JPH07297464A - 差動型磁気抵抗効果素子 - Google Patents
差動型磁気抵抗効果素子Info
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- JPH07297464A JPH07297464A JP6091943A JP9194394A JPH07297464A JP H07297464 A JPH07297464 A JP H07297464A JP 6091943 A JP6091943 A JP 6091943A JP 9194394 A JP9194394 A JP 9194394A JP H07297464 A JPH07297464 A JP H07297464A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】出力が大きくしかも安定した磁気特性を持つ差
動型磁気抵抗効果素子を提供する。 【構成】ハ−ド膜によりバイアス磁界を印加する構造の
磁気抵抗効果素子パタ−ンを持つ差動型磁気抵抗効果素
子において、単一のハ−ド膜およびバイアス磁界誘導膜
により、磁気抵抗効果膜に互いに方向が逆で同一の大き
さのバイアス磁界を印加することを特徴とする。上記構
成とすることによりハ−ド膜の着磁方向のバラツキや外
部温度の変動による磁気抵抗効果素子の特性バラツキを
なくすことができる。
動型磁気抵抗効果素子を提供する。 【構成】ハ−ド膜によりバイアス磁界を印加する構造の
磁気抵抗効果素子パタ−ンを持つ差動型磁気抵抗効果素
子において、単一のハ−ド膜およびバイアス磁界誘導膜
により、磁気抵抗効果膜に互いに方向が逆で同一の大き
さのバイアス磁界を印加することを特徴とする。上記構
成とすることによりハ−ド膜の着磁方向のバラツキや外
部温度の変動による磁気抵抗効果素子の特性バラツキを
なくすことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】バイアス磁界を印加する差動型磁
気抵抗効果素子に関する。
気抵抗効果素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から磁気抵抗効果素子は低磁場を高
感度で検出する手段として広く用いられている。この磁
気抵抗効果素子は、出力電圧を増幅するとともにその出
力電圧の温度依存性を改善するために信号磁界に対して
互いに逆相の抵抗変化をさせ差動増幅した出力が得られ
る二素子三端子型構造を採用する事が公知である。そし
てこのような磁気抵抗効果素子は永久磁石によりバイア
ス磁界が印加されることがある。
感度で検出する手段として広く用いられている。この磁
気抵抗効果素子は、出力電圧を増幅するとともにその出
力電圧の温度依存性を改善するために信号磁界に対して
互いに逆相の抵抗変化をさせ差動増幅した出力が得られ
る二素子三端子型構造を採用する事が公知である。そし
てこのような磁気抵抗効果素子は永久磁石によりバイア
ス磁界が印加されることがある。
【０００３】例えば特開昭６１−９２４１４号公報に記
載の磁気抵抗効果素子は図７に示すように磁気抵抗効果
膜１ａ、１ｂに隣接し互いにその着磁方向が逆方向であ
るバイアス磁界を印加するための磁石１１、１１、磁気
抵抗効果膜の抵抗変化を取り出すための接続電極３、３
と引出電極４とが絶縁基板５の上に形成された、磁気抵
抗効果素子パタ−ン６からなる。
載の磁気抵抗効果素子は図７に示すように磁気抵抗効果
膜１ａ、１ｂに隣接し互いにその着磁方向が逆方向であ
るバイアス磁界を印加するための磁石１１、１１、磁気
抵抗効果膜の抵抗変化を取り出すための接続電極３、３
と引出電極４とが絶縁基板５の上に形成された、磁気抵
抗効果素子パタ−ン６からなる。
【０００４】上記のように構成される磁気抵抗効果素子
にあっては、第一の磁気抵抗効果膜１ａおよび第二の磁
気抵抗効果膜１ｂに対して、それぞれ逆の状態の磁界が
印加されるため、この様な第一および第二の磁気抵抗効
果膜に対して、共通の信号磁界が作用すると、その各磁
気抵抗効果膜において、逆の位相状態で抵抗値が変化す
る。したがって上記第一および第二の磁気抵抗効果膜の
接続点にあっては、上記磁気抵抗効果膜それぞれの抵抗
変化が加算された状態で検出されるようになり、十分に
大きな出力信号が検出される。同時に、温度変化が存在
するような場合であっても、この温度変化に伴う出力変
動は相殺されるので、温度変化に対して安定した信号検
出特性が設定される。
にあっては、第一の磁気抵抗効果膜１ａおよび第二の磁
気抵抗効果膜１ｂに対して、それぞれ逆の状態の磁界が
印加されるため、この様な第一および第二の磁気抵抗効
