JPH0732501B2 - イオン注入監視制御装置 - Google Patents

イオン注入監視制御装置

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JPH0732501B2
JPH0732501B2 JP61086669A JP8666986A JPH0732501B2 JP H0732501 B2 JPH0732501 B2 JP H0732501B2 JP 61086669 A JP61086669 A JP 61086669A JP 8666986 A JP8666986 A JP 8666986A JP H0732501 B2 JPH0732501 B2 JP H0732501B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はイオン注入装置の監視制御に用いられるイオ
ン注入監視制御装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来のメカニカルスキャン型のイオン注入装置
およびこのメカニカルスキャン型のイオン注入装置を監
視制御するイオン注入監視制御装置の構成の一例を示す
ブロック図である。メカニカルスキャン型のイオン注入
装置は、イオン電流が1mA〜10mA程度の大電流用として
供されているものである。
メカニカルスキャン型のイオン注入装置は、大きく分け
ればイオンを発生するイオン源1と、イオン源1から引
き出されたイオンビーム2から必要なイオン種を選択す
る質量分析器3と、この質量分析器3から出たイオンビ
ーム2を加速する加速管4と、加速管4を出たイオンビ
ーム2をウェハ5に当ててイオン注入を行うエンドステ
ーション6とで構成され、これらの内部は真空となって
いる。イオン源1には、ガスを供給するガスボックス7
と各種電圧,電流を供給するイオン源電源8と、イオン
ビーム2を引き出すための引出し電源9がつながれてい
る。質量分析器3には、質量分析マグネット(図示せ
ず)に給電するための分析マグネット電源10が、加速管
4には、加速電源11がそれぞれつながれている。
イオン源1は、例えば固体オーブン付属の熱陰極PIG型
であって、フィラメント(図示せず)とアーク電極(図
示せず)とソースマグネット(図示せず)とを有し、イ
オン型電源(フィラメント電源,アーク電源,ソースマ
グネット電源,オーブン電源等)8から前記フィラメン
ト,アーク電極,、ソースマグネット等にそれぞれ給電
されることにより、ガスボックス7からアークチャンバ
に供給されるガスをイオン化する。具体的には、アーク
チャンバ内においてフィラメントからの熱電子放出をト
リガとしてアーク放電を行うことによりプラズマを作
る。そして、引き出し電源9から供給される例えば30KV
〜40KVの引き出し電圧によってスリット状のイオン引き
出し電極1aからイオンビーム2を引き出す。このイオン
電源1は、イオン源物質として、ガスだけでなく、固体
(As,P,Sb等)の使用も可能であり、固体を使用する場
合には、固体のイオン源物質を固体オーブンで蒸発させ
てアークチャンバに導くとともに、ガスボックス7から
キャリアガス(Ar等)をアークチャンバに導き、固体イ
オン物質をイオン化する。
ガスボックス7は、上記したイオン源1に接続され、例
えば4個のガスボトル(例えばAr,SiF4,BCl3,PCl等)を
内蔵し、必要なイオン種に対応していずれかの種類のガ
スを選択的にイオン源1へ供給する。
質量分析器3は、分析マグネット電源10から90度偏向の
質量分析マグネットに給電され、イオン源1から引き出
されたイオンビーム2の中から必要なイオン種を選択す
るとともに、質量分析マグネットの磁気集束作用を利用
してイオンビーム2を分析スリット3aに絞り込んで加速
管4へ導く。この質量分析器3が必要であるのは、以下
の理由によるためである。イオン源1から引き出される
イオンの中には不要イオンが混在する場合が多い。例え
ばボロンイオンを引き出す場合、 BF3ガスを使用するが、この場合、必要なボロンイオン
の他にF+,BF+,BF2 +などの不要イオンが生じ、これらの
不要イオンがウェハ5に注入されると具合が悪いためで
ある。
上記質量分析器3は、質量分析マグネットに供給する電
流を調整することにより、必要なボロンイオンが真空チ
ャンバ中で丁度90度偏向されて分析スリット3aに導びか
れ、加速管4に入ることになる。一方、不要イオンは、
