JPH0731984B2 - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPH0731984B2 JPH0731984B2 JP61126764A JP12676486A JPH0731984B2 JP H0731984 B2 JPH0731984 B2 JP H0731984B2 JP 61126764 A JP61126764 A JP 61126764A JP 12676486 A JP12676486 A JP 12676486A JP H0731984 B2 JPH0731984 B2 JP H0731984B2
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- ray tube
- cathode ray
- sio
- shadow mask
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、シャドウマスクを有する陰極線管に関する。
さらに詳しくはシャドウマスクのドーミングを低減する
ため、シャドウマスクの電子ビーム照射面側に熱変形を
抑制する物質で被膜成形してなる陰極線管に関する。
さらに詳しくはシャドウマスクのドーミングを低減する
ため、シャドウマスクの電子ビーム照射面側に熱変形を
抑制する物質で被膜成形してなる陰極線管に関する。
［従来の技術］ 通常のシャドウマスク式カラー陰極線管の構成を第１図
に示す。第１図において、(1)は内部を高真空に保つた
めの外囲器、(2)は３本の電子ビームを放出するための
電子銃、(3)は色選択電極を構成するシャドウマスクで
あり、たとえば多数のスリットを有する薄い鉄板からな
る。(4)は外囲器、(1)の一部を構成する透光性のガラス
パネル、(5)は蛍光面で赤、緑、青に発光する蛍光体の
ストライプがガラスパネル(4)の内面に順次塗布されて
おり、これらストライプ群が各々前記シャドウマスク
(3)のスリット群の各々に電子光学的に正確に対応する
ような位置関係に設けられている。
に示す。第１図において、(1)は内部を高真空に保つた
めの外囲器、(2)は３本の電子ビームを放出するための
電子銃、(3)は色選択電極を構成するシャドウマスクで
あり、たとえば多数のスリットを有する薄い鉄板からな
る。(4)は外囲器、(1)の一部を構成する透光性のガラス
パネル、(5)は蛍光面で赤、緑、青に発光する蛍光体の
ストライプがガラスパネル(4)の内面に順次塗布されて
おり、これらストライプ群が各々前記シャドウマスク
(3)のスリット群の各々に電子光学的に正確に対応する
ような位置関係に設けられている。
つぎに前記カラー陰極線管の動作について説明する。電
子銃(2)から放出された３本の電子ビームは偏向装置(6)
により蛍光面(5)の全面を走査するように偏向されてシ
ャドウマスク(3)に到達する。このシャドウマスク(3)は
３本の電子ビームが各々に対応する色の蛍光体ストライ
プだけを叩くようにさせる色選択機能を有する。そして
前記のごとくこれらの位置関係は本来正確な対応ができ
るように設定されている。
子銃(2)から放出された３本の電子ビームは偏向装置(6)
により蛍光面(5)の全面を走査するように偏向されてシ
ャドウマスク(3)に到達する。このシャドウマスク(3)は
３本の電子ビームが各々に対応する色の蛍光体ストライ
プだけを叩くようにさせる色選択機能を有する。そして
前記のごとくこれらの位置関係は本来正確な対応ができ
るように設定されている。
しかしながらこのばあい、電子銃(2)から放出された電
子ビームのうち約80％がシャドウマスク(3)に衝突して
さえぎられ、シャドウマスク(3)に全く無意味な熱エネ
ルギーを与え、シャドウマスク(3)を昇温させる。その
結果、シャドウマスク(3)は熱膨張により変形し、正確
に対応していたシャドウマスク(3)と蛍光体ストライプ
の位置関係がずれて色ずれの大きな要因となる。
子ビームのうち約80％がシャドウマスク(3)に衝突して
さえぎられ、シャドウマスク(3)に全く無意味な熱エネ
ルギーを与え、シャドウマスク(3)を昇温させる。その
結果、シャドウマスク(3)は熱膨張により変形し、正確
に対応していたシャドウマスク(3)と蛍光体ストライプ
の位置関係がずれて色ずれの大きな要因となる。
これらの問題点を解決する方法として特開昭55−76553
号公報では、シャドウマスク(3)の電子ビーム照射面に
シャドウマスク(3)を構成する物質よりも電子ビームの
反射率の大きな物質からなる被膜を設けることや、また
特開昭60−14459号公報では、70をこえた原子番号を有
する重金属の材料を含む溶液を吹付塗布して前記電子ビ
ームを反射するための塗膜(7)を設けることが提案され