果膜に対して、共通の信号磁界が作用すると、その各磁
気抵抗効果膜において、逆の位相状態で抵抗値が変化す
る。したがって上記第一および第二の磁気抵抗効果膜の
接続点にあっては、上記磁気抵抗効果膜それぞれの抵抗
変化が加算された状態で検出されるようになり、十分に
大きな出力信号が検出される。同時に、温度変化が存在
するような場合であっても、この温度変化に伴う出力変
動は相殺されるので、温度変化に対して安定した信号検
出特性が設定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
造の磁気抵抗効果素子では各々の磁気抵抗効果膜に対し
てそれぞれ独立した磁石でバイアス磁界を印加している
ため、磁石の形状や着磁方向にばらつきが生じると、そ
のバイアス点が変動する。このバイアス点の変動が磁気
抵抗効果素子間の特性ばらつきの原因となっていた。
造の磁気抵抗効果素子では各々の磁気抵抗効果膜に対し
てそれぞれ独立した磁石でバイアス磁界を印加している
ため、磁石の形状や着磁方向にばらつきが生じると、そ
のバイアス点が変動する。このバイアス点の変動が磁気
抵抗効果素子間の特性ばらつきの原因となっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る差動型磁気抵抗効果素子は、絶縁基板に構成された一
対の磁気抵抗効果膜と、前記一対の磁気抵抗効果膜にバ
イアス磁界を印加するためのハ−ド膜と、前記一対の磁
気抵抗効果膜およびハ−ド膜に磁気的連続性を持って配
置されたバイアス磁界誘導膜と、前記一対の磁気抵抗効
果膜の一端同士を接続する引出部と、前記一対の磁気抵
抗効果膜の他端に接続する接続電極とをそなえたことを
特徴とする。
る差動型磁気抵抗効果素子は、絶縁基板に構成された一
対の磁気抵抗効果膜と、前記一対の磁気抵抗効果膜にバ
イアス磁界を印加するためのハ−ド膜と、前記一対の磁
気抵抗効果膜およびハ−ド膜に磁気的連続性を持って配
置されたバイアス磁界誘導膜と、前記一対の磁気抵抗効
果膜の一端同士を接続する引出部と、前記一対の磁気抵
抗効果膜の他端に接続する接続電極とをそなえたことを
特徴とする。
【０００７】
【作用】単一のハ−ド膜から漏洩する磁界を、ハ−ド膜
に磁気的に結合している高透磁率磁性膜を用いて、一対
の磁気抵抗効果膜に互いに方向が逆のバイアス磁界を印
加するような構造とした。
に磁気的に結合している高透磁率磁性膜を用いて、一対
の磁気抵抗効果膜に互いに方向が逆のバイアス磁界を印
加するような構造とした。
【０００８】
（実施例１）本発明にかかる一実施例差動型磁気抵抗効
果素子１０の構造を図１、２、３を用いて説明する。な
お従来例と同じ部分については同一の符号を付ける。図
１は差動型磁気抵抗効果素子の外観斜視図、図２は差動
型磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果素子パタ−
ン９の平面図で磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂ、ハ−ド膜
２、接続電極３、３、引出電極４、バイアス磁界誘導膜
６ａ、６ｂ、６ｃ、引出部７とが絶縁基板５に形成され
た構造となっている。磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂは引出
部７の一端を介して接続されており、引出部７の他端は
ハ−ド膜２に接続されている。ハ−ド膜２の反対側には
引出電極４が接続されている。図３に示すようにハ−ド
膜２は矢印方向に着磁されている。ハ−ド膜２から漏洩
する磁力線はバイアス磁界誘導膜６ａにより磁気抵抗効
果膜１ａに効率良く誘導される。バイアス磁界誘導膜６
ｂはその中央部分に狭幅部が設けられた構造を有してお
り、磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂを挟んでハ−ド膜２と反
対側に位置している。前記バイアス磁界誘導膜６ｂはバ
イアス磁界の方向を変え、磁気抵抗効果膜１ｂに逆方向
にバイアス磁界を印加するように働く。さらに磁気抵抗
効果膜１ｂに印加されたバイアス磁界は磁気誘導膜６ｃ
を介してハ−ド膜２にもどる。以上のような磁気回路が
形成されているため、一対の磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂ
には互いに方向が逆で大きさが等しいバイアス磁界がそ
の伸張方向に対して垂直に印加されている。
果素子１０の構造を図１、２、３を用いて説明する。な
お従来例と同じ部分については同一の符号を付ける。図
１は差動型磁気抵抗効果素子の外観斜視図、図２は差動
型磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果素子パタ−
ン９の平面図で磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂ、ハ−ド膜
２、接続電極３、３、引出電極４、バイアス磁界誘導膜
６ａ、６ｂ、６ｃ、引出部７とが絶縁基板５に形成され
た構造となっている。磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂは引出
部７の一端を介して接続されており、引出部７の他端は
ハ−ド膜２に接続されている。ハ−ド膜２の反対側には
引出電極４が接続されている。図３に示すようにハ−ド
膜２は矢印方向に着磁されている。ハ−ド膜２から漏洩
する磁力線はバイアス磁界誘導膜６ａにより磁気抵抗効
果膜１ａに効率良く誘導される。バイアス磁界誘導膜６
ｂはその中央部分に狭幅部が設けられた構造を有してお
り、磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂを挟んでハ−ド膜２と反
対側に位置している。前記バイアス磁界誘導膜６ｂはバ
イアス磁界の方向を変え、磁気抵抗効果膜１ｂに逆方向
にバイアス磁界を印加するように働く。さらに磁気抵抗
効果膜１ｂに印加されたバイアス磁界は磁気誘導膜６ｃ
を介してハ−ド膜２にもどる。以上のような磁気回路が
形成されているため、一対の磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂ
には互いに方向が逆で大きさが等しいバイアス磁界がそ
の伸張方向に対して垂直に印加されている。
【０００９】本発明の差動型磁気抵抗効果素子１０はつ
ぎのような製法により作られる。
ぎのような製法により作られる。
【００１０】まずガラスなどの絶縁基板５に真空蒸着法
により膜厚３０nmのＮｉ−Ｆｅ合金薄膜が成膜され、フ
ォトリソグラフィ−により磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂと
バイアス磁界誘導膜６ａ、６ｂ、６ｃとにパタ−ン形成
される。続いて、磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂとバイアス
磁界誘導膜６ａ、６ｂ、６ｃの上にリフトオフ法により
接着層として働くＴｉ層が形成され、続いてハ−ド材料
であるＣｏ−Ｎｉ層が形成される事により二層構造をも
つハ−ド膜２が形成される。さらにＡｕとＴｉからなる
二層構造を持つ接続電極３、３、引出電極４および引出
部７がリフトオフ法により形成される。次に前記磁気抵
抗効果素子パタ−ン９を保護するためにＳｉ−Ｎからな
る保護膜８が接続電極３、３と引出電極４の一部を残し
てほぼ全面に形成される。そしてハ−ド膜２が磁気抵抗
効果膜１ａ、１ｂの伸張方向に磁化される。この磁化に
より磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂに垂直で互いにその方向
が逆のバイアス磁界が印加される。
により膜厚３０nmのＮｉ−Ｆｅ合金薄膜が成膜され、フ
ォトリソグラフィ−により磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂと
バイアス磁界誘導膜６ａ、６ｂ、６ｃとにパタ−ン形成
される。続いて、磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂとバイアス
磁界誘導膜６ａ、６ｂ、６ｃの上にリフトオフ法により
接着層として働くＴｉ層が形成され、続いてハ−ド材料
であるＣｏ−Ｎｉ層が形成される事により二層構造をも
つハ−ド膜２が形成される。さらにＡｕとＴｉからなる
二層構造を持つ接続電極３、３、引出電極４および引出
部７がリフトオフ法により形成される。次に前記磁気抵
抗効果素子パタ−ン９を保護するためにＳｉ−Ｎからな
る保護膜８が接続電極３、３と引出電極４の一部を残し
てほぼ全面に形成される。そしてハ−ド膜２が磁気抵抗
効果膜１ａ、１ｂの伸張方向に磁化される。この磁化に
より磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂに垂直で互いにその方向
が逆のバイアス磁界が印加される。
【００１１】前記差動型磁気抵抗効果素子１０の動作特
性を図４、５を用いて説明する。図４は差動型磁気抵抗
効果素子１０の特性変化を示す図で、磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂは互いに逆方向のバイアス磁界により動作点を
