JPH07301705A - Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH07301705A JPH07301705A JP6096597A JP9659794A JPH07301705A JP H07301705 A JPH07301705 A JP H07301705A JP 6096597 A JP6096597 A JP 6096597A JP 9659794 A JP9659794 A JP 9659794A JP H07301705 A JPH07301705 A JP H07301705A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタ
リングターゲットの提供 【構成】 合金成分として周期率表IIIa（Sc，Y ，La，
Pr，Nd, Sm，Gd，Tb，Dy），IVa 族（Ti，Zr，Hf），Va
族（V ，Nb，Ta），VIa 族（Cr，Mo，W ），VIIa族（M
n，Tc，Re），VIII族（Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，I
r，Pt）の遷移元素のうちの１種以上を、合計で 0.1〜1
0at％含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金
薄膜と、その薄膜形成用スパッタリングターゲット。 【効果】 レーザー光反射膜としての耐食性に優れ、高
い反射率を有する。
リングターゲットの提供 【構成】 合金成分として周期率表IIIa（Sc，Y ，La，
Pr，Nd, Sm，Gd，Tb，Dy），IVa 族（Ti，Zr，Hf），Va
族（V ，Nb，Ta），VIa 族（Cr，Mo，W ），VIIa族（M
n，Tc，Re），VIII族（Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，I
r，Pt）の遷移元素のうちの１種以上を、合計で 0.1〜1
0at％含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金
薄膜と、その薄膜形成用スパッタリングターゲット。 【効果】 レーザー光反射膜としての耐食性に優れ、高
い反射率を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Al合金薄膜およびAl合
金薄膜形成用スパッタリングターゲットに関し、特にレ
ーザー光反射膜として使用するのに好適なAl合金薄膜お
よびその作製のために使用するAl合金薄膜形成用スパッ
タリングターゲットに関するものである。
金薄膜形成用スパッタリングターゲットに関し、特にレ
ーザー光反射膜として使用するのに好適なAl合金薄膜お
よびその作製のために使用するAl合金薄膜形成用スパッ
タリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】平面鏡、凹面鏡、凸面鏡等の形状を有す
るレーザー光反射鏡に使用する材料としては、使用環境
下において腐食されないように耐食性に優れているとと
もに、レーザー光の強度が減衰しないように高反射率特
性が要求される。
るレーザー光反射鏡に使用する材料としては、使用環境
下において腐食されないように耐食性に優れているとと
もに、レーザー光の強度が減衰しないように高反射率特
性が要求される。
【０００３】従来、レーザー光反射鏡には、鏡面加工さ
れたCu、Mo、SiおよびAlが使用されている。これらの中
でもCuは加工性に優れ、高反射率を有するところから最
も広く利用されている。また、優れた耐食性および高反
射率を有し、なお、かつ耐酸化性に優れ、硬質の合金薄
膜をCu表面に蒸着等により形成したものも使用されてい
る。
れたCu、Mo、SiおよびAlが使用されている。これらの中
でもCuは加工性に優れ、高反射率を有するところから最
も広く利用されている。また、優れた耐食性および高反
射率を有し、なお、かつ耐酸化性に優れ、硬質の合金薄
膜をCu表面に蒸着等により形成したものも使用されてい
る。
【０００４】代表的な合金薄膜として、高反射率を有
し、耐食性および耐酸化性に優れたAuをベースに、Auの
硬度を増加させるため 0.1〜0.5wt ％のCoを含有させた
Au−Co合金薄膜を形成したもの（特開昭63-301902 号公
報）や 1〜20wt％のCrを含むAu−Cr合金薄膜を形成した
もの（特開平1-309005号公報）等があり、主としてAuベ
ースの合金薄膜が使用されている。
し、耐食性および耐酸化性に優れたAuをベースに、Auの
硬度を増加させるため 0.1〜0.5wt ％のCoを含有させた
Au−Co合金薄膜を形成したもの（特開昭63-301902 号公
報）や 1〜20wt％のCrを含むAu−Cr合金薄膜を形成した
もの（特開平1-309005号公報）等があり、主としてAuベ
ースの合金薄膜が使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Cuは酸
化されやすく、柔らかくて表面に傷がつきやすいという
問題点があり、また、Auは価格的に高価であるという問
