JPH09305950A - ２層蒸着型磁気テープ - Google Patents
２層蒸着型磁気テープInfo
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- JPH09305950A JPH09305950A JP12343596A JP12343596A JPH09305950A JP H09305950 A JPH09305950 A JP H09305950A JP 12343596 A JP12343596 A JP 12343596A JP 12343596 A JP12343596 A JP 12343596A JP H09305950 A JPH09305950 A JP H09305950A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エラーレイトを低減し得る２層蒸着型磁気テ
ープを提供する。 【解決手段】 下層強磁性層１の膜厚を９０ｎｍ±５ｎ
ｍとし、上層強磁性層１の膜厚を６０ｎｍ±５ｎｍとし
て、より高い周波数（例えば３ＭＨｚ）と、より低い周
波数（例えば１ＭＨｚ）の電磁変換出力の差［ｄＢ］が
プラス側にシフトするように構成した。
ープを提供する。 【解決手段】 下層強磁性層１の膜厚を９０ｎｍ±５ｎ
ｍとし、上層強磁性層１の膜厚を６０ｎｍ±５ｎｍとし
て、より高い周波数（例えば３ＭＨｚ）と、より低い周
波数（例えば１ＭＨｚ）の電磁変換出力の差［ｄＢ］が
プラス側にシフトするように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２層蒸着型磁気テ
ープに関し、特にデータ用ＮＴ（ノントラッキング）シ
ステムにおいて使用される２層蒸着型磁気テープに関す
る。
ープに関し、特にデータ用ＮＴ（ノントラッキング）シ
ステムにおいて使用される２層蒸着型磁気テープに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、残留磁束密度（Ｂｒ）の高い磁気
テープとして、ポリエステル等のベースフィルム上にＣ
ｏ−Ｎｉ合金を非常に薄く蒸着させたＣｏ−Ｎｉ蒸着テ
ープが開発されているが、現行のデータ用ＮＴシステム
において使用される蒸着磁気テープは、記録用の強磁性
金属（Ｃｏ−Ｎｉ合金）膜が２層形成された２層蒸着型
であり、通常の層厚（膜厚）設定は、上層６０ｎｍ、下
層１２０ｎｍとなっている。
テープとして、ポリエステル等のベースフィルム上にＣ
ｏ−Ｎｉ合金を非常に薄く蒸着させたＣｏ−Ｎｉ蒸着テ
ープが開発されているが、現行のデータ用ＮＴシステム
において使用される蒸着磁気テープは、記録用の強磁性
金属（Ｃｏ−Ｎｉ合金）膜が２層形成された２層蒸着型
であり、通常の層厚（膜厚）設定は、上層６０ｎｍ、下
層１２０ｎｍとなっている。
【０００３】また、現行のデータ用ＮＴシステムのデッ
キは、オーディオ用デッキとはエラーレイト特性が異な
り、テープの電磁変換出力特性における周波数特性にか
なりクリチカルな傾向がある。具体的には、周波数特性
がマイナスの場合、すなわち３ＭＨｚの電磁変換出力＜
１ＭＨｚの電磁変換出力の関係が成り立つ場合、エラー
レイトは、その絶対値に比例して悪化する。これは、３
ＭＨｚと１ＭＨｚの出力波による符号間干渉が原因と考
えられている。
キは、オーディオ用デッキとはエラーレイト特性が異な
り、テープの電磁変換出力特性における周波数特性にか
なりクリチカルな傾向がある。具体的には、周波数特性
がマイナスの場合、すなわち３ＭＨｚの電磁変換出力＜
１ＭＨｚの電磁変換出力の関係が成り立つ場合、エラー
レイトは、その絶対値に比例して悪化する。これは、３
ＭＨｚと１ＭＨｚの出力波による符号間干渉が原因と考
えられている。
