JPH07301754A - Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製造方法 - Google Patents
Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製造方法Info
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- JPH07301754A JPH07301754A JP7131129A JP13112995A JPH07301754A JP H07301754 A JPH07301754 A JP H07301754A JP 7131129 A JP7131129 A JP 7131129A JP 13112995 A JP13112995 A JP 13112995A JP H07301754 A JPH07301754 A JP H07301754A
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- thin film
- actuated mirror
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- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電気的に変形可能な層及び弾性層
を備える各アクチュエーテッドミラーが駆動の際、その
層の間に起きる応力を除去できるＭ×Ｎ個のアクチュエ
ーテッドミラーアレー及びその製造方法を提供する。 【構成】 本発明のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーは能動マトリックス２０２、Ｍ×Ｎ個の支
持部２０４のアレー及び薄膜型駆動構造２０７のアレー
を有し、各駆動構造は第１層２１１、上下面を有する電
気的に変形可能な層２１２、第２層２１５及び弾性層２
０５を有し、弾性層は第２層の下層をなし、第１層は両
端部に分割され、一つの近位端部はバイアス電極として
の役割を、また他方の遠位端部は光を反射するミラーと
しての役割を、第２層はコンジットを通じてトランジス
タに電気的に接続されて信号電極としての役割を果た
す。
を備える各アクチュエーテッドミラーが駆動の際、その
層の間に起きる応力を除去できるＭ×Ｎ個のアクチュエ
ーテッドミラーアレー及びその製造方法を提供する。 【構成】 本発明のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーは能動マトリックス２０２、Ｍ×Ｎ個の支
持部２０４のアレー及び薄膜型駆動構造２０７のアレー
を有し、各駆動構造は第１層２１１、上下面を有する電
気的に変形可能な層２１２、第２層２１５及び弾性層２
０５を有し、弾性層は第２層の下層をなし、第１層は両
端部に分割され、一つの近位端部はバイアス電極として
の役割を、また他方の遠位端部は光を反射するミラーと
しての役割を、第２層はコンジットを通じてトランジス
タに電気的に接続されて信号電極としての役割を果た
す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光投射型システムに関
するものであって、特に、そのシステムに用いるＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製法
に関する。
するものであって、特に、そのシステムに用いるＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の利用可能な様々なビデオ表示シス
テムのなかで、光投射型システムは大画面において高精
細度を与えることができるものとして知られている。こ
のような光投射型システムに於いては、ランプからの光
が一様に、例えばＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー
からなるアレー（Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー
アレー）上に照らされるが、ここで各々のミラーはそれ
ぞれアクチュエータに結合されている。これらのアクチ
ュエータはそこに加えられる電界に応じて変形を起こす
電歪または圧電物質のような電気的に変形可能な（elec
trodisplacive)物質からなっている。
テムのなかで、光投射型システムは大画面において高精
細度を与えることができるものとして知られている。こ
のような光投射型システムに於いては、ランプからの光
が一様に、例えばＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー
からなるアレー（Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー
アレー）上に照らされるが、ここで各々のミラーはそれ
ぞれアクチュエータに結合されている。これらのアクチ
ュエータはそこに加えられる電界に応じて変形を起こす
電歪または圧電物質のような電気的に変形可能な（elec
trodisplacive)物質からなっている。
【０００３】各ミラーからの反射光ビームは、例えば光
バッフルの開口上に入射される。各アクチュエータに電
気信号が与えられると、入射光ビームに対して各ミラー
の相対的な位置が変わって、これによって、各ミラーか
らの反射光ビームの光路が変わるようになる。各反射光
ビームの光路が変わることによって、開口を通した各ミ
ラーから反射された光量が変化し、これによって、光の
強さを調節する。開口を通過した調節された光ビームは
投射レンズのような適当な光学デバイスを介して、投射
スクリーン上に送られることによって、その上に像を表
示する。
バッフルの開口上に入射される。各アクチュエータに電
気信号が与えられると、入射光ビームに対して各ミラー
の相対的な位置が変わって、これによって、各ミラーか
らの反射光ビームの光路が変わるようになる。各反射光
ビームの光路が変わることによって、開口を通した各ミ
ラーから反射された光量が変化し、これによって、光の
強さを調節する。開口を通過した調節された光ビームは
投射レンズのような適当な光学デバイスを介して、投射
スクリーン上に送られることによって、その上に像を表
示する。
【０００４】図１は、光投射型システムで用いるＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラー１１からなるアレー
１０の断面図を表すものであって、「THIN FILM ACTUAT
ED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THE
REOF」という名称で同時継続中の米国特許出願第08／33
1，399号に開示されている。このアクチュエーテッドミ
ラーアレーは能動マトリックス（ACTIVE MATRIX)１２、
Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造１４からなるアレー１３、Ｍ×
Ｎ個の支持部１６からなるアレー１５、及びＭ×Ｎ個の
