JPH0793124B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0793124B2 JPH0793124B2 JP61234195A JP23419586A JPH0793124B2 JP H0793124 B2 JPH0793124 B2 JP H0793124B2 JP 61234195 A JP61234195 A JP 61234195A JP 23419586 A JP23419586 A JP 23419586A JP H0793124 B2 JPH0793124 B2 JP H0793124B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェハへイオンを注入するイオン注
入装置に関するものである。
入装置に関するものである。
第４図は従来の静電スキャン型のイオン注入装置の一例
の構成を示している。この静電スキャン型のイオン注入
装置は、イオン注入装置本体Ｉ′と、このイオン注入装
置本体Ｉ′を監視制御するイオン注入監視制御部II′と
で構成され、イオン注入監視制御部II′とイオン注入装
置本体Ｉ′との間で制御信号および監視信号の受け渡し
を行うようになっている。
の構成を示している。この静電スキャン型のイオン注入
装置は、イオン注入装置本体Ｉ′と、このイオン注入装
置本体Ｉ′を監視制御するイオン注入監視制御部II′と
で構成され、イオン注入監視制御部II′とイオン注入装
置本体Ｉ′との間で制御信号および監視信号の受け渡し
を行うようになっている。
イオン注入装置本体Ｉ′は、イオン源1,質量分析器3,加
速管4,エンドステーション６を主要要素として構成さ
れ、高電位部25には、上記の他に、ガスボックス7,イオ
ン源電8,引出電源9,マグネット電源10,テレメータ22が
設置され、大地部24には、上記の他に加速電源11,Qレン
ズ電源14,走査電源15,スキャンモード，スポットモード
の選択を行う注入モード選択部16,エンドステーション
制御部17,真空制御部18,インタロック部19,信号中継局2
0,テレメータ21が設置されている。
速管4,エンドステーション６を主要要素として構成さ
れ、高電位部25には、上記の他に、ガスボックス7,イオ
ン源電8,引出電源9,マグネット電源10,テレメータ22が
設置され、大地部24には、上記の他に加速電源11,Qレン
ズ電源14,走査電源15,スキャンモード，スポットモード
の選択を行う注入モード選択部16,エンドステーション
制御部17,真空制御部18,インタロック部19,信号中継局2
0,テレメータ21が設置されている。
また、イオン注入監視制御部II′は、操作部31,表示部3
2,テレメータ33を含んで構成される。
2,テレメータ33を含んで構成される。
イオン注入監視制御部II′とイオン注入装置本体Ｉ′と
の間は、光ファイバケーブルと導電ケーブルとで接続さ
れている。具体的には、電位的に問題のないイオン注入
監視制御部II′とイオン注入装置本体Ｉ′の大地部24内
の加速電源11,Qレンズ電源14,走査電源15,注入モード選
択部16,エンドステーション制御部17,真空制御部18,信
号中継局20との間は導電ケーブルで接続している。ま
た、大きな電位差があるイオン注入監視制御部II′と高
電位部25のガスボックス7,イオン源電源8,引出電源9,マ
グネット電源10との間はテレメータ33,22を介して光フ
ァイバケーブルで接続している。また、大地部24のテレ
メータ21は、イオン注入監視制御部II′に対し導電ケー
ブルで接続され、高電位部25のイオン源電源8,引出電源
9,マグネット電源10に対し光ファイバケーブルで接続さ
れている。また、テレメータ22は、引出電源9,マグネッ
ト電源10に導電ケーブルで接続されている。
の間は、光ファイバケーブルと導電ケーブルとで接続さ
れている。具体的には、電位的に問題のないイオン注入
監視制御部II′とイオン注入装置本体Ｉ′の大地部24内
の加速電源11,Qレンズ電源14,走査電源15,注入モード選
択部16,エンドステーション制御部17,真空制御部18,信
号中継局20との間は導電ケーブルで接続している。ま
た、大きな電位差があるイオン注入監視制御部II′と高
電位部25のガスボックス7,イオン源電源8,引出電源9,マ
グネット電源10との間はテレメータ33,22を介して光フ
ァイバケーブルで接続している。また、大地部24のテレ
メータ21は、イオン注入監視制御部II′に対し導電ケー
ブルで接続され、高電位部25のイオン源電源8,引出電源
9,マグネット電源10に対し光ファイバケーブルで接続さ
れている。また、テレメータ22は、引出電源9,マグネッ
ト電源10に導電ケーブルで接続されている。
なお、ガスボックス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネ
ット電源10には、テレメータ21,33にそれぞれ対応する
テレメータが内蔵されている。
ット電源10には、テレメータ21,33にそれぞれ対応する
テレメータが内蔵されている。
このイオン注入装置においては、イオン注入監視制御部
II′の操作部31の各種スイッチの操作による制御信号
は、イオン注入装置本体Ｉ′の高電位部25のガスボック
ス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10へはテ
レメータ33,21,22により光信号に変換されて伝送され、
監視信号は逆の経路で同様に光信号に変換されて伝送さ
れる。また、イオン注入監視制御部II′から大地部24の
加速電源11,Qレンズ電源14,走査電源15,注入モード選択
部16,エンドステーション制御部17,真空制御部18,イン
タロック部19等へ送られる制御信号は電気信号で送ら
れ、また監視信号は、逆の経路で同様に電気信号で送ら
れる。
II′の操作部31の各種スイッチの操作による制御信号
は、イオン注入装置本体Ｉ′の高電位部25のガスボック
ス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10へはテ
レメータ33,21,22により光信号に変換されて伝送され、
監視信号は逆の経路で同様に光信号に変換されて伝送さ
れる。また、イオン注入監視制御部II′から大地部24の
加速電源11,Qレンズ電源14,走査電源15,注入モード選択
部16,エンドステーション制御部17,真空制御部18,イン
タロック部19等へ送られる制御信号は電気信号で送ら
れ、また監視信号は、逆の経路で同様に電気信号で送ら
れる。
そして、このような制御信号の伝送によって、ガスボッ
クス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10,加
速電源11等に内蔵された電磁弁，電磁リレー等を駆動し
て、例えばガスボックス７の特定のガス供給を開始した
り、その量を調整したり、あるいは引出電源９の投入遮
断，マグネット電源10の投入遮断，電流加減等を行い、
また、イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10等の
各種電圧、電流値等の監視信号をイオン注入監視制御部
II′へ送り、表示部32でそれを表示する。
クス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10,加
速電源11等に内蔵された電磁弁，電磁リレー等を駆動し
て、例えばガスボックス７の特定のガス供給を開始した
り、その量を調整したり、あるいは引出電源９の投入遮
断，マグネット電源10の投入遮断，電流加減等を行い、
また、イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10等の
各種電圧、電流値等の監視信号をイオン注入監視制御部
II′へ送り、表示部32でそれを表示する。
このような従来のイオン注入装置は、イオン注入装置本
体Ｉ′とイオン注入監視制御部II′との間で１種類の制
御信号または監視信号に対し一つの伝送路を使用する単
純な伝送方式で制御信号および監視信号の伝送を行って
いたため、イオン注入装置本体Ｉ′とイオン注入監視制
御部II′とを接続するケーブル本数が膨大であって、シ
ステム信頼性が低く、またメインテナンスを困難なもの
としていた。
体Ｉ′とイオン注入監視制御部II′との間で１種類の制
御信号または監視信号に対し一つの伝送路を使用する単
純な伝送方式で制御信号および監視信号の伝送を行って
いたため、イオン注入装置本体Ｉ′とイオン注入監視制
御部II′とを接続するケーブル本数が膨大であって、シ
ステム信頼性が低く、またメインテナンスを困難なもの
としていた。
この発明の目的は、イオン注入装置本体とイオン注入監
視制御部との間のケーブル本数を少くしてシステム信頼
性を向上させるとともにメインテナンスを容易にするこ
とができるイオン注入装置を提供することである。
視制御部との間のケーブル本数を少くしてシステム信頼
性を向上させるとともにメインテナンスを容易にするこ
とができるイオン注入装置を提供することである。
この発明のイオン注入装置は、イオン注入装置本体とイ
オン注入監視制御部との間で制御信号および監視信号の
受け渡しを行うイオン注入装置において、 前記イオン注入監視制御部に制御信号送信用および監視
信号受信用の多重伝送親器とこの多重伝送親器に接続さ
れる親器側光入出力ユニットとを内蔵し、 前記イオン注入装置本体に制御信号受信用および監視信
号送信用の多重伝送子器とこの多重伝送子器に接続され
る子器側光入出力ユニットとを複数組分散して内蔵し、
かつ少なくとも１組の多重伝送子器および子器側光入出
力ユニットは前記イオン注入装置本体の高電位部に配置
し、 前記イオン注入監視制御部の親器側光入出力ユニットと