【０００４】ところで、現行の２層蒸着型磁気テープの
上下層の膜厚は、上記のように上層６０ｎｍ、下層１２
０ｎｍであるが、製造ばらつきによる層（膜）厚みの不
均一性を考慮しても、上記周波数特性がマイナス側に振
れるようになる。すなわち、３ＭＨｚと１ＭＨｚの電磁
変換出力の差（［ｄＢ］で表す）が−１．０ｄＢ近傍と
なり、デッキのエラーレイトが悪化していた。
上下層の膜厚は、上記のように上層６０ｎｍ、下層１２
０ｎｍであるが、製造ばらつきによる層（膜）厚みの不
均一性を考慮しても、上記周波数特性がマイナス側に振
れるようになる。すなわち、３ＭＨｚと１ＭＨｚの電磁
変換出力の差（［ｄＢ］で表す）が−１．０ｄＢ近傍と
なり、デッキのエラーレイトが悪化していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかながら、従来で
は、上記の不具合に対してデッキ側で対処することがで
きないため、テープ側による周波数特性の改善（プラス
側にシフト）が要望されていた。本発明は、このような
背景の下になされたもので、その目的は、エラーレイト
を低減し得る２層蒸着型磁気テープを提供することにあ
る。
は、上記の不具合に対してデッキ側で対処することがで
きないため、テープ側による周波数特性の改善（プラス
側にシフト）が要望されていた。本発明は、このような
背景の下になされたもので、その目的は、エラーレイト
を低減し得る２層蒸着型磁気テープを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、テープ状のベース媒体上に上下２層の金属磁
性層を蒸着した２層蒸着型磁気テープであって、前記上
層の膜厚を６０ｎｍ前後とし、前記下層の膜厚を１２０
ｎｍより薄くしたものである。
本発明は、テープ状のベース媒体上に上下２層の金属磁
性層を蒸着した２層蒸着型磁気テープであって、前記上
層の膜厚を６０ｎｍ前後とし、前記下層の膜厚を１２０
ｎｍより薄くしたものである。
【０００７】また本発明では、テープ状のベース媒体上
に上下２層のＣｏ−Ｎｉ合金層が蒸着した２層蒸着型磁
気テープであって、上層の膜厚を６０ｎｍ±５ｎｍと
し、下層の膜厚を９０ｎｍ±５ｎｍとし、上下２層のＣ
ｏ−Ｎｉ合金層の磁化容易軸の方向が互いに逆方向とな
るように構成されたことを特徴とする。
に上下２層のＣｏ−Ｎｉ合金層が蒸着した２層蒸着型磁
気テープであって、上層の膜厚を６０ｎｍ±５ｎｍと
し、下層の膜厚を９０ｎｍ±５ｎｍとし、上下２層のＣ
ｏ−Ｎｉ合金層の磁化容易軸の方向が互いに逆方向とな
るように構成されたことを特徴とする。
【０００８】従って、本発明においては、より高い周波
数と、より低い周波数の電磁変換出力の差がプラス側に
シフトされて周波数特性が改善され、デッキ走行時のエ
ラーレイトを低減し得る。
数と、より低い周波数の電磁変換出力の差がプラス側に
シフトされて周波数特性が改善され、デッキ走行時のエ
ラーレイトを低減し得る。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態例につ
いて説明する。図１は、本実施の形態例に係る２層蒸着
型磁気テープの断面図であり、この２層蒸着型磁気テー
プは、データ用ＮＴ（ノントラッキング）システムにお
いて使用される磁気テープである。本２層蒸着型磁気テ
ープは、図１に示したように、データ記録用の強磁性層
として、Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸着薄膜からなる下層強磁性
層１と上層強磁性層２とが非磁性支持体３上に積層され
た構成となっており、下層強磁性層１の層厚（膜厚）は
９０ｎｍ程度、上層強磁性層２の層厚（膜厚）は６０ｎ
ｍ程度となっている。なお、上記非磁性支持体として
は、特に限定されず、この種の磁気記録媒体において使
