JPH07325105A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
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- JPH07325105A JPH07325105A JP6142499A JP14249994A JPH07325105A JP H07325105 A JPH07325105 A JP H07325105A JP 6142499 A JP6142499 A JP 6142499A JP 14249994 A JP14249994 A JP 14249994A JP H07325105 A JPH07325105 A JP H07325105A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 梁折れ検知精度の向上を図ること。
【構成】 シリコン基板14をエッチング等により加工し
て枠状の支持部12に梁部11を介して片持ち状に支持され
る重り部13を設ける。梁部11には重り部13の変位により
加速度を検出するピエゾ抵抗15を形成する。シリコン基
板14の上，下面側に梁部11及び重り部13の一部を経由し
て支持部12まで延長する損傷検知用の第１，第２の導体
路18，21をそれぞれ設ける。第２の導体路21は導体部23
及びコンタクトホール24を介してシリコン基板14の上面
に導出する。
て枠状の支持部12に梁部11を介して片持ち状に支持され
る重り部13を設ける。梁部11には重り部13の変位により
加速度を検出するピエゾ抵抗15を形成する。シリコン基
板14の上，下面側に梁部11及び重り部13の一部を経由し
て支持部12まで延長する損傷検知用の第１，第２の導体
路18，21をそれぞれ設ける。第２の導体路21は導体部23
及びコンタクトホール24を介してシリコン基板14の上面
に導出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車等の車両の加速
度や圧力を検出する半導体センサに関するものである。
度や圧力を検出する半導体センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】かかる半導体センサを加速度センサとし
て利用した従来の技術として、例えばTRANS. Vol. ED-2
6 DEC. 1979. "A Batch-Fabricated Silicon Accelerom
eter"に開示され、図５に示すように、シリコン基板１
をエッチング等により加工して支持部２及び、この支持
部２から薄肉の梁部３を介して連続する厚肉の重り部４
を設けるとともに、梁部３上面に複数のピエゾ抵抗５を
ブリッジ回路を構成するように形成し、重り部４が加速
度により変位して梁部３が撓んだ時、その応力でピエゾ
抵抗５の抵抗値が変化し、この抵抗値変化によって加速
度を検出するものや、例えば実開平５−５２７６３号公
報に開示され、図６に示すように、シリコン基板１をエ
ッチング等により加工して支持部２及び、この支持部２
から薄肉の梁部３を介して連続する厚肉の重り部４を設
け、この重り部４の下面に可動電極６を形成するととも
に、この可動電極６と対向する静止電極７を有するガラ
ス等からなる基板８をシリコン基板１に接合して両電極
６，７間にギャップを設け、重り部４が加速度により変
位した時、重り部４の変位量に応じて両電極６，７間の
ギャップ量が変化し、静電容量が変化することにより加
速度を検出するものが知られている。
て利用した従来の技術として、例えばTRANS. Vol. ED-2
6 DEC. 1979. "A Batch-Fabricated Silicon Accelerom
eter"に開示され、図５に示すように、シリコン基板１
をエッチング等により加工して支持部２及び、この支持
部２から薄肉の梁部３を介して連続する厚肉の重り部４
を設けるとともに、梁部３上面に複数のピエゾ抵抗５を
ブリッジ回路を構成するように形成し、重り部４が加速
度により変位して梁部３が撓んだ時、その応力でピエゾ
抵抗５の抵抗値が変化し、この抵抗値変化によって加速
度を検出するものや、例えば実開平５−５２７６３号公
報に開示され、図６に示すように、シリコン基板１をエ
ッチング等により加工して支持部２及び、この支持部２
