JPH07320332A

JPH07320332A - 光磁気記録方法

Info

Publication number: JPH07320332A
Application number: JP6112391A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Fujii; 英一藤井; Yutaka Yoshida; 吉田　　裕
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-05-26
Filing date: 1994-05-26
Publication date: 1995-12-08

Abstract

(57)【要約】【目的】光変調重ね書きが可能な光磁気記録再生装置
と、重ね書きができない光磁気記録装置との間で情報の
記録再生の互換性が取れ、かつトラックピッチを狭くし
て大容量化が可能な光磁気記録方法を提供する。【構成】第１磁性層１および第２磁性層２からなる交
換結合膜上に断熱層５と放熱層６とが順次積層された構
成の光変調重ね書き媒体を使用する。消去バイアス磁界
Ｈbeを印加しながら光ビームを照射して情報を消去する
消去ステップと、消去ステップの実施後、初期化磁界Ｈ
iによって交換結合により配列すべき向きとは逆の向き
に第２磁性層２の磁化の向きを配列させる初期化ステッ
プと、記録バイアス磁界Ｈbwを印加しながら記録情報に
応じて変調された光ビームを照射し、交換結合により配
列すべき向きに第１磁性層１の磁化の向きを配列させる
記録ステップとを実行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、記録媒体に対して熱磁
気的に記録を行ない、磁気カー効果などの磁気光学効果
を利用して読み出しを行なう光磁気記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】消去可能な光メモリとして、従来より光
磁気メモリが知られており、現在、実用に供されてい
る。この光磁気メモリを用いる光磁気記録方法は、磁気
ヘッドのみを用いた磁気記録方法と比べて、高密度記録
であって情報記録面に非接触で記録再生が可能であると
いう長所を有するが、その反面、熱が加えられた（光ビ
ームの照射された）ところのみの状態が変化するため、
記録に先立って媒体上の以前の情報を消去する（媒体を
一方向に一様に着磁させる）必要があり、記録速度が遅
くなるという問題を有する。この問題の解決のために消
去と記録とを別々の光ヘッドで分担して同時に行なう方
法があるが、この方法では装置が大掛かりになり、コス
ト高になる。

【０００３】そこで、以前に記録された旧情報の上に消
去過程を経ずに新たな情報を重ね書きできる重ね書き方
法が開発されている。この重ね書き方法の一つとして、
交換結合積層膜からなる光磁気記録媒体を用い、照射す
る光ビームのパワーを記録情報に応じて変化させて重ね
書きを行なう光変調重ね書き方法がある。しかしなが
ら、光変調重ね書き方法で利用される媒体は、重ね書き
ができない現在市販されている光磁気記録媒体に比べ、
記録時により強力な光ビームを必要とするので、重ね書
きのできない媒体用の現在市販されている記録装置を使
用して記録を行なうことは困難である。すなわち、光変
調重ね書き用の媒体は、現在市販されている記録装置に
対する互換性の面で問題がある。

【０００４】今後、光変調重ね書き方法の普及が見込ま
れているが、その際、光変調重ね書き用の媒体も、現在
市販されている記録装置を用いて、消去過程を有する記
録方法で記録できるようになっていることが望ましい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の記録
方法との互換性が取れないという光変調重ね書き方法の
問題点を解決するためには、現行の記録装置の発生する
のと同じ強度の光ビームで記録できるような光変調重ね
書き用媒体を作ればよいのだが、光変調重ね書き用媒体
の記録感度を現在市販されている装置で記録できる程度
までに向上させると、情報の再生時に許容できる再生光
ビームの強度が小さくなり、現行の装置で情報の読み出
そうとすると情報が破壊されてしまうという問題が発生
する。そこで、媒体でなく記録方法を工夫することによ
って、互換性の問題を解決することが望まれる。

【０００６】特開昭６３−１３３３３８号公報には、光
変調重ね書き用の媒体に重ね書きができない記録装置で
記録を行なうときに、消去を光変調重ね書き方法の高温
プロセスで行ない、記録を低温プロセスで行なう方法が
提案されている。この方法は、前述した記録時の光ビー
ム強度の互換性の問題を解決するのには有効であるが、
消去を高温プロセスで行なうため、隣接するトラックに
記録されている情報を消去時に破壊する危険性があり、
情報記録密度の向上のためにトラックピッチを狭くする
ことが困難であるという問題点を有する。

【０００７】本発明は、上記の問題点を解消するために
なされたもので、光変調重ね書きが可能な光磁気記録再
生装置と、重ね書きができない光磁気記録装置との間で
情報の記録再生の互換性が取れ、かつトラックピッチを
狭くして大容量化が可能な光磁気記録方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、キュリー温度Ｔ₁と保磁力Ｈ₁を有する第１磁性層
と、前記キュリー温度Ｔ₁より高いキュリー温度Ｔ₂と前
記保磁力Ｈ₁より小さな保磁力Ｈ₂を有する第２磁性層
と、断熱層と、放熱層とを有し、前記第１磁性層および
前記第２磁性層からなる交換結合膜と前記放熱層との間
に前記断熱層が設けられ、室温において、Ｈ₁＞σw₁₂／２Ｍs₁ｈ₁、Ｈ₂＞σw₁₂／２Ｍs₂ｈ₂ （ただし、σw₁₂は第１磁性層と第２磁性層の間の界面
磁壁エネルギー、Ｍs₁は第１磁性層の飽和磁気モーメン
ト、Ｍs₂は第２磁性層の飽和磁気モーメント、ｈ ₁は第
１磁性層の膜厚、ｈ₂は第２磁性層の膜厚である）を満
足する光磁気記録媒体に情報の記録を行なう光磁気記録
方法において、消去バイアス磁界を印加しながら前記光
磁気記録媒体に光ビームを照射して情報を消去する消去
ステップと、前記消去ステップの実施後、交換結合によ
り配列すべき向きとは逆の向きに前記第２磁性層の磁化
の向きを配列させる初期化ステップと、記録情報に応じ
て変調された光ビームを前記光磁気記録媒体に照射し、
交換結合により配列すべき向きに、前記変調された光ビ
ームの照射部位の前記第１磁性層の磁化の向きを配列さ
せる記録ステップと、を有する。

【０００９】本発明において、第１磁性層および第２磁
性層はともに垂直磁化膜であることが望ましい。また、
現在市販されているタイプの記録装置での記録を前提と
するので、記録ステップおよび消去ステップにおける各
光ビームは、同一の光源から、光磁気記録媒体の同一の
側に入射するようにすることが好ましい。