前記イオン注入装置本体の一つの子器側光入出力ユニッ
トとを光ファイバケーブルで接続し、前記複数の子器側
光入出力ユニットを子器間光ファイバケーブルで接続し
たことを特徴とする。
オン注入監視制御部との間で制御信号および監視信号の
受け渡しを行うイオン注入装置において、 前記イオン注入監視制御部に制御信号送信用および監視
信号受信用の多重伝送親器とこの多重伝送親器に接続さ
れる親器側光入出力ユニットとを内蔵し、 前記イオン注入装置本体に制御信号受信用および監視信
号送信用の多重伝送子器とこの多重伝送子器に接続され
る子器側光入出力ユニットとを複数組分散して内蔵し、
かつ少なくとも１組の多重伝送子器および子器側光入出
力ユニットは前記イオン注入装置本体の高電位部に配置
し、 前記イオン注入監視制御部の親器側光入出力ユニットと
前記イオン注入装置本体の一つの子器側光入出力ユニッ
トとを光ファイバケーブルで接続し、前記複数の子器側
光入出力ユニットを子器間光ファイバケーブルで接続し
たことを特徴とする。
この発明の構成によれば、イオン注入監視制御部に多重
伝送親器および親器側光入出力ユニットを内蔵し、イオ
ン注入装置本体に多重伝送子器および子器側光入出力ユ
ニットを複数組分散して内蔵し、かつ少なくとも１組の
多重伝送子器および子器側光入出力ユニットはイオン注
入装置本体の高電位部に配置し、親器側光入出力ユニッ
トおよび子器側光入出力ユニットを光ファイバケーブル
で接続し、複数の子器側光入出力ユニットを子器間光フ
ァイバケーブルで接続し、イオン注入監視制御部とイオ
ン注入装置本体との間で、制御信号および監視信号を多
重化しかつ光信号に変換して受け渡しを行うため、光フ
ァイバケーブルは制御信号用と監視信号用との２本でよ
く、イオン注入監視制御部とイオン注入装置本体と接続
するケーブル本数を２本ですませることができ、従来に
比べて大幅なケーブル本数の削減が可能となり、システ
ム信頼性を向上させることができ、またメインテナンス
を容易にすることができる。また、光信号で伝送するの
で、電位の大きく異なる箇所に信号伝送を行う場合で
も、電気的絶縁を確保できて安全性が高く、かつ外来ノ
イズにも影響されにくく、この点でも信頼性が高い。
伝送親器および親器側光入出力ユニットを内蔵し、イオ
ン注入装置本体に多重伝送子器および子器側光入出力ユ
ニットを複数組分散して内蔵し、かつ少なくとも１組の
多重伝送子器および子器側光入出力ユニットはイオン注
入装置本体の高電位部に配置し、親器側光入出力ユニッ
トおよび子器側光入出力ユニットを光ファイバケーブル
で接続し、複数の子器側光入出力ユニットを子器間光フ
ァイバケーブルで接続し、イオン注入監視制御部とイオ
ン注入装置本体との間で、制御信号および監視信号を多
重化しかつ光信号に変換して受け渡しを行うため、光フ
ァイバケーブルは制御信号用と監視信号用との２本でよ
く、イオン注入監視制御部とイオン注入装置本体と接続
するケーブル本数を２本ですませることができ、従来に
比べて大幅なケーブル本数の削減が可能となり、システ
ム信頼性を向上させることができ、またメインテナンス
を容易にすることができる。また、光信号で伝送するの
で、電位の大きく異なる箇所に信号伝送を行う場合で
も、電気的絶縁を確保できて安全性が高く、かつ外来ノ
イズにも影響されにくく、この点でも信頼性が高い。
第１図はこの発明の一実施例のイオン注入装置の構成を
示している。このイオン注入装置は、イオン注入装置本
体Ｉと、このイオン注入装置本体Ｉを監視制御するイオ
ン注入監視制御部IIとで構成され、イオン注入監視制御
部IIとイオン注入装置本体Ｉとの間で制御信号および監
視信号の受け渡しを行うようになっている。
示している。このイオン注入装置は、イオン注入装置本
体Ｉと、このイオン注入装置本体Ｉを監視制御するイオ
ン注入監視制御部IIとで構成され、イオン注入監視制御
部IIとイオン注入装置本体Ｉとの間で制御信号および監
視信号の受け渡しを行うようになっている。
イオン注入監視制御部IIは、制御信号送信用および監視
信号受信用の多重伝送親器41とこの多重伝送親器41に接
続される親器側光入出力ユニット42とを内蔵している。
信号受信用の多重伝送親器41とこの多重伝送親器41に接
続される親器側光入出力ユニット42とを内蔵している。
また、前記イオン注入装置本体Ｉに制御信号受信用およ
び監視信号送信用の多重伝送子器51,53,55とこの多重伝
送子器51,53,55に接続される子器側光入出力ユニット5
2,54,56を内蔵している。
び監視信号送信用の多重伝送子器51,53,55とこの多重伝
送子器51,53,55に接続される子器側光入出力ユニット5
2,54,56を内蔵している。
そして、前記イオン注入監視制御部IIの親器側光入出力
ユニット42と前記イオン注入装置本体Ｉの子器側光入出
力ユニット52とを光ファイバケーブル61で接続し、子器
側光入出力ユニット52,54,56の相互間は子器間光ファイ