から薄肉の梁部３を介して連続する厚肉の重り部４を設
け、この重り部４の下面に可動電極６を形成するととも
に、この可動電極６と対向する静止電極７を有するガラ
ス等からなる基板８をシリコン基板１に接合して両電極
６，７間にギャップを設け、重り部４が加速度により変
位した時、重り部４の変位量に応じて両電極６，７間の
ギャップ量が変化し、静電容量が変化することにより加
速度を検出するものが知られている。
【０００３】そして上述した図５，図６の加速度センサ
にあっては、シリコン基板１の薄肉である梁部３に大き
な応力が集中するため、梁部３やその周辺部分にひび割
れが生じたり、梁部３が折れてしまいやすく、このよう
に梁部３が機械的に損傷してしまうと加速度の正確な検
出ができなくなってしまうため、図７に示すように、シ
リコン基板１表面に梁部３を経て支持部２まで連続する
アルミニウム等の導電性金属層からなる導電路９を引き
回し形成し、この導電路９が梁部３の損傷に伴い破断す
るよう構成し、導電路９が破断して不導通状態となるこ
とにより、梁部３の損傷を検知できるよう構成した半導
体センサが知られている（例えば特公平５−５８１４０
号公報，特公平１−１６３６３７号公報参照）。
にあっては、シリコン基板１の薄肉である梁部３に大き
な応力が集中するため、梁部３やその周辺部分にひび割
れが生じたり、梁部３が折れてしまいやすく、このよう
に梁部３が機械的に損傷してしまうと加速度の正確な検
出ができなくなってしまうため、図７に示すように、シ
リコン基板１表面に梁部３を経て支持部２まで連続する
アルミニウム等の導電性金属層からなる導電路９を引き
回し形成し、この導電路９が梁部３の損傷に伴い破断す
るよう構成し、導電路９が破断して不導通状態となるこ
とにより、梁部３の損傷を検知できるよう構成した半導
体センサが知られている（例えば特公平５−５８１４０
号公報，特公平１−１６３６３７号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来例は、導電路９が破断しないと損傷を検知すること
ができないために、梁部３の受けた損傷が片面側のみに
留まった状態のとき、例えば導電路９の形成されない梁
部３の裏面側からひび割れが生じ、このひび割れが梁部
３表面側の導電路９まで到達しない状態（ハーフクラッ
ク）であるときは、導電路９は破断せず、したがって梁
部３の損傷を検知することができないという問題があ
る。
従来例は、導電路９が破断しないと損傷を検知すること
ができないために、梁部３の受けた損傷が片面側のみに
留まった状態のとき、例えば導電路９の形成されない梁
部３の裏面側からひび割れが生じ、このひび割れが梁部
３表面側の導電路９まで到達しない状態（ハーフクラッ
ク）であるときは、導電路９は破断せず、したがって梁
部３の損傷を検知することができないという問題があ
る。
【０００５】本発明はこの点に着目してなされたもの
で、その主な目的は、梁部に片面側のみの損傷が生じた
場合あってもこれを検知し、損傷検知精度を高めること
が可能な半導体センサを提供しようとするものである。
で、その主な目的は、梁部に片面側のみの損傷が生じた
場合あってもこれを検知し、損傷検知精度を高めること
が可能な半導体センサを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持部から梁
部を介して連続形成される重り部を有するシリコン基板
からなり、前記重り部の変位により外力を検出する半導
体センサにおいて、前記梁部の上，下面側に前記梁部の
損傷を検知する導体路を形成したものである。
部を介して連続形成される重り部を有するシリコン基板
からなり、前記重り部の変位により外力を検出する半導
体センサにおいて、前記梁部の上，下面側に前記梁部の
損傷を検知する導体路を形成したものである。
【０００７】また本発明は前記構成において、前記梁部
に前記重り部の変位により外力を検出するピエゾ抵抗を
備え、このピエゾ抵抗の外側に前記上面側の導体路を引
き回し形成したものである。
に前記重り部の変位により外力を検出するピエゾ抵抗を
備え、このピエゾ抵抗の外側に前記上面側の導体路を引
き回し形成したものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、損傷検知用の導体路が梁部の
上，下面側双方に形成されることにより、ハーフクラッ