【００１０】初期化ステップにおいて第２磁性層の磁化
を配向させるために、光磁気記録媒体からは独立した
初期化磁石により媒体に初期化磁界を印加したり、ある
いは光磁気記録媒体において、第２磁性層の光ビーム
の入射側とは反対の側に初期化用磁性層を設けておき、
第２磁性層とこの初期化用磁性層との間の交換結合力に
よって初期化ステップが行なわれるようにすることが望
ましい。

【００１１】また、記録ステップを確実に行なうため
に、記録ステップ時に消去バイアス磁界とは逆向きの記
録バイアス磁界を光磁気記録媒体の外部から印加するよ
うにすることもできる。記録バイアス磁界と消去バイア
ス磁界とは、同一のコイルを用い、流す電流の向きを逆
転させることによって、任意に発生させることができ
る。

【００１２】さらに、再生特性の向上を図るために、光
磁気記録媒体において、第１磁性層の光ビームの入射側
に、保磁力Ｈ₃と第１磁性層のキュリー温度Ｔ₁より高い
キュリー温度Ｔ₃とを有する第３磁性層を設け、室温に
おいて、Ｈ₃ ＜ σw₃₁／２Ｍs₃ｈ₃ （ただし、σw₃₁は第３磁性層と第１磁性層の間の界面
磁壁エネルギー、Ｍs₃は第３磁性層の飽和磁気モーメン
ト、ｈ₃は第３磁性層の膜厚である）を満足するように
してもよい。

【００１３】

【作用】消去バイアス磁界を印加しながら光磁気記録媒
体に光ビームを照射して情報を消去する消去ステップ
と、消去ステップの実施後、交換結合により配列すべき
向きとは逆の向きに第２磁性層の磁化の向きを配列させ
る初期化ステップと、記録情報に応じて変調された光ビ
ームを媒体に照射し、交換結合により配列すべき向き
に、光ビームの照射部位の第１磁性層の磁化の向きを配
列させる記録ステップとを設定しているので、光変調重
ね書き用の光磁気記録媒体に対し、重ね書きの行なえな
い記録装置を用いて、安定して記録を行なえるようにな
る。特に、交換結合膜上に断熱層と放熱層とが順次積層
された構造の媒体を使用しているので、記録時における
媒体内の熱の分布が適正なものとなり、トラックピッチ
を狭小化しても安定して記録・再生を行なえるようにな
る。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。

【００１５】《第１実施例》図１は本発明の第１実施例
の光磁気記録方法を実施するための光磁気記録媒体およ
び光磁気記録装置の構成を示す図である。

【００１６】情報を光と磁気の相互作用によって記録す
る光磁気記録媒体１１は、ディスク状の形状を有する光
磁気ディスクとして構成され、図示しないスピンドルモ
ータの駆動により一定速度で回転する。光磁気記録媒体
１１は、交換結合した２層の磁性層（垂直磁化膜）と断
熱層と放熱層を有し、透光性基板１０上に第１磁性層
１、第２磁性層２、断熱層５、放熱層６が順次積層され
た構成となっている。

【００１７】内部に光源や各種レンズあるいは光検出器
などの光学素子が内蔵された光ピックアップ１２が、光
磁気記録媒体１１の透光性基板１０側に対応するように
配置されている。光ピックアップ１２は、光磁気記録媒
体１１に消去用光ビーム（連続光）や記録用光ビーム
（記録情報に応じて強度変調された光）を照射したり、
あるいは再生用光ビームを照射してその反射光を検出す
るためのものである。また、光磁気記録媒体１１を挟ん
で光ピックアップ１２と対向する位置には、バイアス磁
界発生装置１３が配置されている。バイアス磁界発生装
置１３は、光磁気記録媒体１１の光ピックアップ１２か
らの消去用あるいは記録用の光ビーム照射部に、消去バ
イアス磁界または記録バイアス磁界を印加するためのも
のである。さらに、バイアス磁界発生装置１３とは異な
る場所には、記録用光ビームが照射される前に第２磁性
層２の向きを交換結合により配列すべき向きとは逆の向
きに初期化するための初期化磁界発生装置１４が配置さ
れている。

【００１８】光磁気記録媒体１１の第１磁性層１は、低
いキュリー温度と大きな保磁力を有し、第２磁性層２は
高いキュリー温度と小さな保磁力を有する。ここで「高
い」、「低い」、「大きい」、「小さい」とは各磁性層
を比較した場合の相対的な関係を表わす。各磁性層１,
２の材料には、垂直磁気異方性を示しかつ比較的大きな
磁気光学効果を呈するものが利用できるが、第１磁性層
１にはＴｂ-Ｆｅ,Ｔｂ-Ｃｏ,Ｔｂ-Ｄｙ-Ｆｅ,Ｄｙ-Ｆ
ｅ,Ｄｙ-Ｃｏ,Ｔｂ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｔｂ-Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｄ
ｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｇｄ-Ｔｂ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｇｄ-Ｔｂ-Ｆｅ等
の希土類元素と鉄族元素との非晶質磁性合金を、第２磁
性層２にはＴｂ-Ｆｅ,Ｔｂ-Ｄｙ-Ｆｅ,Ｄｙ-Ｆｅ,Ｔｂ-
Ｆｅ-Ｃｏ,Ｔｂ-Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｇｄ-
Ｔｂ-Ｆｅ,Ｇｄ-Ｔｂ-Ｄｙ-Ｆｅ,Ｇｄ-Ｄｙ-Ｆｅ、Ｇｄ
-Ｔｂ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｇｄ-Ｔｂ-Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｇｄ-Ｄｙ
-Ｆｅ-Ｃｏ等の希土類元素と鉄族元素との非晶質磁性合
金を使用することが、好ましい。

【００１９】第１磁性層１の膜厚は２０〜５０ｎｍが好
ましく、第２磁性層２の膜厚は１０〜５０ｎｍが好まし
く、さらに他の磁性層を積層することも可能である。こ
の場合、透光性基板１０上に積層したすべての磁性層の
膜厚の総和は１００ｎｍ以下にすることが好ましい。特
に、実用に供するにあたってこの実施例に示した以外の
様々な機能を持つ磁性層を本実施例の構成に加えて積層
する場合には、それらのすべての磁性層の膜厚の総和を
１００ｎｍ以下とすることが本発明の効果を得るために
は好ましい。