ずらせているので、左右対称の形状を示す。そしてこの
ような差動型磁気抵抗効果素子１０は図５に示すように
入力電圧に対して大きな出力電圧を示す。
性を図４、５を用いて説明する。図４は差動型磁気抵抗
効果素子１０の特性変化を示す図で、磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂは互いに逆方向のバイアス磁界により動作点を
ずらせているので、左右対称の形状を示す。そしてこの
ような差動型磁気抵抗効果素子１０は図５に示すように
入力電圧に対して大きな出力電圧を示す。
【００１２】（実施例２）次に本発明にかかる別の実施
例差動型磁気抵抗効果素子１０の構造を図６に基づいて
説明する。図６は差動型磁気抵抗効果素子１０を構成す
る磁気抵抗効果素子パタ−ン９の平面図で磁気抵抗効果
膜１ａ、１ｂ、ハ−ド膜２、接続電極３、３、引出電極
４、バイアス磁界誘導膜６ａ、６ｂ、６ｃとが絶縁基板
５に形成された構造となっている。磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂは後述する引出電極４により互いに接続されて
おり、両端には抵抗値の変化を取り出すための接続電極
３、３が接続されている。バイアス磁界誘導膜６ａ、６
ｂ、６ｃは高透磁率を有する磁性材料で形成されてお
り、ハ−ド膜２から漏洩した磁束を効率良く磁気抵抗効
果膜１ａ、１ｂに印加するように磁気的結合状態を保っ
て磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂに配置されている。バイア
ス磁界誘導膜６ｂはその中央部に狭幅部を有している。
磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂは相互にそれぞれの端部が、
引出電極４を介して接続されている。引出電極４はたと
えばＡｕとＴｉからなる二層構造を有する非磁性体から
なり、バイアス磁界誘導膜６ｂとは絶縁層（図示せず）
により電気的に絶縁されている。前記磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂの他端部には、たとえばＡｕとＴｉで構成され
る二層構造を持つ接続電極３、３がリフトオフ法により
形成される。さらに前記磁気抵抗効果素子パタ−ン９を
保護するためにＳｉ−Ｎでできた保護膜８が形成され
る。つぎにハ−ド膜２が磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂの伸
張方向に磁化され、差動型磁気抵抗効果素子が形成され
る。 実施例１の場合と同様にハ−ド膜２から漏洩した
磁界はバイアス磁界誘導膜６ａにより磁気抵抗効果膜１
ａに印加される。そしてバイアス磁界誘導膜６ｂにより
バイアス磁界の方向が変えられ、磁気抵抗効果膜１ｂに
バイアス磁界が印加される。さらにバイアス磁界誘導膜
６ｃによりハ−ド膜２に戻るように働く。以上のような
磁気回路が形成されているため一対の磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂには互いに方向が逆で大きさが等しいバイアス
磁界がその伸張方向に対して垂直に印加されている。
例差動型磁気抵抗効果素子１０の構造を図６に基づいて
説明する。図６は差動型磁気抵抗効果素子１０を構成す
る磁気抵抗効果素子パタ−ン９の平面図で磁気抵抗効果
膜１ａ、１ｂ、ハ−ド膜２、接続電極３、３、引出電極
４、バイアス磁界誘導膜６ａ、６ｂ、６ｃとが絶縁基板
５に形成された構造となっている。磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂは後述する引出電極４により互いに接続されて
おり、両端には抵抗値の変化を取り出すための接続電極
３、３が接続されている。バイアス磁界誘導膜６ａ、６
ｂ、６ｃは高透磁率を有する磁性材料で形成されてお
り、ハ−ド膜２から漏洩した磁束を効率良く磁気抵抗効
果膜１ａ、１ｂに印加するように磁気的結合状態を保っ
て磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂに配置されている。バイア
ス磁界誘導膜６ｂはその中央部に狭幅部を有している。
磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂは相互にそれぞれの端部が、
引出電極４を介して接続されている。引出電極４はたと
えばＡｕとＴｉからなる二層構造を有する非磁性体から
なり、バイアス磁界誘導膜６ｂとは絶縁層（図示せず）
