JPH0731367B2 - 放射線画像読取方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画
像情報の読取方法に関し，更に詳しくは該放射線画像を
正確に再現する読取方法に関するものである． 〔発明の背景〕 放射線を輝尽性蛍光体に照射すると放射線エネルギーが
蓄積され，この蓄積エネルギーは可視光等で励起すると
輝尽発光を蓄積エネルギーに応じた強さで発光すること
が知られている． 前記輝尽性蛍光体の特性を活かして，人体等の放射線画
像情報を輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
（以後「変換パネル」と略称する）に潜像として蓄積記
録し，該変換パネルをレーザ光等の輝尽励起光で走査し
て輝尽発光させ，該輝尽発光を光電変換して画像信号と
し，これを可視化する方法が，例えば，米国特許第3,85
9,527号，特開昭55-12144号に提案されている． 次に，前記の如き変換パネルを用いた放射線画像情報読
取方法及び装置を第３図を用いて説明する． レーザ光源302を発した輝尽励起光用レーザ光305がカル
バノメータミラー304で一定振幅で振られながら反射し
て放射線画像情報を潜像として蓄積されている変換パネ
ル301を照射する． この際，変換パネル301は同時に振幅方向に直角に移動
させられる．即ち，前記変換パネル301は振幅方向（Ｘ
方向）に主走査されＹ方向に副走査され，変換パネル30
1の全域が走査され，その走査線上に輝尽発光する． 一方，振幅面と変換パネル表面との交線に近接して平行
に受光面306aを配置した集光体306が設置されており，
該集光体306は細長い平面切口をなす受光面306aから次
第にしぼまり，その終端の伝達面306bにおいてほゞ円筒
状となって光検出器（例えばフォトマルチプライヤー
等）307に輝尽発光と励起用レーザ光とを分離するため
のフィルター308を介して臨接している． 以上の構成によって走査線上に生じた輝尽発光は受光面
306aから集光体306に入り，終端の伝達面306bに到り光
検出器307に入って光電変換を受け，画像表示装置311に
送られ，該画像表示装置311において光電変換された画
像情報が処理され,CRT或いは磁気テープまたは写真感光
材料等を用いて可視像として観察される． ここで注意すべきは，集光体306の受光面306aには該受
光面306aに対して全反射角以内にある点からの光は全て
集光体306の中に入射されることであって走査線上でレ
ーザ光305によって励起された輝尽発光のみならず，装
置外からの迷光或いは変換パネル301の表面からのレー
ザ光の反射光の一部若しくは残光等が全て拾われ，画像
情報を表示する輝尽発光に混和し，これらが正確な画像
情報を混乱させるノイズ光となる． 前記ノイズ光のうち，装置外からの迷光や変換パネル30
1の表面からのレーザ光の反射光は遮光，フィルター等
により排除できるから，ノイズ光としては変換パネル30
1の表面からの残光が問題となる． 前記残光には放射線が変換パネルの輝尽性蛍光体を刺激
することによって発生する蛍光の残光（以後「蛍光残
光」と称す」と，放射線によって輝尽性蛍光体が蓄積し
たエネルギーをレーザ光等の輝尽励起光で励起するとき
に発生する輝尽発光の残光（以後「輝尽残光と称す）と
がある． この前者の蛍光残光は一般に第４図に示すような指数関
数的減衰曲線を示す．即ち，時刻t1からt2までのΔｔ時
間放射線を照射してt2で停止したとすると，発光強度LO
は直ちに０に減衰することはない．その減衰状況は蛍光
体によって異なり，発光強度が1/eになる時定数はタン
グステン酸塩では10^-6秒，希土類元素イオンやマンガン
イオンを含む蛍光体では10^-3〜10^-1秒に及ぶことがあ
る．また，蛍光残光は第４図の曲線ａで表される主の残
光の他に，同図ｂで表されるような従の残光が重なり合
っている場合が多い．前記従の残光は一般に発光強度は
弱いが減衰の時定数が著しく大きい． 輝尽発光は前記したように輝尽励起光がある時刻に照射
される極く小さな面積（面素相当）から発するのに対
し，蛍光残光は放射線が照射された全面から発光し，第
３図の集光体306の受光面306aの全反射角以内にある点
からの光は全て集光される． この場合，変換パネルの輝尽発光面積に比べて，集光体
306の集光面積が著しく大きいため，一画素当たりの蛍
光残光強度が輝尽発光強度と比較して無視できるほど小
さくなったとしても，光検出器に伝達される光量として
蛍光残光量は無視できなくなる．例えば集光体306の集
光面積を400mm×2mmとし，画素の大きさを200μｍ×200
μｍとすると集光体に集光される画素数は２×10⁴個で
あり，一画素当たりの蛍光残光強度が輝尽発光強度の10