用される材料が何れも使用可能である。
いて説明する。図１は、本実施の形態例に係る２層蒸着
型磁気テープの断面図であり、この２層蒸着型磁気テー
プは、データ用ＮＴ（ノントラッキング）システムにお
いて使用される磁気テープである。本２層蒸着型磁気テ
ープは、図１に示したように、データ記録用の強磁性層
として、Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸着薄膜からなる下層強磁性
層１と上層強磁性層２とが非磁性支持体３上に積層され
た構成となっており、下層強磁性層１の層厚（膜厚）は
９０ｎｍ程度、上層強磁性層２の層厚（膜厚）は６０ｎ
ｍ程度となっている。なお、上記非磁性支持体として
は、特に限定されず、この種の磁気記録媒体において使
用される材料が何れも使用可能である。
【００１０】また、非磁性支持体３の裏側には、テープ
の走行を滑らかにするための滑剤層４が設けられてい
る。なお、下層強磁性層１と上層強磁性層２は、図中、
ハッチングで示したように、コバルト（Ｃｏ）の結晶の
成長方向（磁化容易軸の方向）が、互いに逆向きとなる
ように積層されている。
の走行を滑らかにするための滑剤層４が設けられてい
る。なお、下層強磁性層１と上層強磁性層２は、図中、
ハッチングで示したように、コバルト（Ｃｏ）の結晶の
成長方向（磁化容易軸の方向）が、互いに逆向きとなる
ように積層されている。
【００１１】上記の下層強磁性層１と上層強磁性層２の
層厚（膜厚）は、データ用ＮＴデッキ上で走行させた際
のエラーレイトを低減することを意図して設定されたも
のであり、次のような実験により見い出されたものであ
る。すなわち、図２、図３に示したように、上層強磁性
層２の膜厚（ｔ２）を６０ｎｍに一定した状態で下層強
磁性層１の膜厚（ｔ１）を１２０ｎｍ±５ｎｍ、１０５
ｎｍ±５ｎｍ、９０ｎｍ±５ｎｍ、７５ｎｍ±５ｎｍの
４つのグループに分けて変化させ、データ用ＮＴデッキ
上で走行させた際の３ＭＨｚと１ＭＨｚの電磁変換出力
の差（［ｄＢ］で表す、周波数特性ｆという）を測定し
た。この際、本２層蒸着型磁気テープは、データ用ＮＴ
システムで使用することを前提としているので、これら
実験対象の２層蒸着型磁気テープには、アナログデータ
ではなく、デジタルデータを記録した。
層厚（膜厚）は、データ用ＮＴデッキ上で走行させた際
のエラーレイトを低減することを意図して設定されたも
のであり、次のような実験により見い出されたものであ
る。すなわち、図２、図３に示したように、上層強磁性
層２の膜厚（ｔ２）を６０ｎｍに一定した状態で下層強
磁性層１の膜厚（ｔ１）を１２０ｎｍ±５ｎｍ、１０５
ｎｍ±５ｎｍ、９０ｎｍ±５ｎｍ、７５ｎｍ±５ｎｍの
４つのグループに分けて変化させ、データ用ＮＴデッキ
上で走行させた際の３ＭＨｚと１ＭＨｚの電磁変換出力
の差（［ｄＢ］で表す、周波数特性ｆという）を測定し
た。この際、本２層蒸着型磁気テープは、データ用ＮＴ
システムで使用することを前提としているので、これら
実験対象の２層蒸着型磁気テープには、アナログデータ
ではなく、デジタルデータを記録した。
【００１２】なお、図２は、下層強磁性層１の磁化容易
軸の方向（下層順方向という）にテープを走行させ、図
３は、上層強磁性層２の磁化容易軸の方向（上層順方向
という）にテープを走行させた場合を示している。ま
た、±５ｎｍと膜厚に幅を持たせたのは、測定および製
造上のばらつきによるものである。また、図２、図３に
おいて、×印は、実際の測定値を示している（図４、図
５も同様）。
軸の方向（下層順方向という）にテープを走行させ、図
３は、上層強磁性層２の磁化容易軸の方向（上層順方向
という）にテープを走行させた場合を示している。ま
た、±５ｎｍと膜厚に幅を持たせたのは、測定および製