【００２０】断熱層５の材料には放熱層６よりも小さな
熱伝導率を有するものが利用できるが、ＳｉＯ,ＳｉＮ,
ＡｌＯ,ＡｌＮ,ＺｎＳ,ＴａＯ,ＳｉＣ,ＳｒＦ,ＣｅＦな
どが好ましい。放熱層６の材料には、第１磁性層１、第
２磁性層２および断熱層５よりも熱伝導率の高いものが
利用でき、Ａｌ,Ｐｔ,Ａｕ,Ｃｕ,Ａｇまたはこれらの合
金が好ましい。なお、透光性基板１０と磁性層の間や放
熱層の上に、耐久性を向上させるための、あるいは磁気
光学効果を向上させるための適当な誘電体層を設けても
よい。さらに、第１磁性層１と第２磁性層２の間に、交
換結合の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性
層を挟んでもよい。

【００２１】初期化磁界発生装置１４は、光磁気記録媒
体１１に記録用光ビームが照射される前に、初期化磁界
Ｈiを光磁気記録媒体１１に対してほぼ垂直に印加する
が、この初期化磁界Ｈiは、第１磁性層１の室温におけ
る保磁力よりも小さく、かつ、第２磁性層２の室温にお
ける保磁力よりも大きく設定されている。このような初
期化磁界発生装置１４としては、光磁気記録媒体１１の
記録用光ビームが照射されている位置と同じ半径で、記
録用光ビームが照射されている位置とは異なる位置に、
光磁気記録媒体１１にほぼ垂直に磁界が印加されるよう
に、永久磁石または電磁石を配置すればよい。

【００２２】次に、本実施例の光磁気記録方法を図２
(A),(B)により具体的に説明する。(A)は消去のプロセ
ス、(B)は記録のプロセスを説明する図である。

【００２３】図２(A)に示す消去プロセスおいて、光磁
気記録媒体１１を回転させると、まず、第１磁性層１お
よび第２磁性層２は初期化磁界発生装置１４の下を通過
する。このとき、初期化磁界Ｈiは印加されていても印
加されていなくても関係ないが、通常、初期化磁界を高
速にオン／オフすることは困難なので、図２(A)では初
期化磁界Ｈiは常に印加されているものとしてある。初
期化磁界発生装置１４の発生する磁界Ｈiは次の(1)式を
満足していて、その向きは第２磁性層２の磁化の向きと
同じなので、このとき第１磁性層１も第２磁性層２も磁
化の向きは変化しない。

【００２４】Ｈ₁−σw₁₂／２Ｍs₁ｈ₁ ＞Ｈi ＞Ｈ₂＋σw₁₂／２Ｍs₂ｈ₂ …(1) ただし、Ｈ₁は第１磁性層１の保磁力、Ｈ₂は第２磁性層
２の保磁力、Ｍs₁は第１磁性層１の飽和磁気モーメン
ト、Ｍs₂は第２磁性層２の飽和磁気モーメント、ｈ ₁は
第１磁性層の膜厚、ｈ₂は第２磁性層２の膜厚、σw₁₂は
第１磁性層１と第２磁性層２の界面の界面磁壁エネルギ
ーである。

【００２５】また、初期化磁界発生装置１４の発生する
磁界Ｈiが印加されていないところでも第１磁性層１お
よび第２磁性層２の着磁状態が保持されるために、第１
磁性層１と第２磁性層２は次の(2),(3)式を満足するよ
うにする。これら(2),(3)式において、右辺はそれぞれ
第１磁性層１、第２磁性層２に作用する交換結合力を示
している。

【００２６】Ｈ₁ ＞σw₁₂／２Ｍs₁ｈ₁ …(2) Ｈ₂ ＞σw₁₂／２Ｍs₂ｈ₂ …(3) この光磁気記録媒体１１がさらに回転して消去用光ビー
ムが照射されている領域ａに入ると、消去用光ビームの
照射によって第１磁性層１および第２磁性層２の温度が
上昇して、次の(4),(5)式を満足するようになる。

【００２７】Ｈ₁ ＜Ｈbe …(4) Ｈ₂ ＜Ｈbe …(5) ただし、Ｈbeはバイアス磁界発生装置１３より印加され
ている消去バイアス磁界の大きさを表わしている。

【００２８】そして、第１磁性層１、第２磁性層２とも
にバイアス磁界発生装置１３から印加される消去バイア
ス磁界Ｈbeの向きに磁化され、消去が行なわれる。この
とき、消去用光ビームは、その光軸と直交する面内にお
いてガウス分布状の強度分布を有しており、光軸から離
れた点、すなわち周辺部では強度が小さい。このため、
消去用光ビームの周辺部では中央部ほど温度が上昇しな
いため、消去用光ビームの周辺部には、次の(6),(7)式
を満足する領域ができる。

【００２９】Ｈ₁ ＜ σw₁₂／２Ｍs₁ｈ₁ − Ｈbe …(6) Ｈ₂ ＞ σw₁₂／２Ｍs₂ｈ₂ ＋Ｈbe …(7) この領域では、第２磁性層２の磁化の向きは変化せず、
第１磁性層１の磁化の向きが、第２磁性層２と交換結合
により配列すべき向きに変化する。したがって、消去用
光ビームの周辺部の式(6),(7)を満足している領域に情
報が記録されていると、その情報は失われてしまうこと
になる。情報の記録密度を向上させるために情報トラッ
クのピッチ（トラックピッチ）を小さくすると、消去を
実行しているトラックに隣接するトラックで上記の式
(6),(7)が成立してその隣接トラックの情報が破壊され
てしまうので、記録密度の向上の制限となっていた。し
かしながら本発明では、断熱層５と放熱層６を設け、第
１磁性層１および第２磁性層２の温度上昇が磁性層の面
内方向に広がりにくいようにしたため、断熱層と放熱層
を設けない場合や放熱層だけを設けた場合よりも上記の
式(6),(7)が成立する領域が狭くなり、その分トラック
ピッチを小さくでき、記録密度を向上させることができ
る。断熱層５、放熱層６の膜厚の最適値は、用いる材料
によって異なるが、断熱層５、放熱層６ともに２０ｎｍ
以上設けることが好ましく、断熱層５、放熱層６ともに
３０〜２００ｎｍとすることが特に好ましい。