ミラー１８からなるアレー１７を含む。
個の薄膜アクチュエーテッドミラー１１からなるアレー
１０の断面図を表すものであって、「THIN FILM ACTUAT
ED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THE
REOF」という名称で同時継続中の米国特許出願第08／33
1，399号に開示されている。このアクチュエーテッドミ
ラーアレーは能動マトリックス（ACTIVE MATRIX)１２、
Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造１４からなるアレー１３、Ｍ×
Ｎ個の支持部１６からなるアレー１５、及びＭ×Ｎ個の
ミラー１８からなるアレー１７を含む。
【０００５】能動マトリックス１２は基板１９、Ｍ×Ｎ
個のトランジスタのアレー（図示せず）及びＭ×Ｎ個の
接続端子２１からなるアレー２０を備えている。アレー
１０に於ける各駆動構造１４は、例えば、ジルコン酸チ
タン酸鉛（ＰＺＴ）のような圧電物質あるいはマグネシ
ウム酸ニオベード（niobate）酸鉛（ＰＭＮ）のような
電歪物質などの電気的に変形可能な物質からなる薄膜層
２２、第１電極２３、第２電極２４及びセラミックスか
らなる弾性層２５が与えられており、ここで第１及び第
２電極２３，２４は、電気的に変形可能な層２２の上面
及び下面に、弾性層２５は第２電極２４の下面に各々位
置する。各支持部１６は各駆動構造１４によって片持ち
梁式に駆動構造１４を適当な位置に固定させるととも
に、例えば、タングステン（Ｗ）のような金属からなる
コンジット２６が設けられているので、各駆動構造１４
及び能動マトリックス１２を電気的に接続するのに用い
られる。さらに、アルミニウム（Ａ１）のような光反射
物質からなる各ミラー１８が各駆動構造１４の上面に置
かれている。
個のトランジスタのアレー（図示せず）及びＭ×Ｎ個の
接続端子２１からなるアレー２０を備えている。アレー
１０に於ける各駆動構造１４は、例えば、ジルコン酸チ
タン酸鉛（ＰＺＴ）のような圧電物質あるいはマグネシ
ウム酸ニオベード（niobate）酸鉛（ＰＭＮ）のような
電歪物質などの電気的に変形可能な物質からなる薄膜層
２２、第１電極２３、第２電極２４及びセラミックスか
らなる弾性層２５が与えられており、ここで第１及び第
２電極２３，２４は、電気的に変形可能な層２２の上面
及び下面に、弾性層２５は第２電極２４の下面に各々位
置する。各支持部１６は各駆動構造１４によって片持ち
梁式に駆動構造１４を適当な位置に固定させるととも
に、例えば、タングステン（Ｗ）のような金属からなる
コンジット２６が設けられているので、各駆動構造１４
及び能動マトリックス１２を電気的に接続するのに用い
られる。さらに、アルミニウム（Ａ１）のような光反射
物質からなる各ミラー１８が各駆動構造１４の上面に置
かれている。
【０００６】薄膜アクチュエーテッドミラーアレー１０
は、各駆動構造１４に於いて第１及び第２電極２３，２
４の間に置かれる電気的に変形可能な層２２に電気信号
を加えると、変形が起こり、それによってその上部に位
置するミラー１８の変形を起こすことによって、入射光
ビームの光路を変える。
は、各駆動構造１４に於いて第１及び第２電極２３，２
４の間に置かれる電気的に変形可能な層２２に電気信号
を加えると、変形が起こり、それによってその上部に位
置するミラー１８の変形を起こすことによって、入射光
ビームの光路を変える。
【０００７】しかし、上述した薄膜のアクチュエーテッ
ドミラー１１からなるアレー１０に関連して多くの問題
点がある。第１の問題点は、その動作の際に各アクチュ
エーテッドミラー１１に於いて電気的に変形可能な層２
２と弾性層２５の間に発生する応力により、アレー１０
の光効率が大きく低下することである。それらの応力は
ミラーアレー１８と第１電極２３で発生して、クラック
をもたらし、甚だしくは、これによって、ミラー１８及
び第１電極２３が各アクチュエーテッドミラー１１から
離れて、さらに電気的に変形可能な層２２とその上部に
付着されたミラー１８及び第１電極２３とが不規則に曲
がられて、アレー１０の光効率を低下させることにな
る。
ドミラー１１からなるアレー１０に関連して多くの問題
点がある。第１の問題点は、その動作の際に各アクチュ
エーテッドミラー１１に於いて電気的に変形可能な層２
２と弾性層２５の間に発生する応力により、アレー１０
の光効率が大きく低下することである。それらの応力は
ミラーアレー１８と第１電極２３で発生して、クラック
をもたらし、甚だしくは、これによって、ミラー１８及
び第１電極２３が各アクチュエーテッドミラー１１から
離れて、さらに電気的に変形可能な層２２とその上部に
付着されたミラー１８及び第１電極２３とが不規則に曲
がられて、アレー１０の光効率を低下させることにな
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電気
的に変形可能な層及び弾性層を備える前記各アクチュエ
ーテッドミラーが正常に駆動しているときに、電気的に
変形可能な層と弾性層との間に発生する応力を除去でき
るＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレーを提供す
ることにある。
的に変形可能な層及び弾性層を備える前記各アクチュエ
ーテッドミラーが正常に駆動しているときに、電気的に
変形可能な層と弾性層との間に発生する応力を除去でき
るＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレーを提供す
ることにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は、Ｍ×Ｎ個のア
クチュエーテッドミラーアレーの製造方法を提供するこ
とにある。
クチュエーテッドミラーアレーの製造方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明の実施態様の一つによれば、光投射
型システムに用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーが設けられる。これらのＭ×Ｎ個の各薄膜
アクチュエーテッドミラーは入射光ビームを偏光させる
ことができ、アレーは以下のものを有する。即ち、能動
マトリックスであって、基板と、各薄膜アクチュエーテ
ッドミラーに対してバイアス電圧を送る電気伝導性ライ
ンパターンと、各トランジスタが各薄膜アクチュエーテ
ッドミラーに対して電気信号を与え得るＭ×Ｎ個のトラ
ンジスタのアレーと、各トランジスタに電気的に接続さ
れるＭ×Ｎ個の接続端子アレーとを備えた該能動マトリ
ックスと、各々の支持部が一つのコンジットに与えられ
るＭ×Ｎ個の支持部のアレーと、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構
造からなるアレーであって、該各薄膜駆動構造は電気伝
導性でかつ光反射物質からなる第１層と、上下面を有す
る電気的に変形可能な層と電気伝導性物質からなる第２
層とセラミックスからなる弾性層とを備えており、該第