バケーブル62,63で接続している。また、多重伝送親器4
1と親器側光入出力ユニット42の間および多重伝送子器5
1,53,55と子器側光入出力ユニット52,54,56の間は導電
ケーブルで接続している。
ユニット42と前記イオン注入装置本体Ｉの子器側光入出
力ユニット52とを光ファイバケーブル61で接続し、子器
側光入出力ユニット52,54,56の相互間は子器間光ファイ
バケーブル62,63で接続している。また、多重伝送親器4
1と親器側光入出力ユニット42の間および多重伝送子器5
1,53,55と子器側光入出力ユニット52,54,56の間は導電
ケーブルで接続している。
なお、光ファイバケーブル61および子器間光ファイバケ
ーブル62,63は、２芯（往路，復路）のものが使用され
ている。また、多重伝送子器51,53,55は、分散配置して
イオン注入装置本体Ｉの制御対象，監視対象の位置に各
々近接させており、子器側光入出力ユニット52,54,56も
それらの近傍に設置している。
ーブル62,63は、２芯（往路，復路）のものが使用され
ている。また、多重伝送子器51,53,55は、分散配置して
イオン注入装置本体Ｉの制御対象，監視対象の位置に各
々近接させており、子器側光入出力ユニット52,54,56も
それらの近傍に設置している。
第２図はこのイオン注入装置（静電スキャン型）の詳細
な構成図を示している。以下、この図に基づいて詳しく
説明する。
な構成図を示している。以下、この図に基づいて詳しく
説明する。
イオン注入装置本体Ｉは、イオンを発生するイオン源１
と、イオン源１から引き出されたイオンビーム２から必
要なイオン種を選択する質量分析器３と、この質量分析
器３から出たイオンビーム２を加速する加速管４と、加
速管４を出たイオンビーム２をウェハ５に当ててイオン
注入を行うエンドステーション６を主要要素として構成
され、これらの内部は真空となっている。イオン源１に
は、ガスを供給するガスボックス７と各種電圧，電流を
供給するイオン源電源８と、イオンビーム２を引き出す
ための引出電源９がつながれている。質量分析器３に
は、質量分析マグネット（図示せず）に給電するための
分析マグネット電源10が、加速管４には、加速電源11が
それぞれつながれている。
と、イオン源１から引き出されたイオンビーム２から必
要なイオン種を選択する質量分析器３と、この質量分析
器３から出たイオンビーム２を加速する加速管４と、加
速管４を出たイオンビーム２をウェハ５に当ててイオン
注入を行うエンドステーション６を主要要素として構成
され、これらの内部は真空となっている。イオン源１に
は、ガスを供給するガスボックス７と各種電圧，電流を
供給するイオン源電源８と、イオンビーム２を引き出す
ための引出電源９がつながれている。質量分析器３に
は、質量分析マグネット（図示せず）に給電するための
分析マグネット電源10が、加速管４には、加速電源11が
それぞれつながれている。
イオン源１は、例えば固体オーブン付属の熱陰極PIG型
であって、フィラメント（図示せず）とアーク電極（図
示せず）とソースマグネット（図示せず）とを有し、イ
オン源電源（フィラメント電源，アーク電源，ソースマ
グネット電源，オーブン電源等）８からフィラメント，
アーク電極、ソースマグネット等にそれぞれ給電される
ことにより、ガスボックス７からアークチャンバに供給
されるガスをイオン化する。具体的には、フィラメント
からの熱電子放出をトリガとしてアーク放電を行うこと
によりプラズマを作る。そして、引出電源９から供給さ
れる引出電圧によってスリット状のイオン引き出し口1a
からイオンビーム２を引き出す。なお、ソースマグネッ
トはアークの走行距離を長くするためにアークチャンバ
に磁界を印加する。
であって、フィラメント（図示せず）とアーク電極（図
示せず）とソースマグネット（図示せず）とを有し、イ
オン源電源（フィラメント電源，アーク電源，ソースマ
グネット電源，オーブン電源等）８からフィラメント，
アーク電極、ソースマグネット等にそれぞれ給電される
ことにより、ガスボックス７からアークチャンバに供給
されるガスをイオン化する。具体的には、フィラメント
からの熱電子放出をトリガとしてアーク放電を行うこと
によりプラズマを作る。そして、引出電源９から供給さ
れる引出電圧によってスリット状のイオン引き出し口1a
からイオンビーム２を引き出す。なお、ソースマグネッ
トはアークの走行距離を長くするためにアークチャンバ
に磁界を印加する。
このイオン源１は、イオン源物質として、ガスだけでな
く、固体（As,P,Sb等）の使用も可能であり、固体を使
用する場合には、固体のイオン源物質を固体オーブンで
蒸発させてアークチャンバに導くとともに、ガスボック
ス７からキャリアガス（Ar等）をアークチャンバに導
き、固体イオン源物質をイオン化する。
く、固体（As,P,Sb等）の使用も可能であり、固体を使
用する場合には、固体のイオン源物質を固体オーブンで