題点を抱えている。そこで、価格的に安価で、なお、か
つ高反射率を有するAlがレーザー光反射膜として今後有
望な材料である。
化されやすく、柔らかくて表面に傷がつきやすいという
問題点があり、また、Auは価格的に高価であるという問
題点を抱えている。そこで、価格的に安価で、なお、か
つ高反射率を有するAlがレーザー光反射膜として今後有
望な材料である。
【０００６】ところがAlは耐食性に劣るため、高温ある
いは高湿度の環境下で長期間使用すると、Al薄膜が腐食
して反射率の低下を引き起こし、レーザー光反射膜とし
て機能しなくなるという難点がある。
いは高湿度の環境下で長期間使用すると、Al薄膜が腐食
して反射率の低下を引き起こし、レーザー光反射膜とし
て機能しなくなるという難点がある。
【０００７】本発明は前記した事情に着目して、従来製
品の問題点を解消した高機能の新規Al合金薄膜およびそ
のAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット、すなわ
ち、安価で、優れた耐食性および高反射率を有し、レー
ザー光反射膜として好適に使用し得るAl合金薄膜および
そのAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲットを提供
することを目的としている。
品の問題点を解消した高機能の新規Al合金薄膜およびそ
のAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット、すなわ
ち、安価で、優れた耐食性および高反射率を有し、レー
ザー光反射膜として好適に使用し得るAl合金薄膜および
そのAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲットを提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、レーザー光
反射鏡としてのAl合金薄膜を形成するための素材である
スパッタリングターゲットとして、遷移元素を含むAl合
金が優れた機能を発揮し、得られたAl合金薄膜よりなる
レーザー光反射鏡の特性を向上させるという知見を得
て、本発明を完成するに至ったものである。
め、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、レーザー光
反射鏡としてのAl合金薄膜を形成するための素材である
スパッタリングターゲットとして、遷移元素を含むAl合
金が優れた機能を発揮し、得られたAl合金薄膜よりなる
レーザー光反射鏡の特性を向上させるという知見を得
て、本発明を完成するに至ったものである。
【０００９】すなわち、上記知見に基づいた本発明は、
合金成分として周期率表IIIa族（Sc、Y 、La、Pr、Nd、
Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa 族（Ti、Zr、Hf）、Va族（V 、
Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VIIa族（Mn、Tc、R
e）、VIII族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）
の遷移元素のうちの１種以上を、合計で 0.1〜10at％含
有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜を要
旨としており、またこの薄膜を形成する合金で構成され
たスパッタリングターゲットを要旨とするものである。
さらに前記合金により構成されたレーザー光反射膜も本
発明の要旨である。
合金成分として周期率表IIIa族（Sc、Y 、La、Pr、Nd、
Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa 族（Ti、Zr、Hf）、Va族（V 、
Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VIIa族（Mn、Tc、R
e）、VIII族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）
の遷移元素のうちの１種以上を、合計で 0.1〜10at％含
有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜を要
旨としており、またこの薄膜を形成する合金で構成され
たスパッタリングターゲットを要旨とするものである。
さらに前記合金により構成されたレーザー光反射膜も本
発明の要旨である。
【００１０】
【作用】本発明の構成と作用を説明する。本発明者ら
は、Alに種々の元素を含有させて得られたAl合金スパッ
タリングターゲットを作製し、これらのターゲットを使
用してスパッタリング法により種々の合金組成のAl合金
薄膜を形成し、その組成、耐食性および反射率等の特性
評価を行なった。
は、Alに種々の元素を含有させて得られたAl合金スパッ
タリングターゲットを作製し、これらのターゲットを使
用してスパッタリング法により種々の合金組成のAl合金
薄膜を形成し、その組成、耐食性および反射率等の特性
