JPH07296449A - 情報記憶媒体 - Google Patents
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- JPH07296449A JPH07296449A JP11216994A JP11216994A JPH07296449A JP H07296449 A JPH07296449 A JP H07296449A JP 11216994 A JP11216994 A JP 11216994A JP 11216994 A JP11216994 A JP 11216994A JP H07296449 A JPH07296449 A JP H07296449A
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノイズ発生原因を予め除去した情報記憶媒体
を提供する。 【構成】 少なくとも、光記録層２と磁性層６とが設け
られた情報記憶媒体であり、これらの間に応力緩和層６
を設けて、磁性層６への応力を緩和して、磁性層６にク
ラックを発生させないないようにして、記録再生時にお
けるノイズ発生源を予め除去しておく。
を提供する。 【構成】 少なくとも、光記録層２と磁性層６とが設け
られた情報記憶媒体であり、これらの間に応力緩和層６
を設けて、磁性層６への応力を緩和して、磁性層６にク
ラックを発生させないないようにして、記録再生時にお
けるノイズ発生源を予め除去しておく。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクや磁気デイ
スク等の情報記憶媒体に関する。
スク等の情報記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明な樹脂基板を用いた光ディス
クに、書換え可能な磁気記憶層を設けた記憶ディスクの
提案がなされている（特開昭5-54461 号他参照）。この
ような記憶ディスクによれば、記憶容量が増すと共に、
随時書き込み及び読み出しが可能な便利な媒体である。
クに、書換え可能な磁気記憶層を設けた記憶ディスクの
提案がなされている（特開昭5-54461 号他参照）。この
ような記憶ディスクによれば、記憶容量が増すと共に、
随時書き込み及び読み出しが可能な便利な媒体である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
記憶ディスクにおいて、磁気記憶層から大きな再生出力
を得ようとする場合には、磁性層をある程度厚くする必
要がある。ところが、上述したものは、従来の光学用コ
ンパクト・デイスクに相当する箇所を基板部として、こ
の上にスパッタリングにより下地膜を形成し、更にその
上にある程度の厚さの磁性層を形成しており、それらの
磁性層表面を観察すると、クラックが多数発生してい
る。特に、磁性膜を厚くしたものにその傾向が顕著に表
れている。こうしたクラックは、その長さが数μｍ〜数
十μｍのもので、電磁変換特性上のノイズ発生源とな
り、Ｓ／Ｎを大きく劣化してしまう懸念のあるものであ
る。そこで、本発明は、上述のような光記憶層と磁気記
録層とを併せもつ情報記憶媒体において、再生出力を上
げるために磁気記録層を所定の厚みとする場合にも、磁
性層にクラックを生じさせないようにすることにある。
記憶ディスクにおいて、磁気記憶層から大きな再生出力
を得ようとする場合には、磁性層をある程度厚くする必
要がある。ところが、上述したものは、従来の光学用コ
ンパクト・デイスクに相当する箇所を基板部として、こ
の上にスパッタリングにより下地膜を形成し、更にその
上にある程度の厚さの磁性層を形成しており、それらの
磁性層表面を観察すると、クラックが多数発生してい
る。特に、磁性膜を厚くしたものにその傾向が顕著に表
れている。こうしたクラックは、その長さが数μｍ〜数
十μｍのもので、電磁変換特性上のノイズ発生源とな
り、Ｓ／Ｎを大きく劣化してしまう懸念のあるものであ
る。そこで、本発明は、上述のような光記憶層と磁気記
録層とを併せもつ情報記憶媒体において、再生出力を上
げるために磁気記録層を所定の厚みとする場合にも、磁
性層にクラックを生じさせないようにすることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の情報記憶媒体
は、上述の問題点を解決するために、以下の１）〜４）
に記載の手段を提供しようというものである。即ち、 １）少なくとも、光情報記憶層と、この上面に形成され
る保護層と、この上面側に形成される磁性層とが設けら
れる情報記憶媒体において、前記保護層と前記磁性層と
の間に、前記磁性層への応力を緩和するための応力緩和
層を設けたことを特徴とする情報記憶媒体。
は、上述の問題点を解決するために、以下の１）〜４）
に記載の手段を提供しようというものである。即ち、 １）少なくとも、光情報記憶層と、この上面に形成され
る保護層と、この上面側に形成される磁性層とが設けら
れる情報記憶媒体において、前記保護層と前記磁性層と
の間に、前記磁性層への応力を緩和するための応力緩和
