JPH07297345A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH07297345A JPH07297345A JP6091137A JP9113794A JPH07297345A JP H07297345 A JPH07297345 A JP H07297345A JP 6091137 A JP6091137 A JP 6091137A JP 9113794 A JP9113794 A JP 9113794A JP H07297345 A JPH07297345 A JP H07297345A
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- lead frame
- lead
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】インナリードからバスバーを越えて半導体チッ
プにボンディングするボンディング距離を短く保ちなが
ら、ワイヤのバスバーへの短絡不良を低減する。 【構成】バスバー６をせん断加工により垂直方向にダウ
ンセットする。せん断加工の深さは絶縁フィルム９の厚
さよりも浅くする。ダウンセット加工されたバスバー６
を越えてインナリード２から半導体チップ１１上にワイ
ヤボンディングすると、ワイヤ８とバスバー６との距離
ｄ3 を大きく取れ、しかもワイヤ長ｌ3 も曲げ加工によ
りダウンセットした場合に比して短くて済む。
プにボンディングするボンディング距離を短く保ちなが
ら、ワイヤのバスバーへの短絡不良を低減する。 【構成】バスバー６をせん断加工により垂直方向にダウ
ンセットする。せん断加工の深さは絶縁フィルム９の厚
さよりも浅くする。ダウンセット加工されたバスバー６
を越えてインナリード２から半導体チップ１１上にワイ
ヤボンディングすると、ワイヤ８とバスバー６との距離
ｄ3 を大きく取れ、しかもワイヤ長ｌ3 も曲げ加工によ
りダウンセットした場合に比して短くて済む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁フィルムを介して半
導体チップ上に接着される半導体装置用リードフレーム
に係り、特にボンディングワイヤのバスバーへの接触を
なくすように改善したものに関する。
導体チップ上に接着される半導体装置用リードフレーム
に係り、特にボンディングワイヤのバスバーへの接触を
なくすように改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、なかでもＤＲＡＭは、近年、メモ
リ容量が増加し、これに伴って半導体チップも大型化し
てきている。半導体チップの配線面に絶縁フィルムを介
してリードを接着する構造のパッケージは、ＬＯＣ（Ｌ
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のパッケージと呼ばれて
いる。このＬＯＣ構造タイプの半導体装置用パッケージ
は、金属タブにチップを搭載する従来構造のパッケージ
や、リードに絶縁フィルムを介してチップを接着するＣ
ＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造と呼ばれるもの
に比べ、パッケージに対するチップの占有率を高めてい
る。
リ容量が増加し、これに伴って半導体チップも大型化し
てきている。半導体チップの配線面に絶縁フィルムを介
してリードを接着する構造のパッケージは、ＬＯＣ（Ｌ
ｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のパッケージと呼ばれて
いる。このＬＯＣ構造タイプの半導体装置用パッケージ
は、金属タブにチップを搭載する従来構造のパッケージ
や、リードに絶縁フィルムを介してチップを接着するＣ
ＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造と呼ばれるもの
に比べ、パッケージに対するチップの占有率を高めてい
る。
【０００３】そのリードフレーム形状は、例えば、図３
に示すようになってる。リード１はインナリード２とア
ウタリード３とから主に構成され、その中間部がダムバ
ー４によって外枠５に保持される。インナリード２の内
側にはさらに電源を共通化するバスバー６が設けられ
る。バスバー６はリード１の方向に対して直交する方向
に走っているが、途中でインナリード２、２間に入り込
む枝路７を何本か持っている。この枝路７は図３のＡ部
拡大図であある図４に示すように、バスバー６とインナ
リード２とのワイヤ８のボンディング位置条件を同じに
するために設けられる。
に示すようになってる。リード１はインナリード２とア
ウタリード３とから主に構成され、その中間部がダムバ
ー４によって外枠５に保持される。インナリード２の内
側にはさらに電源を共通化するバスバー６が設けられ
る。バスバー６はリード１の方向に対して直交する方向
に走っているが、途中でインナリード２、２間に入り込