１及び第２層は、各々電気的に変形可能な層の上層及び
下層をなしており、弾性層は第２層の下層をなしてお
り、また各駆動構造は近位端部（a proximalends)及び
遠位端部（a distal ends）に分けられ、その各駆動構
造の近位端部は各支持部の上部に固着され、各駆動構造
に於ける第１層はギャップによって近位端部及び遠位端
部に分けられ、その両端部は互いに物理的かつ電気的に
分離されており、近位端部は電導性ラインパターンに電
気的に接続されることによってバイアス電極としての役
目を果たし、また遠位端部は光ビームを反射するための
ミラーとしての役目を果たすようにし、また第２層はコ
ンジットを通してトランジスタに接続された接続端子に
対して電気的に接続されることによって、信号電極とし
ての役目を果たすようにし、ここで、各駆動構造におけ
る第１層の近位端部と第２層の間の電気的に変形可能な
層に加えられた電気信号がそれに変形を起こさせて、ミ
ラーとして機能する第１層の近位端部を備える前記各駆
動構造を更に変形させることによって、入射光ビームの
光路を変化させる、該Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造からなる
アレーとを有するのである。また、本発明の他の実施態
様によれば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
アレーの製造方法が提供され、前記方法は、（ａ）上面
を有する能動マトリックスを与える過程であって、該能
動マトリックスが基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレ
ー、その上面上にＭ×Ｎ個の接続端子アレー及び電導性
ラインパターンを備える、該過程と、（ｂ）前記能動マ
トリックスの上面にＭ×Ｎ個の接続端子を完全に覆って
いる犠牲層を形成する過程と、（ｃ）犠牲層の、接続端
子の各一対を取り囲む部分を除去する過程と、（ｄ）前
記除去された部分に絶縁物質を充填して各接続端子の周
りに支持部を形成する過程と、（ｅ）前記指示部を備え
る犠牲層の上部にセラミックスからなる弾性層を付着さ
せる過程と、（ｆ）前記各々の支持部における一つのコ
ンジットを形成する過程であって、該各コンジットは弾
性層の上部から各接続端子に延在しており、かつトラン
ジスタに対して電気的に接続されている、該過程と、
（ｇ）前記弾性層の上部に電気伝導性物質からなる第２
薄膜層を付着させる過程と、（ｈ）前記第２層の上部に
電気的に変形可能な層を形成する過程と、（ｉ）一つの
駆動構造を形成するように電気伝導性でかつ光反射物質
からなる第１薄膜層を付着する過程と、（ｊ）前記アク
チュエーテッドミラー構造をＭ×Ｎ個の未完成アクチュ
エーテッドミラー構造のアレーにパターン付ける過程
と、（ｋ）前記各未完成アクチュエーテッドミラー構造
における第１薄膜層を近位端部及び遠位端部にパターン
付けてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造を形成
する過程であって、該近位及び遠位端部は互いに対して
ギャップにより物理的かつ電気的に分離されるととも
に、その近位端部は電導性ラインパターンと電気的に接
続されている、該過程と、（ｌ）前記各アクチュエーテ
ッドミラー構造において、犠牲層を除去することによっ
てＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーを形成する
過程とを有する。
するために、本発明の実施態様の一つによれば、光投射
型システムに用いるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーが設けられる。これらのＭ×Ｎ個の各薄膜
アクチュエーテッドミラーは入射光ビームを偏光させる
ことができ、アレーは以下のものを有する。即ち、能動
マトリックスであって、基板と、各薄膜アクチュエーテ
ッドミラーに対してバイアス電圧を送る電気伝導性ライ
ンパターンと、各トランジスタが各薄膜アクチュエーテ
ッドミラーに対して電気信号を与え得るＭ×Ｎ個のトラ
ンジスタのアレーと、各トランジスタに電気的に接続さ
れるＭ×Ｎ個の接続端子アレーとを備えた該能動マトリ
ックスと、各々の支持部が一つのコンジットに与えられ
るＭ×Ｎ個の支持部のアレーと、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構
造からなるアレーであって、該各薄膜駆動構造は電気伝
導性でかつ光反射物質からなる第１層と、上下面を有す
る電気的に変形可能な層と電気伝導性物質からなる第２
層とセラミックスからなる弾性層とを備えており、該第
１及び第２層は、各々電気的に変形可能な層の上層及び
下層をなしており、弾性層は第２層の下層をなしてお
り、また各駆動構造は近位端部（a proximalends)及び
遠位端部（a distal ends）に分けられ、その各駆動構
造の近位端部は各支持部の上部に固着され、各駆動構造
に於ける第１層はギャップによって近位端部及び遠位端
部に分けられ、その両端部は互いに物理的かつ電気的に
分離されており、近位端部は電導性ラインパターンに電
気的に接続されることによってバイアス電極としての役
目を果たし、また遠位端部は光ビームを反射するための
ミラーとしての役目を果たすようにし、また第２層はコ
ンジットを通してトランジスタに接続された接続端子に
対して電気的に接続されることによって、信号電極とし
ての役目を果たすようにし、ここで、各駆動構造におけ
る第１層の近位端部と第２層の間の電気的に変形可能な
層に加えられた電気信号がそれに変形を起こさせて、ミ
ラーとして機能する第１層の近位端部を備える前記各駆
動構造を更に変形させることによって、入射光ビームの
光路を変化させる、該Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造からなる
アレーとを有するのである。また、本発明の他の実施態
様によれば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
アレーの製造方法が提供され、前記方法は、（ａ）上面
を有する能動マトリックスを与える過程であって、該能
動マトリックスが基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタアレ
ー、その上面上にＭ×Ｎ個の接続端子アレー及び電導性
ラインパターンを備える、該過程と、（ｂ）前記能動マ
トリックスの上面にＭ×Ｎ個の接続端子を完全に覆って
いる犠牲層を形成する過程と、（ｃ）犠牲層の、接続端
子の各一対を取り囲む部分を除去する過程と、（ｄ）前
記除去された部分に絶縁物質を充填して各接続端子の周
りに支持部を形成する過程と、（ｅ）前記指示部を備え
る犠牲層の上部にセラミックスからなる弾性層を付着さ
せる過程と、（ｆ）前記各々の支持部における一つのコ
ンジットを形成する過程であって、該各コンジットは弾
性層の上部から各接続端子に延在しており、かつトラン
ジスタに対して電気的に接続されている、該過程と、
（ｇ）前記弾性層の上部に電気伝導性物質からなる第２