ボロンイオンとは質量が異なるため、質量分析器3の真
空チャンバの側壁に当たってそこで吸収される等し、分
析スリット3aには達しない。
加速管4は、例えば絶縁物と金属製電極とを多段に接着
した構造で、各電極には加速電源11から抵抗(図示せ
ず)を通して一定の加速電圧が印加され、イオンビーム
2は前記した引き出し電圧とこの加速電圧とを合わせた
電圧で加速されてエンドステーション6に入ることにな
る。この加速電圧は注入エネルギに応じて設定される。
エンドステーション6は、イオンビーム2を静止させた
ままでディスク12を移動させるメカニカルスキャン式で
ある。ウェハ5はディスク12の円周上に装填され、ウェ
ハ5全面にイオンビーム2が均一に照射されるように、
インダクションモータ13およびステッピングモータ14に
よって、ディスク12が回転しながらビーム領域を並進運
動する。この場合、ディスク12の回転速度は一定である
が、並進運動は、ディスク12の移動速度がディスク12の
外周部と内周部で異なること、およびビーム電流の変動
にかかわらず、注入量をウェハ5全面にわたって均一に
する必要があることから、一定ではなく、並進速度を上
記の変化に応じて制御する必要がある。
また、エンドステーション6は、イオン注入前にウェハ
5をディスク12に装填し、注入終了後にウェハ5をディ
スク12から取り出す。この際、ウェハ5の装填,取り出
しは、エンドステーション6の一部に設けたエアロック
(図示せず)を介して行い、エンドステーション6およ
びその前段の真空状態は保持するようにしている。
つぎに、上記したメカニカルスキャン型のイオン注入装
置を監視制御するイオン注入監視制御装置について説明
する。このイオン注入監視制御装置は、エンドステーシ
ョンコントローラ15,用役コントローラ16,注入コントロ
ーラ19,加速カントローラ20,マスコントローラ21,イオ
ン源コントローラ26,引き出し電圧コントローラ27,ガス
セレクトコントローラ28等から構成されている。
用役コントローラ16は、真空系の制御および装置の状態
監視を行うもので、真空計23,バルブ24,引出系やビーム
ラインのための真空ポンプ25,その他リミットスイッチ
などが接続され、真空ポンプ25やバルブ24のシーケンス
制御を行うとともに、真空度のデータおよびその他各種
用役の状態監視を行う。
イオン源コントローラ26は、イオン源1におけるプラズ
マ発生のコントローラで、イオン源1のパラメータ(フ
ィラメント電圧,アーク電圧,ソースマグネット電流
等)を変化させるようになっている。
ガスセレクトコントローラ28はイオン源1におけるプラ
ズマ発生のためのガス試料選択を行う。
マスコントローラ21は所望のマス値のイオンビーム2を
得ることができるように質量分析器3に与える分析マグ
ネット電流の調整を行う。
具体的には、マス値に応じて質量分析器3に与える分析
マグネット電流を設定し、引き出し電圧コントローラ27
によって設定した引き出し電圧と上記分析マグネット電
流とから演算したマス値を引き出し電圧コントローラ27
に表示させる。なお、この際、マスコントローラ21は、
分析マグネット電流をビーム電流が最大となるように制
御して必要なイオンが常に分析マグネット3aに達するよ
うにする。
加速コントローラ20は、必要な加速エネルギに応じて加
速電圧を設定する。
注入コントローラ19は、ドーズ量,ウェハサイズ等の制
御条件のデータをもとにしてディスク12の並進運動をス
テッピングモータドライバ29を経由して制御することに
よりウェハ5全面に均一にイオン注入がなされるように
し、かつビーム電流を変換器30でデジタル変換したもの
を入力して、ビーム電流を積分し、この積分値がウェハ
サイズおよびドーズ量によって決まる値に達したときに
イオン注入を停止させる。
エンドステーションコントローラ15は、ウェハハンドリ
ングの制御を行うもので、例えばエアロックの真空度を
測定する真空計31,光センサ32からの信号をもとに真空
ポンプ33,バルブ34等の制御を行う。なお、このエンド
ステーションコントローラ15と、用役コントローラ16と
注入コントローラ19とは相互にインタロックがかけられ
ている。
テレメータ35は、大地側と高電圧部36と間のデータの送
受信を行うもので、大地側ユニットと高電圧部側ユニッ
トとは絶縁するための光ファイバ等で接続している。
このような従来装置においては、エンドステーションコ
ントローラ15,用役コントローラ16,注入コントローラ1