【００３０】その後、消去用光ビームが通過していく
と、前記のステップで消去が行われた領域でも第１磁性
層１、第２磁性層２の温度が下がり、前記(6),(7)式を
満足するようになる。このとき、もし第１磁性層１と第
２磁性層２が交換結合により配列すべき磁化の向きが互
いに反平行の場合は、第１磁性層１の磁化の向きが反転
し、第１磁性層１と第２磁性層２の磁化の向きは互いに
交換結合により配列すべき向きになる。したがって、光
磁気記録媒体１１の消去が行なわれたことになる。な
お、図２では、第１磁性層１と第２磁性層２が交換結合
により配列したときの磁化の向きが互いに平行な場合が
図示されているので、この図には、消去用光ビームが照
射された直後の第１磁性層１の磁化の反転は示されてい
ない。

【００３１】次に、図２(B)で記録プロセスを説明す
る。光磁気記録媒体１１はさらに１回転し、第１磁性層
１および第２磁性層２が再び初期化磁界発生装置１４の
下を通過する。このとき、第１磁性層１の磁化方向を変
化させることなく第２磁性層２の磁化の向きだけが初期
化磁界Ｈiと同じ方向に（すなわち、交換結合により配
列すべき向きとは逆の向きに）着磁される。このよう
に、第１磁性層１の磁化の向きを変化させることなく第
２磁性層２だけを初期化磁界Ｈiの向きに着磁させるた
めに、初期化磁界発生装置１４の発生する磁界Ｈiは前
記(1)式を満足している。

【００３２】この光磁気記録媒体１１は、さらに回転し
て、情報により変調された記録用光ビームが照射されて
いる領域ｂに入る。記録用光ビームの強度は、その中心
において第１磁性層１、第２磁性層２が次の(8),(9)式
を満足するように設定しておく。

【００３３】Ｈ₁ ＜ σw₁₂／２Ｍs₁ｈ₁ − Ｈbw …(6) Ｈ₂ ＞ σw₁₂／２Ｍs₂ｈ₂ ＋Ｈbw …(7) ただし、Ｈbwはバイアス磁界発生装置１３より印加され
ている記録バイアス磁界である。すると、記録用光ビー
ムが照射された部分では、第２磁性層２の磁化が第１磁
性層１に転写され、第１磁性層の磁化の向きが交換結合
により配列すべき向きに反転し、これによって情報の記
録が行なわれたことになる。

【００３４】ここで、本発明の効果を定量的に検証する
ために、以下に示すように、本実施例に基づく光磁気記
録媒体（実験例１）と比較例の媒体（比較実験例１）と
を作成し、信号の消去、記録を行なったときの隣接トラ
ックの信号の変化を比較した。

【００３５】（実験例１） (1) 多元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、半径
方向に１.０μｍから１.６μｍまで０.１μｍ刻みで段
階的にトラックピッチが変えられてプリグルーブが刻ま
れたディスク状基板をセットし、回転させた。

【００３６】(2) アルゴン中でＳｉ₃Ｎ₄のターゲットを
用い、スパッタ速度約１０ｎｍ／ｍｉｎ、スパッタ圧
０.３Ｐａで、Ｓｉ₃Ｎ₄を保護膜として７０ｎｍの厚さ
で基板上に設けた。

【００３７】(3) 次に、アルゴン中でＴｂ,Ｆｅ,Ｃｏの
３個のターゲットを用い、スパッタ速度約１５ｎｍ／ｍ
ｉｎ、スパッタ圧０.３Ｐａで、膜厚４０ｎｍのＴｂ_0.2
（Ｆｅ_0.92Ｃｏ_0.08）_0.8の第１磁性層を形成した。

【００３８】(4) 次に、アルゴン中でＧｄ_0.5Ｔｂ_0.5、
Ｆｅ、Ｃｏの３個のターゲットを用い、スパッタ速度約
１５ｎｍ／ｍｉｎ、スパッタ圧０.３Ｐａで、膜厚４０
ｎｍの（Ｇｄ_0.5Ｔｂ_0.5）_0.25（Ｆｅ_0.7Ｃｏ_0.3）_0.75
の第２磁性層を形成した。

【００３９】(5) 次に、アルゴン中でＳｉ₃Ｎ₄のターゲ
ットを用い、スパッタ速度約１０ｎｍ／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０.３Ｐａで、Ｓｉ₃Ｎ₄を断熱層として１００ｎｍ
の厚さに設けた。

【００４０】(6) 次に、アルゴン中でＡｌのターゲット
を用い、スパッタ速度約１０ｎｍ／ｍｉｎ、スパッタ圧
０.３Ｐａで、Ａｌを放熱層として１００ｎｍの厚さに
設けた。

【００４１】(7) 最後に、上記の膜形成を終えた基板に
スピンコート法によって紫外線硬化樹脂をコーティング
し、光磁気記録媒体を完成させた。

【００４２】こうして得られた光磁気記録媒体に、図１
に示した構成の光磁気記録装置を用いて、線速度７.５
ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの各トラックピッチの領域に
１ＭＨｚの信号を記録した後、本実施例の光磁気記録方
法で各トラックピッチの領域ごとに１トラックだけ５Ｍ
Ｈｚの信号を記録した。消去バイアス磁界Ｈbeは２４０
００Ａ／ｍ、記録バイアス磁界Ｈbwは２４０００Ａ／
ｍ、初期化磁界Ｈiは２４００００Ａ／ｍとした。ま
た、消去用光ビームおよび記録用光ビームの強度は、５
ＭＨｚの信号のＣＮＲ（キャリアノイズ比）が最大とな
るように、各トラックピッチの領域ごとに設定した。消
去および記録用光ビームの波長は７８０ｎｍ、対物レン
ズのＮ.Ａ.（開口数）は０.５５であった。

【００４３】そして、５ＭＨｚの信号で記録されたトラ
ックに隣接するトラックに記録されている１ＭＨｚの信
号のＣＮＲの変化を調べた結果、大きい方のトラックピ
ッチから１.１μｍのトラックピッチまで、隣接トラッ
クの情報を破壊することなく記録が行なえることがわか
った。

【００４４】（比較実験例１）断熱層と放熱層を設けな
い以外は実験例１と全く同様の構成の光磁気記録媒体を
比較実験例１として作成した。得られた光磁気記録媒体
に、実験例１と同様に図１に示した構成の光磁気記録装
置を用いて、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの
各トラックピッチの領域に１ＭＨｚの信号を記録した
後、実験例１と同様にして、各トラックピッチの領域ご
とに１トラックだけ５ＭＨｚの信号を記録した。各磁界
Ｈbw,Ｈbe,Ｈiの強度は実験例１と同じにした。消去用
および記録用の光ビームの強度は、５ＭＨｚの信号のＣ
ＮＲが最大となるように各トラックピッチの領域ごとに
設定した。各光ビームの波長は７８０ｎｍ、対物レンズ
のＮ.Ａ.は０.５５である。