層を設けたことを特徴とする情報記憶媒体。
【０００５】２）請求項１記載の情報記憶媒体におい
て、応力緩和層をカ−ボン、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎ、
又はＮｉＰ等の非磁性アモルファス材で形成したことを
特徴とする情報記憶媒体。
て、応力緩和層をカ−ボン、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎ、
又はＮｉＰ等の非磁性アモルファス材で形成したことを
特徴とする情報記憶媒体。
【０００６】３）請求項１記載の情報記憶媒体におい
て、磁性層の下層に下地層を設け、この下地層をＣｒ、
又は、これに近い面間隔を有する体心立方構造の組成物
で形成したことを特徴とする情報記憶媒体。
て、磁性層の下層に下地層を設け、この下地層をＣｒ、
又は、これに近い面間隔を有する体心立方構造の組成物
で形成したことを特徴とする情報記憶媒体。
【０００７】４）請求項１記載の情報記憶媒体におい
て、磁性層をＣｏ合金で形成したことを特徴とする情報
記憶媒体。
て、磁性層をＣｏ合金で形成したことを特徴とする情報
記憶媒体。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の情報記憶媒体の実施例につき
説明する。図１は、その一実施例であるデイスク状の情
報記憶媒体の概略断面図である。１は直径１２０ｍｍの
透明なポリカーボネート樹脂製の基板で、この上部側に
はスタンパにより射出成形された凹凸部１ａが設けられ
ている。この凹凸部１ａ上には、スパッタリング法によ
り１000 オングストロ−ムの厚さのＡｌ膜により光記録
層２が設けられ、前記基板１を通じて供給される照射光
を反射して信号伝達を行う構成になっている。更に、こ
の光記録層２の上面に、紫外線硬化樹脂がスピンドルコ
ート法により塗布されて光保護層３が設けられている。
以上の各層が、これより上層に設けられる各層の基板部
Ａとなっている。
説明する。図１は、その一実施例であるデイスク状の情
報記憶媒体の概略断面図である。１は直径１２０ｍｍの
透明なポリカーボネート樹脂製の基板で、この上部側に
はスタンパにより射出成形された凹凸部１ａが設けられ
ている。この凹凸部１ａ上には、スパッタリング法によ
り１000 オングストロ−ムの厚さのＡｌ膜により光記録
層２が設けられ、前記基板１を通じて供給される照射光
を反射して信号伝達を行う構成になっている。更に、こ
の光記録層２の上面に、紫外線硬化樹脂がスピンドルコ
ート法により塗布されて光保護層３が設けられている。
以上の各層が、これより上層に設けられる各層の基板部
Ａとなっている。
【０００９】そして、この基板部Ａ、すなわち、光保護
層３の上面には、下層側と上層側との応力を緩和するた
めのカ−ボンより成る応力緩和層４と、Ｃｒより成る下
地層５と、ＣｏＮｉＣｒより成る磁性層６と、更に、こ
の磁性層６を保護するための保護層７と、潤滑層８とが
順次積層された構成となっている。
層３の上面には、下層側と上層側との応力を緩和するた
めのカ−ボンより成る応力緩和層４と、Ｃｒより成る下
地層５と、ＣｏＮｉＣｒより成る磁性層６と、更に、こ
の磁性層６を保護するための保護層７と、潤滑層８とが
順次積層された構成となっている。
【００１０】次に、基板部Ａ上に設けられる応力緩和層
４、下地層５及び磁性層６の形成方法につき説明する。
この形成にあたっては、上述の基板部Ａが形成されたと
ころで、この基板部Ａを６インチのタ−ゲットを有する
ＤＣマグネトロンスパッタ装置に取り付け、到着真空度
４×１０-7Ｔｏｒｒ．まで排気を行う。この時、基板部
Ａは加熱しない。スパッタ時の基板部Ａの温度はおよそ
２０℃とする。そして、基板部Ａ上にカ−ボンを400 オ
ングスト−ムの厚さで、その上にＣｒを500 オングスト
−ムの厚さで、更に、その上面にＣｏＮｉ18Ｃｒ9 を20
00 オングストロ−ムの厚さで順次以下の条件で成膜し
たものである。
４、下地層５及び磁性層６の形成方法につき説明する。
この形成にあたっては、上述の基板部Ａが形成されたと
ころで、この基板部Ａを６インチのタ−ゲットを有する
ＤＣマグネトロンスパッタ装置に取り付け、到着真空度
４×１０-7Ｔｏｒｒ．まで排気を行う。この時、基板部
Ａは加熱しない。スパッタ時の基板部Ａの温度はおよそ
２０℃とする。そして、基板部Ａ上にカ−ボンを400 オ
ングスト−ムの厚さで、その上にＣｒを500 オングスト
−ムの厚さで、更に、その上面にＣｏＮｉ18Ｃｒ9 を20
00 オングストロ−ムの厚さで順次以下の条件で成膜し
たものである。
【００１１】 ＜スパッタ条件＞ 応力緩和層（カ−ボン） スパッタガス圧：0.8 ｍＴｏｒｒ． スパッタレ−ト：0.83オングスト−ム／ｓｅｃ． 下地層（Ｃｒ） スパッタガス圧：３５ｍＴｏｒｒ． スパッタレ−ト：2.65オングスト−ム／ｓｅｃ． 磁性層（ＣｏＮｉＣｒ） スパッタガス圧：３５ｍＴｏｒｒ． スパッタレ−ト：5.44オングスト−ム／ｓｅｃ．
【００１２】そして、このような条件の基に形成された
磁性層６上に、ＤＣスパッタ法によりカ−ボンより成る
磁性膜保護層７及びフッソ系の潤滑剤により潤滑層８が
順次形成されて上記構成の情報記憶媒体が形成される。
磁性層６上に、ＤＣスパッタ法によりカ−ボンより成る
磁性膜保護層７及びフッソ系の潤滑剤により潤滑層８が
順次形成されて上記構成の情報記憶媒体が形成される。
【００１３】次に、本実施例による情報記憶媒体と、従
来の情報記憶媒体、即ち、応力緩和層４を設けない情報
記憶媒体との比較を行った。この場合、比較試料とし
は、共に、磁性膜保護層７及び潤滑層８を設けない情報
記憶媒体で行った。図２及び図３は、磁性層の表面を走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した時の部分写真
を複写手段により複写した図で示したものである。図２
において、同図（Ａ）は本実施例による情報記憶媒体の
磁性層を示し、同図（Ｂ）は従来の情報記憶媒体の磁性
層を示したもので、それぞれ、5,000 倍の倍率で観察を
行ったものである。同様に、図３において、同図（Ａ）
は本実施例による情報記憶媒体の磁性層を示し、同図
（Ｂ）は従来の情報記憶媒体の磁性層を示したもので、
それぞれ、10,000 倍の倍率で観察を行ったものであ
る。
来の情報記憶媒体、即ち、応力緩和層４を設けない情報
記憶媒体との比較を行った。この場合、比較試料とし
は、共に、磁性膜保護層７及び潤滑層８を設けない情報
記憶媒体で行った。図２及び図３は、磁性層の表面を走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した時の部分写真
を複写手段により複写した図で示したものである。図２
において、同図（Ａ）は本実施例による情報記憶媒体の
磁性層を示し、同図（Ｂ）は従来の情報記憶媒体の磁性
層を示したもので、それぞれ、5,000 倍の倍率で観察を
行ったものである。同様に、図３において、同図（Ａ）
は本実施例による情報記憶媒体の磁性層を示し、同図
（Ｂ）は従来の情報記憶媒体の磁性層を示したもので、
それぞれ、10,000 倍の倍率で観察を行ったものであ
る。
【００１４】これらの図において、明色で示される箇所
と暗色で示される箇所とがあり、これは、明色で示され
る箇所は突出形状部となっており、暗色で示される部分
は凹状形状部となっている。これらの図から明らかな通
り、図（Ａ）の方が図（Ｂ）に比べて突出形状部の形状
がきめ細かく、突出形状部の盛り上がりが少ないことが
分かる。
と暗色で示される箇所とがあり、これは、明色で示され
る箇所は突出形状部となっており、暗色で示される部分
は凹状形状部となっている。これらの図から明らかな通
り、図（Ａ）の方が図（Ｂ）に比べて突出形状部の形状
がきめ細かく、突出形状部の盛り上がりが少ないことが
分かる。
【００１５】更に、特に、図３（Ｂ）の明色部、即ち、
突出形状部に注目すれば、その頂上部に、細長いすじが
見受けられる。これは、ひび割れ、クラックが生じてい
るもので、ほとんどの突出形状部に見受けられる。
突出形状部に注目すれば、その頂上部に、細長いすじが
見受けられる。これは、ひび割れ、クラックが生じてい
るもので、ほとんどの突出形状部に見受けられる。
【００１６】突出形状部は、光保護層、下地層及び磁性
層に所定以上の応力の差が生じると、磁性層表面に歪み
が生じ、その結果、突出形状部が所定以上に盛り上が
り、その頂部にクラックが生じるものと考えられる。図
（Ｂ）は、正に、それを示しているものである。
層に所定以上の応力の差が生じると、磁性層表面に歪み
が生じ、その結果、突出形状部が所定以上に盛り上が
り、その頂部にクラックが生じるものと考えられる。図
（Ｂ）は、正に、それを示しているものである。
【００１７】これに対して、図（Ａ）に示す本実施例の
情報記憶媒体は、光保護層から磁性層６に至る間にカ−
ボンから成る応力緩和層４を設けているので、磁性層６
に至る応力差がこの層で吸収され下地層５及び磁性層６
にクラックを発生させないようにしているものと考えら
れる。また、上述の実施例において、磁性層６をＣｏＰ
ｔ10で形成した場合にも、同様の結果が得られている。
情報記憶媒体は、光保護層から磁性層６に至る間にカ−
ボンから成る応力緩和層４を設けているので、磁性層６
に至る応力差がこの層で吸収され下地層５及び磁性層６
にクラックを発生させないようにしているものと考えら
れる。また、上述の実施例において、磁性層６をＣｏＰ
ｔ10で形成した場合にも、同様の結果が得られている。
【００１８】以上述べたように、本実施例によれば、特
に、光保護層と磁性層６との間に、応力緩和層４を設け
たので、この応力緩和層４で、下地層５と磁性層６への
応力を緩和して、磁性層６表面にクラックが発生するの
を未然に防止できる。
に、光保護層と磁性層６との間に、応力緩和層４を設け
たので、この応力緩和層４で、下地層５と磁性層６への
応力を緩和して、磁性層６表面にクラックが発生するの
を未然に防止できる。
【００１９】尚、本実施例では、応力緩和層４をカ−ボ