造上のばらつきによるものである。また、図２、図３に
おいて、×印は、実際の測定値を示している（図４、図
５も同様）。
【００１３】図２、図３の測定結果を検討すると、下層
強磁性層１の膜厚（ｔ１）が１２０ｎｍ±５ｎｍ、およ
び１０５ｎｍ±５ｎｍの場合は、周波数特性ｆはマイナ
スとなり、エラーレイトが高くなっているが、下層強磁
性層１の膜厚（ｔ１）が９０ｎｍ±５ｎｍ、および７５
ｎｍ±５ｎｍの場合は、周波数特性ｆはプラス側にシフ
トしエラーレイトが低くなっていることが分かる。ま
た、下層強磁性層１の膜厚（ｔ１）が９０ｎｍ±５ｎｍ
の場合と７５ｎｍ±５ｎｍの場合とを比較すると、９０
ｎｍ±５ｎｍの場合の方がエラーレイトが低くなってお
り、かつ、９０ｎｍ±５ｎｍの場合の周波数特性ｆは０
［ｄＢ］≦ｆ≦１．０［ｄＢ］となり、良好であること
が分かる。
強磁性層１の膜厚（ｔ１）が１２０ｎｍ±５ｎｍ、およ
び１０５ｎｍ±５ｎｍの場合は、周波数特性ｆはマイナ
スとなり、エラーレイトが高くなっているが、下層強磁
性層１の膜厚（ｔ１）が９０ｎｍ±５ｎｍ、および７５
ｎｍ±５ｎｍの場合は、周波数特性ｆはプラス側にシフ
トしエラーレイトが低くなっていることが分かる。ま
た、下層強磁性層１の膜厚（ｔ１）が９０ｎｍ±５ｎｍ
の場合と７５ｎｍ±５ｎｍの場合とを比較すると、９０
ｎｍ±５ｎｍの場合の方がエラーレイトが低くなってお
り、かつ、９０ｎｍ±５ｎｍの場合の周波数特性ｆは０
［ｄＢ］≦ｆ≦１．０［ｄＢ］となり、良好であること
が分かる。
【００１４】以上の検討により、下層強磁性層１の膜厚
（ｔ１）は、現状の１２０ｎｍより薄くし、９０ｎｍ±
５ｎｍとすることにより、エラーレイトを低減できるこ
とが判明した。また、図４、図５に示したように、下層
強磁性層１の膜厚（ｔ１）を９０ｎｍに一定した状態で
上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）を９０ｎｍ±５ｎｍ、７
５ｎｍ±５ｎｍ、６０ｎｍ±５ｎｍ、４５ｎｍ±５ｎｍ
の４つのグループに分けて変化させ、データ用ＮＴデッ
キ上で走行させた際の３ＭＨｚと１ＭＨｚの電磁変換出
力の差（周波数特性ｆ）を測定した。
（ｔ１）は、現状の１２０ｎｍより薄くし、９０ｎｍ±
５ｎｍとすることにより、エラーレイトを低減できるこ
とが判明した。また、図４、図５に示したように、下層
強磁性層１の膜厚（ｔ１）を９０ｎｍに一定した状態で
上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）を９０ｎｍ±５ｎｍ、７
５ｎｍ±５ｎｍ、６０ｎｍ±５ｎｍ、４５ｎｍ±５ｎｍ
の４つのグループに分けて変化させ、データ用ＮＴデッ
キ上で走行させた際の３ＭＨｚと１ＭＨｚの電磁変換出
力の差（周波数特性ｆ）を測定した。
【００１５】なお、図４は、下層強磁性層１の磁化容易
軸の方向（下層順方向）にテープを走行させ、図５は、
上層強磁性層２の磁化容易軸の方向（上層順方向）にテ
ープを走行させた場合を示している。図４、図５の測定
結果を検討すると、上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）が９
０ｎｍ±５ｎｍ、および７５ｎｍ±５ｎｍの場合は、周
波数特性ｆはマイナスとなりエラーレイトが高くなって
いるが、上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）が６０ｎｍ±５
ｎｍ、および４５ｎｍ±５ｎｍの場合は、周波数特性ｆ
はプラス側にシフトしエラーレイトが低くなっているこ
とが分かる。また、上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）が６
０ｎｍ±５ｎｍの場合と４５ｎｍ±５ｎｍの場合とを比