^-4程度であったとしても，光検出器に伝達される光量の
うち蛍光残光量と輝尽発光量との比は2:1となってしま
う． このように，従来の放射線画像情報読取方法においては
放射線照射後，螢光残光強度が十分無視できる程度にな
るまで放射線画像情報の読取りまでの時間を待機する必
要があり，迅速，大量に連続して画像情報を読取ること
が困難であった．特に，第４図の曲線ａに表される主の
残光の時定数が大きな場合，或いは主の残光の時定数は
小さくても同図曲線ｂで表される時定数の大きな従の大
きな残光が存在する場合は致命的であった． 〔発明の目的〕 本発明は前述のような従来の放射線画像読取方法の欠点
に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は蛍光残光
による影響が少なく，実際の画像に合った正確な画像信
号を得てSN比のよい高品質の再生画像を得ることのでき
る放射線画像情報読取方法を提供することにある． また，本発明の他の目的は放射線の照射から画像の読取
りまでの時間を短縮して，装置のスループットを向上さ
せ，迅速，大量に連続して画像情報を読取ることのでき
る放射線画像情報読取方法を提供することにある． 〔発明の構成〕 上記目的を達成するため，この発明は ｉ）被写体を透過した，或いは被検体から発せられた放
射線を下記一般式で表される輝尽性蛍光体を主成分とし
て含有する放射線画像変換パネルに吸収させる工程； 一般式 M^IX・aM^IIX′_２・bM^IIIX″₃:cA （但し,M^Iは,Li,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり,M^IIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る.M^IIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,
Tm,Yd,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三
価金属である.X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ば
れるすくなくとも一種のハロゲンである.AはTm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれ
る少なくとも一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０＜ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．） ii）前記ｉ）の工程終了後，直ちに該放射線画像変換パ
ネルに500〜900nmの波長領域の輝尽励起光を照射するこ
とにより，該放射線画像変換パネルに蓄積・記録されて
いる放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる工
程； iii）該輝尽発光を検出する工程を含むことを特徴とす
るものである． 即ち，本発明者らは蛍光残光量が著しく少なく，蛍光残
光による読取りまでの待機時間を設ける必要のない前記
一般式で表されるアルカリハライド輝尽性蛍光体を利用
することにより従来の方法に比較して高SN比で高品位の
画像を与えることができ，かつ，装置のスループットを
向上させ得るようにしたものである． なお，前記ii）でいう「直ちに」とは放射線照射後，長
くとも１分以内，好ましくは30秒以内，より好ましくは
10秒以内を言う． 以下，本発明を第１図及び第２図に基づいて詳細に説明
する． 第１図は前述のような諸特性の向上した本発明の放射線
画像情報読取方法に用いる装置の一例を示す概略図であ
る．本発明に用いる装置はこれに限られることはなく，
第３図に示すような装置でもよいが，本発明の方法によ
る効果を充分発揮させるためにはビルド・インタイプの
装置であった方がより好ましい． 本図において,101は放射線源,102は被写体,103は前記一
般式で表されるアルカリハライド輝尽性蛍光体層104を
有する変換パネルである．変換パネル103の輝尽性蛍光
体層104側の表面に向き合う位置には，例えばレーザ光
等の輝尽励起光を発する輝尽励起光源105と，この輝尽
励起光源105から発せられた輝尽励起光111のみを透過さ
せるフィルター110,該輝尽励起光111を変換パネル103の
幅方向に走査する例えばガルバノメーターミラー等の光
偏光器106,前記輝尽励起光により励起された輝尽性蛍光
体層104から発する輝尽発光を読み取る光検出器107及び
この光検出器107に前記輝尽発光を導く集光体108が共通
の搬送ステージ112上に設けられている．前記光検出器1
07は例えば光電子増倍管，光電子増幅用マイクロチャン