薄膜層を付着させる過程と、（ｈ）前記第２層の上部に
電気的に変形可能な層を形成する過程と、（ｉ）一つの
駆動構造を形成するように電気伝導性でかつ光反射物質
からなる第１薄膜層を付着する過程と、（ｊ）前記アク
チュエーテッドミラー構造をＭ×Ｎ個の未完成アクチュ
エーテッドミラー構造のアレーにパターン付ける過程
と、（ｋ）前記各未完成アクチュエーテッドミラー構造
における第１薄膜層を近位端部及び遠位端部にパターン
付けてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造を形成
する過程であって、該近位及び遠位端部は互いに対して
ギャップにより物理的かつ電気的に分離されるととも
に、その近位端部は電導性ラインパターンと電気的に接
続されている、該過程と、（ｌ）前記各アクチュエーテ
ッドミラー構造において、犠牲層を除去することによっ
てＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーを形成する
過程とを有する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の望ましい実施態様について、
図面を参照しながらより詳しく説明する。
図面を参照しながらより詳しく説明する。
【００１２】図２〜図４には、本発明の望ましい実施態
様によって、光投射型システムに用いるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー２０１のアレー２００の断面
図及び平面図とその製造方法を概略的に示している。こ
こでＭ及びＮは正の整数である。図２〜図４において同
一の部分は同一参照番号を付して使用したことに注意す
べきである。
様によって、光投射型システムに用いるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラー２０１のアレー２００の断面
図及び平面図とその製造方法を概略的に示している。こ
こでＭ及びＮは正の整数である。図２〜図４において同
一の部分は同一参照番号を付して使用したことに注意す
べきである。
【００１３】図２は、能動マトリックス２０２、Ｍ×Ｎ
個の支持部２０４からなるアレー２０３、及びＭ×Ｎ個
の薄膜駆動構造２０７からなるアレー２０６を含むアレ
ー２００の断面図を示したものである。
個の支持部２０４からなるアレー２０３、及びＭ×Ｎ個
の薄膜駆動構造２０７からなるアレー２０６を含むアレ
ー２００の断面図を示したものである。
【００１４】能動マトリックス２０２は、基板２０８、
Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレー、Ｍ×Ｎ
個の接続端子２１０のアレー２０９及び電気伝導性ライ
ンパターン（図示せず）を備えていることによって、該
各トランジスタは電気信号を各薄膜アクチュエーテッド
ミラー２０１に与え、電導性ラインパターンはミラー２
００バイアス電圧を提供する役目を果たし、また各接続
端子２１０は、トランジスタに対して電気的に接続され
ている。
Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレー、Ｍ×Ｎ
個の接続端子２１０のアレー２０９及び電気伝導性ライ
ンパターン（図示せず）を備えていることによって、該
各トランジスタは電気信号を各薄膜アクチュエーテッド
ミラー２０１に与え、電導性ラインパターンはミラー２
００バイアス電圧を提供する役目を果たし、また各接続
端子２１０は、トランジスタに対して電気的に接続され
ている。
【００１５】窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの絶縁物質
からなる各支持部２０４は、タングステン（Ｗ）などの
金属からなるコンジット１０４が設けられており、ここ
で各コンジット１０４は、各トランジスタに接続された
接続端子２１０に対して電気的に接続されている。
からなる各支持部２０４は、タングステン（Ｗ）などの
金属からなるコンジット１０４が設けられており、ここ
で各コンジット１０４は、各トランジスタに接続された
接続端子２１０に対して電気的に接続されている。
【００１６】各駆動構造２０７は第１層２１１、上下面
２１３，２１４を有する電気的に変形可能な層２１２、
第２層２１５及び弾性２０５層を備えている。更に、各
駆動構造２０７は近位端部２１６及び遠位端部２１７に
分けられている。第１層２１１は銀（Ａｇ）などの電気
伝導性でかつ光を反射する物質からなっており、かつ５
００〜２０００オングストロームの厚さで形成される。
電気的に変形可能な層２１２はＰＺＴなどの圧電物質ま
たはＰＭＮなどの電歪物質からなっており、かつ０．７
〜２μｍの厚さで形成されて、また、第２層２１５は白
金（Ｐｔ）などの電気伝導性物質からなっており、かつ
０．７〜２μｍの厚さで形成される、弾性層２０５はＳ
ｉＯ2 のような絶縁物質からなる。
２１３，２１４を有する電気的に変形可能な層２１２、
第２層２１５及び弾性２０５層を備えている。更に、各
駆動構造２０７は近位端部２１６及び遠位端部２１７に
分けられている。第１層２１１は銀（Ａｇ）などの電気
伝導性でかつ光を反射する物質からなっており、かつ５
００〜２０００オングストロームの厚さで形成される。
電気的に変形可能な層２１２はＰＺＴなどの圧電物質ま
たはＰＭＮなどの電歪物質からなっており、かつ０．７
〜２μｍの厚さで形成されて、また、第２層２１５は白
金（Ｐｔ）などの電気伝導性物質からなっており、かつ
０．７〜２μｍの厚さで形成される、弾性層２０５はＳ
ｉＯ2 のような絶縁物質からなる。
【００１７】各駆動構造２０７において、第１層２１１
及び第２層２１５は、電気的に変形可能な層２１２の上
面２１３及び下面２１４上に置かれており、弾性層２０
５第２層２１５の下面に位置して、またその近位端部２
１６は各支持部２０４の上部に固着されている。各駆動
構造２０７に於いて第２層２１５は、コンジット１０４
を通じてトランジスタに接続することによって信号電極
として機能させ得る。図３に示したように、第１層２１
１は近位端部及び遠位端部に分けられており、該両端部
２１６，２１７はギャップ１２５により互いに対して物
理的でかつ電気的に分離されて、また、その近位端部２
１６は電気伝導性ラインパターンと電気的に接続される
ことによって、バイアス電極としての役目を果たし、か
つ遠位端部は光ビームを反射するためのミラーとして働
きをする。
及び第２層２１５は、電気的に変形可能な層２１２の上
面２１３及び下面２１４上に置かれており、弾性層２０
５第２層２１５の下面に位置して、またその近位端部２
１６は各支持部２０４の上部に固着されている。各駆動
構造２０７に於いて第２層２１５は、コンジット１０４
を通じてトランジスタに接続することによって信号電極
として機能させ得る。図３に示したように、第１層２１
１は近位端部及び遠位端部に分けられており、該両端部
２１６，２１７はギャップ１２５により互いに対して物
理的でかつ電気的に分離されて、また、その近位端部２
１６は電気伝導性ラインパターンと電気的に接続される
ことによって、バイアス電極としての役目を果たし、か