【００４５】５ＭＨｚで記録されたトラックに隣接する
トラックに記録されている１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変
化を調べた結果、大きい方のトラックピッチから１.２
μｍのトラックピッチまでしか、隣接トラックの情報を
破壊することなく記録が行なえないことが確認された。

【００４６】《第２実施例》次に、本発明の光磁気記録
方法の第２実施例を図３に基づいて説明する。第１実施
例と異なるのは、使用する光磁気記録媒体の構成と第２
磁性層２を初期化する手段である。すなわちこの第２実
施例では、初期化磁界発生装置を光磁気記録媒体の外部
に設ける代りに、第２磁性層２の初期化を行なうための
磁性層として初期化用磁性層４を設け、初期化用磁性層
と第２磁性層２との間の交換結合力によって第２磁性層
２を初期化するようになっている。さらに、初期化用磁
性層４と第２磁性層２との間に、補助磁性層１５が設け
られている。したがって、この光磁気記録媒体２１で
は、第１磁性層１、第２磁性層２、補助磁性層１５、初
期化用磁性層４、断熱層５、放熱層６の順で積層されて
いることになる。

【００４７】補助磁性層１５は、少なくとも室温におい
ては初期化用磁性層４と第２磁性層２との間に十分大き
な交換結合力を与え、消去用光ビームの照射時には、第
２磁性層２の磁化の消去バイアス磁界Ｈbwの向きへの整
列及び第１磁性層１の磁化の第２磁性層２との交換結合
により配列すべき向きへの整列が終了するまでの間、初
期化用磁性層４と第２磁性層２との間の交換結合力を切
断して、第２磁性層２の磁化の向きが初期化用磁性層４
との交換結合力に制限されずにバイアス磁界発生装置１
３により印加される消去バイアス磁界Ｈbeの方向に向け
られるようにする働きを有する。すなわち補助磁性層１
５は、初期化用磁性層４と第２磁性層２との間の交換結
合力をスイッチングする働きをする層である。

【００４８】この光磁気記録媒体２１の第１磁性層１、
第２磁性層２、断熱層５、放熱層６、透光性基板１０
は、それぞれ第１実施例と同じである。初期化用磁性層
４は、第２磁性層２よりも高いキュリー温度を有し、消
去用光ビームの照射を受けても磁化を失なわないように
なっている。また、補助磁性層１５は第１磁性層１より
も低く、かつ室温よりも高いキュリー温度を有する。

【００４９】本実施例では、第２磁性層２を初期化用磁
性層４との交換結合力によって初期化するので、第１実
施例で設けられていた初期化磁界発生装置は不要にな
る。なお、断熱層５および放熱層６の効果を有効に引出
すためには、第１磁性層１、第２磁性層２、初期化用磁
性層４、補助磁性層１５の膜厚の総和は１００ｎｍ以下
であることが特に好ましい。さらに第１磁性層１と第２
磁性層２の間に、交換結合の大きさを制御するための適
当な磁性層や非磁性層を挟んでもよい。

【００５０】ここで本発明の効果を検証するために、以
下に示すように、本実施例による光磁気記録媒体（実験
例２）と比較例の媒体（比較実験例２）を作成し、信号
の消去、記録を行なったときの隣接トラックの信号の変
化を比較した。

【００５１】（実験例２）実験例１と同様にして、半径
方向に１.０、１.１、１.２、１.３、１.４、１.５、
１.６μｍと段階的にトラックピッチを変えてプリグル
ーブが刻まれたディスク状基板を用意し、この基板上
に、Ｓｉ₃Ｎ₄を保護膜として７０ｎｍの厚さに設けた。
次に膜厚２０ｎｍのＴｂ_0.2（Ｆｅ_0.92Ｃｏ_0.08）_0.8の
第１磁性層、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.5Ｔｂ_0.5）
_0.25（Ｆｅ_0.7Ｃｏ_0.3）_0.75の第２磁性層、膜厚１０ｎ
ｍのＴｂ_0.25（Ｆｅ_0.95Ｃｏ_0.05）_0.75の補助磁性層、
膜厚２０ｎｍのＴｂ_0.25（Ｆｅ_0.2Ｃｏ_0.8）_0.75の初期
化用磁性層を順次積層した。次にＳｉ₃Ｎ₄を断熱層とし
て７０ｎｍの厚さに設け、Ａｌを放熱層として５０ｎｍ
の厚さに設けた。最後に、上記の膜形成を終えた基板
に、スピンコート法によって紫外線硬化樹脂をコーティ
ングし、光磁気記録媒体を作成した。

【００５２】こうして得られた光磁気記録媒体に、図３
に示した構成の光磁気記録装置を用いて、実験例１と同
様にして、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの各
トラックピッチの領域ごとに１ＭＨｚの信号を記録した
後、各トラックピッチの領域ごとに１トラックだけ５Ｍ
Ｈｚの信号を記録した。消去バイアス磁界Ｈbeは２４０
００Ａ／ｍ、記録バイアス磁界Ｈbwは２４０００Ａ／ｍ
とした。消去用および記録用の光ビームの波長は７８０
ｎｍとし、それらの強度は５ＭＨｚでの信号のＣＮＲが
最大となるように、各トラックピッチの領域ごとに設定
した。対物レンズのＮ.Ａ.は０.５５であった。５ＭＨ
ｚでの記録が行なわれたトラックに隣接するトラックに
記録されている１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変化を調べた
結果、大きい方のトラックピッチから１.１μｍのトラ
ックピッチまで、隣接トラックの情報を破壊することな
く記録が行なえることがわかった。

【００５３】（比較実験例２）断熱層と放熱層を設けな
い以外は実験例２と全く同様の構成の光磁気記録媒体を
比較実験例２として作成した。得られた光磁気記録媒体
に、実験例２と同様に図３に示した構成の光磁気記録装
置を用いて、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの
各トラックピッチの領域ごとに１ＭＨｚの信号を記録し
た後、実験例２と同様に、各トラックピッチの領域ごと
に１トラックだけ５ＭＨｚの信号を記録した。各バイア
ス磁界Ｈbe,Ｈbwの大きさは実験例２と同じにした。消
去用および記録用の光ビームの波長は７８０ｎｍとし、
それらの強度は５ＭＨｚでの信号のＣＮＲが最大となる
ように、各トラックピッチの領域ごとに設定した。対物
レンズのＮ.Ａ.は０.５５であった。５ＭＨｚでの記録
が行なわれたトラックに隣接するトラックに記録されて
いる１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変化を調べた結果、大き
い方のトラックピッチから１.２μｍのトラックピッチ
までしか、隣接トラックの情報を破壊することなく記録
が行なえないことが確認された。