ネルプレート等であり，集光体108で導かれた輝尽発光
は輝尽励起光と輝尽発光とを分離するためのフィルタ10
9で分離された後，該光検出器107で光電的に検出され
る． また，前記輝尽励起光源105は500〜900nmにスペクトル
分布をもつ光を放出する光源の他に,He-Neレーザ,YAGレ
ーザ,Arレーザ，半導体レーザ,LED等が用いられるが，
特に,He-Neレーザや半導体レーザが好ましい． 114は検出された信号の増幅器,115は増幅器114で増幅さ
れた信号を画像として再生するための画像再生装置,116
は画像表示装置である． また，前記変換パネル103の輝尽性蛍光体層104側の表面
に対向する位置には，消去用光源113が設けられ，搬送
ステージ112とともに矢印の方向に搬送される．この消
去用光源113は輝尽性蛍光体層104に該蛍光体の励起波長
領域を含む光を発する光源であり，例えば特開昭56-113
92号に示されているようなハロゲンランプ，タングステ
ンランプ，赤外線ランプ,LED或いはレーザ光源等が任意
に選択使用され得る． 前記構造を有する本実施態様の装置において，被写体10
2が変換パネル103と，放射線源101との間に配された
後，放射線源101が点灯されると，変換パネル104の輝尽
性蛍光体層104上に前記被写体102の透過放射線画像情報
が記録蓄積される．この放射線の照射後直ちに500nm〜9
00nmの波長領域の輝尽励起光を照射することにより，前
記変換パネル103に蓄積・記録されている放射線エネル
ギーは輝尽発光として放出される．この輝尽発光は光検
出器107に集光され光電変換された後，画像再生装置115
によって画像として再生され，画像表示装置116によっ
て可視画像として表示される． なお，前記輝尽励起光の照射において，該励起光の副走
査は搬送ステージ112の移動により行われ，変換パネル1
03の画像記録部分の全域が走査される．また，画像読取
終了後，消去光源113により，残存画像情報が消去され
て初期状態に戻るようになる． 次に，本発明の放射線画像読取方法に用いられる輝尽性
蛍光体について説明する． 本発明に主成分として用いられる下記一般式で表わされ
るアルカリハライド輝尽性蛍光体は従来公知の輝尽性蛍
光体に比較して著しく蛍光残光の少ない及び／または蛍
光残光寿命の短いことが要求される． 一般式 M^IX・aM^IIX′_２・bM^IIIX″₃:cA （但し,M^Iは,Li,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり,M^IIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る.M^IIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,
Tm,Yd,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三
価金属である.X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ば
れるすくなくとも一種のハロゲンである.AはTm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれ
る少なくとも一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０＜ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．） 特に，該アルカリハライド輝尽性蛍光体のうち,M^IはK,R
b,Csから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であ
り,AはTl,Naから選ばれる少なくとも一種の金属である
アルカリハライド輝尽性蛍光体が，蛍光残光が少なく及
び／または蛍光残光の寿命が短くて優れている． 前記アルカリハライド輝尽性螢光体は単独で用いる必要
はなく，他の輝尽性螢光体と混合して用いてもよい．た
だし，アルカリハライド輝尽性螢光体を他の輝尽性螢光
体と混合して用いる場合には前記アルカリハライド蛍光
体の混合比は50wt％以上，更には70wt％以上とすること
が好ましい． 前記アルカリハライド蛍光体と混合して用いてもよい輝
尽性螢光体としては，例えば特開昭48-80487号に記載さ
れているBaSO₄:Ax（但し,AはDy,Tb及びTmのうちすくな
くとも一種であり,xは0.001≦ｘ＜１モル％である．）
で表わされる蛍光体，特開昭48-80488号記載のMgSO₄:Ax
（但し,AはHo或いはDyのうちいずれかであり,0.001≦ｘ
≦１モル％である）で表わされる蛍光体，特開昭48-804
89号に記載されているSrSO₄:Ax（但し,AはDy,Tb及びTm
のうち少なくとも一種であり,xは0.001≦ｘ＜１モル％
である．）で表わされている蛍光体，特開昭51-29889号
に記載されているNa₂SO₄,CaSO₄及びBaSO₄等にMn,Dy及び
Tbのうち少なくとも一種を添加した蛍光体，特開昭52-3
0487号に記載されているBeO,LiF,MgSO₄及びCaF₂等の蛍
光体，特開昭53-39277号に記載されているLi₂B₄O₇:Cu,A
g等の蛍光体，特開昭54-47883号に記載されているLi₂O
・（B₂O₂）x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３），及びLi₂O・
（B₂O₂）x:Cu,Ag（但し,xは２＜ｘ≦３）等の蛍光体，
米国特許第3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm,Sr
S:Eu,Sm,La₂O₂S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但し,Xは
ハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる．また，特
開昭55-12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体，一
般式がBaO・xAl₂O₃:Eu（但し,0.8≦ｘ≦10）で表わされ
るアルミン酸バリウム蛍光体，及び一般式がM^IIO・xSiO
₂:A（但し,M^IIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaであり,AはCe,T
b.Eu,Tm,pb,Tl,Bi及びMnのうち少なくとも一種であり,x
は0.5≦ｘ＜2.5である．）で表わされるアルカリ土類金
属珪酸系蛍光体が挙げられる．また，一般式が （Ba₁−ｘ−yMgxCay）FX:eEU²⁺ （但し,XはBr及びClの中の少なくとも一つであり,x,y及
びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6,xy≠０及び10^-6≦ｅ≦
５×10^-2なる条件を満たす数である．）で表わされるア
ルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体，特開昭55-12144号
に記載されている一般式が LnOX:xA （但し,LnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも一つを,XはCl及
び／又はBrを,AはCe及び／又はTbを,xは０＜ｘ＜0.1を
満足する数を表わす．）で表わされる蛍光体，特開昭55
-12145号に記載されている一般式が （Ba₁−xM^IIx）FX:yA （但し,M^IIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも一
つを,XはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つを,AはEu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも一つ
を,x及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条件を満
たす数を表わす．）で表わされる蛍光体，特開昭55-843
89号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA（但し,XはC
l,Br及びＩのうち少なくとも一つを,AはIn,Tl,Gd,Sm及
びZrのうちのすくなくとも一つであり,x及びｙはそれぞ
れ０≦ｘ≦２×10^-1及び０＜ｙ≦５×10^-2である．）で
表わされる蛍光体，特開昭55-160078号に記載されてい
る一般式が M^IIFX・xA:yLn （但し,M^IIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも
一種,AはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al₂O₃,Y₂O₃,La₂O₃,I
n₂O₃,SiO₂,TiO₂.ZrO₂,GeO₂,SnO₂,Nb₂O₅,Ta₂O₅及びThO₂
のうちの少なくとも一種,LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,N
d,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも一種であり,xはC
l,Br及びＩのうちの少なくとも一種であり,x及びｙはそ
れぞれ５×10^-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ≦0.2なる条件を満
たす数である．）で表わされる希土類元素付活２価金属
フルオロハライド蛍光体，一般式がZnS:A,CdS:A,（Zn,C
d）S:A,ZnS:A,X及びCdS:A,X（但し,AはCu,Ag,Au,又はMn
であり,Xはハロゲンである．）で表わされる蛍光体，特
開昭57-148285号に記載されている下記いずれかの一般
式， xM₃（PO₄）_２・NX₂:yA M₃（PO₄）₂:yA （式中,M及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのうち
の少なくとも一種,XはF,Cl,Br及びＩのうち少なくとも
一種,AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,Mn及び
Snのうちの少なくとも一種を表わす．また,x及びｙは０
＜ｘ≦6,0≦ｙ≦１なる条件を満たす数である．）で表
わされる蛍光体，下記いずれかの一般式 nReX₃・mAX′₂:xEu nReX₃・mAX′₂:xEu,ySm （式中,ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも一種,Aはアル
カリ土類金属,Ba,Sr,Caのうちの少なくとも一種,X及び
Ｘ′はF,Cl,Brのうちの少なくとも一種を表わす．また,
x及びｙは１×10^-4＜ｘ＜３×10^-1,1×10^-4＜ｙ＜１×1
0^-1なる条件を満たす数であり,n/mは１×10^-3＜n/m＜７
×10^-1なる条件を満たす．）で表わされる蛍光体等が挙
げられる． 本発明の放射線画像読取方法に用いられる輝尽性蛍光体
の一例として，タリウム付活臭化ルビジウム輝尽性蛍光
体（RbBγ:Tl）はＸ線照射後第２図（ａ）に示すような
発光特性を示す． 第２図（ａ）の曲線は第１図の放射線画像情報読取装置
を用いて求めたもので，第１図における輝尽励起光源10
5は20mWの半導体レーザ，集光体108の受光面108aの形状
は幅400mm,厚さ5mm,交換パネルの大きさは幅350mm,長さ
420mmであった．また，変換パネルに照射したＸ線量は5
00mRであった．更に，第２図（ａ）の曲線を求めるに当
たっては副走査は行わず，従って半導体レーザ光による
主走査も一ラインのみであった． 第２図（ａ）において,aはＸ線照射による蛍光であり,b
は前記蛍光による残光の減衰曲線,cは輝尽発光強度であ
る．また輝尽発光強度と蛍光残光強度との比（SN比）は
（S₁−S₂）/S₂で求められる．該SN比をＸ線照射後から
輝尽発光を得るまでの時間を種々変化させて求め，第２
図（ｂ）に示す． 本発明者らの検討によれば，前記SN比は高いことが好ま
しいが，被写体のダイナミックレンジ等を考慮すると,1
0³以上あればよく,10⁴〜10⁵程度であることが好まし
い．しかし,SN比を５×10⁵以上とすることは過剰品質で
ある．よって，第２図（ａ），（ｂ）より明らかなよう
に本発明の放射線画像読取方法に用いられるタリウム付
活臭化ルビジウム輝尽性蛍光体（RbBγ:Tl）は蛍光残光
が少なく，また，その寿命も短いので,X線照射後２秒程
度で充分SN比が高い画像読取が可能となる．また，得ら
れる放射線画像の画質と読取りのスループットの両方か
らＸ線照射後長くとも１分以内に読取りを開始すること
が好ましく,30秒以内であっても画質の劣化はほとんど
なく，より好ましい．しかし,X線照射後１分以上とする
ことは読取りのスループットが低下してしまい経済的に
不利となる． 一方，第５図（ａ）は従来公知の二価のユーロピウム付
活弗化臭化バリウム輝尽性蛍光体（BaFBr:Eu²⁺）の発光
特性を示し,aはＸ線照射による蛍光であり,bは前記蛍光
による残光の減衰曲線,cは輝尽発光である．第５図
（ｂ）は輝尽励起光源として半導体レーザの代わりにHe
-Neレーザを用いた以外は前記第２図（ｂ）と同様にし
て求めたSN比である． 従来の二価ユーロピウム付活弗化臭化バリウム輝尽性蛍
光体は蛍光残光が多く，その寿命も長いので,SN比を10³
以上にするためにはＸ線照射後少なくとも１分間以上の
後，画像読取を行う必要があり，読取りのスループット
が著しく低下する． 前記輝尽性蛍光体層は例えば次のような方法により支持
体上に形成することができる． まず，前記の輝尽性蛍光体粒子と結着剤とを適当な溶剤
に加え，これを充分混合して結着剤溶液中に輝尽性蛍光
体粒子が均一に分散した塗布液を調整する． 輝尽性蛍光体層の結着剤の例としては，ゼラチン等のタ
ンパク質，デキストラン等のボリサッカライドまたはア
ラビアゴムのような天然高分子物質；及びポリビニルブ
チラール，ポリ酢酸ビニル，ニトロセルロース，エチル
セルロース，塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー，
ポリメチルメタクリレート，塩化ビニル・酢酸ビニルコ
ポリマー，ポリウレタン，セルロースアセテートブチレ
ート，ポリビニルアルコール，線状ポリエステルなどの
ような合成高分子物質などにより代表される結着剤を挙
げることができる． 塗布液調整用の溶剤の例としては，メタノール，エタノ
ール,n−プロパノール,n−ブタノールなどの低級アルコ
ール：メチレンクロライド，エチレンクロライドなどの
塩素原子含有炭化水素；アセトン，メチルエチルケト
ン，メチルイソブチルケトンなどのケトン：酢酸メチ
ル，酢酸エチル，酢酸ブチルなどの低級脂肪酢と低級ア
ルコールとのエステル；ジオキサン，エチレングリコー
ルエチルエーテル，エチレングリコールモノメチルエー
テルなどのエーテル：そして，それらの混合物を挙げる
ことができる． 塗布液における結着剤と輝尽性蛍光体粒子との混合比は
目的とする変換パネルの特性，輝尽性蛍光体粒子の種類
などによって異なるが，一般には結着剤と輝尽性蛍光体
粒子との混合比は1:1ないし1:100（重量比）の範囲から
選ばれ，そして，特に1:8乃至1:40（重量比）の範囲か
ら選ぶことが好ましい． なお，前記塗布液には該塗布液中における輝尽性蛍光体
粒子の分散性を向上させるための分散剤，また，形成後
の輝尽性蛍光体層中における結着剤と輝尽性蛍光体粒子
との間の結合力を向上させるための可塑剤などの種々の
添加剤が混合されていてもよい．そのような目的に用い
られる分散剤の例としては，フタル酸，ステアリン酸，
カプロン酸，親油性界面活性剤などを挙げることができ
る．そして可塑剤の例としては，燐酸トリフェニル，燐
酸トリクレジル，燐酸ジフェニルなどの燐酸エステル；
フタル酸ジエチル，フタル酸ジメトキシエチルなどのフ
タル酸エステル；グリコール酸エチルフタリルエチル，
グリコール酸ブチルフタリルブチルなどのグリコール酸
エステル：そして，トリエチレングリコールとアジピン
酸とのポリエステル，ジエチレングリコールとコハク酸
とのポリエステルなどのポリエチレングリコールと脂肪
族二塩基酸とのポリエステルなどを挙げることができ
る． 前記のようにして調整された輝尽性蛍光体粒子と結着剤
とを含有する塗布液を，次に支持体の表面に均一に塗布
することにより塗布液の塗膜を形成する．この塗布液の
塗布操作は通常の塗布手段，例えばドクターブレード，
ロールコーター，ナイフコーターなどを用いることによ
り行うことができる． 塗膜形成後，塗膜を徐々に加熱することにより乾燥し
て，支持体上への輝尽性蛍光体層の形成を完了する．輝
尽性蛍光体層の層厚は目的とする変換パネルの特性，輝
尽性蛍光体粒子の種類，結着剤と輝尽性蛍光体粒子との
混合比などによって異なるが，通常は20μｍないし1mm
とする．但し，この層厚は50乃至500μｍとするのが好
ましい． また，輝尽性蛍光体層は必ずしも前記のように支持体上
に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく，例えば別
に保護層などのシート上に塗布液を塗布し，乾燥するこ
とにより蛍光体層を形成した後，これを支持体上に押着
するか，或いは接着剤を用いるなどして支持体と輝尽性
蛍光体層とを接合してもよい． なお，輝尽性蛍光体層は一層だげで構成してもよいが，
二層以上積層してもよい． 輝尽性螢光体層の他の形成方法としては気相堆積法があ
る．該気相堆積法としては真空蒸着法，スパッタリング
法,CVD法等を用いることができる．アルカリハライド輝
尽性螢光体は気相堆積法で前記輝尽性螢光体を形成させ
易く該方法の利用が好ましい． 本発明に係る変換パネルにおいて輝尽性蛍光体層に自己
支持能がない場合には，該輝尽性蛍光体層を支持するた
めの支持体が設けられる．前記支持体としては各種高分
子材料，ガラス，金属等が用いられ，セルロースアセテ
ートフィルム，ポリエステルフィルム，ポリエチレンテ
レフタレートフィルム，ポリアミドフィルム，ポリイミ
ドフィルム，トリアセテートフィルム，ポリカーボネー
トフィルム等のプラスチックフィルム，アルミニウムシ
ート，鉄シート，銅シート等の金属シート或いは該金属
酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい． これらの支持体の表面は滑面であってもよいし，輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい．また，支持体の表面は凹凸面としてもよいし，
隔絶されたタイル状板を敷き詰めた構造でもよい．前者
の場合には輝尽性蛍光体層が凹凸面によって細分化され
るので，画像の鮮鋭性が一段と向上する．後者の場合に