評価を行なった。
【００１１】その結果、遷移元素の添加が耐食性の向上
に有効であり、また、反射率を著しく低下させるもので
ないことがわかり、これら遷移元素を添加含有させたAl
合金薄膜がレーザー光反射膜として優れた特性を有する
ことが確認された。
に有効であり、また、反射率を著しく低下させるもので
ないことがわかり、これら遷移元素を添加含有させたAl
合金薄膜がレーザー光反射膜として優れた特性を有する
ことが確認された。
【００１２】Alに、合金成分として周期率表IIIa族（S
c、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa 族（Ti、Z
r、Hf）、Va族（V 、Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W
）、VIIa族（Mn、Tc、Re）、VIII族（Fe、Co、Ni、R
u、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の遷移元素のうちの１種以上
を含有させると、その含有量の増加にともなって耐食性
が向上する。
c、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa 族（Ti、Z
r、Hf）、Va族（V 、Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W
）、VIIa族（Mn、Tc、Re）、VIII族（Fe、Co、Ni、R
u、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の遷移元素のうちの１種以上
を含有させると、その含有量の増加にともなって耐食性
が向上する。
【００１３】これは次の理由によるものである。すなわ
ち、平衡状態において、遷移元素はAlに対する固溶限は
極めて小さいが、スパッタリング法で形成されるAl合金
薄膜では、スパッタリング法固有の気相急冷によって固
溶限以上の強制的な固溶が可能となる。これらの遷移元
素は化学的に安定な不働態を形成することから耐食性が
向上するのである。
ち、平衡状態において、遷移元素はAlに対する固溶限は
極めて小さいが、スパッタリング法で形成されるAl合金
薄膜では、スパッタリング法固有の気相急冷によって固
溶限以上の強制的な固溶が可能となる。これらの遷移元
素は化学的に安定な不働態を形成することから耐食性が
向上するのである。
【００１４】かかる効果は周期率表IIIa族（Sc、Y 、L
a、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa族（Ti、Zr、Hf）、
Va族（V 、Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VIIa族
（Mn、Tc、Re）、VIII族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、O
s、Ir、Pt）の遷移元素のいずれにおいても得られ、こ
れら遷移元素から選択される１種以上の元素を同時に含
有させた場合でも同様の効果が得られることが判明し
た。
a、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa族（Ti、Zr、Hf）、
Va族（V 、Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VIIa族
（Mn、Tc、Re）、VIII族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、O
s、Ir、Pt）の遷移元素のいずれにおいても得られ、こ
れら遷移元素から選択される１種以上の元素を同時に含
有させた場合でも同様の効果が得られることが判明し
た。
【００１５】遷移元素添加による耐食性の向上に反し
て、その含有量増加に伴い、Al合金反射膜の反射率は低
下する。しかし、遷移元素含有量が 0.1〜10at％の範囲
内における反射率低下の程度は、実用上問題とならない
ほど小さいことも確認された。
て、その含有量増加に伴い、Al合金反射膜の反射率は低
下する。しかし、遷移元素含有量が 0.1〜10at％の範囲
内における反射率低下の程度は、実用上問題とならない
ほど小さいことも確認された。
【００１６】前記遷移元素の含有量は合計で 0.1〜10at
％にする必要がある。その理由は、含有量の増加に伴っ
て耐食性は向上するが、 0.1at％未満では合金における
遷移元素の固溶量が少なすぎて耐食性向上効果が十分で
なく、また、10at％を超えた含有量では耐食性は十分に
向上するものの、固溶量が多すぎて反射率が大きく低下
し、反射膜としての機能を十分果たすことができなくな
るからである。
％にする必要がある。その理由は、含有量の増加に伴っ
て耐食性は向上するが、 0.1at％未満では合金における
遷移元素の固溶量が少なすぎて耐食性向上効果が十分で
なく、また、10at％を超えた含有量では耐食性は十分に
向上するものの、固溶量が多すぎて反射率が大きく低下
し、反射膜としての機能を十分果たすことができなくな
