
性層の間に非磁性中間層を形成してもよい。なお、この
場合に非磁性中間層の膜厚を０．０２μｍ以下にしない
と、再生出力が低下してしまう。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、高いＳ／Ｎを有する磁
気記録媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の基本構成を示す図

【図２】従来及び本発明の磁気記録媒体の製造方法を説
明するための真空蒸着装置内部の概略を示す図

【符号の説明】

１高分子フィルム２円筒状キャン３Ａ、３Ｂ遮蔽板４供給ロール５巻き取りロール６基板走行方向７蒸発物質８蒸発源９蒸発原子１０酸素導入口１１基板１２第１の磁性層１３第２の磁性層１４第１の磁性層の磁化容易軸方向１５第２の磁性層の磁化容易軸方向１６膜法線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吉本和也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に磁化容易軸が膜法線に対して傾斜
しており６〜３５原子％の濃度の酸素を含む膜厚０．１
μｍ以下のＣｏ基の第１の磁性層が形成され、その上に
磁化容易軸が膜法線に対して第１の磁性層と同方向に傾
斜しており６〜３５原子％の濃度の酸素を含む膜厚０．
１μｍ以下のＣｏ基の第２の磁性層が形成されており、
第１の磁性層の長手方向の保磁力Ｈ_c1と第２の磁性層の
長手方向の保磁力Ｈ_c2が１＜Ｈ_c1／Ｈ_c2≦１．５なる関
係にあり、かつ第１の磁性層の磁化容易軸と膜法線との
なす角が第２の磁性層の磁化容易軸と膜法線とのなす角
よりも小なることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記第１の磁性層を構成する柱状結晶粒の
膜法線に対する傾斜角が、前記第２の磁性層を構成する
柱状結晶粒の膜法線に対する傾斜角よりも小なることを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記第１の磁性層の充填率が前記第２の磁
性層の充填率よりも大なることを特徴とする請求項２記
載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記基板が高分子フィルム上にＣｏ基の酸
化層が形成されたものであることを特徴とする請求項１
あるいは２あるいは３いずれか記載の磁気記録媒体。
【請求項５】真空蒸着法により走行しつつある高分子フ
ィルム上にＣｏ基の酸化層を形成し、その上に６〜３５
原子％の濃度の酸素を含む膜厚０．１μｍ以下のＣｏ基
の第１の磁性層を形成し、さらにその上に６〜３５原子
％の濃度の酸素を含む膜厚０．１μｍ以下のＣｏ基の第
２の磁性層を膜形成開始部における蒸発原子の基板への
入射角が第１の磁性層形成時の膜形成開始部における蒸
発原子の基板への入射角よりも大なるようにして形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】前記第１の磁性層形成時の膜形成終了部に
おける蒸発原子の基板への入射角が前記第２の磁性層形
成時の膜形成終了部における蒸発原子の基板への入射角
よりも小なることを特徴とする請求項５記載の磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項７】前記第１の磁性層を膜形成開始部における
蒸発原子の基板への入射角θ_i1を６０〜８５゜、膜形成
終了部における蒸発原子の基板への入射角θ_f1を51〜70
゜とし、前記第２の磁性層を膜形成開始部における蒸発
原子の基板への入射角θ_i2を８０゜以上、膜形成終了部
における蒸発原子の基板への入射角θ_f2を５５〜７５゜
とし、かつθ_i1＜θ_i2及びθ_f1≦θ_f2として形成するこ
とを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項８】前記第１の磁性層はイオン処理あるいは／
及び電子ビーム処理した基板上に形成し、前記第２の磁
性層は前記第１の磁性層上にイオン処理や電子ビーム処
理を施さずに形成することを特徴とする請求項５あるい
は６あるいは７いずれかに記載の磁気記録媒体の製造方
法。