ク等片面側のみの損傷であっても、梁部の損傷に伴い
上，下面側のいづれかの導体路が破断されるため、梁部
の損傷が検知される。
上，下面側双方に形成されることにより、ハーフクラッ
ク等片面側のみの損傷であっても、梁部の損傷に伴い
上，下面側のいづれかの導体路が破断されるため、梁部
の損傷が検知される。
【０００９】また本発明によれば、上面側の導体路がピ
エゾ抵抗の外側に引き回し形成されることにより、ピエ
ゾ抵抗が損傷する前に上面側の導体路が破断されるた
め、梁部の損傷が早期に検知される。
エゾ抵抗の外側に引き回し形成されることにより、ピエ
ゾ抵抗が損傷する前に上面側の導体路が破断されるた
め、梁部の損傷が早期に検知される。
【００１０】
【実施例】以下、図１〜図４に基づき本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例による加速度セン
サ（半導体センサ）の概要を示す要部断面図である。図
１において加速度センサは、選択的なエッチングにより
溝部10及び薄肉の梁部11が形成され、枠状の支持部12に
梁部11を介して連続する厚肉の重り部13を片持ち状に支
持するＮ型シリコン基板14と、このシリコン基板14の梁
部11にブリッジ回路を構成するよう形成されたピエゾ抵
抗15とを備え、重り部13に加わる加速度により梁部11が
撓んだとき、その応力によってピエゾ抵抗15の抵抗値が
変化するようになっている。またシリコン基板14の上，
下側にはガラス等の絶縁材料からなる一対の上，下スト
ッパ16，17が固着されており、これらストッパ16，17
は、重り部13の上下方向への変位を規制することによ
り、過大な加速度に対する梁部11の応力破壊を防止する
ものである。そして前記ブリッジ回路にはリード線15ａ
が接続され、ピエゾ抵抗15の抵抗値変化を外部へ出力す
るようになっている。
サ（半導体センサ）の概要を示す要部断面図である。図
１において加速度センサは、選択的なエッチングにより
溝部10及び薄肉の梁部11が形成され、枠状の支持部12に
梁部11を介して連続する厚肉の重り部13を片持ち状に支
持するＮ型シリコン基板14と、このシリコン基板14の梁
部11にブリッジ回路を構成するよう形成されたピエゾ抵
抗15とを備え、重り部13に加わる加速度により梁部11が
撓んだとき、その応力によってピエゾ抵抗15の抵抗値が
変化するようになっている。またシリコン基板14の上，
下側にはガラス等の絶縁材料からなる一対の上，下スト
ッパ16，17が固着されており、これらストッパ16，17
は、重り部13の上下方向への変位を規制することによ
り、過大な加速度に対する梁部11の応力破壊を防止する
ものである。そして前記ブリッジ回路にはリード線15ａ
が接続され、ピエゾ抵抗15の抵抗値変化を外部へ出力す
るようになっている。
【００１２】図２は図１に示したシリコン基板14の基板
面を示す平面図であり、図２（ａ）はシリコン基板14の
上面を、図２（ｂ）はシリコン基板14の下面をそれぞれ
示している。図２（ａ）においてシリコン基板14の上面
には、ピエゾ抵抗15の外側を囲むように梁部11の平面方
向両側端部及び重り部13の一部を経由して支持部12まで
延びる一本の連続した導電路からなる第１の導体路18が
アルミ等の導電性材料により引き回し形成され、その延
長端には支持部12上に位置して２つの第１の端子部19，
20が一体に形成されている。また図２（ｂ）においてシ
リコン基板14の下面側表層内部には、梁部11の平面方向
両側端部及び重り部13の一部を経由して支持部12までに
延びる拡散層からなる第２の導体路21が形成され、この
第２の導体路21は、図３に示すようにトレンチ部22を通
じて上面側からシリコン基板14の内部に拡散形成された
中継接続用の導体部23及びコンタクトホール24を介して
シリコン基板14上面に形成されたアルミ等の導電性材料
からなる配線部25に接続され、この配線部25の端部には
支持部12上に位置して２つの第２の端子部26，27（図２
（ａ）参照）が一体に形成されている。なお、図２，図
３ではピエゾ抵抗15周辺部の配線構造を省略して示して
いる。
面を示す平面図であり、図２（ａ）はシリコン基板14の
上面を、図２（ｂ）はシリコン基板14の下面をそれぞれ
示している。図２（ａ）においてシリコン基板14の上面
には、ピエゾ抵抗15の外側を囲むように梁部11の平面方