つ遠位端部は光ビームを反射するためのミラーとして働
きをする。
【００１８】電気信号が第１層２１１の近位端部と第２
層２１５との間の電気的に変形可能な層２１２に加えら
れれば、ミラーとして作用する第１層２１１の遠位端部
を含めて駆動構造２０７の変形を生起させることによっ
て、入射光ビームの光路が変わる。
層２１５との間の電気的に変形可能な層２１２に加えら
れれば、ミラーとして作用する第１層２１１の遠位端部
を含めて駆動構造２０７の変形を生起させることによっ
て、入射光ビームの光路が変わる。
【００１９】図４〜図１１は、本発明によるＭ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラー２０１のアレー２００の
製造方法を示している。図４に示すように、アクチュエ
ーテッドミラーアレー２０１のアレー２００の製造工程
は、基板２０８と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せ
ず）のアレーと、電気伝導性ラインパターン（図示せ
ず）及びＭ×Ｎ個の接続端子２１０のアレー２０９とか
らなり、上面２２０を有する能動マトリックス２０２の
準備することから開始する。
薄膜アクチュエーテッドミラー２０１のアレー２００の
製造方法を示している。図４に示すように、アクチュエ
ーテッドミラーアレー２０１のアレー２００の製造工程
は、基板２０８と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せ
ず）のアレーと、電気伝導性ラインパターン（図示せ
ず）及びＭ×Ｎ個の接続端子２１０のアレー２０９とか
らなり、上面２２０を有する能動マトリックス２０２の
準備することから開始する。
【００２０】次の過程に於いて、図５に示すように、銅
（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属、ＰＳＧ（phos
phor-silicate glass）、またはポリシリコンからなる
犠牲層２２１を１〜２μｍの厚さで能動マトリックス２
０２の上面２２０に形成するが、層２２１が金属からな
る場合にはスパッタリング法で、ＰＳＧからなる場合に
はスピンコーティング若しくは化学蒸着法（ＣＶＤ）
で、ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法で形成す
る。
（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属、ＰＳＧ（phos
phor-silicate glass）、またはポリシリコンからなる
犠牲層２２１を１〜２μｍの厚さで能動マトリックス２
０２の上面２２０に形成するが、層２２１が金属からな
る場合にはスパッタリング法で、ＰＳＧからなる場合に
はスピンコーティング若しくは化学蒸着法（ＣＶＤ）
で、ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法で形成す
る。
【００２１】次いで、図６に示したように、犠牲層２２
１とＭ×Ｎ個の支持部２０４とのアレー２０３を含む第
１支持層２２２が形成されており、これは、フォトリソ
グラフィー法を用いて各接続端子２１０の周りにあるＭ
×Ｎ個の空スロット（図示せず）のアレーを形成し、ま
たその空スロットに於いてＳｉ3Ｎ4のような絶縁物質か
らなる支持部２０４をＣＶＤ法をあるいはスパッタリン
グ法を用いて形成することによって、形成されている。
１とＭ×Ｎ個の支持部２０４とのアレー２０３を含む第
１支持層２２２が形成されており、これは、フォトリソ
グラフィー法を用いて各接続端子２１０の周りにあるＭ
×Ｎ個の空スロット（図示せず）のアレーを形成し、ま
たその空スロットに於いてＳｉ3Ｎ4のような絶縁物質か
らなる支持部２０４をＣＶＤ法をあるいはスパッタリン
グ法を用いて形成することによって、形成されている。
【００２２】次いで、ＳｉＯ2のような絶縁物質からな
る弾性層１０５は支持部２０４を備える犠牲層２２１の
上部に形成されている。
る弾性層１０５は支持部２０４を備える犠牲層２２１の
上部に形成されている。
【００２３】その後、図７に示すように、第２層２１５
とトランジスタとを電気的に接続するための、タングス
テンのような金属からなるコンジット１０４が、各支持
部２０４において形成されるが、これは最初に、エッチ
ング法を用いて弾性層１０５の上部から相応する接続端
子２１０の上部まで伸ばす孔開口を作った後、その孔に
タングステンのような金属を充填することによって形成
される。
とトランジスタとを電気的に接続するための、タングス
テンのような金属からなるコンジット１０４が、各支持
部２０４において形成されるが、これは最初に、エッチ
ング法を用いて弾性層１０５の上部から相応する接続端
子２１０の上部まで伸ばす孔開口を作った後、その孔に
タングステンのような金属を充填することによって形成
される。
【００２４】次いで、図８に示すように、白金などの電
気伝導性物質からなり、０．７〜２μｍの厚さを有する
第２薄膜層２２３が、スパッタリング方法を用いて第１
支持層２２２の上部に形成される。各アクチュエーテッ
ドミラーに於ける第２層２１５は各支持部２０４に形成
される第１コンジット１０４を通じて対応するトランジ
スタに電気的に接続される。
気伝導性物質からなり、０．７〜２μｍの厚さを有する
第２薄膜層２２３が、スパッタリング方法を用いて第１
支持層２２２の上部に形成される。各アクチュエーテッ
ドミラーに於ける第２層２１５は各支持部２０４に形成
される第１コンジット１０４を通じて対応するトランジ
スタに電気的に接続される。
【００２５】その後、各第２コンジット１０５の周りの
第２薄膜層２２３の部分を除去して、その除去された部
分に酸化シリコンなどの絶縁物質を満たし第１コンジッ
ト１０４と第２コンジット１０５とを、電気的に分離さ
せる。
第２薄膜層２２３の部分を除去して、その除去された部
分に酸化シリコンなどの絶縁物質を満たし第１コンジッ
ト１０４と第２コンジット１０５とを、電気的に分離さ
せる。
【００２６】その後、図９に示すように、ＰＺＴなどの
圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなる薄膜型電
気的に変形可能な層２２５がゾル−ゲル（Sol-Gel）法
あるいはスパッタリング法を用いて、第２薄膜層２２３
の上部に形成された後、それが相転移（phase transiti
on）をするように熱処理を施す。この電気的に変形可能
な層２２５は十分に薄いので、別途分極する必要はな
く、対応するアクチュエーテッドミラー２０１の駆動時
に加えられた電気信号によって分極される。
圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなる薄膜型電
気的に変形可能な層２２５がゾル−ゲル（Sol-Gel）法
あるいはスパッタリング法を用いて、第２薄膜層２２３
の上部に形成された後、それが相転移（phase transiti
on）をするように熱処理を施す。この電気的に変形可能
な層２２５は十分に薄いので、別途分極する必要はな