は輝尽性蛍光体層が支持体のタイル状板の輪郭を維持し
ながら堆積するので，結果的には輝尽性蛍光体層は亀裂
によって隔絶された輝尽性蛍光体の柱状ブロックからな
るため，画像の鮮鋭性が一段と向上する． さらにこれらの支持体は輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい．また，これら支持体の層厚は用いられ
る支持体の材質等によって異なるが，一般的には50〜20
00μｍであり，取り扱い上の点から更に好ましくは80〜
1000μｍである． 本発明に係る変換パネルにおいては一般的に前記輝尽性
蛍光体層が設けられる面とは反対側の面に，輝尽性蛍光
体層を物理的或いは化学的に保護するための保護層が設
けられてもよい．この保護層は保護層用塗布液を輝尽性
蛍光体層上に直接塗布してもよいし，予め別途形成した
保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい．或いは別
途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を
とってもよい．保護層の材料としては酢酸セルロース，
ニトロセルロース，ポリメチルメタクリレート，ポリビ
ニルブチラール，ポリビニルホルマール，ポリカーボネ
ート，ポリエステル，ポリエチレンテレフタレート，ポ
リエチレン，ポリ塩化ビニリデン，ナイロン，ポリ四フ
ッ化エチレン，ポリ三フッ化−塩化エチレン，四フッ化
エチレン−六フッ化プロビレン共重合体，塩化ビニリデ
ン−塩化ビニル共重合体，塩化ビニリデン−アクリロニ
トル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる．ま
た，この保護層は蒸着法，スパッタリング法等によりSi
C,SiO₂,SiN,Al₂O₃などの無機物質を積層して形成しても
よい．これらの保護層の層厚は一般には0.1μｍ〜100μ
ｍ程度が好ましい． 〔実施例〕 以下，実施例を用いて本発明を説明する． 実施例１ 変換パネルはRbBr:Tl⁺からなる輝尽性蛍光体13重量部
と，ポリビニルプチラール１重量部を溶剤（シクロヘキ
サノン）を用いて分散させ，これをポリエチレンテレフ
タレート基板上に均一に塗布し，一昼夜放置し，自然乾
燥することによって約300μｍの輝尽性蛍光体層を形成
して作製した．この変換パネルに管電圧80KVのＸ線を50
0ミリレントゲン照射し,10秒後に25mWの半導体レーザで
画像信号を読取った．画像信号を読取る直前の螢光残光
信号の大きさと前記画像信号の大きさとの比（SN比）を
求め，第１表に示す． 比較例 輝尽性蛍光体としてRbBr:Tl⁺の代わりにBaFBr:Eu²⁺を用
いる以外は実施例１と同様に変換パネルを作製し,X線を
照射し,10秒後にHe-Neレーザで画像信号を読取った．画
像信号を読取る直前の螢光残光信号の大きさと前記画像
信号の大きさとの比（SN比）を求め，第１表に示す． 実施例２ 実施例１と同様にRbBr:Tl⁺輝尽性蛍光体60重量％,BaFB
r:Eu²⁺40重量％を用いて変換パネルを作製した．次に，
実施例１と同様に前記変換パネルにＸ線を照射し,10秒
後に半導体レーザで画像信号を読取った．画像信号を読
取る直前の螢光残光信号の大きさと前記画像信号の大き
さとの比（SN比）を求め，第１表に示す． 実施例１乃び比較例より，輝尽性蛍光体としてアルカリ
ハライド輝尽性螢光体であるRbBr:Tl⁺蛍光体を用いた場
合,X線照射後直ちに画像読取を行っても高SN比の画像が
得られた． また，実施例２よりアルカリハライド蛍光体を添加する
と，螢光残光が少なくなり,X線照射後直ちに画像読取を
行っても十分高いSN比が得られた． 〔発明の効果〕 以上説明したように，この発明の放射線画像情報読取方
法は ｉ）被写体を透過した，或いは被検体から発せられた放
射線を下記一般式で表される輝尽性蛍光体を主成分とし
て含有する放射線画像変換パネルに吸収させる工程； 一般式 M^IX・aM^IIX′_２・bM^IIIX″₃:cA （但し,M^IはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり,M^IIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る.M^IIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,
Tm,Yd,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三
価金属である.X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ば