ており、前記重金属材料として鉛、タングステンおよび
ビスマスがえらばれ、またこれらの炭化物、硫化物およ
び酸化物についてもその有用性が述べられている。
号公報では、シャドウマスク(3)の電子ビーム照射面に
シャドウマスク(3)を構成する物質よりも電子ビームの
反射率の大きな物質からなる被膜を設けることや、また
特開昭60−14459号公報では、70をこえた原子番号を有
する重金属の材料を含む溶液を吹付塗布して前記電子ビ
ームを反射するための塗膜(7)を設けることが提案され
ており、前記重金属材料として鉛、タングステンおよび
ビスマスがえらばれ、またこれらの炭化物、硫化物およ
び酸化物についてもその有用性が述べられている。
特公昭60−14459号公報に開示された塗膜(7)が設けられ
たシャドウマスクを用いた陰極線管を製造するばあい、
いずれの重金属材料を用いるばあいも、その微粒子の平
均粒径を１μｍ以下にするのが好適とされており、たと
えば被膜材料として酸化ビスマス（Bi2O3）をえらんだ
ばあい、通常数μｍ〜数十μｍ程度の大粒径の粒子を粉
砕して用いる。従来粉砕方法としてボールミル法を用い
ており、ボールミル時に酸化ビスマスと水ガラスおよび
適量の水を同時に加え、５〜７日間のボールミルを行な
った後再度水ガラスおよび水を適量加えてシャドウマス
ク上に塗布し乾燥して前記のドーミングを低減するシャ
ドウマスクを製造し、通常のカラー陰極線管の製造工程
を経てえられている。
たシャドウマスクを用いた陰極線管を製造するばあい、
いずれの重金属材料を用いるばあいも、その微粒子の平
均粒径を１μｍ以下にするのが好適とされており、たと
えば被膜材料として酸化ビスマス（Bi2O3）をえらんだ
ばあい、通常数μｍ〜数十μｍ程度の大粒径の粒子を粉
砕して用いる。従来粉砕方法としてボールミル法を用い
ており、ボールミル時に酸化ビスマスと水ガラスおよび
適量の水を同時に加え、５〜７日間のボールミルを行な
った後再度水ガラスおよび水を適量加えてシャドウマス
ク上に塗布し乾燥して前記のドーミングを低減するシャ
ドウマスクを製造し、通常のカラー陰極線管の製造工程
を経てえられている。
すなわち、Bi2O3と水ガラスおよび適量の水とを混合
し、Bi2O3粉末の平均粒径が１μｍ以下になるまで、ボ
ールミルによる粉砕を行なったのち、シャドウマスク上
に塗布し、乾燥して450℃程度で30分間ほど焼付けが行
なわれている。
し、Bi2O3粉末の平均粒径が１μｍ以下になるまで、ボ
ールミルによる粉砕を行なったのち、シャドウマスク上
に塗布し、乾燥して450℃程度で30分間ほど焼付けが行
なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら前記のようにして陰極線管を製造すると陰
極線管を組立てたあと、アウトガスが多く、ともすれば
寿命の短い製品ができることがある。その主要な原因
は、本発明者らが鋭意研究の結果、Bi2O3がCO2と反応
し、Bi2O2 CO3・1/2H2Oを生成するためであることがわ
かった。この反応は水ガラスが空気中のCO2ガスを吸収
しやすいためボールミル中に促進されやすかった。ま
た、バインダーとして用いるカリウム系水ガラス中では
CO2ガス吸収によりK2CO3が生成し、この化合物は強吸湿
性であるため、上記反応をさらに促進する。（ダブリュ
ー・エー・ウインク（W.A.Wink）の「インダストリアル
アンド エンジニアリング ケミストリー（Industri
al and Engineering Chemistry）、18巻、251頁、1964
年」参照）。
極線管を組立てたあと、アウトガスが多く、ともすれば
寿命の短い製品ができることがある。その主要な原因
は、本発明者らが鋭意研究の結果、Bi2O3がCO2と反応
し、Bi2O2 CO3・1/2H2Oを生成するためであることがわ
かった。この反応は水ガラスが空気中のCO2ガスを吸収
しやすいためボールミル中に促進されやすかった。ま
た、バインダーとして用いるカリウム系水ガラス中では
CO2ガス吸収によりK2CO3が生成し、この化合物は強吸湿
性であるため、上記反応をさらに促進する。（ダブリュ
ー・エー・ウインク（W.A.Wink）の「インダストリアル
アンド エンジニアリング ケミストリー（Industri
al and Engineering Chemistry）、18巻、251頁、1964
年」参照）。
本発明はアウトガスの少ない、かつ製造工程上の管理に
対しても、それほど細心の注意を必要としない陰極線管
を提供することを目的とするものである。
対しても、それほど細心の注意を必要としない陰極線管
を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明はBi2O3と原子番号32以下のIV族元素の酸化物と
