JPH03153011A - 積層トランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、各種トランスやコモンモードチョークコイル
、バラン等として用いることのできる積層トランスに関
する。

［背景技術］ 第１０図には、従来の積層トランスの構造を示しである
。この図は、積層前における保護基板及び絶縁層を展開
して示す平面図であり、導体膜を形成された各絶縁層５
２Ａ、５２Ｂ、５３Ａ、５３Ｂを順次下から積層し、そ
の積層体の上下戸面にさらに、保護基板５４．５１を積
層される。このうち、下から第２層の絶縁基板５２Ｂに
は、約２ターン程度の渦巻き状した線輪電極５５Ｂが導
体膜によって形成されており、線輪電極５５Ｂの一端は
外部引出し電極５９となり、他端にはスルーホール構造
のスルーホール端子５８Ｂが設けられている。また、こ
の下に積層される第１層の絶縁層５２Ａの表面°には、
導体膜によって直線状の線輪電極５５Ａが形成されてお
り、この線輪電極５５Ａの一端は外部引出し電極５７と
なり、他端には上層のスルーホール電極５８ｂと対向さ
せて子端子５８ａが形成されている。しかして、この第
１層の絶縁層５２Ａと５２Ｂが積層されることにより、
スルーホール端子５８ｂを介して、上下の線輪電極５５
Ｂ、５５Ａが接続され、外部引出し電極５７．５９間に
一方のコイル素子（−次コイル）が形成される。また、
下から３層目の絶縁層５３Ａの表面には、導体膜によっ
て渦巻き状をした２ターン未満の線輪電極５６Ａが形成
されており、線輪電極５６Ａの一端は外部引出し電極６
０となり、他端には子端子６１ａが設けられている。

一方、その上に積層される第４層の絶縁層５３Ｂの表面
には、導体膜によって直線状した線輪電極５８Ｂが形成
されており、この線輪電極５６Ｂの一端は外部引出し電
極６２となり、他端には下層の子端子８１ａと対向させ
てスルーホール構造のスルーホール端子６１ｂが設けら
れている。しかして、第３層及び第４層の絶縁層５３Ａ
、５３Ｂを積層することにより、スルーホール端子８１
ｂを介して、上下の線輪電極５６Ｂ、５８Ａが接続され
、外部引出し電極６０．８２間に他方のコイル素子（二
次コイル）が形成される。そして、保護基板５１と各絶
縁層５２Ａ、５２Ｂ、５３Ａ。

５３Ｂと保護基板５４を順次積層及び焼成した後、その
積層体の外面に外部電極を形成することにより（両コイ
ル素子の外部引出し電極５７と６０は、外部電極によっ
て接続される。）第４図と同様な等節回路を持つ積層ト
ランスが構成される。

第１２図には、別な従来例の積層トランスの構造を示し
である。各絶縁層７２Ａ、７２Ｂ、７２Ｃ，７２Ｄ、７
３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃの表面には、導体膜によってほぼ
等しい巻径を有する１ターン未満の線輪電極７５Ａ、７
５Ｂ、７５Ｃ，７５Ｄ。

７６Ａ、１８Ｂ、７６Ｃがそれぞれ設けられており、こ
れらの絶縁層７２Ａ、７２Ｂ、７２Ｃ，７２Ｄ、７３Ａ
、７３Ｂ、７３Ｃを順次下から積層し、さらにその積層
体の上下に保護基板７４，７１を積層して積層トランス
が構成される。このうち、下から第１層の絶縁層７２Ａ
の表面に形成された線輪電極７５Ａの一端は外部引出し
電極７８となり、他端には子端子７９ａが設けられてい
る。

その上の第２層の絶縁層７２Ｂの表面に形成された線輪
型！７５Ｂの一端には下層の子端子７θａと対向させて
スルーホール端子７９ｂが設けられ、他端には子端子８
０ａが設けられている。その上の第３層の絶縁層７２Ｃ
の線輪型ｔ！７５Ｃの一端には下層の子端子８０ａと対
向させてスルーホール端子８０ｂが設けられ、他端には
子端子８１ａが設けられている。さらに、その上の第４
層の絶縁層７２Ｄの線輪電極７５Ｄの一端には下層の子
端子８１ａと対向させてスルーホール端子８１ｂが設け
られ、他端は外部引出し電極８２となっている。そして
、各絶縁層？２Ａ、７２Ｂ、７２Ｃ。