較すると、６０ｎｍ±５ｎｍの場合の方がエラーレイト
が低くなっており、かつ、６０ｎｍ±５ｎｍの場合の周
波数特性ｆは０［ｄＢ］≦ｆ≦１．０［ｄＢ］となり、
良好であることが分かる。
軸の方向（下層順方向）にテープを走行させ、図５は、
上層強磁性層２の磁化容易軸の方向（上層順方向）にテ
ープを走行させた場合を示している。図４、図５の測定
結果を検討すると、上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）が９
０ｎｍ±５ｎｍ、および７５ｎｍ±５ｎｍの場合は、周
波数特性ｆはマイナスとなりエラーレイトが高くなって
いるが、上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）が６０ｎｍ±５
ｎｍ、および４５ｎｍ±５ｎｍの場合は、周波数特性ｆ
はプラス側にシフトしエラーレイトが低くなっているこ
とが分かる。また、上層強磁性層２の膜厚（ｔ２）が６
０ｎｍ±５ｎｍの場合と４５ｎｍ±５ｎｍの場合とを比
較すると、６０ｎｍ±５ｎｍの場合の方がエラーレイト
が低くなっており、かつ、６０ｎｍ±５ｎｍの場合の周
波数特性ｆは０［ｄＢ］≦ｆ≦１．０［ｄＢ］となり、
良好であることが分かる。
【００１６】以上の検討により、上層強磁性層２の膜厚
（ｔ２）は、現状の６０ｎｍのままとすることにより、
エラーレイトを低減できることが判明した。すなわち、
図２、図３の検討結果と考え合わせると、上層強磁性層
２の膜厚（ｔ２）は、現状通り６０ｎｍ±５ｎｍとし、
下層強磁性層１の膜厚（ｔ１）だけを、現状の１２０ｎ
ｍから９０ｎｍ±５ｎｍと薄くすることにより、エラー
レイトを低減し得ることが判明した。
（ｔ２）は、現状の６０ｎｍのままとすることにより、
エラーレイトを低減できることが判明した。すなわち、
図２、図３の検討結果と考え合わせると、上層強磁性層
２の膜厚（ｔ２）は、現状通り６０ｎｍ±５ｎｍとし、
下層強磁性層１の膜厚（ｔ１）だけを、現状の１２０ｎ
ｍから９０ｎｍ±５ｎｍと薄くすることにより、エラー
レイトを低減し得ることが判明した。
【００１７】このように、エラーレイト低減化のための
上記最適条件は、±５ｎｍの許容範囲を持っているが、
図６は、この許容範囲内で５ｎｍ単位で上層強磁性層２
の膜厚（ｔ２）、および下層強磁性層１の膜厚（ｔ１）
を変更したときの周波数特性ｆ、およびエラーレイトを
示したものである。図６に示したように、上層強磁性層
２の膜厚（ｔ２）を６０ｎｍ±５ｎｍとし、下層強磁性
層１の膜厚（ｔ１）を９０ｎｍ±５ｎｍとした最適条件
の範囲内では、いずれの場合も、周波数特性ｆがプラス
側にシフトされて０≦ｆ≦＋１．０の範囲に収まり、エ
ラーレイトも０．１０×１０-2〜０．１８×１０-2と低
い範囲内に収まっている。
上記最適条件は、±５ｎｍの許容範囲を持っているが、
図６は、この許容範囲内で５ｎｍ単位で上層強磁性層２
の膜厚（ｔ２）、および下層強磁性層１の膜厚（ｔ１）
を変更したときの周波数特性ｆ、およびエラーレイトを
示したものである。図６に示したように、上層強磁性層
２の膜厚（ｔ２）を６０ｎｍ±５ｎｍとし、下層強磁性
層１の膜厚（ｔ１）を９０ｎｍ±５ｎｍとした最適条件
の範囲内では、いずれの場合も、周波数特性ｆがプラス
側にシフトされて０≦ｆ≦＋１．０の範囲に収まり、エ
ラーレイトも０．１０×１０-2〜０．１８×１０-2と低
い範囲内に収まっている。
【００１８】一方、図７に示したように、上記最適条件
を満足しない場合は、周波数特性ｆがプラス側になると
は限らず、エラーレイトは０．２５×１０-2〜０．４５
×１０-2と高くなっている。以上の実験から、本実施の
形態例では、図１に示したように、上層強磁性層２の膜
厚（ｔ２）を６０ｎｍ±５ｎｍとし、下層強磁性層１の
膜厚（ｔ１）を９０ｎｍ±５ｎｍとしたのである。