蒸発させてアークチャンバに導くとともに、ガスボック
ス７からキャリアガス（Ar等）をアークチャンバに導
き、固体イオン源物質をイオン化する。
ガスボックス７は、上記したイオン源１に接続され、例
えば４個のガスボトル（例えば、Ar,SiF4,BCl3,PCl等）
を内蔵し、必要なイオン種に対応していずれかの種類の
ガスを選択的にイオン源１へ供給する。
えば４個のガスボトル（例えば、Ar,SiF4,BCl3,PCl等）
を内蔵し、必要なイオン種に対応していずれかの種類の
ガスを選択的にイオン源１へ供給する。
質量分析器３は、分析マグネット電源10から90度偏向の
質量分析マグネットに給電され、イオン源１から引き出
されたイオンビーム２の中から必要なイオン種を選択す
るとともに、質量分析マグネットの磁気集束作用を利用
してイオンビーム２を加速管４へ導く。
質量分析マグネットに給電され、イオン源１から引き出
されたイオンビーム２の中から必要なイオン種を選択す
るとともに、質量分析マグネットの磁気集束作用を利用
してイオンビーム２を加速管４へ導く。
加速管４は、例えば絶縁物と金属製電極とを多段に接着
した構造で、各電極には加速電源11から抵抗（図示せ
ず）を通して一定の加速電圧が印加され、イオンビーム
２は前記した引出電圧とこの加速電圧とを合わせた電圧
で加速されてエンドステーション６に入ることになる。
この加速電圧は注入エネルギに応じて設定される。
した構造で、各電極には加速電源11から抵抗（図示せ
ず）を通して一定の加速電圧が印加され、イオンビーム
２は前記した引出電圧とこの加速電圧とを合わせた電圧
で加速されてエンドステーション６に入ることになる。
この加速電圧は注入エネルギに応じて設定される。
加速管４を出たイオンビーム２は、エンドステーション
６へ入るまでにＱレンズ12によって集束され、さらに走
査電極13によって走査され、エンドステーション６内の
ウェハ５の全面にスキャン照射される。Ｑレンズ12へ
は、Ｑレンズ電源14から給電され、走査電極13へは走査
電極15から給電される。このＱレンズ電源14および走査
電源15はＱレンズ／スイープコントロール部26によって
コントロールされる。
６へ入るまでにＱレンズ12によって集束され、さらに走
査電極13によって走査され、エンドステーション６内の
ウェハ５の全面にスキャン照射される。Ｑレンズ12へ
は、Ｑレンズ電源14から給電され、走査電極13へは走査
電極15から給電される。このＱレンズ電源14および走査
電源15はＱレンズ／スイープコントロール部26によって
コントロールされる。
エンドステーション５は、エンドステーション制御部17
によって、ウェハ５の出し入れ等がコントロールされ
る。また、真空系統、すなわち真空ポンプ等は、真空制
御部18によってコントロールされる。
によって、ウェハ５の出し入れ等がコントロールされ
る。また、真空系統、すなわち真空ポンプ等は、真空制
御部18によってコントロールされる。
インタロック部19は、例えば冷却水が流れなくなって温
度が異常上昇したときに、運転を停止させて安全を確保
する機能を有する。
度が異常上昇したときに、運転を停止させて安全を確保
する機能を有する。
27は第１図の多重伝送子器51および子器側光入出力ユニ
ット52からなる子器ブロックを含む信号中継局、28は第
１図の多重伝送子器53および子器側光入出力ユニット54
からなる子器ブロックである。また、ガスボックス７に
は、第１図における多重伝送子器55および子器側光入出
力ユニット56からなる子器ブロックが内蔵されている。
イオン源電源８には、テレメータが内蔵されており、光
ファイバケーブルで子器ブロック28と接続される。23は
絶縁変圧器、24は大地部、25は高電位部である。
ット52からなる子器ブロックを含む信号中継局、28は第
１図の多重伝送子器53および子器側光入出力ユニット54
からなる子器ブロックである。また、ガスボックス７に
は、第１図における多重伝送子器55および子器側光入出
力ユニット56からなる子器ブロックが内蔵されている。
イオン源電源８には、テレメータが内蔵されており、光
ファイバケーブルで子器ブロック28と接続される。23は
絶縁変圧器、24は大地部、25は高電位部である。
このイオン注入装置本体Ｉにおいては、光ファイバケー
ブル61を通して送られた光信号は、信号中継局27から子
器ブロック28を通してガスボックス7,イオン源電源８内
の子器ブロックへ送られるが、各子器ブロックにおい
て、光信号を電気信号に変換し、さらに個々の制御信号
を復元し、イオン源１の各種電圧，電流，引出電圧、マ
グネット電流等を制御信号に基づいて復元する。この場
合、制御信号は、その種類毎にチャンネル割付されてお
り、例えば信号中継局27に内蔵された子器ブロックで
は、それにつながったＱレンズ／スイープコントロール
部26,真空制御部18,エンドステーション制御部17等に対