9,加速コントローラ20,マスコントローラ21,イオン源コ
ントローラ26,引き出し電圧コントローラ28等に操作器
および表示器を設け、すなわち、操作器および表示器を
分散配置し、各操作器および表示器によってイオン注入
装置の監視制御を行っていたため、操作性が悪く、大形
化するという問題があった。
このような問題を解消するために第4図に示すようなイ
オン注入監視制御装置が既に提案されている。
このイオン注入監視制御装置は、マンマシンコントロー
ラ51と、3台の系統制御用コントローラ52,53,54と、伝
送部55〜60と、伝送線61,62,63と、集中監視制御器64と
から構成され、マンマシンコントローラ51と系統制御用
コントローラ52〜54とが伝送部55〜60および伝送線61〜
63を介して接続され、マンマシンコントローラ51と集中
監視制御器64とが集中監視制御用伝送線65を介して接続
され、各系統制御用コントローラ52〜54にはイオン注入
装置を構成する各種要素機器(後述)が接続されてい
る。
用役系統の系統制御用コントローラ54には、真空計や各
種リミットスイッチなどの測定器72や、バルブ73、引き
出し系やビームラインのための真空ポンプ74等が接続さ
れている。この系統制御用コントローラ54により、イオ
ン注入装置の真空ポンプやバルブのシーケンス制御およ
び電源や各種用役の状態監視を行う。このイオン注入監
視制御装置は、自動と手動のモードを備えており、自動
時には、この系統制御用コントローラ54のみでシーケン
ス制御を行うことができ、手動時には、マンマシンコン
トローラ51からこの系統制御用コントローラ54を経由し
てイオン注入装置を制御することができる。イオン注入
装置の状態は、適当なタイミングで伝送線63上に乗せら
れ、他の系統制御用コントローラ52,53,マンマシンコン
トローラ51がこれを読み込む。
エンドステーション系統の系統制御用コントローラ53に
は、ウェハハンドリングのための光センサ75,真空ポン
プ76,バルブ77およびモータ78等が接続されている。こ
の系統制御用コントローラ53によりウェハのハンドリン
グを制御する。自動時には、この系統制御用コントロー
ラ53のみで制御を行うことができる。この場合、系統制
御用コントローラ54からの情報によりタイミングを決定
する。手動時には、マンマシンコントローラ51からこの
系統制御用コントローラ53を経由してウェハのハンドリ
ングを制御することができる。イオン注入装置の状態
(例えば、ウェハの処理状況等)は、適当なタイミング
で伝送線62上に乗せられ、他のコントローラ(主として
マンマシンコントローラ51)がこれを読み込む。
ビーム系統の系統制御用コントローラ58には、テレメー
タ79や真空計等の測定器81等が接続されている。テレメ
ータ79には、イオン源電源,引き出し電源、分析マグネ
ット電源,加速電源等の各種の電源80が接続されてい
る。この系統制御用コントローラ52により、測定器のデ
ータの読み込み、電源のパラメータの読み込み、電源の
パラメータ制御を行う信号の出力等が行われる。読み込
まれたデータは、伝送線61に乗せられてマンマシンコン
トローラ51に渡される。また、パラメータ制御信号はマ
ンマシンコントローラ51から送られてくる。
この系統制御用コントローラ52には、ウェハディスク駆
動機構のためのステッピングモータ83を駆動するステッ
ピングモータ82やビーム電流をA/D変換する変換器84が
接続されている。この系統制御用コントローラ61によ
り、ビーム電流に基づいてウェハの装填されたディスク
の並進速度の制御が行なわれる。
マンマシンコントローラ51は、CPU(中央処理装置)お
よびフロッピディスク装置等を備えており、CRT表示装
置およびキーボード等からなる集中監視制御器64によっ
て設定されたイオン注入のための種々の制御条件(加速
エネルギ,ビーム量,ドーズ量,イオン種,ウェハサイ
ズ等)を記憶するとともに、この制御条件のデータを各
系統制御用コントローラ52〜54へ送り、また系統制御用
コントローラ52〜54からの監視データを読み込み、これ
を集中監視制御器64へ送って各種監視データを表示させ
る。
また、マンマシンコントローラ51は、集中監視制御器64
のCRT画面上に操作のガイダンスを表示し、集中監視制
御器64におけるファンクションキー,テンキーなどのキ
ーにより操作を行う。また、自動運転時には、イオン源
の立ち上げ,ビーム引き出し,ビーム集束等の調整制御
のための制御信号を伝送線61〜63に乗せて系統制御用コ