るからである。
【００１７】本発明に係るAl合金薄膜は、スパッタリン
グ法により形成されることが望ましい。その理由は、真
空蒸着法、化学気相蒸着法等の薄膜形成法と比較して、
スパッタリング法は合金薄膜組成の安定性に優れ、ま
た、遷移元素は平衡状態ではAlに対する固溶限が極めて
小さいが、スパッタリング法で形成されたAl合金薄膜で
は、スパッタリング法固有の気相急冷によって固溶限以
上の強制的な固溶が可能となることから、他の薄膜形成
法により形成されたAl合金薄膜と比較して、より耐食性
の高いものが得られるからである。
グ法により形成されることが望ましい。その理由は、真
空蒸着法、化学気相蒸着法等の薄膜形成法と比較して、
スパッタリング法は合金薄膜組成の安定性に優れ、ま
た、遷移元素は平衡状態ではAlに対する固溶限が極めて
小さいが、スパッタリング法で形成されたAl合金薄膜で
は、スパッタリング法固有の気相急冷によって固溶限以
上の強制的な固溶が可能となることから、他の薄膜形成
法により形成されたAl合金薄膜と比較して、より耐食性
の高いものが得られるからである。
【００１８】本発明に係るAl合金薄膜をスパッタリング
法により形成するときは、スパッタリングターゲットと
して周期率表IIIa族（Sc、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、T
b、Dy）、IVa 族（Ti、Zr、Hf）、Va族（V 、Nb、T
a）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VIIa族（Mn、Tc、Re）、V
III族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の遷移
元素のうちの１種以上を、合計で 0.1〜10at％含有する
Al合金よりなるものを使用すればよい。その理由は、か
かるAl合金ターゲットは、複合スパッタリングターゲッ
ト等に比し形成されるAl合金薄膜の組成が安定しやすい
等の利点を有しているからである。
法により形成するときは、スパッタリングターゲットと
して周期率表IIIa族（Sc、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、T
b、Dy）、IVa 族（Ti、Zr、Hf）、Va族（V 、Nb、T
a）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VIIa族（Mn、Tc、Re）、V
III族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の遷移
元素のうちの１種以上を、合計で 0.1〜10at％含有する
Al合金よりなるものを使用すればよい。その理由は、か
かるAl合金ターゲットは、複合スパッタリングターゲッ
ト等に比し形成されるAl合金薄膜の組成が安定しやすい
等の利点を有しているからである。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例を説明するが、これによって
本発明は何ら限定されるものではない。 実施例１ Sc、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ti、Zr、Hf、V
、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Ru、
Rh、Pd、Os、Ir、Ptをそれぞれ所定量含有するAl合金ス
パッタリングターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンス
パッタリング法により、10mm×20mmのガラス基板上に厚
さ 1μm のAl合金薄膜を形成した。
本発明は何ら限定されるものではない。 実施例１ Sc、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ti、Zr、Hf、V
、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Ru、
Rh、Pd、Os、Ir、Ptをそれぞれ所定量含有するAl合金ス
パッタリングターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンス
パッタリング法により、10mm×20mmのガラス基板上に厚
さ 1μm のAl合金薄膜を形成した。
【００２０】前記のようにして形成したAl合金薄膜にリ
ード線を取り付け、フロンマスクにより一定面積を露出
させた電極試料を作成し、この電極を 5mass％NaOH水溶
液中に 5秒間浸漬させて酸化皮膜を除去した後、電位掃
引速度20mV/minのアノード分極測定を行なった。電解液
は 0.5mass％Na2SO4水溶液を支持電解質とし、H2SO4、H
Cl またはNaOH添加により所定のpHに調整した。電解液
は予めArガスにより 1時間以上脱気し、参照電極には飽
和カロメル電極（ＳＣＥ）を使用した。
ード線を取り付け、フロンマスクにより一定面積を露出
させた電極試料を作成し、この電極を 5mass％NaOH水溶