く、対応するアクチュエーテッドミラー２０１の駆動時
に加えられた電気信号によって分極される。
【００２７】その後、図１０に図示されるように、銀
（Ａｇ）のような電気伝導性でかつ光を反射する物質か
らなる５００〜２０００オングストロームの厚さの第１
薄膜層２２６に、スパッタリング法を用いてアクチュエ
ーテッドミラー構造２２７を形成する。
（Ａｇ）のような電気伝導性でかつ光を反射する物質か
らなる５００〜２０００オングストロームの厚さの第１
薄膜層２２６に、スパッタリング法を用いてアクチュエ
ーテッドミラー構造２２７を形成する。
【００２８】このアクチュエーテッドミラー構造２２７
は、その後、フォトリソグラフィー法またはレザー切断
法を用いてＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラー
構造のアレー（図示せず）にパターン付けられる。各未
完成のアクチュエーテッドミラー構造の第１薄膜層２２
６は、フォトリソグラフィー法を用いて両端部に分けら
れてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーの構造アレー
を形成し、ここでその両端部は、ギャップ１２５により
電気的かつ物質的に互いに分けられており、その近位端
部が電導性ラインパターンと電気的に接続されているの
で、バイアス電極としての役割を果たす。
は、その後、フォトリソグラフィー法またはレザー切断
法を用いてＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラー
構造のアレー（図示せず）にパターン付けられる。各未
完成のアクチュエーテッドミラー構造の第１薄膜層２２
６は、フォトリソグラフィー法を用いて両端部に分けら
れてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーの構造アレー
を形成し、ここでその両端部は、ギャップ１２５により
電気的かつ物質的に互いに分けられており、その近位端
部が電導性ラインパターンと電気的に接続されているの
で、バイアス電極としての役割を果たす。
【００２９】その後、図１１に示したように、各アクチ
ュエーテッドミラー構造における犠牲層２２１がエッチ
ングによって除去されてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッド
ミラーアレー２０１の２００を形成する。
ュエーテッドミラー構造における犠牲層２２１がエッチ
ングによって除去されてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッド
ミラーアレー２０１の２００を形成する。
【００３０】上記に於いて、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく当業
者は種々の改変をなし得るであろう。
いて説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく当業
者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３１】
【発明の効果】従って、本発明によれば、従来の技術と
異なり、各駆動構造に於いて第１層は両端部に分割、即
ちその間のギャップにより互いに電気的かつ物理的に分
けられることによって、一方の端部はバイアス電極とし
て、他方の端部はミラーとしての役割を果たし、電気的
に変形可能な層と弾性層との間の応力を除去することに
よって光効率を増大することができる。
異なり、各駆動構造に於いて第１層は両端部に分割、即
ちその間のギャップにより互いに電気的かつ物理的に分
けられることによって、一方の端部はバイアス電極とし
て、他方の端部はミラーとしての役割を果たし、電気的
に変形可能な層と弾性層との間の応力を除去することに
よって光効率を増大することができる。
【図１】従来のＭ×Ｎ個の薄膜型アクチュエーテッドミ
ラーアレーの断面図である。
ラーアレーの断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレーの断面図である。
アクチュエーテッドミラーアレーの断面図である。
【図３】図２に示したアレーの薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーの平面図である。
ミラーアレーの平面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
【図５】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
【図６】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
【図７】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
【図８】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
【図９】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
エーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断面
図である。
【図１０】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断
面図である。
ュエーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断
面図である。
【図１１】本発明の好ましい実施例による、薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断
面図である。
ュエーテッドミラーアレーの製造方法を説明した概略断
面図である。
１０４ コンジット ２０１ アクチュエーテッドミラーアレー ２０２ 能動マトリックス ２０４ 支持部 ２０５ 弾性層 ２０７ 駆動構造 ２０８ 基板 ２１０ 接続端子 ２１１ 第１層 ２１２ 電気的に変形可能な層 ２１５ 第２層 ２２１ 犠牲層
Claims (15)
- 【請求項１】 入射光ビームの光路を変化させること
ができる、光投射型システムに用いるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレーであって、 能動マトリックスであって、基板と、各薄膜アクチュエ
ーテッドミラーに対してバイアス電圧を送る電気伝導性
ラインパターンと、各トランジスタに接続され、各トラ
ンジスタが各薄膜アクチュエーテッドミラーに対して電
気信号を与え得るＭ×Ｎ個のトランジスタのアレーとを
備えた、該能動マトリックスと、 各々の支持部が一つのコンジットに与えられるＭ×Ｎ個
の支持部のアレーと、 Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造からなるアレーであって、該各
薄膜駆動構造は電気伝導性でかつ光反射物質からなる第
１層と、上下面を有する電気的に変形可能な層と電気伝
導性物質からなる第２層とセラミックスからなる弾性層