７２Ｄを積層すると、各スルーホール端子７９ｂ。

８０ｂ、８１ｂを通して線輪電極７５Ａ、７５Ｂ。

７５Ｃ，７５Ｄが接続され、第１３図に示すように積層
体７７内に一方のコイル素子が形成される。

同様に、下から第５層〜第７層の絶縁層を積層し、第５
層の絶縁層７３Ａの表面に形成された線輪電極７８Ａの
一端の子端子８４ａと第６層の絶縁層７３Ｂの表面の線
輪電極７６Ｂの一端に設けられたスルーホール端子８４
ｂを接続させ、線輪電極７６Ｂの他端に設けられた子端
子８５ａと第７層の絶縁層’７３Ｃの表面に形成された
線輪電極７６Ｃの一端に設けられたスルーホール端子８
５ｂを接続させ、線輪電極７８Ａ、７６Ｂ、７８Ｃによ
って外部引出し電極８３及び８６間に他方のコイル素子
が形成される。

「発明が解決しようとする課題］ 第１０図に示した第一の従来例にあっては、絶縁層５２
Ｂ、５３Ａの表面には、巻数が１ターン以上の渦巻き状
した線輪電極５５Ｂ、５Ｅ！Ａが形成されているので、
絶縁層５２Ｂ、５３Ａの表面において線輪電極５５Ｂ、
５８Ａが接近することになり、第１１図に示すように隣
接する線輪電極間に大きなストレー容量Ｃ８が発生して
いる。

また、第１２図に示し−た第二の従来例にあっては、上
下に連続して積層された絶縁層７２Ａ〜７２Ｄ　＋　７
３Ａ〜７３Ｃ上の線輪電極７５Ａ〜７５Ｄ　；　７８Ａ
〜７６Ｃによって各コイル素子が形成されているので、
絶縁層（誘電体）を挟んで上下に線輪電極が対向する構
造となり、しかもその導体膜間の距離も絶縁層−層の厚
みだけの小さなものであり、第１３図に示すように上下
に対向した線輪電極７５Ａ〜７５Ｄ　：　７６Ａ〜７６
Ｃ間に大きなストレー容量Ｃ４が発生している。

このように、従来のいずれの積層トランスにあっても、
線輪電極間に大きなストレー容量が発生しており、この
ストレー容量を介して生じる線輪電極間の容量結合によ
り高周波導体膜によって１ターン未満の線輪電極を形成
された第一種及び第二種の各複数枚の絶縁層を積層し、
第一種の各絶縁層の線輪電極同士を接続して渦巻ぎ状を
した第一のコイル素子を形成し、第二種の各絶縁層の線
輪電極同士を接続して渦巻き状をした第二のコイル素子
を形成した積層トランスにおいて、第一種の絶縁層と第
二種の絶縁層を交互に積層し、第一種及び第二種の絶縁
層に各絶縁層の表裏間で導通した接続子を設け、第二種
の絶縁層に設けた接続子を介して第一種の絶縁層の線輪
電極同士を接続させて第一のコイル素子を形成子、第一
種の絶縁層に設けた接続子を介して第二種の絶縁層の線
輪電極同士を接続させて第二のコイル素子を形成したこ
とを特徴とする領域における自己共振周波数が低下し、
所定のインダクタンスやインピーダンスを得るのが困難
になっていた。

しかして、本発明は斜上の従来例の欠点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは線輪電極間の容
量結合による自己共振周波数の低下を防止し、積層トラ
ンスの高周波特性を良好にすることにある。

［課題を解決するための手段コ この貯め、本発明の積層トランスは、導体膜によって１
ターン未満の線輪電極を形成された第−種及び第二種の
各複数枚の絶縁層を積層し、第一種の各絶縁層の線輪電
極同士を接続して渦巻き状をした第一のコイル素子を形
成し、第二種の各絶縁層の線輪電極同士を接続して渦巻
き状をした第二のコイル素子を形成した積層トランスに
おいて、コイル素子の入出力部を形成された絶縁層を除
いて第一種の絶縁層と第二種の絶縁層を交互に積層し、
第一種及び第二種の絶縁層に各絶縁層の表裏間で導通し
た接続子を設け、第二種の絶縁層に設けた接続子を介し
て第一種の絶縁層の線輪電極同士を接続させて第一のコ
イル素子を形成し、第一種の絶縁層に設けた接続子を介
して第二種の絶縁層の線輪電極同士を接続させて第二の
コイル素子を形成したことを特徴としている。

