JPH07297459A - 準平面型ジョセフソン接合の製造方法 - Google Patents
準平面型ジョセフソン接合の製造方法Info
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- JPH07297459A JPH07297459A JP7080494A JP8049495A JPH07297459A JP H07297459 A JPH07297459 A JP H07297459A JP 7080494 A JP7080494 A JP 7080494A JP 8049495 A JP8049495 A JP 8049495A JP H07297459 A JPH07297459 A JP H07297459A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 接合臨界電流値の調整をより定量的な把握
できる準平面型ジョセフソン接合の製造方法を提供す
る。 【構成】 例えばブリッジ素材そのものをイオン化し
て集束イオンビームを作り、これをあるエネルギ以下に
減速したイオンビ−ムＢ１として照射すると、そのイオ
ンはその照射位置に蒸着して膜４０を作る。一方、同じ
集束イオンビームを加速し、より高エネルギとしたイオ
ンビ−ムＢ２を既に蒸着しているブリッジ素材の膜４０
に照射すれば、その膜はスパッタによってエッチングさ
れる。そして、これらの工程を適当に組み合わせ、必要
に応じて反復すれば、接合の臨界電流値を支配する、マ
イクロブリッジの幅ないしは厚さを可逆的に調整するこ
とができる。
できる準平面型ジョセフソン接合の製造方法を提供す
る。 【構成】 例えばブリッジ素材そのものをイオン化し
て集束イオンビームを作り、これをあるエネルギ以下に
減速したイオンビ−ムＢ１として照射すると、そのイオ
ンはその照射位置に蒸着して膜４０を作る。一方、同じ
集束イオンビームを加速し、より高エネルギとしたイオ
ンビ−ムＢ２を既に蒸着しているブリッジ素材の膜４０
に照射すれば、その膜はスパッタによってエッチングさ
れる。そして、これらの工程を適当に組み合わせ、必要
に応じて反復すれば、接合の臨界電流値を支配する、マ
イクロブリッジの幅ないしは厚さを可逆的に調整するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はジョセフソン接合の製造
方法に関し、更に詳しくは、マイクロブリッジ構造の準
平面型ジョセフソン接合の製造方法に関する。
方法に関し、更に詳しくは、マイクロブリッジ構造の準
平面型ジョセフソン接合の製造方法に関する。
【０００２】なお、本発明は、ＳＱＵＩＤをはじめとす
るジョセフソン接合を利用した各種素子の製造に利用す
ることができる。
るジョセフソン接合を利用した各種素子の製造に利用す
ることができる。
【０００３】
【従来技術】ジョセフソン接合の構造には各種のものが
あるが、このうち、準平面型のマイクロブリッジ構造の
ものを第３図に示す。基板１０上に形成された第１の超
電導膜１の上方に、絶縁層３を介して第２の超電導膜２
の端面部が乗り上げるように積層形成されている。そし
て、この端面部の上方に、第１と第２の超電導膜１と２
の双方にまたがるよう、マイクロブリッジ４が形成され
ている。このマイクロブリッジ４の材質としてはＮｂ等
の超電導体、あるいは近接効果を利用したＳＮＳ構造の
ものではＡｕ等の常電導体を用いることもある。
あるが、このうち、準平面型のマイクロブリッジ構造の
ものを第３図に示す。基板１０上に形成された第１の超
電導膜１の上方に、絶縁層３を介して第２の超電導膜２
の端面部が乗り上げるように積層形成されている。そし
て、この端面部の上方に、第１と第２の超電導膜１と２
の双方にまたがるよう、マイクロブリッジ４が形成され
ている。このマイクロブリッジ４の材質としてはＮｂ等
の超電導体、あるいは近接効果を利用したＳＮＳ構造の
ものではＡｕ等の常電導体を用いることもある。
【０００４】このような準平面型のマイクロブリッジ構
造では、素子動作を安定化するために微小とする必要の
あるブリッジ長が、比較的制御の容易な絶縁層３の膜厚
によって決定される関係上、平面上での微細加工に頼る
平面型のマイクロブリッジ構造等に比して有利である。
造では、素子動作を安定化するために微小とする必要の
あるブリッジ長が、比較的制御の容易な絶縁層３の膜厚
によって決定される関係上、平面上での微細加工に頼る
平面型のマイクロブリッジ構造等に比して有利である。
【０００５】この準平面型マイクロブリッジ構造のジョ
セフソン接合（以下、準平面型ジョセフソン接合と称す