向両側端部及び重り部13の一部を経由して支持部12まで
延びる一本の連続した導電路からなる第１の導体路18が
アルミ等の導電性材料により引き回し形成され、その延
長端には支持部12上に位置して２つの第１の端子部19，
20が一体に形成されている。また図２（ｂ）においてシ
リコン基板14の下面側表層内部には、梁部11の平面方向
両側端部及び重り部13の一部を経由して支持部12までに
延びる拡散層からなる第２の導体路21が形成され、この
第２の導体路21は、図３に示すようにトレンチ部22を通
じて上面側からシリコン基板14の内部に拡散形成された
中継接続用の導体部23及びコンタクトホール24を介して
シリコン基板14上面に形成されたアルミ等の導電性材料
からなる配線部25に接続され、この配線部25の端部には
支持部12上に位置して２つの第２の端子部26，27（図２
（ａ）参照）が一体に形成されている。なお、図２，図
３ではピエゾ抵抗15周辺部の配線構造を省略して示して
いる。
【００１３】そして第１の端子部19，20及び第２の端子
部26，27を通じて第１の導体路18並びに第２の導体路21
には、所定量の電流が供給され、通常時にはこれら導体
路18，21が通電状態となるようにし、梁部11あるいは重
り部13に折れやひび割れが発生した損傷時にはその損傷
に伴い第１の導体路18もしくは第２の導体路21のいづれ
か、あるいは第１の導体路18及び第２の導体路21の双方
が破断して不導通状態となるようにしており、このよう
に第１の導体路18あるいは第２の導体路21の破断により
梁部11付近の損傷を検知する構成となっている。
部26，27を通じて第１の導体路18並びに第２の導体路21
には、所定量の電流が供給され、通常時にはこれら導体
路18，21が通電状態となるようにし、梁部11あるいは重
り部13に折れやひび割れが発生した損傷時にはその損傷
に伴い第１の導体路18もしくは第２の導体路21のいづれ
か、あるいは第１の導体路18及び第２の導体路21の双方
が破断して不導通状態となるようにしており、このよう
に第１の導体路18あるいは第２の導体路21の破断により
梁部11付近の損傷を検知する構成となっている。
【００１４】図４は図１から図３に示した加速度センサ
の製造方法の一例を示す説明図であり、まずＮ型シリコ
ン基板14の上面に所定領域を除いてＳｉＯ2 からなる酸
化膜28を形成し、この酸化膜28を除いた領域にボロンの
拡散等により第２の導体路21を形成する（図４
（ａ））。
の製造方法の一例を示す説明図であり、まずＮ型シリコ
ン基板14の上面に所定領域を除いてＳｉＯ2 からなる酸
化膜28を形成し、この酸化膜28を除いた領域にボロンの
拡散等により第２の導体路21を形成する（図４
（ａ））。
【００１５】つぎにシリコン基板14の上面にＮ型エピタ
キシャル層（以下、エピ層という）14ａを成長形成する
（図４（ｂ））。
キシャル層（以下、エピ層という）14ａを成長形成する
（図４（ｂ））。
【００１６】つぎに第２の導体路21の端部上方に位置す
るエピ層14ａの上面にレジスト（図示しない）をパター
ン形成し、このレジストを除いた領域を例えばフッ硝酸
からなるエッチング液にて部分的に取り除いてトレンチ
部22を形成する（図４（ｃ））。
るエピ層14ａの上面にレジスト（図示しない）をパター
ン形成し、このレジストを除いた領域を例えばフッ硝酸
からなるエッチング液にて部分的に取り除いてトレンチ
部22を形成する（図４（ｃ））。
【００１７】つぎに前記レジストを除去した後、トレン
チ部22及びエピ層14ａの所定個所に、ボロンの拡散等に
より導体部23とリード29、ボロンのイオン注入等により
ピエゾ抵抗15をそれぞれ設け、エピ層14ａの上面に再び
酸化膜28を形成する（図４（ｄ））。
チ部22及びエピ層14ａの所定個所に、ボロンの拡散等に
より導体部23とリード29、ボロンのイオン注入等により
ピエゾ抵抗15をそれぞれ設け、エピ層14ａの上面に再び
酸化膜28を形成する（図４（ｄ））。
【００１８】つぎに導体部23及びリード29の所定個所に
対応する酸化膜28にコンタクトホール24，30を形成し、
酸化膜28の上面に蒸着等により配線部25，第２の端子部
26，27（図２（ａ）参照）及び配線電極31、第１の導体
路18，第１の端子部19，20（図２（ａ）参照）を形成す
る（図４（ｅ））。これによりピエゾ抵抗15はリード29
を介して配線電極31と接続される。
対応する酸化膜28にコンタクトホール24，30を形成し、
酸化膜28の上面に蒸着等により配線部25，第２の端子部
26，27（図２（ａ）参照）及び配線電極31、第１の導体
路18，第１の端子部19，20（図２（ａ）参照）を形成す
る（図４（ｅ））。これによりピエゾ抵抗15はリード29
を介して配線電極31と接続される。
【００１９】つぎにシリコン基板14の下面にＳｉ3 Ｎ4
からなる耐エッチング膜32をパターン形成し、シリコン
基板14をＫＯＨ等のアルカリエッチング液により異方性
エッチングする。これによりＮ型シリコン基板14は、梁
部11を残すよう第２の導体路21付近までエッチングが進
行し、同時に溝部10がエッチングにより除去され、耐エ
ッチング膜31を除去すると溝部10，梁部11，支持部12，
重り部13を有したウェハ構造が得られる（図４
（ｆ））。
からなる耐エッチング膜32をパターン形成し、シリコン
基板14をＫＯＨ等のアルカリエッチング液により異方性
エッチングする。これによりＮ型シリコン基板14は、梁
部11を残すよう第２の導体路21付近までエッチングが進
行し、同時に溝部10がエッチングにより除去され、耐エ
ッチング膜31を除去すると溝部10，梁部11，支持部12，
重り部13を有したウェハ構造が得られる（図４
（ｆ））。
【００２０】このようなシリコンウェハは、パイレック
スガラスからなる上，下ストッパ16，17を陽極接合等に
より固着した後、個々のチップにダイシングされ、配線
電極32の電極端子（図示しない）にリード線15ａをワイ
ヤボンディング等により接続するとともに、第１の端子
部19，20及び第２の端子26，27を図示しない適宜接続手
段（例えばワイヤボンディング）により外部と接続する
ことにより、図１から図３に示した加速度センサが完成
する。
スガラスからなる上，下ストッパ16，17を陽極接合等に
より固着した後、個々のチップにダイシングされ、配線
電極32の電極端子（図示しない）にリード線15ａをワイ
ヤボンディング等により接続するとともに、第１の端子
部19，20及び第２の端子26，27を図示しない適宜接続手
段（例えばワイヤボンディング）により外部と接続する
ことにより、図１から図３に示した加速度センサが完成
する。
【００２１】以上、詳述したように本実施例では、シリ
コン基板14の上面及び下面側に梁部11及び重り部13の一
部を経由して支持部12まで延びる第１，第２の導体路1
8，21を形成し、これら導体路18，21のうち少なくとも
一方の導体路18，21が梁部11の損傷に伴い破断するよう
構成したことにより、ハーフクラック等片面側のみの梁
部11の損傷であっても、上，下面側のいづれかの導体路
18，21が破断されて不導通状態となるため、梁部の損傷
を検知することができる。
コン基板14の上面及び下面側に梁部11及び重り部13の一
部を経由して支持部12まで延びる第１，第２の導体路1
8，21を形成し、これら導体路18，21のうち少なくとも
一方の導体路18，21が梁部11の損傷に伴い破断するよう
構成したことにより、ハーフクラック等片面側のみの梁
部11の損傷であっても、上，下面側のいづれかの導体路
18，21が破断されて不導通状態となるため、梁部の損傷
を検知することができる。
【００２２】また本実施例によれば、ピエゾ抵抗15の外
側に第１の導体路18を引き回し形成したことにより、例
えば梁部11の側端から損傷が生じた場合、外側に位置す
る第１の導体路18がピエゾ抵抗15の損傷に先立って破断
するため、ピエゾ抵抗15が損傷する前に梁部11の損傷を
検知することができる。
側に第１の導体路18を引き回し形成したことにより、例
えば梁部11の側端から損傷が生じた場合、外側に位置す
る第１の導体路18がピエゾ抵抗15の損傷に先立って破断
するため、ピエゾ抵抗15が損傷する前に梁部11の損傷を
検知することができる。
【００２３】なお本実施例では、第１，第２の導体路1
8，21を梁部11及び重り部13の一部を経由して支持部12
まで延びるよう形成したが、これら導体路18，21は、例
えば第１の導体路18を溝部10に沿って重り部13の全周を
囲むように延長して設け、重り部13の損傷を検知可能に
設けたり、あるいは第２の導体路21を重り部13側に延長
して設けることも可能であり、第１，第２の導体路18，
21の少なくとも一部が梁部11を経由するよう形成されて
いれば適宜設計変更が可能である。
8，21を梁部11及び重り部13の一部を経由して支持部12
まで延びるよう形成したが、これら導体路18，21は、例
えば第１の導体路18を溝部10に沿って重り部13の全周を
囲むように延長して設け、重り部13の損傷を検知可能に
設けたり、あるいは第２の導体路21を重り部13側に延長
して設けることも可能であり、第１，第２の導体路18，
21の少なくとも一部が梁部11を経由するよう形成されて
いれば適宜設計変更が可能である。
【００２４】また本実施例では、第１の導体路18をアル
ミの印刷，蒸着等により独立した導体路として形成した
が、拡散等からなる導体を部分的に交えて一本の導体路
として設けることも可能であり、さらにピエゾ抵抗16の
配線電極31の一部を利用することも可能である。
ミの印刷，蒸着等により独立した導体路として形成した
が、拡散等からなる導体を部分的に交えて一本の導体路
として設けることも可能であり、さらにピエゾ抵抗16の
配線電極31の一部を利用することも可能である。
【００２５】また本実施例では、第２の導体路21を梁部
11の下面側外部に露出しないよう形成したが、外部に露
出する場合は、第２の導体路21の表面を例えばＳｉＯ2
からなる酸化膜で被覆すれば良い。
11の下面側外部に露出しないよう形成したが、外部に露
出する場合は、第２の導体路21の表面を例えばＳｉＯ2
からなる酸化膜で被覆すれば良い。
【００２６】また本実施例では、第１，第２の導体路1
8，21からなる損傷検知手段をピエゾ抵抗15の抵抗値変
化により加速度を検出する加速度センサに適用したが、
このような損傷検知手段は、従来例の図６に示すような
静電容量型の加速度センサに適用することも可能であ
る。
8，21からなる損傷検知手段をピエゾ抵抗15の抵抗値変
化により加速度を検出する加速度センサに適用したが、
このような損傷検知手段は、従来例の図６に示すような
静電容量型の加速度センサに適用することも可能であ
る。
【００２７】また本発明の半導体センサは、実施例で述
べた加速度センサの他、触圧や気圧等の圧力、機械的振
動の物理的な外力等を検出するセンサとしても利用する
ことができる。
べた加速度センサの他、触圧や気圧等の圧力、機械的振
動の物理的な外力等を検出するセンサとしても利用する
ことができる。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明は、支持部
から梁部を介して連続形成される重り部を有するシリコ
ン基板からなり、前記重り部の変位により外力を検出す
る半導体センサにおいて、少なくとも前記梁部の上，下
面側に前記梁部の損傷を検知する導体路を形成したこと
により、ハーフクラック等片面側のみの損傷であって
も、上，下面側のいづれかの導体路が破断されるため、
梁部の損傷が検知され、これにより損傷検知精度を向上
させることが可能な半導体センサを提供することができ
る。
から梁部を介して連続形成される重り部を有するシリコ
ン基板からなり、前記重り部の変位により外力を検出す
る半導体センサにおいて、少なくとも前記梁部の上，下
面側に前記梁部の損傷を検知する導体路を形成したこと
により、ハーフクラック等片面側のみの損傷であって
も、上，下面側のいづれかの導体路が破断されるため、
梁部の損傷が検知され、これにより損傷検知精度を向上
させることが可能な半導体センサを提供することができ
る。
【００２９】また本発明は前記構成において、前記梁部
に前記重り部の変位により外力を検出するピエゾ抵抗を
備え、このピエゾ抵抗の外側に前記上面側の導体路を引
き回し形成したことにより、ピエゾ抵抗が損傷する前に
梁部の損傷を検知することができ、これにより損傷の早
期検知を可能とする半導体センサを提供することができ
る。
に前記重り部の変位により外力を検出するピエゾ抵抗を
備え、このピエゾ抵抗の外側に前記上面側の導体路を引
き回し形成したことにより、ピエゾ抵抗が損傷する前に
梁部の損傷を検知することができ、これにより損傷の早
期検知を可能とする半導体センサを提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例による加速度センサの概要を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図２】図１のシリコン基板の上，下面を示す平面図で
ある。
ある。
【図３】図２の梁部付近の断面図である。
【図４】同上実施例による加速度センサの製造工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
【図６】他の従来例を示す断面図である。
【図７】他の従来例を示す平面図である。
11 梁部 12 支持部 13 重り部 14 シリコン基板 15 ピエゾ抵抗 18 第１の導体路 21 第２の導体路
Claims (2)
- 【請求項１】 支持部から梁部を介して連続形成される
重り部を有するシリコン基板からなり、前記重り部の変
位により外力を検出する半導体センサにおいて、前記梁
部の上，下面側に前記梁部の損傷を検知する導体路を形
成したことを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項２】 前記梁部に前記重り部の変位により外力
を検出するピエゾ抵抗を備え、このピエゾ抵抗の外側に
前記上面側の導体路を引き回し形成したことを特徴とす
る請求項１記載の半導体センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142499A JPH07325105A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142499A JPH07325105A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07325105A true JPH07325105A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=15316764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6142499A Pending JPH07325105A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07325105A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990023590A (ko) * | 1997-08-16 | 1999-03-25 | 클라우스 포스, 게오르그 뮐러 | 질량 유동 센서 |
| WO2014196320A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
| CN110615402A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 中国科学院声学研究所 | 一种简支悬臂梁结构mems压电矢量水听器及制备方法 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP6142499A patent/JPH07325105A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990023590A (ko) * | 1997-08-16 | 1999-03-25 | 클라우스 포스, 게오르그 뮐러 | 질량 유동 센서 |
| WO2014196320A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
| JP5930127B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2016-06-08 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
| US10156584B2 (en) | 2013-06-04 | 2018-12-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | MEMS piezoresistive acceleration sensor |
| CN110615402A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 中国科学院声学研究所 | 一种简支悬臂梁结构mems压电矢量水听器及制备方法 |
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