応するチャンネルの制御信号のみ復元する。同様に子器
ブロック28では、引出電源9,マグネット電源10に対応し
たチャンネルの制御信号のみ復元する。ガスボックス７
に関しても同様である。
ブル61を通して送られた光信号は、信号中継局27から子
器ブロック28を通してガスボックス7,イオン源電源８内
の子器ブロックへ送られるが、各子器ブロックにおい
て、光信号を電気信号に変換し、さらに個々の制御信号
を復元し、イオン源１の各種電圧，電流，引出電圧、マ
グネット電流等を制御信号に基づいて復元する。この場
合、制御信号は、その種類毎にチャンネル割付されてお
り、例えば信号中継局27に内蔵された子器ブロックで
は、それにつながったＱレンズ／スイープコントロール
部26,真空制御部18,エンドステーション制御部17等に対
応するチャンネルの制御信号のみ復元する。同様に子器
ブロック28では、引出電源9,マグネット電源10に対応し
たチャンネルの制御信号のみ復元する。ガスボックス７
に関しても同様である。
また、監視信号については、詳しくは説明しないが、各
部で得られたものが子器ブロックでチャンネル割付され
て多重化され、さらに光信号に変換され、制御信号とは
逆にイオン注入監視制御部IIへ送られることになる。
部で得られたものが子器ブロックでチャンネル割付され
て多重化され、さらに光信号に変換され、制御信号とは
逆にイオン注入監視制御部IIへ送られることになる。
一方、イオン注入監視制御部IIは、オンオフスイッチ等
からなる操作部31と、ランプ等からなる表示部32と、第
１図に示したところの多重伝送親器41と親器側光入出力
ユニット42とを含んで構成され、操作部31はイオン注入
装置本体Ｉを制御するための制御信号を作り、表示部32
はイオン注入装置本体Ｉから送られた監視信号の状態を
表示する。上記の制御信号は、多重伝送親器41によって
多重化され、さらに親器側光入出力ユニット42によって
光信号に変換されて光ファイバケーブル61へ送られる。
また、光ファイバケーブル61を通して送られた光信号
は、親器側光入出力ユニット42で電気信号に変換され、
さらに多重伝送親器41でもって個別の監視信号に復元さ
れて表示部32へ送られる。
からなる操作部31と、ランプ等からなる表示部32と、第
１図に示したところの多重伝送親器41と親器側光入出力
ユニット42とを含んで構成され、操作部31はイオン注入
装置本体Ｉを制御するための制御信号を作り、表示部32
はイオン注入装置本体Ｉから送られた監視信号の状態を
表示する。上記の制御信号は、多重伝送親器41によって
多重化され、さらに親器側光入出力ユニット42によって
光信号に変換されて光ファイバケーブル61へ送られる。
また、光ファイバケーブル61を通して送られた光信号
は、親器側光入出力ユニット42で電気信号に変換され、
さらに多重伝送親器41でもって個別の監視信号に復元さ
れて表示部32へ送られる。
そして、このような制御信号の伝送によって、ガスボッ
クス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10,加
速電源11等に内蔵された電磁弁，電磁リレー等を駆動し
て、例えばガスボックス７の特定のガス供給を開始した
り、その量を調整したり、あるいは引出電源９の投入遮
断，マグネット電源10の投入遮断、電流加減等を行い、
また、イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10等の
各種電圧，電流値等の監視信号をイオン注入監視制御部
IIへ送り、表示部32でそれを表示する。
クス7,イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10,加
速電源11等に内蔵された電磁弁，電磁リレー等を駆動し
て、例えばガスボックス７の特定のガス供給を開始した
り、その量を調整したり、あるいは引出電源９の投入遮
断，マグネット電源10の投入遮断、電流加減等を行い、
また、イオン源電源8,引出電源9,マグネット電源10等の
各種電圧，電流値等の監視信号をイオン注入監視制御部
IIへ送り、表示部32でそれを表示する。
第３図は、イオン注入監視制御部IIの具体的構成を示
し、41AはCPU、41BはCPUインタフェースであり、これら
はプログラマブルコントローラとして構成され、各種シ
ーケンス動作（オンオフ，インタロック等）を行うとと
もに、多重伝送親器41として機能する。
し、41AはCPU、41BはCPUインタフェースであり、これら
はプログラマブルコントローラとして構成され、各種シ
ーケンス動作（オンオフ，インタロック等）を行うとと
もに、多重伝送親器41として機能する。
この実施例のイオン注入装置は、イオン注入監視制御部
IIに多重伝送親器41および親器側光入出力ユニット42を
内蔵し、イオン注入装置本体Ｉに多重伝送子器51,53,55
および子器側光入出力ユニット52,54,56を分散して内蔵