る）におけるマイクロブリッジ４は、従来、第１と第２
の超電導膜１と２の表面上にブリッジ素材を真空蒸着さ
せ、次いでレジストを塗布した後、電子ビーム露光と現
像によって所望の微小な幅の形状にパターニングして形
成している。その後、陽極酸化法によって接合の臨界電
流値の調整を行っている。
セフソン接合（以下、準平面型ジョセフソン接合と称す
る）におけるマイクロブリッジ４は、従来、第１と第２
の超電導膜１と２の表面上にブリッジ素材を真空蒸着さ
せ、次いでレジストを塗布した後、電子ビーム露光と現
像によって所望の微小な幅の形状にパターニングして形
成している。その後、陽極酸化法によって接合の臨界電
流値の調整を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のような準平面型
ジョセフソン接合のマイクロブリッジの従来の製造方法
では、電子ビーム露光装置によってサブミクロンオーダ
ーの微細加工を行う必要があるうえに、陽極酸化法によ
る臨界電流値の調整は、再現性に乏しく、かつ、不可逆
的な反応であるために、酸化させすぎたときにはその接
合は使用できない。従って、ある一定の臨界電流値の接
合を複数個製作することは困難であるとともに、歩留り
の点でも問題がある。
ジョセフソン接合のマイクロブリッジの従来の製造方法
では、電子ビーム露光装置によってサブミクロンオーダ
ーの微細加工を行う必要があるうえに、陽極酸化法によ
る臨界電流値の調整は、再現性に乏しく、かつ、不可逆
的な反応であるために、酸化させすぎたときにはその接
合は使用できない。従って、ある一定の臨界電流値の接
合を複数個製作することは困難であるとともに、歩留り
の点でも問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、準平面型ジョ
セフソン接合のマイクロブリッジを、第２図に例示する
ような減速機能を備えた集束イオンビーム装置を用い
て、第１図（ａ）に示すように、２００ｅＶ以下に減速
した集束イオンビームＢ1 によりブリッジ素材４０を蒸
着する工程（Ａ）、又はかかる工程（Ａ）と、同図
（ｂ）に示すように、同じ集束イオンビーム装置から
の、ビームＢ1 より高エネルギの集束イオンビームＢ2
によって、既に蒸着されているブリッジ素材４０をエッ
チングする工程とを組み合わせることによって得ること
を特徴としている。
セフソン接合のマイクロブリッジを、第２図に例示する
ような減速機能を備えた集束イオンビーム装置を用い
て、第１図（ａ）に示すように、２００ｅＶ以下に減速
した集束イオンビームＢ1 によりブリッジ素材４０を蒸
着する工程（Ａ）、又はかかる工程（Ａ）と、同図
（ｂ）に示すように、同じ集束イオンビーム装置から
の、ビームＢ1 より高エネルギの集束イオンビームＢ2
によって、既に蒸着されているブリッジ素材４０をエッ
チングする工程とを組み合わせることによって得ること
を特徴としている。
【０００８】
【作用】例えばブリッジ素材そのものをイオン化して集
束イオンビームを作り、これをあるエネルギ以下に減速
して照射すると、そのイオンはその照射位置に蒸着して
膜を作る。
束イオンビームを作り、これをあるエネルギ以下に減速
して照射すると、そのイオンはその照射位置に蒸着して
膜を作る。
【０００９】一方、同じ集束イオンビームをより高エネ
ルギにして既に蒸着しているブリッジ素材の膜に照射す
れば、その膜はスパッタによってエッチングされる。
ルギにして既に蒸着しているブリッジ素材の膜に照射す
れば、その膜はスパッタによってエッチングされる。
【００１０】本発明はこの点を利用したものである。つ
まり、同じ集束イオンビーム装置で作った集束イオンビ
ームを用いて、そのエネルギを適宜に変更することでブ
リッジ素材の蒸着とエッチングが可能であり、これを適
当に組み合わせ、必要に応じて反復すれば、接合の臨界
電流値を支配する、マイクロブリッジの幅ないしは厚さ
を可逆的に調整することができる。
まり、同じ集束イオンビーム装置で作った集束イオンビ
ームを用いて、そのエネルギを適宜に変更することでブ
リッジ素材の蒸着とエッチングが可能であり、これを適
当に組み合わせ、必要に応じて反復すれば、接合の臨界
電流値を支配する、マイクロブリッジの幅ないしは厚さ
を可逆的に調整することができる。
【００１１】
【実施例】第１図は本発明実施例の特徴的工程の説明図
で、第２図はその工程に用いられる減速機能を備えた集
束イオンビーム装置の構成例の説明図である。
で、第２図はその工程に用いられる減速機能を備えた集
束イオンビーム装置の構成例の説明図である。