を満足しない場合は、周波数特性ｆがプラス側になると
は限らず、エラーレイトは０．２５×１０-2〜０．４５
×１０-2と高くなっている。以上の実験から、本実施の
形態例では、図１に示したように、上層強磁性層２の膜
厚（ｔ２）を６０ｎｍ±５ｎｍとし、下層強磁性層１の
膜厚（ｔ１）を９０ｎｍ±５ｎｍとしたのである。
【００１９】次に、上下の蒸着膜の形成動作例を説明す
る。本例では、連続巻取方式の真空斜方蒸着装置を用い
て、上層強磁性層２の膜厚６０ｎｍ、下層強磁性層１の
膜厚上９０ｎｍの蒸着薄膜を形成した。まず、非磁性支
持体として非磁性体のポリエチレンテレフタレートをベ
ースとし、そのベースフィルムを１０-2〜１０ー4Ｐａ程
度の真空度に保たれた真空室内で１９ｍ／ｍｉｎの速度
で移動走行させながら、るつぼ内に充填された強磁性材
料（Ｃｏ−Ｎｉ合金）を電子ビームにより加熱・溶融さ
せ、この溶融されたＣｏ−Ｎｉ合金の蒸発粒子をベース
フィルムに対して斜め方向から入射させて蒸着させるこ
とにより、下層（下層強磁性層１）を形成する。なお、
Ｃｏ−Ｎｉ合金は、Ｎｉの含有率を２０％程度として、
Ｃｏの磁気異方特性の確保、Ｎｉによる耐酸化性の向上
の均衡を図っている。
る。本例では、連続巻取方式の真空斜方蒸着装置を用い
て、上層強磁性層２の膜厚６０ｎｍ、下層強磁性層１の
膜厚上９０ｎｍの蒸着薄膜を形成した。まず、非磁性支
持体として非磁性体のポリエチレンテレフタレートをベ
ースとし、そのベースフィルムを１０-2〜１０ー4Ｐａ程
度の真空度に保たれた真空室内で１９ｍ／ｍｉｎの速度
で移動走行させながら、るつぼ内に充填された強磁性材
料（Ｃｏ−Ｎｉ合金）を電子ビームにより加熱・溶融さ
せ、この溶融されたＣｏ−Ｎｉ合金の蒸発粒子をベース
フィルムに対して斜め方向から入射させて蒸着させるこ
とにより、下層（下層強磁性層１）を形成する。なお、
Ｃｏ−Ｎｉ合金は、Ｎｉの含有率を２０％程度として、
Ｃｏの磁気異方特性の確保、Ｎｉによる耐酸化性の向上
の均衡を図っている。
【００２０】この場合、真空室内に配設された円筒型の
冷却キャンにより、この冷却キャンに当接されて走行し
ているベースフィルムを−２０℃に冷却することによ
り、ベースフィルムの熱劣化を防止し、ベースフィルム
の法線方向に対する入射角が４５°以上になるように、
Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸発粒子の入射方向を遮蔽板により制
御することにより、蒸着膜の保磁力を大きくする。ま
た、下層の膜厚が９０ｎｍとなるように蒸着レートを設
定すると共に、遮蔽板の近傍より酸素ガスを２５０ｃｃ
／ｍｉｎの割合で導入することにより、保磁力を大きく
して磁性特性を向上させると共に、蒸着時にＣｏ−Ｎｉ
合金の表面に酸化膜を形成させて内部保護、および耐食
性を向上するようにする。
冷却キャンにより、この冷却キャンに当接されて走行し
ているベースフィルムを−２０℃に冷却することによ
り、ベースフィルムの熱劣化を防止し、ベースフィルム
の法線方向に対する入射角が４５°以上になるように、
Ｃｏ−Ｎｉ合金の蒸発粒子の入射方向を遮蔽板により制
御することにより、蒸着膜の保磁力を大きくする。ま
た、下層の膜厚が９０ｎｍとなるように蒸着レートを設
定すると共に、遮蔽板の近傍より酸素ガスを２５０ｃｃ
／ｍｉｎの割合で導入することにより、保磁力を大きく
して磁性特性を向上させると共に、蒸着時にＣｏ−Ｎｉ
合金の表面に酸化膜を形成させて内部保護、および耐食
性を向上するようにする。
【００２１】次に、下層の蒸着薄膜が形成されて巻取ら
れたベースフィルムを、巻出し側にセットし、同様の真
空斜方蒸着により、下層の９０ｎｍの蒸着薄膜の上に６