し、かつ少なくとも１組の多重伝送子器および子器側光
入出力ユニットはイオン注入装置本体Ｉの高電位部に配
置し、親器側光入出力ユニット42および子器側光入出力
ユニット52を光ファイバケーブル61で接続し、複数の子
器側光入出力ユニット52,54,56を子器間光ファイバケー
ブル62,63で接続し、イオン注入監視制御部IIとイオン
注入装置本体Ｉとの間で、制御信号および監視信号を多
重化しかつ光信号に変換して受け渡しを行うため、光フ
ァイバケーブル61は制御信号用と監視信号用との２本で
よく、イオン注入監視制御部IIとイオン注入装置本体１
と接続するケーブル本数を２本ですませることができ、
従来に比べて大幅なケーブル本数の削減が可能となり、
システム信頼性を向上させることができ、またメインテ
ナンスを容易にすることができる。また、光信号で伝送
するので、電位の大きく異なる箇所に信号伝送を行う場
合でも、電気的絶縁を確保できて安全性が高く、かつ外
来ノイズにも影響されにくく、この点でも信頼性が高
い。
IIに多重伝送親器41および親器側光入出力ユニット42を
内蔵し、イオン注入装置本体Ｉに多重伝送子器51,53,55
および子器側光入出力ユニット52,54,56を分散して内蔵
し、かつ少なくとも１組の多重伝送子器および子器側光
入出力ユニットはイオン注入装置本体Ｉの高電位部に配
置し、親器側光入出力ユニット42および子器側光入出力
ユニット52を光ファイバケーブル61で接続し、複数の子
器側光入出力ユニット52,54,56を子器間光ファイバケー
ブル62,63で接続し、イオン注入監視制御部IIとイオン
注入装置本体Ｉとの間で、制御信号および監視信号を多
重化しかつ光信号に変換して受け渡しを行うため、光フ
ァイバケーブル61は制御信号用と監視信号用との２本で
よく、イオン注入監視制御部IIとイオン注入装置本体１
と接続するケーブル本数を２本ですませることができ、
従来に比べて大幅なケーブル本数の削減が可能となり、
システム信頼性を向上させることができ、またメインテ
ナンスを容易にすることができる。また、光信号で伝送
するので、電位の大きく異なる箇所に信号伝送を行う場
合でも、電気的絶縁を確保できて安全性が高く、かつ外
来ノイズにも影響されにくく、この点でも信頼性が高
い。
なお、上記実施例は、静電スキャン型のイオン注入装置
にこの発明を適用したものであるが、メカニカルスキャ
ン型のものにもこの発明を適用できる。
にこの発明を適用したものであるが、メカニカルスキャ
ン型のものにもこの発明を適用できる。
この発明のイオン注入装置によれば、イオン注入監視制
御部に多重伝送親器および親器側光入出力ユニットを内
蔵し、イオン注入装置本体に多重伝送子器および子器側
光入出力ユニットを複数組分散して内蔵し、かつ少なく
とも１組の多重伝送子器および子器側光入出力ユニット
はイオン注入装置本体の高電位部に配置し、親器側光入
出力ユニットおよび子器側光入出力ユニットを光ファイ
バケーブルで接続し、複数の子器側光入出力ユニットを
子器間光ファイバケーブルで接続し、イオン注入監視制
御部とイオン注入装置本体との間で、制御信号および監
視信号を多重化しかつ光信号に変換して受け渡しを行う
ため、光ファイバケーブルは制御信号用と監視信号用と
の２本でよく、イオン注入監視制御部とイオン注入装置
本体と接続するケーブル本数を２本ですませることがで
き、従来に比べて大幅なケーブル本数の削減が可能とな
り、システム信頼性を向上させることができ、またメイ
ンテナンスを容易にすることができる。また、光信号で
伝送するので電位の大きく異なる箇所に信号伝送を行う
場合でも、電気絶縁を確保できて安全性が高く、かつ外
来ノイズにも影響されにくく、この点でも信頼性が高
い。
御部に多重伝送親器および親器側光入出力ユニットを内
蔵し、イオン注入装置本体に多重伝送子器および子器側
光入出力ユニットを複数組分散して内蔵し、かつ少なく
とも１組の多重伝送子器および子器側光入出力ユニット
はイオン注入装置本体の高電位部に配置し、親器側光入
出力ユニットおよび子器側光入出力ユニットを光ファイ
バケーブルで接続し、複数の子器側光入出力ユニットを
子器間光ファイバケーブルで接続し、イオン注入監視制
御部とイオン注入装置本体との間で、制御信号および監
視信号を多重化しかつ光信号に変換して受け渡しを行う
ため、光ファイバケーブルは制御信号用と監視信号用と
の２本でよく、イオン注入監視制御部とイオン注入装置
本体と接続するケーブル本数を２本ですませることがで
き、従来に比べて大幅なケーブル本数の削減が可能とな
り、システム信頼性を向上させることができ、またメイ
ンテナンスを容易にすることができる。また、光信号で
伝送するので電位の大きく異なる箇所に信号伝送を行う
場合でも、電気絶縁を確保できて安全性が高く、かつ外
来ノイズにも影響されにくく、この点でも信頼性が高
い。