【００１２】あらかじめ、適当な基板１０の表面に、ス
パッタ蒸着およびフォトリソグラフィ等によって所定パ
ターンの第１の超電導膜１を形成し、次いで、その上に
絶縁層３と、更にその上に第２の超電導膜２を同じくス
パッタ蒸着によって形成した後、同様にフォトリソグラ
フィによってパターニングしておく。なお、第１、第２
の超電導膜１，２としてはＮｂ等を、また、絶縁層３と
してはＮｂ2 Ｏ5 等を用いることができる。
パッタ蒸着およびフォトリソグラフィ等によって所定パ
ターンの第１の超電導膜１を形成し、次いで、その上に
絶縁層３と、更にその上に第２の超電導膜２を同じくス
パッタ蒸着によって形成した後、同様にフォトリソグラ
フィによってパターニングしておく。なお、第１、第２
の超電導膜１，２としてはＮｂ等を、また、絶縁層３と
してはＮｂ2 Ｏ5 等を用いることができる。
【００１３】以上は従来の製法と全く同じでよい。
【００１４】次に、第１と第２の超電導膜１と２にまた
がるマイクロブリッジ４を作成するが、この作成は基板
１０を第２図に例示する減速機能付の集束イオンビーム
装置のサンプルステージ１７上に装着して行われる。
がるマイクロブリッジ４を作成するが、この作成は基板
１０を第２図に例示する減速機能付の集束イオンビーム
装置のサンプルステージ１７上に装着して行われる。
【００１５】この減速機能付の集束イオンビーム装置
は、チャンバ（図示せず）内に液体金属イオン源１１、
引出し電極１２、静電型レンズ１３ａおよび１３ｂ、マ
スフィルタ１４、偏向電極１５、減速電極１６、および
サンプルステージ１７等を設けるとともに、イオンに加
速エネルギを与える加速電源１８と、イオン源１１と引
出し電極１２間に電位差を与える引出し電源１９、およ
び、イオンに減速エネルギを与える減速電源２０を備え
ている。この構成により、イオン源１１から引出された
イオンビームＢは静電型レンズ１３ａ，１３ｂで集束さ
れると同時に、マスフィルタ１４で所望イオンのみが選
別されてサンプルステージ１７に導かれるが、この集束
イオンビームＢがサンプルステージ１７に到達するとき
のエネルギは、加速電源１８と減速電源２０との出力電
圧差に等しいものとなる。すなわち、減速電源２０の出
力調整により、原理的には０〜加速電源１８出力までの
間で連続的に集束イオンビームＢのエネルギを変化させ
ることができる。
は、チャンバ（図示せず）内に液体金属イオン源１１、
引出し電極１２、静電型レンズ１３ａおよび１３ｂ、マ
スフィルタ１４、偏向電極１５、減速電極１６、および
サンプルステージ１７等を設けるとともに、イオンに加
速エネルギを与える加速電源１８と、イオン源１１と引
出し電極１２間に電位差を与える引出し電源１９、およ
び、イオンに減速エネルギを与える減速電源２０を備え
ている。この構成により、イオン源１１から引出された
イオンビームＢは静電型レンズ１３ａ，１３ｂで集束さ
れると同時に、マスフィルタ１４で所望イオンのみが選
別されてサンプルステージ１７に導かれるが、この集束
イオンビームＢがサンプルステージ１７に到達するとき
のエネルギは、加速電源１８と減速電源２０との出力電
圧差に等しいものとなる。すなわち、減速電源２０の出
力調整により、原理的には０〜加速電源１８出力までの
間で連続的に集束イオンビームＢのエネルギを変化させ
ることができる。
【００１６】さて、このような装置のサンプルステージ
１７に基板１０を装着し、例えばＮｂのマイクロブリッ
ジを作成する場合、チャンバ内を真空引きし、イオン源
１１には例えばＮｂ−Ｎｉ合金を封入し、Ｎｂ+ イオン
を基板１０に導くようセッティングする。
１７に基板１０を装着し、例えばＮｂのマイクロブリッ
ジを作成する場合、チャンバ内を真空引きし、イオン源
１１には例えばＮｂ−Ｎｉ合金を封入し、Ｎｂ+ イオン
を基板１０に導くようセッティングする。
【００１７】そして、まず、第１図（ａ）に示すような
ブリッジ素材４０の形成を行う。すなわち、減速電源２
０の出力電圧を大きくして、Ｎｂ+ が第１、第２の超電
導膜１，２の表面に直接蒸着できる程度（２００ｅＶ以
下程度）に減速した集束イオンビームＢ1 を発生させ
る。この集束イオンビームＢ1 を、マイクロブリッジを
形成すべき位置に照射しつつ、偏向電極１５で適宜に走
査する。これにより、図示のようなＮｂ蒸着膜（ブリッ
ジ素材４０）が形成される。
ブリッジ素材４０の形成を行う。すなわち、減速電源２
０の出力電圧を大きくして、Ｎｂ+ が第１、第２の超電
導膜１，２の表面に直接蒸着できる程度（２００ｅＶ以
下程度）に減速した集束イオンビームＢ1 を発生させ
る。この集束イオンビームＢ1 を、マイクロブリッジを