【００５４】《第３実施例》次に、本発明の光磁気記録
方法の第３実施例を図４に基づいて説明する。第２実施
例と異なるのは、使用する媒体の構成である。すなわち
この第３実施例の光磁気記録媒体３１は、透光性基板１
０と第１磁性層１との間にカー効果の大きな第３磁性層
３を設け再生特性を向上させている点で、第２実施例の
媒体と相違する。

【００５５】第３磁性層３は、第１磁性層１のキュリー
温度Ｔ₁より高いキュリー温度Ｔ₃と、保磁力Ｈ₃とを有
し、室温において、Ｈ₃＜σw₃₁／２Ｍs₃ｈ₃（ただし、
σw₃₁は第３磁性層と第１磁性層の間の界面磁壁エネル
ギー、Ｍs₃は第３磁性層の飽和磁気モーメント、ｈ₃は
第３磁性層の膜厚である）を満足するように構成されて
いる。また、第３磁性層３のキュリー温度Ｔ₃は第２磁
性層２のキュリー温度Ｔ₂よりも相対的に高くなってい
る。この光磁気記録媒体３１の他の部分の構成、すなわ
ち第１磁性層１、第２磁性層２、初期化用磁性層４、補
助磁性層１５、断熱層５、放熱層６および透光性基板１
０は、それぞれ第２実施例におけるものと同じである。
本実施例では第２実施例と同じく、第２磁性層２を初期
化用磁性層４との交換結合力によって初期化するので、
第１実施例で設けられていた初期化磁界発生装置は不要
になる。

【００５６】第３磁性層３の材料としては、垂直磁気異
方性を示しかつ比較的大きな磁気光学効果を呈するもの
が利用でき、Ｇｄ-Ｆｅ,Ｇｄ-Ｃｏ,Ｇｄ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｇ
ｄ-Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｄｙ-Ｆｅ−Ｃｏ,Ｇｄ-Ｔｂ-Ｆｅ-
Ｃｏ,Ｇｄ-Ｎｄ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｎｄ-Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｐｒ-
Ｄｙ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｎｄ-Ｔｂ-Ｆｅ-Ｃｏ,Ｔｂ-Ｆｅ-Ｃｏ
等の希土類元素と鉄族元素との非晶質合金が好ましい。
なお第３磁性層３の垂直磁気異方性は比較的小さくなる
ようにすることが好ましい。また、断熱層５および放熱
層６の効果を有効に引出すためには、第１磁性層１、第
２磁性層２、第３磁性層３、初期化用磁性層４および補
助磁性層１５の膜厚の総和は１００ｎｍ以下であること
が特に好ましい。さらに、第１磁性層１と第２磁性層２
の間に、交換結合の大きさを制御するための適当な磁性
層や非磁性層を挟んでもよい。

【００５７】ここで本発明の効果を検証するために、以
下に示すように、本実施例による光磁気記録媒体（実験
例３）と比較例の媒体（比較実験例３−１，３−２）を
作成し、信号の消去、記録を行なったときの隣接トラッ
クの信号の変化を比較した。

【００５８】（実験例３）実験例１と同様にして、半径
方向に１.０、１.１、１.２、１.３、１.４、１.５、
１.６μｍと段階的にトラックピッチを変えてプリグル
ーブが刻まれたディスク状基板を用意し、この基板上に
Ｓｉ₃Ｎ₄を保護膜として７０ｎｍの厚さに設けた。次に
膜厚２０ｎｍのＧｄ_0.25（Ｆｅ_0.7Ｃｏ_0.3）_0.75の第３
磁性層、膜厚２０ｎｍのＴｂ_0.2（Ｆｅ_0.92Ｃｏ_0.08）
_0.8の第１磁性層、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.5Ｔｂ_0.5）
_0.25（Ｆｅ_0.7Ｃｏ_0.3）_0.75の第２磁性層、膜厚１０ｎ
ｍのＴｂ _0.25（Ｆｅ_0.95Ｃｏ_0.05）_0.75の補助磁性層、
膜厚２０ｎｍのＴｂ_0.25（Ｆｅ_0. ₂Ｃｏ_0.8）_0.75の初期
化用磁性層を順次積層した。次にＳｉ₃Ｎ₄を断熱層とし
て５０ｎｍの厚さに設け、Ａｌを放熱層として１００ｎ
ｍの厚さに設けた。最後に、上記の膜形成を終えた基板
に、スピンコート法によって紫外線硬化樹脂をコーティ
ングし、光磁気記録媒体を作成した。

【００５９】こうして得られた光磁気記録媒体に、図４
に示した構成の光磁気記録装置を用いて、実験例１と同
様に、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの各トラ
ックピッチの領域ごとに１ＭＨｚの信号を記録した後、
各トラックピッチの領域ごとに１トラックだけ５ＭＨｚ
の信号を記録した。消去バイアス磁界Ｈbeは２４０００
Ａ／ｍ、記録バイアス磁界Ｈbwは２４０００Ａ／ｍとし
た。消去用および記録用の光ビームの波長は７８０ｎｍ
とし、それらの強度は５ＭＨｚでの信号のＣＮＲが最大
となるように、各トラックピッチの領域ごとに設定し
た。対物レンズのＮ.Ａ.は０.５５であった。５ＭＨｚ
での記録が行なわれたトラックに隣接するトラックに記
録されている１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変化を調べた結
果、大きい方のトラックピッチから１.１μｍのトラッ
クピッチまで、隣接トラックの情報を破壊することなく
記録が行なえることがわかった。