［作用］ 本発明にあっては、第一のコイル素子を構成している線
輪電極を形成された絶縁層と第二のコイル素子を構成し
ている線輪電極を形成された絶縁層とを交互に積層し、
しかも各コイル素子が螺旋状をしていて線輪電極毎に巻
径が変化しているので、第一のコイル素子における線輪
電極間の距離及び第二のコイル素子における線輪電極間
の距離が絶縁層の厚み方向で絶縁層の厚みの２倍となり
、しかも線輪電極同士が斜めにずれており、この結果線
輪電極間の距離が絶縁層の厚みの２倍以上となる。従っ
て、各コイル素子内部における線輪電極間のストレー容
量が１７２以下になる。

このため、各コイル素子の線輪電極間の容量結合が小さ
（なり、高周波領域における自己共振周波数が従来の２
倍以上となって自己共振が起こる周波数が高周波側へ大
きく移動し、所望のインダクタンスやインピーダンスを
得ることが容易になり、高周波特性の良好な積層トラン
スを製造することかできる。

また、第一のコイル素子を形成している線輪電極と第二
のコイル素子を形成している線輪電極とが、交互に配置
されているので、互いの交鎖磁束量が増加して両コイル
素子の結合が密になり、結合係数を大きくとることがで
きる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。

第１図〜第５図に示すものは、本発明の一実施例であっ
て、第一のコイル素子Ｌａ（−次コイル）と第二のコイ
ル素子ｔ、ａ（二次コイル）の一端を互いに共通に接続
した第４図のような等両回路な持つ２分配トランスであ
る。この積層トランス１９は１、第一のコイル素子Ｌ６
を構成する３層のセラミック絶縁層２Ａ、２Ｂ、２Ｃと
第二のコイル素子Ｌ６を構成する３層のセラミック絶縁
層３Ａ、３Ｂ、３Ｃとを交互に積層し、その積層体１５
の上下両面にさらに保護基板４．１を積層したものであ
る。下から第１層の絶縁層２Ａの表面には、導電ペース
トを一定幅に印刷することによって第一のコイル素子Ｌ
６の一部を構成する線輪電極５Ａが形成されており、線
輪電極５Ａの一端は外部引出し電極７となり、他端には
子端子８ａが設けられている。第２層の絶縁層３Ａの表
面には、導電ペーストを印刷することによって第二のコ
イル素子Ｌ６の一部を構成する線輪電極６Ａが配線され
ており、線輪電極６Ａの一端は外部引出し電極１１とな
り、他端には子端子１２ａが設けられている。さらに、
第２層の絶縁層には、下層の子端子８ａと対応させてス
ルーホール構造のスルーホール接続子８ｂが設けられて
いる。ここで、スルーホール接続子とは、絶縁層に貫通
させたスルーホール孔の上面周囲及びスルーホール孔内
周及びスルーホール孔の下面周囲に導電ペーストを印刷
及び焼き付けしたものであり、スルーホール接続子の部
分で絶縁層の表裏両面を導通させることができる。第３
層の絶縁層２Ｂの表面には、第一のコイル素子Ｌ６の一
部を構成する線輪電極５Ｂが配線されており、線輪電極
５Ｂの一端には下層のスルーホール接続子８ｂと対向さ
せてスルーホール構造のスルーホール端子８ｃが設けら
れ、他端には子端子９ａが設けられている。このスルー
ホール端子も前記スルーホール接続子と同様な構造を有
し、絶縁層の表裏両面を導通させることができるもので
ある。さらに、絶縁層２Ｂには下層の子端子１２ａと対
向させてスルーホール接続子１２ｂを設けである。また
、４層目の絶縁層３Ｂの表面には、導体膜により第二の
コイル素子Ｌ６の一部を構成する線輪電極６Ｂが配線さ
れており、線輪電極６Ｂの一端には下層のスルーホール
接続子１２ｂと対向させてスルーホール端子１２ｃを設
け、他端には子端子１３ａを設けである。さらに、絶縁
層３Ｂには下層の子端子９ａと対向させてスルーホール
接続子９ｂが設けられている。第５層の絶縁層２Ｃの表
面には、第一のコイル素子Ｌｌｌの一部を構成する線輪
電極５Ｃが設けられており、線輪電極５Ｃの一端には下
層のスルーホール接続子９ｂと対向させてスルーホール
端子９Ｃが設けられており、他端は外部引出し電極１０
となっており、さらに下層の子端子１３ａと対向させて
スルーホール接続子１３ｂが設けられている。