ントローラ52〜54に与える。例えばその制御信号に基づ
き各電源等に制御信号を与える。さらに、マンマシンコ
ントローラ64は、必要に応じてホストコンピュータとの
通信を行い、外部からの条件設定の読込み、イオン注入
装置の処理情報の送信等を行う。これはユーザ側のEDP
のためのものである。
つぎに、前述したマンマシンコントローラ51,および系
統制御用コントローラ52〜54と伝送部55〜57とについて
説明する。
第5図は、コントローラ90および伝送部91を示すブロッ
ク図である。コントローラ90は前述したマンマシンコン
トローラ51,系統制御用コントローラ52〜54を一般的に
示したものであり、伝送部91は前述した伝送部55〜60を
一般的に示したものである。コントローラ90は、互いに
接続されたCPU90A、メモリ90BおよびI/Oインターフェー
ス90Cを備える。I/Oインターフェース90Cには、前述し
た各種の要素機器が接続される。伝送部91は、互いに接
続された受信部91A、送信部91Bおよびインターフェース
部91Cを備える。インターフェース部91Cには、伝送線92
が接続されている。
受信部91Aは、伝送線92から情報送られてきたらこれを
取り込み、コントローラ90に送る。一方送信部91Bは、
コントローラ90からの送信情報を読み取りこの送信情報
を伝送線92へ送出する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記した既提案例のイオン注入監視制御装置は、集中監
視制御を行うため、集中監視制御装置64で一括して設定
動作を行い、集中監視制御装置64で設定したデータをマ
ンマシンコントローラ51へ送り、マンマシンコントロー
ラ51から各系統制御用ントローラ52〜54へ伝送部55〜60
および伝送線61〜63を通して送り、各系統制御用コント
ローラ52〜53から客死要素機器(電源80等)へ送り、ま
た、各要素機器(測定器81等)からの監視データを各系
統制御用コントローラ52〜54で集め、各系統制御用コン
トローラ52〜54から伝送部55〜60および伝送部61〜63を
通してマンマシンコントローラ51へ送り、マンマシンコ
ントローラ51から集中監視制御器64へ送って監視データ
を表示させるようにしていた。
ところが、このような集中監視制御は、前記した従来例
の欠点を解消できるものではあるが、集中監視制御器64
から各系統制御用コントローラ52〜54までの間に、マン
マシンコントローラ51,伝送部55〜60および伝送線61〜6
3が介在するため、集中監視制御器64の操作によって設
定された各種データが系統制御用コントローラ52〜54へ
伝わるまでにかなり時間を要し、また、系統制御用コン
トローラ52〜54から出力される監視データが集中監視制
御器64に表示されるまでにかなり時間を要することにな
り、監視制御の応答性が悪いという問題があった。
したがって、例えばオペレータが集中監視制御器64のCR
T画面を見ながらキーボードを操作することにより、例
えば引き出し電圧を監視しながら引き出し電圧の手動調
整を行う場合に上記したように監視制御の応答性が悪い
ため、この手動調整が容易でなかった。
この発明の目的は、必要なときには監視制御の応答性を
良くすることができるイオン注入監視制御装置を提供す
ることである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明のイオン注入監視制御装置は、イオン注入のた
めの複数系統の制御を与えられた制御条件に基づいてそ
れぞれ局部的に分散して行うとともに複数系統の監視デ
ータをそれぞれ取り込んで出力する複数の系統制御用コ
ントローラと、前記複数の系統制御用コントローラに対
する制御条件を前記複数の系統制御用コントローラにそ
れぞれ与えるとともに前記複数の系統制御用コントロー
ラから出力された監視データを取り込むマンマシンコン
トローラと、前記複数の系統制御用コントローラおよび
マンマシンコントローラにそれぞれ設けられた伝送部
と、これらの伝送部間に接続されて前記制御条件および
監視データの前記複数の系統制御用コントローラおよび
マンマシンコントローラ間での授受を行わせる伝送線
と、前記制御条件を設定するとともに前記監視データを
表示する集中監視制御器と、前記複数の系統制御用コン
トローラからそれぞれ引き出されて前記集中監視制御器
との間で前記制御条件および監視データの授受を行う複