【００６０】（比較実験例３−１）断熱層を設けない以
外は実験例３と全く同様の構成の光磁気記録媒体を比較
実験例３−１として作成した。得られた光磁気記録媒体
に、実験例３と同様に図４に示した構成の光磁気記録装
置を用いて、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの
各トラックピッチの領域ごとに１ＭＨｚの信号を記録し
た後、実験例３と同様にして各トラックピッチの領域ご
とに１トラックだけ５ＭＨｚの信号を記録した。各バイ
アス磁界Ｈbe,Ｈbwの大きさは実験例３と同じにした。
消去用および記録用の光ビームの波長は７８０ｎｍと
し、それらの強度は５ＭＨｚでの信号のＣＮＲが最大と
なるように、各トラックピッチの領域ごとに設定した。
対物レンズのＮ.Ａ.は０.５５であった。５ＭＨｚでの
記録が行なわれたトラックに隣接するトラックに記録さ
れている１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変化を調べた結果、
大きい方のトラックピッチから１.３μｍのトラックピ
ッチまでしか、隣接トラックの情報を破壊することなく
記録が行なえないことが確認された。

【００６１】（比較実験例３−２）初期化用磁性層の膜
厚を５０ｎｍとした以外は実験例３と全く同様の構成の
光磁気記録媒体を比較実験例３−２として作成した。得
られた光磁気記録媒体に、実験例３と同様に図４に示し
た構成の光磁気記録装置を用いて、線速度７.５ｍ／ｓ
で１.０〜１.６μｍの各トラックピッチの領域ごとに１
ＭＨｚの信号を記録した後、実験例３と同様に各トラッ
クピッチの領域ごとに１トラックだけ５ＭＨｚの信号を
記録した。各バイアス磁界Ｈbe,Ｈbwの大きさは実験例
３と同じにした。消去用および記録用の光ビームの波長
は７８０ｎｍとし、それらの強度は５ＭＨｚでの信号の
ＣＮＲが最大となるように、各トラックピッチの領域ご
とに設定した。対物レンズのＮ.Ａ.は０.５５であっ
た。５ＭＨｚでの記録が行なわれたトラックに隣接する
トラックに記録されている１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変
化を調べた結果、大きい方のトラックピッチから１.２
μｍのトラックピッチまでしか隣接トラックの情報を破
壊することなく記録が行なえないことが確認された。

【００６２】《第４実施例》次に、本発明の光磁気記録
方法の第４実施例を図５に基づいて説明する。第３実施
例と異なるのは、使用する媒体の構成である。すなわち
この第４実施例の光磁気記録媒体４１は、第１磁性層１
と第２磁性層２との間に、第１磁性層と第２磁性層との
間の界面磁壁エネルギーσw₁₂を調整するための調整層
１６を設けた点で、第３実施例の媒体と相違する。

【００６３】調整層１６は前出の(2),(3)式を満足する
ようにσw₁₂を調整する。第１磁性層１または第２磁性
層２の膜厚が薄い場合は(2),(3)式を満足するためには
σw₁₂を小さくしなければならない。前述の実験例２,３
などでは、第１磁性層１を形成したのち第２磁性層２を
形成するまでの放置時間の調整によって、(2),(3)式を
満足するように調整していた。これに対し本実施例は、
界面磁壁エネルギーを調整するための層を別に設けて媒
体の作成を容易にしたものである。

【００６４】光磁気記録媒体４１の第１磁性層１、第２
磁性層２、第３磁性層３、初期化用磁性層４、補助磁性
層１５、断熱層５、放熱層６および透光性基板１０は、
それぞれ第３実施例と同じである。この第４実施例で
は、上述の第２実施例と同じく、第２磁性層２を初期化
用磁性層４との交換結合力によって初期化するので、第
１実施例で設けられていた初期化磁界発生装置は不要に
なる。なお、断熱層５および放熱層６の効果を有効に引
出すためには、第１磁性層１、第２磁性層２、第３磁性
層３、初期化用磁性層４、補助磁性層１５、調整層１６
の膜厚の総和は１００ｎｍ以下であることが特に好まし
い。

【００６５】ここで本発明の効果を検証するために、以
下に示すように、本実施例による光磁気記録媒体（実験
例４）と比較例の媒体（比較実験例４）を作成し、信号
の消去、記録を行なったときの隣接トラックの信号の変
化を比較した。

【００６６】（実験例４）実験例１と同様にして、半径
方向に、１.０、１.１、１.２、１.３、１.４、１.５、
１.６μｍと段階的にトラックピッチを変えてプリグル
ーブが刻まれたディスク状基板を用意し、この基板上に
Ｓｉ₃Ｎ₄を保護膜として７０ｎｍの厚さに設けた。次に
膜厚２０ｎｍのＧｄ_0.25（Ｆｅ_0.7Ｃｏ_0.3）_0.75の第３
磁性層、膜厚２０ｎｍのＴｂ_0.2（Ｆｅ_0.92Ｃｏ_0.08）
_0.8の第１磁性層、膜厚１０ｎｍのＧｄ_0.4Ｆｅ_0.58Ｃｒ
_0.02の調整層、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.5Ｔｂ_0.5）_0.25
（Ｆｅ_0.7Ｃｏ_0.3）_0.75の第２磁性層、膜厚１０ｎｍの
Ｔｂ_0.25（Ｆｅ_0.95Ｃｏ_0.05）_0.75の補助磁性層、膜厚
２０ｎｍのＴｂ_0.25（Ｆｅ_0.2Ｃｏ_0.8）_0.75の初期化用
磁性層を順次積層した。次にＳｉ₃Ｎ₄を断熱層として５
０ｎｍの厚さに設け、Ａｌを放熱層として１００ｎｍの
厚さに設けた。最後に、上記の膜形成を終えた基板に、
スピンコート法によって紫外線硬化樹脂をコーティング
し、光磁気記録媒体を作成した。

【００６７】こうして得られた光磁気記録媒体に、図５
に示した構成の光磁気記録装置を用いて、実験例１と同
様に、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの各トラ
ックピッチの領域に１ＭＨｚの信号を記録した後、各ト
ラックピッチの領域に１トラックだけ５ＭＨｚの信号を
記録した。消去バイアス磁界Ｈbeは２４０００Ａ／ｍ、
記録バイアス磁界Ｈbwは２４０００Ａ／ｍとした。消去
用および記録用の光ビームの波長は７８０ｎｍとし、そ
れらの強度は５ＭＨｚでの信号のＣＮＲが最大となるよ
うに、各トラックピッチの領域ごとに設定した。対物レ
ンズのＮ.Ａ.は０.５５であった。５ＭＨｚでの記録が
行なわれたトラックに隣接するトラックに記録されてい
る１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変化を調べた結果、大きい
方のトラックピッチから１.１μｍのトラックピッチま
で、隣接トラックの情報を破壊することなく記録が行な
えることがわかった。