また、第６層の絶縁層３Ｃの表面には、第二のコイル素
子しｅを構成する線輪電極６Ｃが設けられており、線輪
電極６Ｃの一端には下層のスルーホール接続子１３ｂと
対向させてスルーホール端子１３ｃが設けられており、
他端は外部引出し電極１４となっている。しかも、各コ
イル素子Ｌ６゜Ｌ６を構成している線輪電極５Ａ、５Ｂ
、５Ｃ及び６Ａ、６Ｂ、６Ｃは、下層側のものほど、そ
の巻径が小さくなっている。

しかして、上記保護基板１及び絶縁層２Ａ、３Ａ、２Ｂ
、３Ｂ、２Ｃ，ＳＣ及び保護基板４をグリーンシートの
状態で下から順次積層し、互いに圧着させた後、焼成す
る。この結果、保護基板１゜４及び各絶縁層２Ａ〜２０
．３Ａ〜３Ｃは焼結して接合された積層体１５となり、
第３図に示すように積層体１５内の各層間に導体膜が埋
め込まれる。しかも、第５図に一部を拡大して示してい
るように、スルーホール接続子１３ｂとスルーホール端
子１３ｃを介して線輪電極６Ｂと６０が接続され、スル
ーホール接続子１２ｂとスルーホール端子１２ｃを介し
て線輪電極６Ｂと６Ａが接続され、外部引出し電極１１
及び１４間に下層側で巻径が小さくなった渦巻ぎ状の第
二のコイル素子Ｌ８が構成され、同様にスルーホール接
続子９ｂとスルーホール電極９ａを介して線輪電極５Ｃ
と５Ｂが接続され、スルーホール接続子８ｂとスルーホ
ール端子８ａを介して線輪電極５Ｂと５Ａが接続され、
外部引出し電極７及び１０間に下層側で巻径が小さ（な
った渦巻き状の第一のコイル素子し。が形成される。こ
の後、第２図に示すように、外部引出し電極７，１４及
び１１．１０の露出している箇所に導電ペーストを印刷
及び焼き付けして外部電極１６，１７．１８が形成され
る。外部引出し電極７及び１４は、外部電極１６によっ
て接続され、第４図のような等価回路となるように両コ
イル素子Ｌ６とＬ８が結線される。

なお、上記の説明では１つの積層トランスを単体で製造
するものとして説明したが、実際の製造工程では、各絶
縁層のマザーシートの上に数１０〜数１００の線輪電極
のパターンが形成され、これらのマザーシートを積層し
て積層体のマザーボディを形成した後、これを各素子単
位の積層体にカットし、焼成し、さらに積層体の外面に
外部電極を形成する。