により電気的に絶縁されている。前記磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂの他端部には、たとえばＡｕとＴｉで構成され
る二層構造を持つ接続電極３、３がリフトオフ法により
形成される。さらに前記磁気抵抗効果素子パタ−ン９を
保護するためにＳｉ−Ｎでできた保護膜８が形成され
る。つぎにハ−ド膜２が磁気抵抗効果膜１ａ、１ｂの伸
張方向に磁化され、差動型磁気抵抗効果素子が形成され
る。 実施例１の場合と同様にハ−ド膜２から漏洩した
磁界はバイアス磁界誘導膜６ａにより磁気抵抗効果膜１
ａに印加される。そしてバイアス磁界誘導膜６ｂにより
バイアス磁界の方向が変えられ、磁気抵抗効果膜１ｂに
バイアス磁界が印加される。さらにバイアス磁界誘導膜
６ｃによりハ−ド膜２に戻るように働く。以上のような
磁気回路が形成されているため一対の磁気抵抗効果膜１
ａ、１ｂには互いに方向が逆で大きさが等しいバイアス
磁界がその伸張方向に対して垂直に印加されている。
【００１３】本実施例においても実施例１の場合と同様
に、出力が大きくしかも外部の温度などの変化に影響を
受けにくい特性を持つ差動型磁気抵抗効果素子１０が得
られる。
に、出力が大きくしかも外部の温度などの変化に影響を
受けにくい特性を持つ差動型磁気抵抗効果素子１０が得
られる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の差動型磁気抵抗効果素子は、引
出部の一端を介して接続される一対の磁気抵抗効果膜
に、閉磁路を形成するように構成されたハ−ド膜とバイ
アス磁界誘導膜により、互いにその値が等しく方向が逆
のバイアス磁界が印加されることを特徴とする。したが
って外部磁界の変化に対して磁気抵抗効果膜がそれぞれ
逆相の抵抗変化を示すため接続電極間に現れる電圧変化
は二倍になりその感度が向上する。それと同時に同一材
質、同一構造の二素子から形成された構造であるため、
温度などの外部環境の変化に対してその磁気抵抗特性が
互いに変動を相殺するように働く。さらに一対の磁気抵
抗効果膜に単一のハ−ド膜から漏洩するバイアス磁界を
印加するようにしたのでハ−ド膜の着磁方向のバラツキ
による磁気抵抗効果素子の特性バラツキがなくせる。
出部の一端を介して接続される一対の磁気抵抗効果膜
に、閉磁路を形成するように構成されたハ−ド膜とバイ
アス磁界誘導膜により、互いにその値が等しく方向が逆
のバイアス磁界が印加されることを特徴とする。したが
って外部磁界の変化に対して磁気抵抗効果膜がそれぞれ
逆相の抵抗変化を示すため接続電極間に現れる電圧変化
は二倍になりその感度が向上する。それと同時に同一材
質、同一構造の二素子から形成された構造であるため、
温度などの外部環境の変化に対してその磁気抵抗特性が
互いに変動を相殺するように働く。さらに一対の磁気抵
抗効果膜に単一のハ−ド膜から漏洩するバイアス磁界を
印加するようにしたのでハ−ド膜の着磁方向のバラツキ
による磁気抵抗効果素子の特性バラツキがなくせる。
【図１】本発明にかかる一実施例差動型磁気抵抗効果素
子の外観斜視図である。
子の外観斜視図である。
【図２】本発明にかかる一実施例差動型磁気抵抗効果素
子を構成する磁気抵抗効果素子パタ−ンの平面図であ
る。
子を構成する磁気抵抗効果素子パタ−ンの平面図であ
る。
【図３】本発明にかかる一実施例差動型磁気抵抗効果素
子の磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界を示す図
である。
子の磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界を示す図
である。
【図４】本発明にかかる一実施例差動型磁気抵抗効果素
子の特性を示す図である。
子の特性を示す図である。
【図５】本発明にかかる一実施例差動型磁気抵抗効果素
子の出力電圧を示す図である。
子の出力電圧を示す図である。
【図６】本発明にかかる別の実施例差動型磁気抵抗効果
素子を構成するパタ−ンの平面図である。
素子を構成するパタ−ンの平面図である。
【図７】従来の差動型磁気抵抗効果素子のパタ−ンを示
す図である。
す図である。
１ａ、１ｂ 磁気抵抗効果膜 ２ ハ−ド膜 ３ 接続電極 ４ 引出電極 ５ 絶縁基板 ６ａ、６ｂ、６ｃ バイアス磁界誘導膜 ７ 引出部 ８ 保護膜 ９ 磁気抵抗効果素子パタ−ン １０ 磁気抵抗効果素子 １１ 磁石
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板に構成された一対の磁気抵抗効果
膜と、前記一対の磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加