【００６８】（比較実験例４）断熱層を設けない以外は
実験例４と全く同様の構成の光磁気記録媒体を比較実験
例４として作成した。得られた光磁気記録媒体に、実験
例４と同様に図５に示した構成の光磁気記録装置を用い
て、線速度７.５ｍ／ｓで１.０〜１.６μｍの各トラッ
クピッチの領域ごとに１ＭＨｚの信号を記録した後、実
験例４と同様にして各トラックピッチの領域ごとに１ト
ラックだけ５ＭＨｚの信号を記録した。各バイアス磁界
Ｈbe,Ｈbwの大きさは実験例４と同じにした。消去用お
よび記録用の光ビームの波長は７８０ｎｍとし、それら
の強度は５ＭＨｚでの信号のＣＮＲが最大となるよう
に、各トラックピッチの領域ごとに設定した。対物レン
ズのＮ.Ａ.は０.５５であった。５ＭＨｚでの記録が行
なわれたトラックに隣接するトラックに記録されている
１ＭＨｚの信号のＣＮＲの変化を調べた結果、大きい方
のトラックピッチから１.３μｍのトラックピッチまで
しか、隣接トラックの情報を破壊することなく記録が行
なえないことが確認された。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、消去バイ
アス磁界を印加しながら光磁気記録媒体に光ビームを照
射して情報を消去する消去ステップと、消去ステップの
実施後、交換結合により配列すべき向きとは逆の向きに
第２磁性層の磁化の向きを配列させる初期化ステップ
と、記録情報に応じて変調された光ビームを媒体に照射
し、交換結合により配列すべき向きに、光ビームの照射
部位の第１磁性層の磁化の向きを配列させる記録ステッ
プとを設定し、かつ交換結合膜上に断熱層と放熱層とが
順次積層された構造の媒体を使用することにより、光変
調重ね書きが可能な光磁気記録再生装置あるいは光磁気
記録媒体と、重ね書きができない光磁気記録装置で情報
の記録再生の互換性が取れるようになり、かつトラック
ピッチを狭くして大容量化が可能となるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の光磁気記録方法を実施す
るための光磁気記録媒体および光磁気記録装置の構成を
示す図である。

【図２】(A),(B)はそれぞれ第１実施例での消去および
記録の過程を示す図である。

【図３】本発明の第２実施例の光磁気記録方法を実施す
るための光磁気記録媒体および光磁気記録装置の構成を
示す図である。

【図４】本発明の第３実施例の光磁気記録方法を実施す
るための光磁気記録媒体および光磁気記録装置の構成を
示す図である。

【図５】本発明の第４実施例の光磁気記録方法を実施す
るための光磁気記録媒体および光磁気記録装置の構成を
示す図である。

【符号の説明】

１第１磁性層２第２磁性層３第３磁性層４初期化用磁性層５断熱層６放熱層１０透光性基板１１,２１,３１,４１光磁気記録媒体１２光ピックアップ１３バイアス磁界発生装置１４初期化磁界発生装置１５補助磁性層１６調整層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】キュリー温度Ｔ₁と保磁力Ｈ₁を有する第
１磁性層と、前記キュリー温度Ｔ₁より高いキュリー温
度Ｔ₂と前記保磁力Ｈ₁より小さな保磁力Ｈ₂を有する第
２磁性層と、断熱層と、放熱層とを有し、前記第１磁性
層および前記第２磁性層からなる交換結合膜と前記放熱
層との間に前記断熱層が設けられ、室温において、Ｈ₁＞σw₁₂／２Ｍs₁ｈ₁、Ｈ₂＞σw₁₂／２Ｍs₂ｈ₂ （ただし、σw₁₂は第１磁性層と第２磁性層の間の界面
磁壁エネルギー、Ｍs₁は第１磁性層の飽和磁気モーメン
ト、Ｍs₂は第２磁性層の飽和磁気モーメント、ｈ ₁は第
１磁性層の膜厚、ｈ₂は第２磁性層の膜厚である）を満
足する光磁気記録媒体に情報の記録を行なう光磁気記録
方法において、消去バイアス磁界を印加しながら前記光磁気記録媒体に
光ビームを照射して情報を消去する消去ステップと、前記消去ステップの実施後、交換結合により配列すべき
向きとは逆の向きに前記第２磁性層の磁化の向きを配列
させる初期化ステップと、記録情報に応じて変調された光ビームを前記光磁気記録
媒体に照射し、交換結合により配列すべき向きに、前記
変調された光ビームの照射部位の前記第１磁性層の磁化
の向きを配列させる記録ステップと、を有することを特
徴とする光磁気記録方法。
【請求項２】前記第１磁性層および前記第２磁性層が
垂直磁化膜である請求項１に記載の光磁気記録方法。
【請求項３】前記記録ステップが前記消去バイアス磁
界とは逆向きの記録バイアス磁界を前記光磁気記録媒体
の外部から印加しながら行なわれる請求項１に記載の光
磁気記録方法。
【請求項４】前記初期化ステップが、前記光磁気記録
媒体からは独立した初期化磁石により前記光磁気記録媒
体に初期化磁界を印加しながら行なわれる、請求項１に
記載の光磁気記録方法。
【請求項５】前記消去ステップと前記記録ステップで
の光ビームがそれぞれ前記光磁気記録媒体に対して同一
方向から入射し、前記光磁気記録媒体において前記第２
磁性層の前記各光ビームの入射側とは反対の側に初期化
用磁性層が設けられ、前記第２磁性層と前記初期化用磁
性層との交換結合力によって前記初期化ステップが行な
われる請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】前記消去ステップと前記記録ステップで
の光ビームがそれぞれ前記光磁気記録媒体に対して同一
方向から入射し、前記光磁気記録媒体において前記第１
磁性層の前記各光ビームの入射側に、保磁力Ｈ₃と前記
第１磁性層のキュリー温度Ｔ₁より高いキュリー温度Ｔ₃
とを有する第３磁性層が設けられ、室温において、Ｈ₃ ＜ σw₃₁／２Ｍs₃ｈ₃ （ただし、σw₃₁は第３磁性層と第１磁性層の間の界面
磁壁エネルギー、Ｍs₃は第３磁性層の飽和磁気モーメン
ト、ｈ₃は第３磁性層の膜厚である）を満足するように
した請求項１に記載の光磁気記録方法。
【請求項７】前記消去ステップにおける光ビームと前
記記録ステップにおける光ビームとが、同一の光源を用
いて生成される請求項１に記載の光磁気記録方法。