０ｎｍの膜厚の上層（上層強磁性層２）の蒸着薄膜（Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金薄膜）を形成する。ただし、この場合のテ
ープの走行速度は、１９ｍ／ｍｉｎから２８ｍ／ｍｉｎ
にアップした。また、上層と下層の蒸着膜の結晶成長方
向が逆方向になるようにベースフィルムを走行させた。
れたベースフィルムを、巻出し側にセットし、同様の真
空斜方蒸着により、下層の９０ｎｍの蒸着薄膜の上に６
０ｎｍの膜厚の上層（上層強磁性層２）の蒸着薄膜（Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金薄膜）を形成する。ただし、この場合のテ
ープの走行速度は、１９ｍ／ｍｉｎから２８ｍ／ｍｉｎ
にアップした。また、上層と下層の蒸着膜の結晶成長方
向が逆方向になるようにベースフィルムを走行させた。
【００２２】このように上層強磁性層２の膜厚を６０ｎ
ｍ、下層強磁性層２の膜厚を９０ｎｍとした場合の磁気
特性は、図８に示したように、最大磁束密度Ｂｍは４３
５ｍＴ、残留磁束密度Ｂｒは３８３ｍＴ、再生出力Ｒｓ
は８８％、保磁力Ｈｃは１００ＫＡ／ｍとなり、いずれ
も良好な結果が得られた。
ｍ、下層強磁性層２の膜厚を９０ｎｍとした場合の磁気
特性は、図８に示したように、最大磁束密度Ｂｍは４３
５ｍＴ、残留磁束密度Ｂｒは３８３ｍＴ、再生出力Ｒｓ
は８８％、保磁力Ｈｃは１００ＫＡ／ｍとなり、いずれ
も良好な結果が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上層の膜厚を６０ｎｍ前後とし、下層の膜厚を１２０ｎ
ｍより薄くなっているので、より高い周波数（例えば３
ＭＨｚ）と、より低い周波数（例えば１ＭＨｚ）の電磁
変換出力の差［ｄＢ］がプラス側にシフトされて周波数
特性が改善され、デッキ走行時のエラーレイトを低減す
ることが可能となる。
上層の膜厚を６０ｎｍ前後とし、下層の膜厚を１２０ｎ
ｍより薄くなっているので、より高い周波数（例えば３
ＭＨｚ）と、より低い周波数（例えば１ＭＨｚ）の電磁
変換出力の差［ｄＢ］がプラス側にシフトされて周波数
特性が改善され、デッキ走行時のエラーレイトを低減す
ることが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態例に係る２層蒸着型磁気テ
ープの断面図である。
ープの断面図である。
【図２】上層の膜厚を一定にし、下層の膜厚を変化させ
た各種２層蒸着型磁気テープを下層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
た各種２層蒸着型磁気テープを下層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
【図３】上層の膜厚を一定にし、下層の膜厚を変化させ
た各種２層蒸着型磁気テープを上層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
た各種２層蒸着型磁気テープを上層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
【図４】下層の膜厚を一定にし、上層の膜厚を変化させ
た各種２層蒸着型磁気テープを下層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
た各種２層蒸着型磁気テープを下層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
【図５】下層の膜厚を一定にし、上層の膜厚を変化させ
た各種２層蒸着型磁気テープを上層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
た各種２層蒸着型磁気テープを上層の磁化容易方向に走
行させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図であ
る。
【図６】下層の膜厚９０ｎｍ±５ｎｍ、上層の膜厚６０
ｎｍ±５ｎｍの最適条件の範囲内で５ｎｍ単位で膜厚を
変化させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図で
ある。
ｎｍ±５ｎｍの最適条件の範囲内で５ｎｍ単位で膜厚を
変化させた場合の周波数特性、エラーレイトを示す図で
ある。
【図７】上記最適条件を満足しない場合の周波数特性、
エラーレイトを示す図である。
エラーレイトを示す図である。
【図８】上層の膜厚を６０ｎｍ、下層の膜厚を９０ｎｍ
とした場合の磁気特性を示す図である。
とした場合の磁気特性を示す図である。
１…下層強磁性層、２…上層強磁性層、３…非磁性支持
体、４…滑剤層
体、４…滑剤層
Claims (5)
- 【請求項１】 テープ状のベース媒体上に上下２層の金
属磁性層を蒸着した２層蒸着型磁気テープであって、 前記上層の膜厚を６０ｎｍ前後とし、 前記下層の膜厚を１２０ｎｍより薄くした、 ことを特徴とする２層蒸着型磁気テープ。 - 【請求項２】 前記上層の膜厚を６０ｎｍ±５ｎｍと
し、下層の膜厚を９０ｎｍ±５ｎｍとしたことを特徴と
する請求項１記載の２層蒸着型磁気テープ。 - 【請求項３】 前記上下２層の金属磁性層の金属磁性体
は、Ｃｏ−Ｎｉ合金であることを特徴とする請求項１、
２のいずれかに記載の２層蒸着型磁気テープ。 - 【請求項４】 前記上下２層の金属磁性層の蒸着方向が
互いに逆方向となるように構成されたことを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の２層蒸着型磁気テー
プ。 - 【請求項５】 テープ状のベース媒体上に上下２層のＣ
ｏ−Ｎｉ合金層を蒸着した２層蒸着型磁気テープであっ
て、上層の膜厚を６０ｎｍ±５ｎｍとし、下層の膜厚を
９０ｎｍ±５ｎｍとし、上下２層のＣｏ−Ｎｉ合金層の
磁化容易軸の方向が互いに逆方向となるように構成され
たことを特徴とする２層蒸着型磁気テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12343596A JPH09305950A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | ２層蒸着型磁気テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12343596A JPH09305950A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | ２層蒸着型磁気テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09305950A true JPH09305950A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14860514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12343596A Pending JPH09305950A (ja) | 1996-05-17 | 1996-05-17 | ２層蒸着型磁気テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09305950A (ja) |
-
1996
- 1996-05-17 JP JP12343596A patent/JPH09305950A/ja active Pending
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