形成すべき位置に照射しつつ、偏向電極１５で適宜に走
査する。これにより、図示のようなＮｂ蒸着膜（ブリッ
ジ素材４０）が形成される。
【００１８】以上の工程で得られたブリッジにより、所
望の接合臨界電流値が得られれば製造が完了したことに
なるが、通常は一度の蒸着でこのような理想的な状態と
はならず、従って、次に臨界電流値の調整工程を設け
る。
望の接合臨界電流値が得られれば製造が完了したことに
なるが、通常は一度の蒸着でこのような理想的な状態と
はならず、従って、次に臨界電流値の調整工程を設け
る。
【００１９】この調整工程では、先の工程で得られたブ
リッジによって接合電流値が所望値より大であれば以下
に示す既蒸着のブリッジ素材４０のエッチングを、小で
あれば再度上述の蒸着を選択する。
リッジによって接合電流値が所望値より大であれば以下
に示す既蒸着のブリッジ素材４０のエッチングを、小で
あれば再度上述の蒸着を選択する。
【００２０】ブリッジ素材４０のエッチングは、第１図
（ｂ）に示すように、集束イオンビーム装置の減速電源
２０の出力電圧を蒸着時よりも下げ、より高エネルギの
集束イオンビームＢ2 を発生させて行われる。すなわち
基板１０をサンプルステージ１７に装着したままの状態
で、同じイオン源１１からのイオンを高エネルギで基板
１０に導くことにより、今度は既蒸着のブリッジ素材４
０をスパッタエッチングするわけである。ここで用いら
れるイオンは、蒸着工程と同じＮｂ+ でもよいし、ある
いはこの例のようにＮｂ−Ｎｉ合金をイオン源として用
いる場合には、マスフィルタ１４のセッティングを変更
してＮｉ+ を導くようにしてもよい。なお、このエッチ
ング時には、イオンビームの集束度を必要に応じて調整
し、照射位置でのスポット径を小さくすることができ
る。
（ｂ）に示すように、集束イオンビーム装置の減速電源
２０の出力電圧を蒸着時よりも下げ、より高エネルギの
集束イオンビームＢ2 を発生させて行われる。すなわち
基板１０をサンプルステージ１７に装着したままの状態
で、同じイオン源１１からのイオンを高エネルギで基板
１０に導くことにより、今度は既蒸着のブリッジ素材４
０をスパッタエッチングするわけである。ここで用いら
れるイオンは、蒸着工程と同じＮｂ+ でもよいし、ある
いはこの例のようにＮｂ−Ｎｉ合金をイオン源として用
いる場合には、マスフィルタ１４のセッティングを変更
してＮｉ+ を導くようにしてもよい。なお、このエッチ
ング時には、イオンビームの集束度を必要に応じて調整
し、照射位置でのスポット径を小さくすることができ
る。
【００２１】そして、このエッチング工程の後、接合臨
界電流値が所望値よりも小さくなり過ぎた場合には、再
び前記した蒸着を行えばよい。つまり、臨界電流値が所
望値と一致するよう、ブリッジ素材の蒸着とそのエッチ
ングを適宜に反復すればよいわけで、いずれの工程も同
じ集束イオンビーム装置のサンプルステージ１７上に基
板１０を装着した状態で行うことができる。
界電流値が所望値よりも小さくなり過ぎた場合には、再
び前記した蒸着を行えばよい。つまり、臨界電流値が所
望値と一致するよう、ブリッジ素材の蒸着とそのエッチ
ングを適宜に反復すればよいわけで、いずれの工程も同
じ集束イオンビーム装置のサンプルステージ１７上に基
板１０を装着した状態で行うことができる。
【００２２】なお、ブリッジ素材の蒸着は、以上の実施
例のように、素材そのもののイオンを照射するほか、素
材もしくはその化合物ガスの雰囲気下で、任意のイオン
からなる集束イオンビームを照射し、雰囲気ガスの分子
をそのイオンビームで付勢することによって目的位置に
蒸着させる、いわゆるイオンアシスト蒸着法を用いるこ
とができる。このイオンアシスト蒸着を用いてＮｂ膜を
蒸着させるとき、雰囲気ガスとしてはＮｂの有機化合物
（例えば炭酸ニオブ）のガスを、また、イオンビームに
はＧａ+ 等を使用することができる。
例のように、素材そのもののイオンを照射するほか、素
材もしくはその化合物ガスの雰囲気下で、任意のイオン
からなる集束イオンビームを照射し、雰囲気ガスの分子
をそのイオンビームで付勢することによって目的位置に
蒸着させる、いわゆるイオンアシスト蒸着法を用いるこ
とができる。このイオンアシスト蒸着を用いてＮｂ膜を
蒸着させるとき、雰囲気ガスとしてはＮｂの有機化合物
（例えば炭酸ニオブ）のガスを、また、イオンビームに
はＧａ+ 等を使用することができる。
【００２３】また、ブリッジ素材のエッチングは、集束
イオンビームそのものでエッチングするほか、所定の雰
囲気ガスを介して集束イオンビームを照射し、雰囲気ガ
スの分子を付勢して目的位置に衝突させてエッチングす