とを備えており、該第１及び第２層は、各々電気的に変
形可能な層の上層及び下層をなしており、弾性層は第２
層の下層をなしており、また各駆動構造は近位端部（a
proximalends)及び遠位端部（a distal ends）に分けら
れ、その各駆動構造の近位端部は各支持部の上部に固着
され、各駆動構造に於ける第１層はギャップによって近
位端部及び遠位端部に分けられ、その両端部は互いに物
理的かつ電気的に分離されており、近位端部は電導性ラ
インパターンに電気的に接続されることによってバイア
ス電極としての役目を果たし、また遠位端部は光ビーム
を反射するためのミラーとしての役目を果たすように
し、また第２層はコンジットを通してトランジスタに接
続された接続端子に対して電気的に接続されることによ
って、信号電極としての役目を果たすようにし、ここ
で、各駆動構造における第１層の近位端部と第２層の間
の電気的に変形可能な層に加えられた電気信号がそれに
変形を起こさせて、ミラーとして機能する第１層の近位
端部を備える前記各駆動構造を更に変形させることによ
って、入射光ビームの光路を変化させる、該Ｍ×Ｎ個の
薄膜駆動構造からなるアレーとを有するＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項２】 前記第２層が０．７〜２μｍの厚さで
あることを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項３】 前記電気的に変形可能な層が０．７〜
２μｍの厚さであることを特徴とする請求項１に記載の
Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー。 - 【請求項４】 前記各アクチュエーテッドミラーアレ
ーにおける前記第１層が５００〜２０００オングストロ
ームの厚さであることを特徴とする請求項１に記載のＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエ〜テッドミラーアレー。 - 【請求項５】 前記エレクトロディスプレー層が圧電
物質あるいは電圧物質からなることを特徴とする請求項
１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レー。 - 【請求項６】 前記請求項１乃至請求項５のいずれか
一つの構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜型アクチュエーテッ
ドミラーアレーを含む光投射型システム。 - 【請求項７】 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラーアレーの製造方法であって、 （ａ）上面を有する能動マトリックスを与える過程であ
って、該能動マトリックスが基板、Ｍ×Ｎ個のトランジ
スタアレー、その上面上にＭ×Ｎ個の接続端子アレー及
び電導性ラインパターンを備える、該過程と、 （ｂ）前記能動マトリックスの上面にＭ×Ｎ個の接続端
子を完全に覆っている犠牲層を形成する過程と、 （ｃ）犠牲層の、接続端子の各一対を取り囲む部分を除
去する過程と、 （ｄ）前記除去された部分に絶縁物質を充填して各接続
端子の周りに支持部を形成する過程と、 （ｅ）前記指示部を備える犠牲層の上部にセラミックス
からなる弾性層を付着させる過程と、 （ｆ）前記各々の支持部における一つのコンジットを形
成する過程であって、該各コンジットは弾性層の上部か
ら各接続端子に延在しており、かつトランジスタに対し
て電気的に接続されている、該過程と、 （ｇ）前記弾性層の上部に電気伝導性物質からなる第２
薄膜層を付着させる過程と、 （ｈ）前記第２層の上部に電気的に変形可能な層を形成
する過程と、 （ｉ）一つの駆動構造を形成するように電気伝導性でか
つ光反射物質からなる第１薄膜層を付着する過程と、 （ｊ）前記アクチュエーテッドミラー構造をＭ×Ｎ個の
未完成アクチュエーテッドミラー構造のアレーにパター
ン付ける過程と、 （ｋ）前記各未完成アクチュエーテッドミラー構造にお
ける第１薄膜層を近位端部及び遠位端部にパターン付け
てＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造を形成する
過程であって、該近位及び遠位端部は互いに対してギャ
ップにより物理的かつ電気的に分離されるとともに、そ
の近位端部は電導性ラインパターンと電気的に接続され
ている、該過程と、 （ｌ）前記各アクチュエーテッドミラー構造において、
犠牲層を除去することによってＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーを形成する過程とを有するＭ×Ｎ個の
薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項８】 前記犠牲層が金属の場合は、スパッタ
リング法を使用し、ＰＳＧ（Phosphor-silicate glas
s）の場合は、化学蒸着法（ＣＶＤ）を使用し、ポリシ
リコンであれば、スピンコーテング法を使用することを
特徴とする請求項７に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項９】 前記第２薄膜層がスパッタリング法を
用いて形成されることを特徴とする請求項７に記載のＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方
法。 - 【請求項１０】 前記薄膜電気的に変形可能な層がゾ
ルーゲル（Sol-Gel）法あるいはスパッタリング法を用
いて形成されることを特徴とする請求項７に記載のＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方
法。 - 【請求項１１】 前記第１薄膜層がスパッタリング法
あるいは真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とす
る請求項７に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレーの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１，第２及び第３コンジット
がスパッタリング法とフォトリソグラフィー法とを用い
て形成されることを特徴とする請求項７に記載のＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項１３】 前記アクチュエーテッドミラー構造
がフォトリソグラフィー法あるいはレーザー切断法によ
ってパターン付けられることを特徴とする請求項７に記
載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの
製造方法。 - 【請求項１４】 前記犠牲層がエッチング法をによっ
て除去されることを特徴とする請求項７に記載のＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレーの製造方法。 - 【請求項１５】 前記請求項７乃至請求項１４のいず