するためのハ−ド膜と、前記一対の磁気抵抗効果膜およ
びハ−ド膜に磁気的連続性を持って配置されたバイアス
磁界誘導膜と、前記一対の磁気抵抗効果膜の一端同士を
接続する引出部と、前記一対の磁気抵抗効果膜の他端に
接続する接続電極とをそなえたことを特徴とする差動型
磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091943A JPH07297464A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 差動型磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091943A JPH07297464A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 差動型磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297464A true JPH07297464A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14040681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6091943A Pending JPH07297464A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 差動型磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297464A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157905B1 (en) | 2004-02-27 | 2007-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Long magnetic sensor |
| WO2011074488A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ |
| JP2012122792A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ |
| WO2012172946A1 (ja) * | 2011-06-13 | 2012-12-20 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JP2013238434A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Osaka City Univ | 力率計測装置 |
| CN109328307A (zh) * | 2016-07-06 | 2019-02-12 | 株式会社村田制作所 | 磁传感器以及具备该磁传感器的电流传感器 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6091943A patent/JPH07297464A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157905B1 (en) | 2004-02-27 | 2007-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Long magnetic sensor |
| WO2011074488A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ |
| JP2012122792A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ |
| WO2012172946A1 (ja) * | 2011-06-13 | 2012-12-20 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
| JP2013238434A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Osaka City Univ | 力率計測装置 |
| CN109328307A (zh) * | 2016-07-06 | 2019-02-12 | 株式会社村田制作所 | 磁传感器以及具备该磁传感器的电流传感器 |
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