の化合物と、水ガラスとの混合物をシャドウマスク上に
塗布、焼付けしてなることを特徴とする陰極線管に関
し、CO2と化合しやすいBi2O3のかわりにBi2O3とSiO2、G
eO2またはTiO2との化合物を用いるものである。
の化合物と、水ガラスとの混合物をシャドウマスク上に
塗布、焼付けしてなることを特徴とする陰極線管に関
し、CO2と化合しやすいBi2O3のかわりにBi2O3とSiO2、G
eO2またはTiO2との化合物を用いるものである。
［作用および実施例］ Bi2O3と本発明に使用しうる原子番号32以下のIV族元素
の酸化物としては、SiO2、GeO2、TiO2などがあげられ、
Bi2O3とそれら酸化物との化合物としては、Bi12 Si
O20、Bi12 GeO20、Bi12 TiO20などがあげられる。Bi
12 SiO20、Bi12 GeO20またはBi12 TiO20は、Bi2O3６
モルとSiO2１モル、GeO2１モルまたはTiO2１モルとが化
合したものであり、たとえばBi12 SiO20、は融点約900
℃の物質である。SiO2、GeO2またはTiO2含有量は僅か２
〜3.6％にしかすぎないのに、これらの化合物はCO2との
化合物を全く生成しない。またBi2O3単独よりも融点が
高く安定な化合物である（イー・エム・レビン（E.M.Le
vin）らの「ジャーナル オブ リサーチ オブ ザ
ナショナル ビュアロウ オブ スタンダーズ（JOURNA
L OF RESEARCH of the National Bureau of Standard
s）、68A巻、２、201頁、1964年」参照）。
の酸化物としては、SiO2、GeO2、TiO2などがあげられ、
Bi2O3とそれら酸化物との化合物としては、Bi12 Si
O20、Bi12 GeO20、Bi12 TiO20などがあげられる。Bi
12 SiO20、Bi12 GeO20またはBi12 TiO20は、Bi2O3６
モルとSiO2１モル、GeO2１モルまたはTiO2１モルとが化
合したものであり、たとえばBi12 SiO20、は融点約900
℃の物質である。SiO2、GeO2またはTiO2含有量は僅か２
〜3.6％にしかすぎないのに、これらの化合物はCO2との
化合物を全く生成しない。またBi2O3単独よりも融点が
高く安定な化合物である（イー・エム・レビン（E.M.Le
vin）らの「ジャーナル オブ リサーチ オブ ザ
ナショナル ビュアロウ オブ スタンダーズ（JOURNA
L OF RESEARCH of the National Bureau of Standard
s）、68A巻、２、201頁、1964年」参照）。
Bi2O3とSiO2との化合物としてBi12 SiO20、Bi2O3とGeO
2との化合物としてBi12 GeO20、Bi2O3とTiO2との化合
物としてBi12 TiO20を用いるばあい、あらかじめ６モ
ルのBi2O3と１モルのSiO2粉末、GeO2粉末またはTiO2粉
末を600℃以上、好ましくは800℃以下で焼成し合成した
Bi12 SiO20粉末、Bi12 GeO20粉末またはBi12 TiO20
粉末を用いる。
2との化合物としてBi12 GeO20、Bi2O3とTiO2との化合
物としてBi12 TiO20を用いるばあい、あらかじめ６モ
ルのBi2O3と１モルのSiO2粉末、GeO2粉末またはTiO2粉
末を600℃以上、好ましくは800℃以下で焼成し合成した
Bi12 SiO20粉末、Bi12 GeO20粉末またはBi12 TiO20
粉末を用いる。
本発明に用いる水ガラスとしては、ナトリウム系水ガラ
ス、カリウム系水ガラスなどがあげられる。
ス、カリウム系水ガラスなどがあげられる。
前記Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物１部（重
量部、以下同様）に対して水0.6〜0.8部および水ガラス
0.2〜0.4部が用いられる。Bi12 SiO20粉末、Bi12 GeO
20粉末またはBi12 TiO20粉末と水とをボールミル法な
どにより、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕したの
ち、水ガラスを適当量加え、塗布液を作製する。えられ
た塗布液をシャドウマスクの電子ビーム照射面側に常法
により乾燥前の塗膜の厚さが３〜７μｍとなるように塗
布したのち、室温で自然乾燥する。
量部、以下同様）に対して水0.6〜0.8部および水ガラス
0.2〜0.4部が用いられる。Bi12 SiO20粉末、Bi12 GeO
20粉末またはBi12 TiO20粉末と水とをボールミル法な