ンより構成したが、これに限らず、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、
Ｚｎ、又はＮｉＰ等の非磁性アモルファス材であっても
同様な効果が得られる。また、本実施例では、下地層５
をＣｒで構成しているが、これに近い面間隔を有するバ
ナジウム等の体心立方構造のものであっても良い。
ンより構成したが、これに限らず、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、
Ｚｎ、又はＮｉＰ等の非磁性アモルファス材であっても
同様な効果が得られる。また、本実施例では、下地層５
をＣｒで構成しているが、これに近い面間隔を有するバ
ナジウム等の体心立方構造のものであっても良い。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、光記憶層と磁性層とを
併せもつ情報記憶媒体において、再生出力を上げるため
に、磁性層を所定以上の厚みとする場合にも、磁性層に
クラックが生ぜず、記録再生時のノイズ原因となるもの
を未然に除去できる。
併せもつ情報記憶媒体において、再生出力を上げるため
に、磁性層を所定以上の厚みとする場合にも、磁性層に
クラックが生ぜず、記録再生時のノイズ原因となるもの
を未然に除去できる。
【図１】本発明の実施例に係る情報記憶媒体の概略断面
図を示す。
図を示す。
【図２】本発明の実施例に係る情報記憶媒体と従来の情
報記憶媒体とを比較図して示した拡大部分図である。
報記憶媒体とを比較図して示した拡大部分図である。
【図３】図２における拡大率を、更に大きくして示した
図である。
図である。
１ 基板 ２ 光記録層 ３ 光保護層 ４ 応力緩和層 ５ 下地層 ６ 磁性層 ７ 保護層 ８ 潤滑層 Ａ 基板部
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも、光情報記憶層と、この上面に
形成される保護層と、この上面側に形成される磁性層と
が設けられる情報記憶媒体において、 前記保護層と前記磁性層との間に、前記磁性層への応力
を緩和するための応力緩和層を設けたことを特徴とする
情報記憶媒体。 - 【請求項２】請求項１記載の情報記憶媒体において、応
力緩和層をカ−ボン、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｚｎ、又はＮ
ｉＰ等の非磁性アモルファス材で形成したことを特徴と
する情報記憶媒体。 - 【請求項３】請求項１記載の情報記憶媒体において、磁
性層の下層に下地層を設け、この下地層をＣｒ、又は、
これに近い面間隔を有する体心立方構造の組成物で形成
したことを特徴とする情報記憶媒体。 - 【請求項４】請求項１記載の情報記憶媒体において、磁
性層をＣｏ合金で形成したことを特徴とする情報記憶媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216994A JPH07296449A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 情報記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216994A JPH07296449A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 情報記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296449A true JPH07296449A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14579981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11216994A Pending JPH07296449A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 情報記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296449A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004280868A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 光ディスク |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP11216994A patent/JPH07296449A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004280868A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 光ディスク |
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