む枝路７を何本か持っている。この枝路７は図３のＡ部
拡大図であある図４に示すように、バスバー６とインナ
リード２とのワイヤ８のボンディング位置条件を同じに
するために設けられる。
【０００４】このリードフレーム１０はインナリード２
とバスバー枝路７との裏面側に、両面に接着剤を塗布し
た絶縁樹脂９の一面を貼り付け、絶縁樹脂９の他面に半
導体チップ１１を貼り付ける。そして、インナリード２
からバスバー６を越えて半導体チップ１１のボンディン
グパッドにワイヤ８をボンディングする。バスバー６の
枝路７からも半導体チップ１１に同じ条件でボンディン
グされる。ボンディング後、中央部からダムバー４の部
分までモールド樹脂で封止され最終的にパッケージ化さ
れる。
とバスバー枝路７との裏面側に、両面に接着剤を塗布し
た絶縁樹脂９の一面を貼り付け、絶縁樹脂９の他面に半
導体チップ１１を貼り付ける。そして、インナリード２
からバスバー６を越えて半導体チップ１１のボンディン
グパッドにワイヤ８をボンディングする。バスバー６の
枝路７からも半導体チップ１１に同じ条件でボンディン
グされる。ボンディング後、中央部からダムバー４の部
分までモールド樹脂で封止され最終的にパッケージ化さ
れる。
【０００５】上述したインナリード２からバスバー６を
越えて半導体チップ１１のボンディングパッドにワイヤ
８をループ状にボンディングするが、そのとき図４のＶ
−Ｖ線矢視断面図である図５に示すように、インナリー
ド２の延長上にバスバー６があるので、ワイヤ８とバス
バー６との距離ｄ1 が近く、ワイヤ８の撓みなどによる
バスバー６への短絡が問題となる。
越えて半導体チップ１１のボンディングパッドにワイヤ
８をループ状にボンディングするが、そのとき図４のＶ
−Ｖ線矢視断面図である図５に示すように、インナリー
ド２の延長上にバスバー６があるので、ワイヤ８とバス
バー６との距離ｄ1 が近く、ワイヤ８の撓みなどによる
バスバー６への短絡が問題となる。
【０００６】このため、少しでもワイヤ８とバスバー６
との距離ｄ1 を遠くするために、従来は、図６のよう
に、バスバー６にダウンセットをかけることにより、バ
スバー６をインナリード２の位置よりも下にしてワイヤ
８の接触防止を図っている。
との距離ｄ1 を遠くするために、従来は、図６のよう
に、バスバー６にダウンセットをかけることにより、バ
スバー６をインナリード２の位置よりも下にしてワイヤ
８の接触防止を図っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したバスバーのダ
ウンセット加工は、従来構造やＣＯＬタイプのリードフ
レームに施されているダウンセット加工と同様に、曲げ
加工によっている。このため、ワイヤ８の接触防止は図
れるものの、バスバーに斜めの延長部分が生じるので広
い範囲でリードにダウンセットを施すことになり、イン
ナリード２からバスバー６を越えてボンディングされる
ワイヤのワイヤ長ｌ2 が、ダウンセットしない図５のワ
イヤ長ｌ1 に比較して長くなってしまう。
ウンセット加工は、従来構造やＣＯＬタイプのリードフ
レームに施されているダウンセット加工と同様に、曲げ
加工によっている。このため、ワイヤ８の接触防止は図
れるものの、バスバーに斜めの延長部分が生じるので広
い範囲でリードにダウンセットを施すことになり、イン
ナリード２からバスバー６を越えてボンディングされる
ワイヤのワイヤ長ｌ2 が、ダウンセットしない図５のワ
イヤ長ｌ1 に比較して長くなってしまう。
【０００８】しかし、ＬＯＣタイプのパッケージは、一
方で、より小型化を目的としているため、狭い範囲でダ
ウンセットを施すとともに、ワイヤ８を可能な限り短く
することが要請され、その点から言って、比較的広い加
工範囲を必要とする曲げ加工は望ましくない。また、ワ
イヤ８の使用長が長くなり材料コストが増加する点も望
ましくない。
方で、より小型化を目的としているため、狭い範囲でダ
ウンセットを施すとともに、ワイヤ８を可能な限り短く
することが要請され、その点から言って、比較的広い加
工範囲を必要とする曲げ加工は望ましくない。また、ワ
イヤ８の使用長が長くなり材料コストが増加する点も望
ましくない。
【０００９】本発明の目的は、狭い範囲でリードにダウ
ンセット加工を施すことによって、前述した従来技術の
欠点を解消し、ワイヤ使用長が短く、パッケージサイズ
を大きくすることなくバスバーへのボンディングワイヤ
の接触防止を図ることが可能な半導体装置用リードフレ
ームを提供することにある。
ンセット加工を施すことによって、前述した従来技術の
欠点を解消し、ワイヤ使用長が短く、パッケージサイズ
を大きくすることなくバスバーへのボンディングワイヤ
の接触防止を図ることが可能な半導体装置用リードフレ
ームを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
上に絶縁フィルムを介してインナリードが接着され、該
インナリードからインナリードの内側にあるバスバーを
越えて半導体チップにワイヤボンディングされる半導体
装置用リードフレームにおいて、バスバーをせん断加工
によりダウンセットしたものである。
上に絶縁フィルムを介してインナリードが接着され、該
インナリードからインナリードの内側にあるバスバーを
越えて半導体チップにワイヤボンディングされる半導体
装置用リードフレームにおいて、バスバーをせん断加工
によりダウンセットしたものである。
【００１１】
【作用】せん断加工によりバスバーにダウンセットを施
すと、曲げ加工のように斜めの部分が生じることなく、
バスバーを厚さ方向に垂直に下げることができる。した
がって、曲げ加工によりダウンセットを施した場合より
も加工長が短くなるため、パッケージサイズを大きくす
ることなくボンディングワイヤの短絡不良を大幅に低減
することができる。
すと、曲げ加工のように斜めの部分が生じることなく、
バスバーを厚さ方向に垂直に下げることができる。した
がって、曲げ加工によりダウンセットを施した場合より
も加工長が短くなるため、パッケージサイズを大きくす
ることなくボンディングワイヤの短絡不良を大幅に低減
することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
の実施例を図１を用いて説明する。半導体装置用リード
フレーム１０は、従来例と同様に半導体チップ１１上に
絶縁フィルム９を介してインナリード２が接着された構
造になっている。絶縁フィルム９は半導体チップ１１と
インナリード２との間に介在しているが、ダウンセット
加工を施すためにバスバー６との間には介在していな
い。バスバー６は、枝路７（図３、図４参照）との間
で、その厚さ方向に、せん断加工によるダウンセット加
工が施される。せん断加工によりバスバー６にダウンセ
ット加工を施すと、曲げ加工のように斜めの加工部分が
生じることなく、バスバー６を厚さ方向に垂直に下げる
ことができる。
の実施例を図１を用いて説明する。半導体装置用リード
フレーム１０は、従来例と同様に半導体チップ１１上に
絶縁フィルム９を介してインナリード２が接着された構
造になっている。絶縁フィルム９は半導体チップ１１と
インナリード２との間に介在しているが、ダウンセット
加工を施すためにバスバー６との間には介在していな
い。バスバー６は、枝路７（図３、図４参照）との間
で、その厚さ方向に、せん断加工によるダウンセット加
工が施される。せん断加工によりバスバー６にダウンセ
ット加工を施すと、曲げ加工のように斜めの加工部分が
生じることなく、バスバー６を厚さ方向に垂直に下げる
ことができる。
【００１３】せん断によるダウンセット加工後、押し下
げられたバスバー６を越えてインナリード２からワイヤ
８をＩＣチップ１１のボンディングパッドにボンディン
グする。すると、ワイヤ８とバスバー６との距離ｄ3 が
大きく取れるので、ワイヤ８がバスバー６と接触するの
を大幅に低減できる。また、ダウンセットをせん断加工
により施したので、曲げ加工によりダウンセット加工を
施した場合よりも、狭い範囲でバスバー６にダウンセッ
トを施すことができるから、パッケージの小型化が図れ
る。また、ワイヤ８の使用長さｌ3 もダウンセットしな
い場合と同程度に短くすることが可能であり、材料コス
トの軽減が図れる。特にワイヤが金線である場合にはそ
のコスト低減はより大きなものとなる。
げられたバスバー６を越えてインナリード２からワイヤ
８をＩＣチップ１１のボンディングパッドにボンディン
グする。すると、ワイヤ８とバスバー６との距離ｄ3 が
大きく取れるので、ワイヤ８がバスバー６と接触するの
を大幅に低減できる。また、ダウンセットをせん断加工
により施したので、曲げ加工によりダウンセット加工を
施した場合よりも、狭い範囲でバスバー６にダウンセッ
トを施すことができるから、パッケージの小型化が図れ
る。また、ワイヤ８の使用長さｌ3 もダウンセットしな
い場合と同程度に短くすることが可能であり、材料コス
トの軽減が図れる。特にワイヤが金線である場合にはそ
のコスト低減はより大きなものとなる。
【００１４】バスバー６に対する厚さ方向のせん断深さ
は任意であるが、半導体チップ１１に接触しないように
するため、絶縁フィルム９の厚さよりも深くてはいけな
い。通常、絶縁フィルム９の厚さはその両面に設けた接
着剤を含めて１００μｍ程度であるので、それより浅く
せん断加工する。
は任意であるが、半導体チップ１１に接触しないように
するため、絶縁フィルム９の厚さよりも深くてはいけな
い。通常、絶縁フィルム９の厚さはその両面に設けた接
着剤を含めて１００μｍ程度であるので、それより浅く
せん断加工する。
【００１５】なお、ＬＯＣタイプのリードフレームでは
バスバー以外にも、図２に示すように、インナリード２
を半導体チップ１１に接触しないようにするために、イ
ンナリード２にもダウンセット加工を施すが、この部分
についても、せん断加工を用いることができる。このよ
うにすると、ＬＯＣ構造のパッケージをより小型化する
ことができる。
バスバー以外にも、図２に示すように、インナリード２
を半導体チップ１１に接触しないようにするために、イ
ンナリード２にもダウンセット加工を施すが、この部分
についても、せん断加工を用いることができる。このよ
うにすると、ＬＯＣ構造のパッケージをより小型化する
ことができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明はバスバーをせん断加工によりダ
ウンセットして、斜めの部分が生じないようにしたの
で、ワイヤ使用長を短く抑えることができるとともに、
パッケージサイズを大きくすることなくボンディングワ
イヤの短絡不良を大幅に低減することができる。
ウンセットして、斜めの部分が生じないようにしたの
で、ワイヤ使用長を短く抑えることができるとともに、
パッケージサイズを大きくすることなくボンディングワ
イヤの短絡不良を大幅に低減することができる。
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームの実施例
を説明するためのバスバーにせん断加工によるダウンセ
ットを施した断面図である。
を説明するためのバスバーにせん断加工によるダウンセ
ットを施した断面図である。
【図２】本実施例のバスバーに加えてせん断加工により
ダウンセットを施したインナリードの斜視図。
ダウンセットを施したインナリードの斜視図。
【図３】本発明と従来例とに共通するＬＯＣタイプのリ
ードフレーム例の平面図である。
ードフレーム例の平面図である。
【図４】図３のＡ部の拡大図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線矢視断面図である。
【図６】図５のバスバーに曲げ加工によるダウンセット
を施した断面図である。
を施した断面図である。
２ インナリード ６ バスバー ８ ワイヤ ９ 絶縁フィルム １０ リードフレーム １１ 半導体チップ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体チップ上に絶縁フィルムを介してイ
ンナリードが接着され、該インナリードからインナリー
ドの内側にあるバスバーを越えて半導体チップにワイヤ
ボンディングされる半導体装置用リードフレームにおい
て、上記バスバーをせん断加工によりダウンセットした
ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】上記インナリードがさらにせん断加工によ
りダウンセットされていることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091137A JPH07297345A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091137A JPH07297345A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297345A true JPH07297345A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14018149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6091137A Pending JPH07297345A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09213842A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-08-15 | Lg Semicon Co Ltd | Ｌｏｃ半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2016004887A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム、およびリードフレームの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6091137A patent/JPH07297345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09213842A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-08-15 | Lg Semicon Co Ltd | Ｌｏｃ半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2016004887A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム、およびリードフレームの製造方法 |
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