どにより、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕したの
ち、水ガラスを適当量加え、塗布液を作製する。えられ
た塗布液をシャドウマスクの電子ビーム照射面側に常法
により乾燥前の塗膜の厚さが３〜７μｍとなるように塗
布したのち、室温で自然乾燥する。
つぎに400〜500℃、好ましくは450℃で、15〜45分間、
好ましくは30分間、空気中で焼付けを行ない、通常の陰
極線管の製造工程を経て、本発明の陰極線管が製造され
る。
好ましくは30分間、空気中で焼付けを行ない、通常の陰
極線管の製造工程を経て、本発明の陰極線管が製造され
る。
なお、本発明に用いるシャドウマスクとしては、従来よ
り陰極線管に用いられているものでよい。
り陰極線管に用いられているものでよい。
たとえばBi12 SiO20粉末、Bi12 GeO20粉末またはBi12
TiO20粉末3kgを用いたばあいについて以下に説明す
る。
TiO20粉末3kgを用いたばあいについて以下に説明す
る。
該粉末に水2lを加え、ボールミルを３日間行った。えら
れた混合液にナトリウム系水ガラス（固形分28.25％、
モル比SiO2／Na2O＝3.43）を600ml加え、よく混合（１
日間程度）しシャドウマスクの電子ビーム照射面側に、
乾燥前の塗膜の厚さが10μｍとなるように塗布した。乾
燥は空気中、室温で0.15時間行なったのち、焼付けを空
気中450℃で30分間行ない、塗膜が設けられたシャドウ
マスクを製造した。ついでえられたシャドウマスクを用
い通常の陰極線管の製造工程を経て、陰極線管を製造し
た。なお、ナトリウム系水ガラスのかわりにカリウム系
水ガラスを用いても同様の陰極線管をうることができ
る。
れた混合液にナトリウム系水ガラス（固形分28.25％、
モル比SiO2／Na2O＝3.43）を600ml加え、よく混合（１
日間程度）しシャドウマスクの電子ビーム照射面側に、
乾燥前の塗膜の厚さが10μｍとなるように塗布した。乾
燥は空気中、室温で0.15時間行なったのち、焼付けを空
気中450℃で30分間行ない、塗膜が設けられたシャドウ
マスクを製造した。ついでえられたシャドウマスクを用
い通常の陰極線管の製造工程を経て、陰極線管を製造し
た。なお、ナトリウム系水ガラスのかわりにカリウム系
水ガラスを用いても同様の陰極線管をうることができ
る。
第２図は、従来の陰極線管に用いられるBi2O3とカリウ
ム系水ガラスからなる塗膜の赤外吸収スペクトルを示す
グラフである。図中(11)は電子ビーム照射前、(12)は電
子ビーム照射後のスペクトルであり、(a)のピークはBi
12 SiO20中のSiO4の吸収を示し、(b)のピークはBi12
SiO20中のBi-Oの吸収を示す。第２図から明らかなよう
に、上記のような混合物からなるシャドウマスク上の塗
膜が電子ビーム照射をうけると、Bi2O3は水ガラス中のS
iO2と反応し、Bi12 SiO20を生成することがある。これ
は塗膜の接着強度を低下させる。しかしながら本発明に
用いる、Bi12 SiO20、Bi12 GeO20またはBi12 TiO20
は水ガラスとさらに反応することがないため、長期間に
わたって安定した接着強度を有する塗膜がえられる。
ム系水ガラスからなる塗膜の赤外吸収スペクトルを示す
グラフである。図中(11)は電子ビーム照射前、(12)は電
子ビーム照射後のスペクトルであり、(a)のピークはBi
12 SiO20中のSiO4の吸収を示し、(b)のピークはBi12
SiO20中のBi-Oの吸収を示す。第２図から明らかなよう
に、上記のような混合物からなるシャドウマスク上の塗
膜が電子ビーム照射をうけると、Bi2O3は水ガラス中のS
iO2と反応し、Bi12 SiO20を生成することがある。これ
は塗膜の接着強度を低下させる。しかしながら本発明に
用いる、Bi12 SiO20、Bi12 GeO20またはBi12 TiO20
は水ガラスとさらに反応することがないため、長期間に
わたって安定した接着強度を有する塗膜がえられる。
［発明の効果］ 本発明の陰極線管は以下のような効果を奏する。
Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物がCO2と化合
しないため、アウトガス発生の原因となる物質が生成せ
ず、安定した高性能の陰極線管がえられる。
しないため、アウトガス発生の原因となる物質が生成せ
ず、安定した高性能の陰極線管がえられる。
Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物は水ガラス
中のSiO2と反応しないため、塗膜の接着強度が低下しな
い。
中のSiO2と反応しないため、塗膜の接着強度が低下しな
い。