れるすくなくとも一種のハロゲンである.AはTm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれる少
なくとも一種の金属である． また,aは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり,cは０＜ｃ＜0.2の範囲の数値で
ある．） ii）前記ｉ）の工程終了後，直ちに該放射線画像変換パ
ネルに500〜900nmの波長領域の輝尽励起光を照射するこ
とにより，該放射線画像変換パネルに蓄積・記録されて
いる放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる工
程； iii）該輝尽発光を検出する工程； を含むことを特徴としているから，蛍光残光による影響
が少なく，実際の画像に合った正確な画像信号を得てSN
比のよい高品質の再生画像を得ることのできる． また，本発明によれば蛍光残光量が著しく少なく，蛍光
残光による読取りまでの待機時間を設ける必要のない前
記一般式で表されるアルカリハライド輝尽性蛍光体を利
用しているから，放射線の照射から画像の読取りまでの
時間を短縮して，装置のスループットを向上させ得，迅
速かつ大量に連続して画像情報を読取ることのできるな
どの，各種の優れた効果を奏するものである．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施する装置の一例を示す略示
的断面図，第２図は本発明の放射線画像読取方法に用い
られる輝尽性蛍光体の一例としてタリウム付活臭化ルビ
ジウム輝尽性蛍光体の発光特性を示す図，第３図は従来
の放射線画像情報読取方法を実施する装置の略示的斜視
図，第４図は蛍光残光の減衰曲線を示す図，第５図は従
来公知の二価のユーロピウム付活弗化臭化バリウム輝尽
性蛍光体の発光特性を示す図である． 101……放射線源 102……被写体 103……変換パネル 104……アルカリハライド輝尽性螢光体層 105……輝尽励起光源 108……集光体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 網谷 幸二 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真 工業株式会社内 (72)発明者 島田 文生 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真 工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ｉ）被写体を透過した，或いは被検体から
   発せられた放射線を下記一般式で表される輝尽性蛍光体
   を主成分として含有する放射線画像変換パネルに吸収さ
   せる工程； 一般式 M^IX・aM^IIX′_２・bM^IIIX″₃:cA （但し,M^IはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
   一種のアルカリ金属であり,M^IIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,C
   d,Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
   る.M^IIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,
   Tm,Yd,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の三
   価金属である.X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選ば
   れるすくなくとも一種のハロゲンである.AはTm,Dy,Pr,H
   o,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びMgから選ばれ
   る少なくとも一種の金属である．また,aは０≦ａ＜0.5
   の範囲の数値であり,bは０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であ
   り,cは０＜ｃ＜0.2の範囲の数値である．） ii）前記ｉ）の工程終了後，直ちに該放射線画像変換パ
   ネルに500〜900nmの波長領域の輝尽励起光を照射するこ
   とにより，該放射線画像変換パネルに蓄積・記録されて
   いる放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる工
   程； iii）該輝尽発光を検出する工程； を含むことを特徴とする放射線画像読取方法．
2. 【請求項２】前記輝尽励起光が，半導体レーザ光である
   特許請求の範囲第１項記載の放射線画像読取方法．