液中に 5秒間浸漬させて酸化皮膜を除去した後、電位掃
引速度20mV/minのアノード分極測定を行なった。電解液
は 0.5mass％Na2SO4水溶液を支持電解質とし、H2SO4、H
Cl またはNaOH添加により所定のpHに調整した。電解液
は予めArガスにより 1時間以上脱気し、参照電極には飽
和カロメル電極（ＳＣＥ）を使用した。
【００２１】前記Al合金薄膜は、いずれもアノード分極
により不働態化することから、不働態域での電流密度
（以下、不働態保持電流密度という）から腐食速度を評
価した。検討した遷移元素とその元素を 2at％含むAl合
金薄膜の不働態保持電流密度との関係を表１に示す。
により不働態化することから、不働態域での電流密度
（以下、不働態保持電流密度という）から腐食速度を評
価した。検討した遷移元素とその元素を 2at％含むAl合
金薄膜の不働態保持電流密度との関係を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】酸性溶液（pH=3.2）および中性溶液（pH=
8.0）のいずれの場合も、遷移元素を含有させたAl合金
薄膜の不働態保持電流密度は、純Al薄膜と比較して低く
なっており、純Al薄膜よりも耐食性に優れていることが
わかる。
8.0）のいずれの場合も、遷移元素を含有させたAl合金
薄膜の不働態保持電流密度は、純Al薄膜と比較して低く
なっており、純Al薄膜よりも耐食性に優れていることが
わかる。
【００２４】実施例２ 実施例１の場合と同様のスパッタリングターゲットを用
いて、同様のスパッタリング法により、厚さ1.27mmの透
明ポリカーボネート樹脂基板上に、厚さ50nmのAl合金薄
膜を形成したのち、この薄膜上にアクリル樹脂よりなる
厚さ10μm の保護膜をスピンコートにより塗布し、硬化
させて試料を得た。
いて、同様のスパッタリング法により、厚さ1.27mmの透
明ポリカーボネート樹脂基板上に、厚さ50nmのAl合金薄
膜を形成したのち、この薄膜上にアクリル樹脂よりなる
厚さ10μm の保護膜をスピンコートにより塗布し、硬化
させて試料を得た。
【００２５】この試料について、波長 780nmのレーザー
光による反射率を、透明ポリカーボネート樹脂基板側か
ら測定した。検討した遷移元素の元素含有量と反射率と
の関係を図１、図２および図３に示す。
光による反射率を、透明ポリカーボネート樹脂基板側か
ら測定した。検討した遷移元素の元素含有量と反射率と
の関係を図１、図２および図３に示す。
【００２６】図１、２、３に示すように、遷移元素をAl
合金薄膜に含有させることにより、反射率（初期反射
率）は低下していく傾向にあるが、含有量が 0.1〜10at
％の範囲においては、いずれの合金薄膜も60％以上の高
い反射率を示すことがわかる。
合金薄膜に含有させることにより、反射率（初期反射
率）は低下していく傾向にあるが、含有量が 0.1〜10at
％の範囲においては、いずれの合金薄膜も60％以上の高
い反射率を示すことがわかる。
【００２７】実施例３ 実施例２の場合と同様の試料について、環境加速試験と
してＰＣＴ（PressureCooker Test；温度 105℃、圧力1
22kPa、湿度 100％RH）を行い、試験前後の反射率の変
化量（低下量）から、膜の耐食性を評価した。検討した
遷移元素の元素含有量とＰＣＴ60時間後における反射率
低下量との関係を図４、図５および図６に示す。
してＰＣＴ（PressureCooker Test；温度 105℃、圧力1
22kPa、湿度 100％RH）を行い、試験前後の反射率の変
化量（低下量）から、膜の耐食性を評価した。検討した
遷移元素の元素含有量とＰＣＴ60時間後における反射率
低下量との関係を図４、図５および図６に示す。
【００２８】図４、５、６に示すように、遷移元素をAl
合金薄膜に含有させることにより、反射率低下量が著し
く少なくなり、これらAl合金薄膜が耐食性に優れたもの
であることが分かる。
合金薄膜に含有させることにより、反射率低下量が著し
く少なくなり、これらAl合金薄膜が耐食性に優れたもの
であることが分かる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるから、耐食性に優れ、高い反射率を有するため、レ
ーザー光反射膜として好適に用いることができ、また、
スパッタリングターゲットは前記レーザー光反射膜用薄
膜形成に好適であって、これらを使用する機器の高機能
化および品質向上を図ることができ、産業上極めて有用
である。
いるから、耐食性に優れ、高い反射率を有するため、レ
ーザー光反射膜として好適に用いることができ、また、
スパッタリングターゲットは前記レーザー光反射膜用薄
膜形成に好適であって、これらを使用する機器の高機能
化および品質向上を図ることができ、産業上極めて有用
である。
【図１】本発明のAl合金薄膜における元素（Sc、Y 、L
a、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）の含有量と反射率との関
係を示す説明図である。
a、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）の含有量と反射率との関