る、いわゆるイオンアシストエッチング法を採用するこ
とができる。このときの雰囲気ガスとしては、Ｆもしく
はその化合物が考えられ、イオンとしてはＧａ+ 等の適
宜のものを使用できる。
イオンビームそのものでエッチングするほか、所定の雰
囲気ガスを介して集束イオンビームを照射し、雰囲気ガ
スの分子を付勢して目的位置に衝突させてエッチングす
る、いわゆるイオンアシストエッチング法を採用するこ
とができる。このときの雰囲気ガスとしては、Ｆもしく
はその化合物が考えられ、イオンとしてはＧａ+ 等の適
宜のものを使用できる。
【００２４】従って、本発明では、蒸着法としてイオン
ビーム蒸着もしくはイオンアシスト蒸着を、エッチング
法としてはイオンビーム（スパッタ）エッチングもしく
はイオンアシストエッチングを採用でき、これらを適宜
に組み合わせることができるが、いずれにしても、同じ
減速機能付きの集束イオンビーム装置のサンプルステー
ジ上に基板を載せた状態で、装置の条件を変更すること
でブリッジ素材の蒸着とそのエッチングを、必要に応じ
て適宜に反復的に選択実行できる。
ビーム蒸着もしくはイオンアシスト蒸着を、エッチング
法としてはイオンビーム（スパッタ）エッチングもしく
はイオンアシストエッチングを採用でき、これらを適宜
に組み合わせることができるが、いずれにしても、同じ
減速機能付きの集束イオンビーム装置のサンプルステー
ジ上に基板を載せた状態で、装置の条件を変更すること
でブリッジ素材の蒸着とそのエッチングを、必要に応じ
て適宜に反復的に選択実行できる。
【００２５】なお、本発明は、マイクロブリッジとして
Ｎｂ等の超電導体を用いたもののほか、ＰｔやＡｕ等の
常電導体をマイクロブリッジに用いたＳＮＳ構造のジョ
セフソン接合にも適用できることは勿論である。
Ｎｂ等の超電導体を用いたもののほか、ＰｔやＡｕ等の
常電導体をマイクロブリッジに用いたＳＮＳ構造のジョ
セフソン接合にも適用できることは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
減速機能付の集束イオンビーム装置により発生させた集
束イオンビームを用いて、ブリッジ素材の蒸着とそのエ
ッチングを行うことによって、ジョセフソン接合の臨界
電流値を可逆的に調整することが可能となり、ある一定
の臨界電流値を持つ接合を多数個製造することが可能と
なるとともに歩留りを向上させることができる。
減速機能付の集束イオンビーム装置により発生させた集
束イオンビームを用いて、ブリッジ素材の蒸着とそのエ
ッチングを行うことによって、ジョセフソン接合の臨界
電流値を可逆的に調整することが可能となり、ある一定
の臨界電流値を持つ接合を多数個製造することが可能と
なるとともに歩留りを向上させることができる。
【００２７】同時に、従来の電子ビーム露光や陽極酸化
法を用いる製法に比して、工程の簡略化が計れ、かつ、
製造の速度が増すので、コストダウンを達成できるばか
りでなく、ブリッジの作成〜調整を集束イオンビーム装
置のチャンバ内において一貫して行うので、大気からの
汚染を防ぐことができ、接合の信頼性が向上するという
効果もある更に、接合臨界電流値の調整は、主としてブ
リッジの幅と厚さの調整により行われることになるの
で、従来の陽極酸化法に比してより定量的な把握が可能
となり、再現性の点においても優れている。
法を用いる製法に比して、工程の簡略化が計れ、かつ、
製造の速度が増すので、コストダウンを達成できるばか
りでなく、ブリッジの作成〜調整を集束イオンビーム装
置のチャンバ内において一貫して行うので、大気からの
汚染を防ぐことができ、接合の信頼性が向上するという
効果もある更に、接合臨界電流値の調整は、主としてブ
リッジの幅と厚さの調整により行われることになるの
で、従来の陽極酸化法に比してより定量的な把握が可能
となり、再現性の点においても優れている。
【図１】本発明実施例の特徴的工程の説明図である。
【図２】本発明に用いられる減速機能付きの集束イオン
ビーム装置の構成例の説明図である。
ビーム装置の構成例の説明図である。
【図３】準平面型ジョセフソン接合の構造説明図であ
る。
る。
１・・・・第１の超電導膜 ２・・・・第２の超電導膜 ３・・・・絶縁層 ４・・・・マイクロブリッジ １０・・・・基板 ４０・・・・ブリッジ素材 Ｂ1 , Ｂ2 ・・・集束イオンビーム １１・・・液体金属イオン源 １２・・・引出し電極 １３ａ，１３ｂ・・・静電型レンズ １４・・・マスフィルタ １５・・・偏向電極 １６・・・減速電極 １７・・・サンプルステージ １８・・・加速電源 １９・・・引出し電源 ２０・・・減速電源