この結果、第３図及び第５図に示すように、第一のコイ
ル素子Ｌｌｌ用の絶縁層２Ａ、２Ｂ、２Ｃ同士は、中間
に第二のコイル素子Ｌ６用の絶縁層３Ａ、３Ｂを挟まれ
ているため、第一のコイル素子Ｌ６を構成する線輪電極
５Ａ、５Ｂ、５Ｃ同士は絶縁層の厚み方向でその厚みの
２倍だけ離れており、同様に第二のコイル素子Ｌ６を構
成する線輪電極ｅＡ、６Ｂ、６Ｃ同士も絶縁層の厚み方
向でその厚みの２倍だけ離れており、しかも各コイル素
子Ｌａ、Ｌｅは渦巻ぎ状をしていて線輪電極５Ａ〜５Ｃ
，６Ａ〜６Ｃ同士が斜めにずれているので、各線輪電極
５Ａ〜５Ｃ，８Ａ〜６Ｃ間の距離が絶縁層の厚みの２倍
以上に大きくなり、このため線輪電極５Ａ、５Ｂ、５Ｃ
間に発生するストレー容量Ｃ１及び線輪電極ｅＡ、６Ｂ
、ｅＣ間に発生するストレー容量子、が非常に小さくな
る。すなわち、第１２図及び第１３図に示した従来例と
比較してもストレー容量が１／２以下となり、自己共振
周波数も従来の２倍以上となる。また、このような構成
によれば、第一のコイル素子Ｌ６と第一のコイル素子り
。が、交互に咬み合うように配置されているので、両コ
イル素子り、、　Ｌ、、１間の相互誘導係数を大きくす
ることができる。また、２分配トランスのような広帯域
トランスや高周波トランスに使用する場合には、第一の
コイル素子と第二のコイル素子とで均一な分布容量を得
ることができる。

第６図〜第９図に示すものは、本発明の他側であり、第
−及び第二のコイル素子Ｌ２５１　Ｌ２８の両端の外部
引出し電極２７，３１，３２．３５にそれぞれ別々に外
部電極３７．３８．３９．４０を設けたものであり、パ
ルストランスやコモンモードチョークコイルとして用い
られるものである。

この実施例における線輪電極のパターンは、第１の実施
例のパターンとほぼ同じであるが、外部引出し電極の位
置が異なっており、そのため第４層〜第７層の線輪電極
２５Ｃ，２６Ｂ、２５Ｄ、２６Ｃのパターンは第１の実
施例の第３層〜第６層の線輪電極５Ｂ、ｅＢ、５Ｃ，８
Ｃと同じであるが、第１層〜第３層の線輪電極２５Ａ、
２５Ｂ。

２８Ａのパターンは第１の実施例とは異なっている。し
かして、この実施例では、保護基板２１、各絶縁層２２
Ａ、２２Ｂ、２３Ａ、２２Ｃ，２３Ｂ、２２Ｄ、２３Ｃ
及び保護基板２４を順次下から積層し、焼成して一体化
された積層体３６内に導電膜の両コイル素子を形成する
ことによって積層トランス４１を構成したものであり、
スルーホール端子３４ｃ、スルーホール接続子３４ｂ及
び平端子３４ａを介して線輪電極２６Ｃと２６Ｂを接続
し、スルーホール端子３３Ｃ，スルーホール接続子３３
ｂ及び平端子３３ａを介して線輪電極２６Ｂと２８Ａを
接続し、外部引出し電極３５゜３２間に第二のコイル素
子Ｌ２Ｂを構成している。

一方、スルーホール端子３０Ｃ１スルーホール接続子３
０ｂ及び平端子３０ａを介して線輪電極２５Ｄと２５Ｃ
を接続し、スルーホール端子２９ｃ、スルーホール接続
子２９ｂ及び平端子２９ａを介して線輪電極２５Ｃと２
５Ｂを接続し、スルーホール端子２８ｃを介して線輪電
極２５Ｂと２５Ａを接続し、外部引出し電極３１及び２
７間に第一のコイル素子ｂＱａを構成しである。また、
この実施例にあっても、両コイル素子Ｌ２６＋　ＴＪ２
Ｂは、渦巻き状をしており、下層の線輪電極２５Ａ〜２
５Ｄ、２８Ａ〜２６Ｃはど巻径が小さくなっている。