数の個別監視制御用伝送線と、前記マンマシンコントロ
ーラから引き出されて前記集中監視制御器との間で前記
制御条件および監視データの授受を行う集中監視制御用
伝送線と、前記複数の個別監視制御用伝送線および集中
監視制御用伝送線のいずれか一つを選択的に前記集中監
視制御器につなぐ伝送線切替器とを備えている。
〔作用〕
この発明の構成によれば、複数の系統制御用コントロー
ラから複数の個別監視制御用伝送線を引き出し、マンマ
シンコントローラから引き出した集中監視制御用伝送線
とともに伝送線切替器に接続し、伝送線切替器に集中監
視制御器を接続し、伝送線切替器によって集中監視制御
用伝送線および個別監視制御用伝送線のいずれか一つを
選択的に集中監視制御器につなぐようにしたため、応答
性を良くする必要がある場合には、伝送線切替器によっ
て系統制御用コントローラと集中監視制御器とをつなぐ
ようにすれば、応答性を良くすることができる。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第1図および第2図に基づいて説
明する。このイオン注入監視制御装置は、第1図に示す
ように、複数の系統制御用コントローラ52〜54と、マン
マシンコントローラ51と、伝送部55〜60と、伝送線61〜
63と、集中監視制御器64と、複数の個別監視制御用伝送
線66〜68と、集中監視制御用伝送線65とを備えている。
この場合において、複数の系統制御用コントローラ52〜
54は、イオン注入のための複数系統の制御を与えられた
制御条件に基づいてそれぞれ局部的に分散して行うとと
もに複数系統の監視データをそれぞれ取り込んで出力す
るように構成されており、マンマシンコントローラ51
は、前記複数の系統制御用コントローラ52〜54に対する
制御条件を前記複数の系統制御用コントローラ52〜54に
それぞれ与えるとともに前記複数の系統制御用コントロ
ーラ52〜54から出力された監視データを取り込むように
構成されている。
伝送部55〜60は、前記複数の系統制御用コントローラ52
〜54およびマンマシンコントローラ51にそれぞれ設けら
れ、これらの伝送部52〜54間に接続された伝送線61〜63
が前記制御条件および監視データの前記複数の系統制御
用コントローラ52〜54およびマンマシンコントローラ51
間での授受を行わせることになる。
集中監視制御器64は、CRT表示装置およびキーボード等
からなり、制御条件を設定するとともに前記監視データ
を表示するようになっている。
複数の個別監視制御用伝送線66〜68は、前記複数の系統
制御用コントローラ52〜54からそれぞれ引き出されて前
記集中監視制御器64との間で前記制御条件および監視デ
ータの授受を行い、集中監視制御用伝送線65は、マンマ
シンコントローラ51から引き出されて前記集中監視制御
器64との間で前記制御条件および監視データの授受を行
う。
伝送線切替器69は、前記複数の個別監視制御用伝送線66
〜68および集中監視制御用伝送線65のいずれか一つを選
択的に前記集中監視制御器64につなぐようになってい
る。
このイオン注入監視制御装置は、第4図のものと比べ
て、各系統制御用コントローラ52〜54から個別監視制御
用伝送線66〜68を引き出し、マンマシンコントローラ64
から引き出した集中監視制御用伝送線65とともに伝送線
切替器69に接続し、伝送線切替器69に集中監視制御器64
および伝送線選択器70を接続した点が相違する。
伝送線切替器69および伝送線選択器70は具体的には、第
2図のように構成される。すなわち、伝送線切替器69
は、スリーステートバッファB11,B12,B21,B22,B31,B32
とからなり、伝送線選択器70はセレクトスイッチSW等か
らなり、セレクトスイッチSWを例えばaの位置にする
と、スリーステートバッファB11,B12が導通し、マンマ
シンコントローラ51と集中監視制御器64とがつながり、
セレクトスイッチSWを例えばbの位置にすると、スリー
ステートバッファB21,B22が導通し、系統制御用コント
ローラ52と集中監視制御器64とがつながり、セレクトス
イッチSWを例えばcの位置にするとスリーステートバッ
ファB31,B32が導通し、系統制御用コントローラ54と集
中監視制御器64とがつながる。なお、この図では、集中
監視制御用伝送線65および個別監視制御用伝送線66〜68
は、制御用伝送線と監視用伝送線とを分けて書いてい
る。
このように構成すると、例えば引き出し電圧の測定値を