【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の一実施例のブロック図、第２図はそ
の詳細なブロック図、第３図はイオン注入監視制御部の
具体構成を示すブロック図、第４図は従来例のブロック
図である。 Ｉ……イオン注入装置本体、II……イオン注入監視制御
部、41……多重伝送親器、42……親器側光入出力ユニッ
ト、51,53,55……多重伝送子器、52,54,56……子器側光
入出力ユニット、61……光ファイバケーブル、62,63…
…子器間光ファイバケーブル
の詳細なブロック図、第３図はイオン注入監視制御部の
具体構成を示すブロック図、第４図は従来例のブロック
図である。 Ｉ……イオン注入装置本体、II……イオン注入監視制御
部、41……多重伝送親器、42……親器側光入出力ユニッ
ト、51,53,55……多重伝送子器、52,54,56……子器側光
入出力ユニット、61……光ファイバケーブル、62,63…
…子器間光ファイバケーブル
Claims (1)
- 【請求項１】イオン注入装置本体とイオン注入監視制御
部との間で制御信号および監視信号の受け渡しを行うイ
オン注入装置において、 前記イオン注入監視制御部に制御信号送信用および監視
信号受信用の多重伝送親器とこの多重伝送親器に接続さ
れる親器側光入出力ユニットとを内蔵し、 前記イオン注入装置本体に制御信号受信用および監視信
号送信用の多重伝送子器とこの多重伝送子器に接続され
る子器側光入出力ユニットとを複数組分散して内蔵し、
かつ少なくとも１組の多重伝送子器および子器側光入出
力ユニットは前記イオン注入装置本体の高電位部に配置
し、 前記イオン注入監視制御部の親器側光入出力ユニットと
前記イオン注入装置本体の一つの子器側光入出力ユニッ
トとを光ファイバケーブルで接続し、前記複数の子器側
光入出力ユニットを子器間光ファイバケーブルで接続し
たことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234195A JPH0793124B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61234195A JPH0793124B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388745A JPS6388745A (ja) | 1988-04-19 |
| JPH0793124B2 true JPH0793124B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=16967171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61234195A Expired - Lifetime JPH0793124B2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793124B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0633348U (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-28 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置 |
| JP4587733B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法および機能素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605644A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多重通信方式 |
| JPS60137156A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Nec Corp | 光ル−プ分散形交換機 |
| JPS60254546A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-16 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置用制御装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61234195A patent/JPH0793124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6388745A (ja) | 1988-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
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