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の超電導膜の表面上に、絶縁層を介
して第２の超電導膜をその端面部が上記表面上に位置す
るよう積層形成した後、上記端面部において上記第１と
第２の超電導膜の双方にまたがるブリッジを形成するこ
とによりジョセフソン接合を得る方法において、 減速機能を有する集束イオンビーム装置からの２００ｅ
Ｖ以下に減速した集束イオンビームを用いて、上記ブリ
ッジの素材を蒸着する工程によって、上記ブリッジを形
成することを特徴とする準平面型ジョセフソン接合の製
造方法。 - 【請求項２】 第１の超電導膜の表面上に、絶縁層を介
して第２の超電導膜をその端面部が上記表面上に位置す
るよう積層形成した後、上記端面部において上記第１と
第２の超電導膜の双方にまたがるブリッジを形成するこ
とによりジョセフソン接合を得る方法において、 下記の（Ａ）と（Ｂ）の工程の組み合わせによって、上
記ブリッジを形成することを特徴とする準平面型ジョセ
フソン接合の製造方法。 （Ａ）減速機能を有する集束イオンビーム装置からの２
００ｅＶ以下に減速した集束イオンビームを用いて、上
記ブリッジの素材を蒸着する工程。 （Ｂ）上記（Ａ）の工程と同じ集束イオンビーム装置か
らの、上記エネルギよりも高エネルギの集束イオンビー
ムを用いて、上記（Ａ）の工程により蒸着されたブリッ
ジの素材をエッチングする工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080494A JPH07297459A (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 準平面型ジョセフソン接合の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080494A JPH07297459A (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 準平面型ジョセフソン接合の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63327344A Division JPH02172285A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 準平面型ジョセフソン接合の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297459A true JPH07297459A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13719863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7080494A Pending JPH07297459A (ja) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | 準平面型ジョセフソン接合の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297459A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59147473A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Rikagaku Kenkyusho | ジヨセフソン接合素子 |
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPS63170940A (ja) * | 1987-12-02 | 1988-07-14 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子の修正方法 |
-
1995
- 1995-04-05 JP JP7080494A patent/JPH07297459A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59147473A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Rikagaku Kenkyusho | ジヨセフソン接合素子 |
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
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