見ながら引き出し電圧を手動調整する場合、伝送線切替
器70を操作して伝送線切替器69により系統制御用コント
ローラ52と集中監視制御器64とをつないでおくと、集中
監視制御器64によって例えば引き出し電圧の上昇を指令
した場合、この信号が集中監視制御器64から伝送線切替
器69,個別監視制御用伝送線66を通して系統制御用コン
トローラ52へ入り、引き出し電圧の測定値は上記と逆の
経路で集中監視制御器64へ入ることになる。
なお、その他の構成および作用は第4図のものと同じで
ある。
この実施例のイオン注入監視制御装置は、系統制御用コ
ントローラ52〜54から個別監視制御用伝送線66〜68を引
き出し、マンマシンコントローラ51から引き出した集中
監視制御用伝送線65とともに伝送線切替器69を接続し、
伝送線切替器69に集中監視制御器64を接続し、伝送線選
択器70による選択によって集中監視制御用伝送線65およ
び個別監視制御用伝送線66〜68のいずれか一つを選択的
に集中監視制御器64につなぐようにしたため、例えば引
き出し電圧の手動調整時のように応答性を良くする必要
がある場合には、伝送線選択器70を操作して系統制御用
コントローラ52と集中監視制御器64とをつなぐようにす
れば、応答性を良くすることができ、その調整を容易に
行うことができる。
なお、この発明はイオン注入装置の形式には全く制限さ
れず、例えば静電スキャン型のイオン注入装置にも、こ
の発明を適用できる。また、手動調整の項目としては、
引き出し電圧だけでなく、各種電圧,電流等が考えられ
る。
〔発明の効果〕
この発明のイオン注入監視制御装置によれば、複数の系
統制御用コントローラから複数の個別監視制御用伝送線
を引き出し、マンマシンコントローラから引き出した集
中監視制御用伝送線とともに伝送線切替器に接続し、伝
送線切替器に集中監視制御器を接続し、伝送線切替器に
よって集中監視制御用伝送線および個別監視制御用伝送
線のいずれか一つを選択的に集中監視制御器につなぐよ
うにしたため、応答性を良くする必要がある場合には、
伝送線切替器によって系統制御用コントローラと集中監
視制御器とをつなぐようにすれば、応答性を良くするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
は第1図の要部の具体的なブロック図、第3図は従来例
を示すブロック図、第4図は既提案例を示すブロック
図、第5図は第4図の要部の具体的なブロック図であ
る。 51……マンマシンコントローラ、52〜54……系統制御用
コントローラ、55〜60……伝送部、61〜63……伝送線、
64……集中監視制御器、65……集中監視制御用伝送線、
66〜68……個別監視制御用伝送線、69……伝送線切替器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】イオン注入のための複数系統の制御を与え
    られた制御条件に基づいてそれぞれ局部的に分散して行
    うとともに複数系統の監視データをそれぞれ取り込んで
    出力する複数の系統制御用コントローラと、前記複数の
    系統制御用コントローラに対する制御条件を前記複数の
    系統制御用コントローラにそれぞれ与えるとともに前記
    複数の系統制御用コントローラから出力された監視デー
    タを取り込むマンマシンコントローラと、前記複数の系
    統制御用コントローラおよびマンマシンコントローラに
    それぞれ設けられた伝送部と、これらの伝送部間に接続
    されて前記制御条件および監視データの前記複数の系統
    制御用コントローラおよびマンマシンコントローラ間で
    の授受を行わせる伝送線と、前記制御条件を設定すると
    ともに前記監視データを表示する集中監視制御器と、前
    記複数の系統制御用コントローラからそれぞれ引き出さ
    れて前記集中監視制御器との間で前記制御条件および監
    視データの授受を行う複数の個別監視制御用伝送線と、
    前記マンマシンコントローラから引き出されて前記集中
    監視制御器との間で前記制御条件および監視データの授
    受を行う集中監視制御用伝送線と、前記複数の個別監視
    制御用伝送線および集中監視制御用伝送線のいずれか一
    つを選択的に前記集中監視制御器につなぐ伝送線切替器
    とを備えたイオン注入監視制御装置。
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