係を示す説明図である。
【図２】本発明のAl合金薄膜における元素（Ti、Zr、H
f、V 、Nb、Ta、Cr、Mo、W 、Mn、Tc、Re）の含有量と
反射率との関係を示す説明図である。
f、V 、Nb、Ta、Cr、Mo、W 、Mn、Tc、Re）の含有量と
反射率との関係を示す説明図である。
【図３】本発明のAl合金薄膜における元素（Fe、Co、N
i、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の含有量と反射率との関
係を示す説明図である。
i、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の含有量と反射率との関
係を示す説明図である。
【図４】本発明のAl合金薄膜における元素（Sc、Y 、L
a、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）の含有量と反射率低下量
との関係を示す説明図である。
a、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）の含有量と反射率低下量
との関係を示す説明図である。
【図５】本発明のAl合金薄膜における元素（Ti、Zr、H
f、V 、Nb、Ta、Cr、Mo、W 、Mn、Tc、Re）の含有量と
反射率低下量との関係を示す説明図である。
f、V 、Nb、Ta、Cr、Mo、W 、Mn、Tc、Re）の含有量と
反射率低下量との関係を示す説明図である。
【図６】本発明のAl合金薄膜における元素（Fe、Co、N
i、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の含有量と反射率との関
係を示す説明図である。
i、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt）の含有量と反射率との関
係を示す説明図である。
フロントページの続き (72)発明者 山本 正剛 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 吉川 一男 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 合金成分として周期率表IIIa族（Sc、Y
、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa 族（Ti、Zr、H
f）、Va族（V 、Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VII
a族（Mn、Tc、Re）、VIII族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、P
d、Os、Ir、Pt）の遷移元素のうちの１種以上を、合計
で 0.1〜10at％含有するAl合金よりなることを特徴とす
るAl合金薄膜。 - 【請求項２】 スパッタリング法により形成された請求
項１記載のAl合金薄膜。 - 【請求項３】 レーザー光反射膜として使用する請求項
１または２記載のAl合金薄膜。 - 【請求項４】 合金成分として周期率表IIIa族（Sc、Y
、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy）、IVa 族（Ti、Zr、H
f）、Va族（V 、Nb、Ta）、VIa 族（Cr、Mo、W ）、VII
a族（Mn、Tc、Re）、VIII族（Fe、Co、Ni、Ru、Rh、P
d、Os、Ir、Pt）の遷移元素のうちの１種以上を、合計
で 0.1〜10at％含有するAl合金よりなる請求項１、２ま
たは３記載のAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6096597A JPH07301705A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6096597A JPH07301705A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301705A true JPH07301705A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14169301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6096597A Withdrawn JPH07301705A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07301705A (ja) |
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-
1994
- 1994-05-10 JP JP6096597A patent/JPH07301705A/ja not_active Withdrawn
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