れか一つの方法によって提供される、Ｍ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレーからなる光投射型システ
ム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940009505A KR0151453B1 (ko) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 광로조절장치 및 그 제조방법 |
| KR1994P9505 | 1994-04-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301754A true JPH07301754A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=19382260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7131129A Pending JPH07301754A (ja) | 1994-04-30 | 1995-05-01 | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレー及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5627673A (ja) |
| JP (1) | JPH07301754A (ja) |
| KR (1) | KR0151453B1 (ja) |
| CN (1) | CN1065966C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825467A1 (en) * | 1996-08-21 | 1998-02-25 | Daewoo Electronics Co., Ltd | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808782A (en) * | 1995-07-31 | 1998-09-15 | Daewoo Electronics, Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array having spacing member |
| JPH1062614A (ja) * | 1996-05-23 | 1998-03-06 | Daewoo Electron Co Ltd | Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 |
| KR100229788B1 (ko) * | 1996-05-29 | 1999-11-15 | 전주범 | 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| US5991064A (en) * | 1996-06-29 | 1999-11-23 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array and a method for the manufacture thereof |
| WO1998033327A1 (en) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same |
| US7281808B2 (en) * | 2003-06-21 | 2007-10-16 | Qortek, Inc. | Thin, nearly wireless adaptive optical device |
| US7136215B1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-14 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectrically-activated cantilevered spatial light modulator |
| TWI372271B (en) * | 2005-09-13 | 2012-09-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Optical element unit, optical element holder, method of manufacturing an optical element holder, optical element module, optical exposure apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2009223246A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Hitachi Ltd | ミラー駆動方法ならびにそれを用いた表示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481396A (en) * | 1994-02-23 | 1996-01-02 | Aura Systems, Inc. | Thin film actuated mirror array |
-
1994
- 1994-04-30 KR KR1019940009505A patent/KR0151453B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-28 US US08/431,522 patent/US5627673A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-28 CN CN95104754A patent/CN1065966C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-01 JP JP7131129A patent/JPH07301754A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825467A1 (en) * | 1996-08-21 | 1998-02-25 | Daewoo Electronics Co., Ltd | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
| US5768006A (en) * | 1996-08-21 | 1998-06-16 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1065966C (zh) | 2001-05-16 |
| KR950029795A (ko) | 1995-11-24 |
| US5627673A (en) | 1997-05-06 |
| KR0151453B1 (ko) | 1998-12-15 |
| CN1125328A (zh) | 1996-06-26 |
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