そして、積層体の積層後、各外部引出し電極２７゜３２
．３１．３５に対応して積層体３６の外面に外部引出し
電極３７，３８，３９．４０を設けである。

しかして、この従来例にあっても、第一のコイル素子Ｌ
２ａの入出力部を構成する第１層の線輪電極２５Ａと第
２層の線輪電極２５Ｂを除と、第一のコイル素子Ｌ２６
を構成する線輪電極２５Ｂ、２５　Ｃ＋−２５Ｄと第二
のコイル素子Ｌｕ１ｌを構成する線輪電極２Ｅ３Ａ、２
６Ｂ、２６Ｃが斜めにずらせて交互に積層されているの
で、第８図に示すように、第一のコイル素子Ｌ２６を構
成する線輪電ｊｊｆＡ２５Ｂ、２５Ｃ，２６Ｄ間の距離
及び第二のコイル素子し２６を構成する線輪電極２８Ａ
、２８Ｂ、２６Ｃ間の距離が絶縁層の厚みの２倍以上と
なり、第１の実施例と同様、線輪電極間のストレー容量
Ｃ２が従来の１７２以下となり、自己共振周波数が従来
の２倍以上の値になり、積層トランスの高周波特性を良
好にすることができる。また、第一のコイル素子と第二
のコイル素子の間にも容量が生じるので、コモンモード
の除去を主目的とするコモンモードチョークコイルに使
用する場合には、ノーマルモードのノイズの除去も同時
に行なうことができる。

なお、上記のいずれの実施例においても、絶縁層の積層
枚数を増やすことにより、コイル素子のターン数を増加
させることがでとる。

［発明の効果］ 本発明によれば、渦巻き状をした第一のコイル素子を形
成する線輪電極を設けた絶縁層と渦巻ぎ状をした第二の
コイル素子を形成する線輪電極を設けた絶縁層を交互に
積層しているので、同じコイル素子を構成している線輪
電極間の距離が絶縁層の厚みの２倍以上となり、線輪電
極間の距離が大きくなるので、線輪電極間に発生するス
トレー容量が１７２以下に小さくなる。このため、高周
波領域における自己共振周波数が従来の２倍以上になっ
て自己共振が起こる周波数が高周波側へ移動する。した
がって、自己共振周波数の低下による高周波特性の劣化
を防止することができ、良好な高周波特性の積層トラン
スを得ることができる。

また、本発明によれば、第一のコイル素子を構成する線
輪電極と第二のコイル素子を構成する線輪電極とが交互
に積層されているので、積層トランスの相互誘導係数を
大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の積層前における各絶縁層を
示す平面図、第２図は第１図の各絶縁層を積層して形成
された積層トランスの斜視図、第３図は第２図のＸ−Ｘ
線断面図、第４図は同上の積層トランスの等価回路図、
第５図は同上の積層トランスの一部を拡大して示す断面
図、第６図は本発明の他側の積層前における各絶縁層を
示す平面図、第７図は第６図の各絶縁層を積層して形成
された積層トランスの斜視図、第８図は第７図のＹ−Ｙ
線断面図、第９図は同上の積層トランスの等価回路図、
第１０図は第一の従来例の積層前における各絶縁層を示
す平面図、第１１図は同上の積層トランス内に発生する
ストレー容量を示す説明図、第１２図は第二の従来例の
積層前における各絶縁層を示す平面図、第１３図は同上
の各絶縁層を積層して形成された積層トランスの断面図
である。 ２Ａ〜２Ｃ，３Ａ〜３Ｃ・・・絶縁層 ５Ａ〜５Ｃ，ｅＡ〜６Ｃ・・・線輪電極８ｂ、９ｂ、１
２ｂ、１３ｂ・・・スルーホール接続子 り、１．　Ｌ６・・・コイル素子 ２２Ａ〜２２Ｄ、２３Ａ〜２３Ｃ・・・絶縁層２５Ａ〜
２５Ｄ、２ｆ３Ａ〜２６Ｃ・・・線輪電極２９ｂ、３０
ｂ、３３ｂ、３４ｂ・・・スルーホール接続子

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）導体膜によって１ターン未満の線輪電極を形成さ
   れた第一種及び第二種の各複数枚の絶縁層を積層し、第
   一種の各絶縁層の線輪電極同士を接続して渦巻き状をし
   た第一のコイル素子を形成し、第二種の各絶縁層の線輪
   電極同士を接続して渦巻き状をした第二のコイル素子を
   形成した積層トランスにおいて、 コイル素子の入出力部を形成された絶縁層を除いて第一
   種の絶縁層と第二種の絶縁層を交互に積層し、第一種及
   び第二種の絶縁層に各絶縁層の表裏間で導通した接続子
   を設け、第二種の絶縁層に設けた接続子を介して第一種
   の絶縁層の線輪電極同士を接続させて第一のコイル素子
   を形成し、第一種の絶縁層に設けた接続子を介して第二
   種の絶縁層の線輪電極同士を接続させて第二のコイル素
   子を形成したことを特徴とする積層トランス。