Bi2O3とSiO2、GeO2またはTiO2との化合物の電子ビー
ム散乱能力はBi2O3と全く同一である。
ム散乱能力はBi2O3と全く同一である。
第１図は、通常のシャドウマスク式カラー陰極線管の構
成を示す部分断面図であり、第２図は、電子ビーム照射
前および照射後のBi2O3とカリウム系水ガラスからなる
塗膜の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
成を示す部分断面図であり、第２図は、電子ビーム照射
前および照射後のBi2O3とカリウム系水ガラスからなる
塗膜の赤外吸収スペクトルを示すグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 服部 睦 京都府長岡京市馬場図所１番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (72)発明者 山本 盛男 京都府長岡京市馬場図所１番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (72)発明者 奥田 博志 京都府長岡京市馬場図所１番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (72)発明者 渡辺 徹也 京都府長岡京市馬場図所１番地 三菱電機 株式会社京都製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−281241（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】Bi2O3と原子番号32以下のIV族元素の酸化
物との化合物と、水ガラスとの混合物をシャドウマスク
上に塗布、焼付けしてなることを特徴とする陰極線管。 - 【請求項２】原子番号32以下のIV族元素の酸化物が、Si
O2、GeO2および／またはTiO2である特許請求の範囲第
(1)項記載の陰極線管。 - 【請求項３】Bi2O3と原子番号32以下のIV族元素の酸化
物との化合物が、Bi12 SiO20、Bi12 GeO20および／ま
たはBi12 TiO20である特許請求の範囲第(1)項記載の陰
極線管。 - 【請求項４】水ガラスがナトリウム系水ガラスまたはカ
リウム系水ガラスである特許請求の範囲第(1)項記載の
陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126764A JPH0731984B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126764A JPH0731984B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281240A JPS62281240A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH0731984B2 true JPH0731984B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14943346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126764A Expired - Lifetime JPH0731984B2 (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731984B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0748348B2 (ja) * | 1988-07-04 | 1995-05-24 | 三菱電機株式会社 | カラーブラウン管の製造法 |
| JPH0799667B2 (ja) * | 1990-11-08 | 1995-10-25 | 三菱電機株式会社 | シャドウマスクの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126766A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | Toshiba Battery Co Ltd | 扁平形電池 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61126764A patent/JPH0731984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62281240A (ja) | 1987-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |