JPH0732632A - 回路基板の接続端子積層構造およびその構造を用いたサ−マルヘッド - Google Patents
回路基板の接続端子積層構造およびその構造を用いたサ−マルヘッドInfo
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- JPH0732632A JPH0732632A JP5181060A JP18106093A JPH0732632A JP H0732632 A JPH0732632 A JP H0732632A JP 5181060 A JP5181060 A JP 5181060A JP 18106093 A JP18106093 A JP 18106093A JP H0732632 A JPH0732632 A JP H0732632A
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- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/3431—Leadless components
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱膨張係数の異なる２枚の回路基板を半田に
より熱圧着する場合でも、熱膨張差によりクラック等の
問題の生じない回路基板の接続端子積層構造を提供する
ことを目的とする。 【構成】 第１の回路基板と、該第１の回路基板の上面
に脆性である被覆層を形成するとともに、この被覆層の
上面側に金属からなる接続端子を積層して形成し、該接
続端子と第２の回路基板の接続端子とを半田を介して熱
溶着する回路基板の接続端子積層構造において、前記被
覆層と前記第１の回路基板の接続端子との間に弾性層を
設けてなることを特徴とする回路基板の接続端子積層構
造。
より熱圧着する場合でも、熱膨張差によりクラック等の
問題の生じない回路基板の接続端子積層構造を提供する
ことを目的とする。 【構成】 第１の回路基板と、該第１の回路基板の上面
に脆性である被覆層を形成するとともに、この被覆層の
上面側に金属からなる接続端子を積層して形成し、該接
続端子と第２の回路基板の接続端子とを半田を介して熱
溶着する回路基板の接続端子積層構造において、前記被
覆層と前記第１の回路基板の接続端子との間に弾性層を
設けてなることを特徴とする回路基板の接続端子積層構
造。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱膨張係数の異なる材
料を積層して形成した積層回路基板の接続端子構造およ
びその構造を用いたサ−マルヘッドの改良に関する。
料を積層して形成した積層回路基板の接続端子構造およ
びその構造を用いたサ−マルヘッドの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に示す従来の積層回路基板の接続端
子構造を図６ないし図７に示す一般的なサ−マルヘッド
を例にとって以下に説明する。
子構造を図６ないし図７に示す一般的なサ−マルヘッド
を例にとって以下に説明する。
【０００３】図６、図７において符号１０は、アルミ等
の金属板製の放熱板を、符号２０は、前記放熱板１０の
上面に接着材や両面テ−プで装着したヘッド基板を示
す。
の金属板製の放熱板を、符号２０は、前記放熱板１０の
上面に接着材や両面テ−プで装着したヘッド基板を示
す。
【０００４】前記ヘッド基板２０は、１ミリメ−トル程
度の板厚のセラミック製の板２１の上面に、７０マイク
ロメ−トル程度のガラスを主成分とするグレ−ズ層２２
が被覆形成される。このグレ−ズ層２２は後述する発熱
抵抗体３０の蓄熱の役割や、前記板２１の上面を滑らか
にして、後述する電源用配線５０および信号配線５１を
無機金または／および有機金ペ−ストを印刷焼成して形
成する場合、印刷不良が発生しないように設けられるも
のである。
度の板厚のセラミック製の板２１の上面に、７０マイク
ロメ−トル程度のガラスを主成分とするグレ−ズ層２２
が被覆形成される。このグレ−ズ層２２は後述する発熱
抵抗体３０の蓄熱の役割や、前記板２１の上面を滑らか
にして、後述する電源用配線５０および信号配線５１を
無機金または／および有機金ペ−ストを印刷焼成して形
成する場合、印刷不良が発生しないように設けられるも
のである。
【０００５】前記グレ−ズ層２２の上面には、帯状の発
熱抵抗体３０が、当該ヘッド基板２０の長手方向に沿っ
て一直線のライン状に形成されているとともに、この発
熱抵抗体３０を発熱制御する複数の駆動ＩＣ４０が、前
記発熱抵抗体３０に沿って一列状に搭載されている。更
に、前記グレ−ズ層２２の上面には、前記発熱抵抗体３
０に対する印字電源用配線５０が形成されている。
熱抵抗体３０が、当該ヘッド基板２０の長手方向に沿っ
て一直線のライン状に形成されているとともに、この発
熱抵抗体３０を発熱制御する複数の駆動ＩＣ４０が、前
記発熱抵抗体３０に沿って一列状に搭載されている。更
に、前記グレ−ズ層２２の上面には、前記発熱抵抗体３
０に対する印字電源用配線５０が形成されている。
【０００６】そして、前記ヘッド基板２０における上面
のうち一側縁に、前記各駆動ＩＣ４０に対する電源、ク
ロック信号、ラッチ信号又はイネ−ブル信号配線５１
や、前記印字電源用配線５０と接続される銀−パラジュ
ウム系導伝性ペ−ストからなるる接続端子６０（７０）
を印刷焼成して形成している。
のうち一側縁に、前記各駆動ＩＣ４０に対する電源、ク
ロック信号、ラッチ信号又はイネ−ブル信号配線５１
や、前記印字電源用配線５０と接続される銀−パラジュ
ウム系導伝性ペ−ストからなるる接続端子６０（７０）
を印刷焼成して形成している。
【０００７】このように、前記ヘッド基板２０の前記接
続端子６０（７０）の形成箇所では、セラミック製の板
２１とグレ−ズ層２２と配線５０、５１および接続端子
６０（７０）との積層構造となっている。（図５参照）
一方、符号８０は、軟質合成樹脂のフレキシブル回路基
板を示し、このフレキシブル回路基板８０には、前記ヘ
ッド基板２０における複数の接続端子６０（７０）の各
々に対して接続される接続端子９０が形成されていると
ともに、該各接続端子９０を当該フレキシブル回路基板
８０に固着したソケット１００に対して接続するための
配線パタ−ン（図示せず）が形成されている。
続端子６０（７０）の形成箇所では、セラミック製の板
２１とグレ−ズ層２２と配線５０、５１および接続端子
６０（７０）との積層構造となっている。（図５参照）
一方、符号８０は、軟質合成樹脂のフレキシブル回路基
板を示し、このフレキシブル回路基板８０には、前記ヘ
ッド基板２０における複数の接続端子６０（７０）の各
々に対して接続される接続端子９０が形成されていると
ともに、該各接続端子９０を当該フレキシブル回路基板
８０に固着したソケット１００に対して接続するための
配線パタ−ン（図示せず）が形成されている。
【０００８】なお、符号１１０は、発熱抵抗体３０に対
するガラス等の保護膜を、符号１２０は各駆動ＩＣ４０
をパッケ−ジする合成樹脂をそれぞれ示す。
するガラス等の保護膜を、符号１２０は各駆動ＩＣ４０
をパッケ−ジする合成樹脂をそれぞれ示す。
【０００９】そして、前記フレキシブル回路基板８０
を、前記ヘッド基板２０における長手方向の一側縁に対
して、当該フレキシブル基板８０の配線パタ−ンにおけ
る各接続端子９０がヘッド基板２０における接続端子６
０（７０）の各々に接触するように重ね合わせた後、前
記フレキシブル基板８０における各接続端子９０をヘッ
ド基板２０における各々の接続端子６０（７０）に対し
半田付けにて熱溶着する。
を、前記ヘッド基板２０における長手方向の一側縁に対
して、当該フレキシブル基板８０の配線パタ−ンにおけ
る各接続端子９０がヘッド基板２０における接続端子６
０（７０）の各々に接触するように重ね合わせた後、前
記フレキシブル基板８０における各接続端子９０をヘッ
ド基板２０における各々の接続端子６０（７０）に対し
半田付けにて熱溶着する。
【００１０】この半田付けは、図６に示すように、フレ
キシブル基板８０の接続端子９０およびヘッド基板２０
の接続端子６０（７０）のうちいずれか一方又は両方の
表面に予め半田ペ−ストを塗着、もしくは半田メッキな
どで半田膜を形成し、次いで、フレキシブル回路基板８
０をヘッド基板２０に対して重ね合わせ、図６に示す上
下押圧加熱手段Ｐにより、適宜の圧力で押圧した状態で
加熱することによって行うものであり、このような半田
付けにより、フレキシブル基板８０における各接続端子
９０をヘッド基板２０における各接続端子６０（７０）
の各々に対して熱溶着されるものである。この熱溶着時
の温度は通常摂氏２３０〜２５０度である。
キシブル基板８０の接続端子９０およびヘッド基板２０
の接続端子６０（７０）のうちいずれか一方又は両方の
表面に予め半田ペ−ストを塗着、もしくは半田メッキな
どで半田膜を形成し、次いで、フレキシブル回路基板８
０をヘッド基板２０に対して重ね合わせ、図６に示す上
下押圧加熱手段Ｐにより、適宜の圧力で押圧した状態で
加熱することによって行うものであり、このような半田
付けにより、フレキシブル基板８０における各接続端子
９０をヘッド基板２０における各接続端子６０（７０）
の各々に対して熱溶着されるものである。この熱溶着時
の温度は通常摂氏２３０〜２５０度である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前記ヘッド基板２０の
前記接続端子６０（７０）の形成箇所で、セラミック製
の板２１とグレ−ズ層２２と配線５０、５１および接続
端子６０（７０）との積層構造となっているから、加熱
手段Ｐによって半田熱溶着する場合、その溶着熱によっ
て、前記積層構造におけるグレ−ズ層２２と、その上部
の配線５０、５１および接続端子６０（７０）との熱膨
張係数の違いにより両者間に応力が発生し、比較的薄
く、脆性であるグレ−ズ層２２にクラックが生じる問題
があった。
前記接続端子６０（７０）の形成箇所で、セラミック製
の板２１とグレ−ズ層２２と配線５０、５１および接続
端子６０（７０）との積層構造となっているから、加熱
手段Ｐによって半田熱溶着する場合、その溶着熱によっ
て、前記積層構造におけるグレ−ズ層２２と、その上部
の配線５０、５１および接続端子６０（７０）との熱膨
張係数の違いにより両者間に応力が発生し、比較的薄
く、脆性であるグレ−ズ層２２にクラックが生じる問題
があった。
【００１２】このクラックによって、接続端子６０（７
０）部分で層剥離が発生したり、配線５０、５１と接続
端子６０（７０）およびフレキシブル基板８０の接続端
子９０とが断線状態で半田熱溶着されるなどして、製品
不良となる問題があった。
０）部分で層剥離が発生したり、配線５０、５１と接続
端子６０（７０）およびフレキシブル基板８０の接続端
子９０とが断線状態で半田熱溶着されるなどして、製品
不良となる問題があった。
【００１３】特に、例えば可動式の（シリアル）サ−マ
ルヘッドにおいては、ヘッド基板２０が可動して被印字
体（紙、感熱紙等）に印字するから、フレキシブル基板
８０とヘッド基板２０との接続箇所にヘッド基板２０の
移動による過負荷が掛かり易く、前記クラックが発生し
ていると断線等の故障の原因になることが多かった。
ルヘッドにおいては、ヘッド基板２０が可動して被印字
体（紙、感熱紙等）に印字するから、フレキシブル基板
８０とヘッド基板２０との接続箇所にヘッド基板２０の
移動による過負荷が掛かり易く、前記クラックが発生し
ていると断線等の故障の原因になることが多かった。
【００１４】本発明は前述したようなクラックの発生を
防止し、上記問題をことごとく解決することを目的とす
る。
防止し、上記問題をことごとく解決することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
本発明は、次のような技術的手段を講じている。
本発明は、次のような技術的手段を講じている。
【００１６】すなわち、第１の回路基板と、該第１の回
路基板の上面に脆性である被覆層を形成するとともに、
この被覆層の上面側に金属からなる接続端子を積層して
形成し、該接続端子と第２の回路基板の接続端子とを半
田を介して熱溶着する回路基板の接続端子積層構造にお
いて、前記被覆層と前記第１の回路基板の接続端子との
間に弾性層を設けてなることを特徴としている。
路基板の上面に脆性である被覆層を形成するとともに、
この被覆層の上面側に金属からなる接続端子を積層して
形成し、該接続端子と第２の回路基板の接続端子とを半
田を介して熱溶着する回路基板の接続端子積層構造にお
いて、前記被覆層と前記第１の回路基板の接続端子との
間に弾性層を設けてなることを特徴としている。
【００１７】また、セラミック製のヘッド基板の上面全
面に脆性であるグレ−ズ層を形成し、このグレ−ズ層上
面に帯状の発熱抵抗体と、この発熱抵抗体を選択発熱駆
動するための駆動ＩＣと、前記発熱抵抗体と駆動ＩＣお
よび前記グレ−ズ上面側に外部信号等導出用の接続端子
とをそれぞれ設け、前記発熱抵抗体と駆動ＩＣと接続端
子とを配線にて電気的に接続する一方、前記ヘッド基板
の接続端子とフレキシブル基板の接続端子とを半田で熱
溶着してなるサ−マルヘッドにおいて、前記グレ−ズ層
とヘッド基板の接続端子との間には、弾性層を設けてな
ることを特徴とする。
面に脆性であるグレ−ズ層を形成し、このグレ−ズ層上
面に帯状の発熱抵抗体と、この発熱抵抗体を選択発熱駆
動するための駆動ＩＣと、前記発熱抵抗体と駆動ＩＣお
よび前記グレ−ズ上面側に外部信号等導出用の接続端子
とをそれぞれ設け、前記発熱抵抗体と駆動ＩＣと接続端
子とを配線にて電気的に接続する一方、前記ヘッド基板
の接続端子とフレキシブル基板の接続端子とを半田で熱
溶着してなるサ−マルヘッドにおいて、前記グレ−ズ層
とヘッド基板の接続端子との間には、弾性層を設けてな
ることを特徴とする。
【００１８】前記弾性層は、脆性である被覆層またはグ
レ−ズ層と接続端子との間に位置し、半田で熱溶着する
際に生じる応力を緩和し、脆性である被覆層またはグレ
−ズ層にクラックが発生するのを防止でき得る程度の弾
性を有するものであれば何でも良い。例えば弾性層とし
ては、後述するミックスボンドタイプのペ−ストを印刷
焼成したものや、高圧雰囲気中でスパッタリングするな
どして形成し、層内に適度な空洞部分を含有させる構造
をとっても良い。
レ−ズ層と接続端子との間に位置し、半田で熱溶着する
際に生じる応力を緩和し、脆性である被覆層またはグレ
−ズ層にクラックが発生するのを防止でき得る程度の弾
性を有するものであれば何でも良い。例えば弾性層とし
ては、後述するミックスボンドタイプのペ−ストを印刷
焼成したものや、高圧雰囲気中でスパッタリングするな
どして形成し、層内に適度な空洞部分を含有させる構造
をとっても良い。
【００１９】
【作用】上記構成による本発明によれば、セラミック製
の第１の回路基板またはヘッド基板に形成された被覆層
またはグ−レズ層と、第２の回路基板またはフレキシブ
ル基板の接続端子との間に弾性層を設けているから、当
該弾性層が、前記両基板の接続端子と、第２の回路基板
またはフレキシブル基板の接続端子とを半田で熱溶着す
る際などにおける、前記グレ−ズ層と接続端子などの他
の層との熱膨張係数の違いによる応力を緩和してクラッ
クが発生することを防止する。
の第１の回路基板またはヘッド基板に形成された被覆層
またはグ−レズ層と、第２の回路基板またはフレキシブ
ル基板の接続端子との間に弾性層を設けているから、当
該弾性層が、前記両基板の接続端子と、第２の回路基板
またはフレキシブル基板の接続端子とを半田で熱溶着す
る際などにおける、前記グレ−ズ層と接続端子などの他
の層との熱膨張係数の違いによる応力を緩和してクラッ
クが発生することを防止する。
【００２０】
【実施例】以下本発明をサ−マルヘッドに適用した場合
の好ましい実施例を、図面を参照しつつ具体的に説明す
る。
の好ましい実施例を、図面を参照しつつ具体的に説明す
る。
【００２１】本実施例に用いられるサ−マルヘッドの基
本構成は、図６および図７に示したものと同様であるの
で、詳細の説明は省略する。
本構成は、図６および図７に示したものと同様であるの
で、詳細の説明は省略する。
【００２２】図１ないし図２に示すのは本発明の一実施
例である。図２は、図６の矢印Ａから見た接続端子付近
を部分的に拡大した要部拡大断面図であり、図１は、図
２のＢ−Ｂ断面図である。
例である。図２は、図６の矢印Ａから見た接続端子付近
を部分的に拡大した要部拡大断面図であり、図１は、図
２のＢ−Ｂ断面図である。
【００２３】図において、２０は第１の回路基板の一例
であるヘッド基板、２１はセラミック製の板、２２はグ
レ−ズ層、５０（５１）は配線、６０（７０）は接続端
子、８０は第２の回路基板の一例であるフレキシブル基
板、９０はフレキシブル基板８０の接続端子であり、前
述した従来例と同様の構成のものとしている。接続端子
６０（７０）と接続端子９０との間には図示しない半田
層が介在されている。
であるヘッド基板、２１はセラミック製の板、２２はグ
レ−ズ層、５０（５１）は配線、６０（７０）は接続端
子、８０は第２の回路基板の一例であるフレキシブル基
板、９０はフレキシブル基板８０の接続端子であり、前
述した従来例と同様の構成のものとしている。接続端子
６０（７０）と接続端子９０との間には図示しない半田
層が介在されている。
【００２４】１は本発明に係わる弾性層であり、この弾
性層１は、脆性である被覆層としてのグレ−ズ層２２表
面に印刷形成した配線５０（５１）と、接続端子６０
（７０）との間に、銀または金粒子を含有するミックス
ボンドタイプ（例えば京都エレック社製／品番ＤＤ１２
０４など）のペ−ストを印刷焼成して形成してある。こ
のようなミックスボンドタイプのペ−ストを印刷焼成し
て弾性層１を形成すると、その層はポ−ラスな網目構造
を呈し、弾力性を有する層とすることができる。つまり
ミックスボンドタイプのペ−ストは、ガラス粒子と金属
粒子と有機物などの混合ペ−ストであり、このペ−スト
を８００℃程度で焼成すると、含有する有機物が蒸発な
どして消滅し、その有機物が存在していた箇所に微小な
空洞が生じるのである。勿論空洞が生じても導電性は失
っていない。
性層１は、脆性である被覆層としてのグレ−ズ層２２表
面に印刷形成した配線５０（５１）と、接続端子６０
（７０）との間に、銀または金粒子を含有するミックス
ボンドタイプ（例えば京都エレック社製／品番ＤＤ１２
０４など）のペ−ストを印刷焼成して形成してある。こ
のようなミックスボンドタイプのペ−ストを印刷焼成し
て弾性層１を形成すると、その層はポ−ラスな網目構造
を呈し、弾力性を有する層とすることができる。つまり
ミックスボンドタイプのペ−ストは、ガラス粒子と金属
粒子と有機物などの混合ペ−ストであり、このペ−スト
を８００℃程度で焼成すると、含有する有機物が蒸発な
どして消滅し、その有機物が存在していた箇所に微小な
空洞が生じるのである。勿論空洞が生じても導電性は失
っていない。
【００２５】この実施例では、弾性層１としてミックス
ボンドタイプのペ−ストを採用したが、これに限らず適
度（グレ−ズ層と配線等との熱膨張差により生じる応力
を吸収できる程度）な弾性を有する素材であれば何でも
良い。例えば後述する変形実施例で説明する薄膜形成方
法により弾性層１を形成することもできる。
ボンドタイプのペ−ストを採用したが、これに限らず適
度（グレ−ズ層と配線等との熱膨張差により生じる応力
を吸収できる程度）な弾性を有する素材であれば何でも
良い。例えば後述する変形実施例で説明する薄膜形成方
法により弾性層１を形成することもできる。
【００２６】また、前記配線５０（５１）は有機金ペ−
ストを印刷焼成して形成し、この配線５０（５１）を覆
い隠すように前記弾性層１を形成し、当該弾性層１上に
銀とパラジュウムを混在したペ−ストを印刷焼成して接
続端子６０（７０）を形成してある。
ストを印刷焼成して形成し、この配線５０（５１）を覆
い隠すように前記弾性層１を形成し、当該弾性層１上に
銀とパラジュウムを混在したペ−ストを印刷焼成して接
続端子６０（７０）を形成してある。
【００２７】このように、配線５０（５１）を弾性層１
で覆い隠すことにより、配線５０（５１）と半田とが直
接接触して半田喰われによる断線の発生を緩和できる。
つまり、配線５０（５１）は、焼成後、純粋な金のみの
膜となり、半田と金とが非常になじみ易いため、図３に
示すように半田Ｈがボ−ル状になり部分的に金膜Ｍを喰
ってしまい、基板Ｋから金膜Ｍが剥離・溶解消失して半
田での接着不良や断線を発生させる恐れがある。前記弾
性層１内にも半田と馴染み易い銀または金を含有してい
るが、この弾性層１にはガラスフリット等の不純物が混
在しているため、配線５０（５１）に比べかなり厚い層
となり、前述した半田喰われによる断線等の問題の影響
は純粋な金のみで形成される配線５０（５１）に比べて
緩和される。しかしながら、前述した半田喰われによる
問題を防止するには、半田用の接続端子６０（７０）と
して前記銀−パラジウムのペ−ストを採用しているよう
に、前記パラジウム元素等が半田喰われを防止抑制する
不純物を含有させるのが好ましい。
で覆い隠すことにより、配線５０（５１）と半田とが直
接接触して半田喰われによる断線の発生を緩和できる。
つまり、配線５０（５１）は、焼成後、純粋な金のみの
膜となり、半田と金とが非常になじみ易いため、図３に
示すように半田Ｈがボ−ル状になり部分的に金膜Ｍを喰
ってしまい、基板Ｋから金膜Ｍが剥離・溶解消失して半
田での接着不良や断線を発生させる恐れがある。前記弾
性層１内にも半田と馴染み易い銀または金を含有してい
るが、この弾性層１にはガラスフリット等の不純物が混
在しているため、配線５０（５１）に比べかなり厚い層
となり、前述した半田喰われによる断線等の問題の影響
は純粋な金のみで形成される配線５０（５１）に比べて
緩和される。しかしながら、前述した半田喰われによる
問題を防止するには、半田用の接続端子６０（７０）と
して前記銀−パラジウムのペ−ストを採用しているよう
に、前記パラジウム元素等が半田喰われを防止抑制する
不純物を含有させるのが好ましい。
【００２８】また、前述したように配線５０（５１）の
表面に弾性層１がちょうど重なるように形成するのでは
なく、配線５０（５１）を完全に覆うように形成するの
は、その重なり部分で金と銀とが合金を形成した場合に
電気的抵抗が大きくなるためその重なり部分を少なくし
たいためによる。
表面に弾性層１がちょうど重なるように形成するのでは
なく、配線５０（５１）を完全に覆うように形成するの
は、その重なり部分で金と銀とが合金を形成した場合に
電気的抵抗が大きくなるためその重なり部分を少なくし
たいためによる。
【００２９】図４に示すのが本発明の変形実施例であ
る。この変形実施例では、前述した実施例の弾性層１の
形成方法と異なる以下のような方法を採用し、その弾性
層１の形成箇所を接続端子６０（７０）と配線５０（５
１）との間から、グレ−ズ層２２と配線５０（５１）と
の間に変更した点で相違し、他の構成は前記実施例と同
様の構成としている。
る。この変形実施例では、前述した実施例の弾性層１の
形成方法と異なる以下のような方法を採用し、その弾性
層１の形成箇所を接続端子６０（７０）と配線５０（５
１）との間から、グレ−ズ層２２と配線５０（５１）と
の間に変更した点で相違し、他の構成は前記実施例と同
様の構成としている。
【００３０】本変形実施例での弾性層１は、金等の金属
粒子を高圧ガス中でスパッタリング方法に蒸着して弾力
性を有する膜を形成するようにしたものである。通常、
スパッタリングは、例えばアルゴンガス雰囲気中でガス
圧３×１０-3ｔｏｒｒで行われるが、このガス圧を３×
１０-2に上げて形成する。
粒子を高圧ガス中でスパッタリング方法に蒸着して弾力
性を有する膜を形成するようにしたものである。通常、
スパッタリングは、例えばアルゴンガス雰囲気中でガス
圧３×１０-3ｔｏｒｒで行われるが、このガス圧を３×
１０-2に上げて形成する。
【００３１】このようにガス圧を上げると、被蒸着箇所
（接続端子６０（７０）を形成するグレ−ズ層２２表
面）に金属粒子がスパッタされる際に前記アルゴンガス
等の粒子が取り込まれ易くなる結果、成膜された弾性層
１はガス粒子を含むポ−ラスな膜とすることができる。
（接続端子６０（７０）を形成するグレ−ズ層２２表
面）に金属粒子がスパッタされる際に前記アルゴンガス
等の粒子が取り込まれ易くなる結果、成膜された弾性層
１はガス粒子を含むポ−ラスな膜とすることができる。
【００３２】また、弾性層１はこの変形実施例のように
グレ−ズ層２２上に直接設ける方が、半田の熱圧着の際
に生じる応力をグレ−ズ層に伝えないように効率的に吸
収できるので好ましいが、半田が直接に接する接続端子
６０（７０）と、グレ−ズ層２２との間であれば、いず
れの層間に形成しても程度の差はあれ、グレ−ズ層２２
でのクラックの発生を防止できる。しかしながら、前記
弾性層１を接続端子の下層に部分的に形成する場合い
は、製法上の都合から配線５０（５１）の上層に弾性層
１を形成する方が容易である。
グレ−ズ層２２上に直接設ける方が、半田の熱圧着の際
に生じる応力をグレ−ズ層に伝えないように効率的に吸
収できるので好ましいが、半田が直接に接する接続端子
６０（７０）と、グレ−ズ層２２との間であれば、いず
れの層間に形成しても程度の差はあれ、グレ−ズ層２２
でのクラックの発生を防止できる。しかしながら、前記
弾性層１を接続端子の下層に部分的に形成する場合い
は、製法上の都合から配線５０（５１）の上層に弾性層
１を形成する方が容易である。
【００３３】さらに、本実施例では、グレ−ズ層２２で
７０μｍ、接続端子６０（７０）で６μｍ、配線５０、
５１で０．６μｍに対して、弾性層１を前記各層に比べ
充分厚い１２μｍとしてあり、確実に熱膨張差による応
力を緩和できるようにしてある。
７０μｍ、接続端子６０（７０）で６μｍ、配線５０、
５１で０．６μｍに対して、弾性層１を前記各層に比べ
充分厚い１２μｍとしてあり、確実に熱膨張差による応
力を緩和できるようにしてある。
【００３４】前述した弾性層１を形成した両実施例のヘ
ッド基板２０（以下Ａタイプという）と、従来の弾性層
１のないヘッド基板２０（以下Ｂタイプ）とにそれぞれ
フレキシブル基板８０を半田で熱圧着し、前記両基板２
０、８０を引っ張り試験（引っ張り加重１．５Ｋｇ）に
よって接着状態を比較すると次のとうりの結果が得られ
た。前記引っ張り加重は、通常掛けられ得る加重に比べ
大幅に大きいものとしている（通常掛かり得る加重は約
０．３Ｋｇ）。また、通常の場合、完成品のには、前記
ヘッド基板２０とフレキシブル基板８０とが半田接着さ
れた箇所には、接着補強用の樹脂コ−トをするが一般て
きであるが、本引っ張り試験では樹脂コ−トは施してい
ない。
ッド基板２０（以下Ａタイプという）と、従来の弾性層
１のないヘッド基板２０（以下Ｂタイプ）とにそれぞれ
フレキシブル基板８０を半田で熱圧着し、前記両基板２
０、８０を引っ張り試験（引っ張り加重１．５Ｋｇ）に
よって接着状態を比較すると次のとうりの結果が得られ
た。前記引っ張り加重は、通常掛けられ得る加重に比べ
大幅に大きいものとしている（通常掛かり得る加重は約
０．３Ｋｇ）。また、通常の場合、完成品のには、前記
ヘッド基板２０とフレキシブル基板８０とが半田接着さ
れた箇所には、接着補強用の樹脂コ−トをするが一般て
きであるが、本引っ張り試験では樹脂コ−トは施してい
ない。
【００３５】熱圧着後、前記引っ張り試験によって前記
ヘッド基板２０の接続端子６０（７０）と、フレキシブ
ル基板８０の接続端子９０との剥がれ率は、Ａタイプで
約８．７％、Ｂタイプで約５６％であった。前記剥がれ
率とは、１０本のサ−マルヘッドを用い、それぞれのヘ
ッド基板２０のグレ−ズ層２２と接続端子６０（７０）
との間で発生した剥がれ数の合計を全サ−マルヘッドの
接続端子６０（７０）の合計で割って表したものであ
る。
ヘッド基板２０の接続端子６０（７０）と、フレキシブ
ル基板８０の接続端子９０との剥がれ率は、Ａタイプで
約８．７％、Ｂタイプで約５６％であった。前記剥がれ
率とは、１０本のサ−マルヘッドを用い、それぞれのヘ
ッド基板２０のグレ−ズ層２２と接続端子６０（７０）
との間で発生した剥がれ数の合計を全サ−マルヘッドの
接続端子６０（７０）の合計で割って表したものであ
る。
【００３６】次に、信頼性テスト（１２５℃→２５℃→
マイナス３０℃を１００サイクル繰り返す）の終了後、
前述したと同様の試験をおこなったところ、Ａタイプで
約４５％、Ｂタイプで約１００％の剥がれ率となった。
マイナス３０℃を１００サイクル繰り返す）の終了後、
前述したと同様の試験をおこなったところ、Ａタイプで
約４５％、Ｂタイプで約１００％の剥がれ率となった。
【００３７】なお、本実施例では、脆性層として、ガラ
スを主成分としたグレ−ズ層に適用した場合について説
明したが、これにかぎらず薄くて脆い層であれば何でも
適用できるのは勿論である。
スを主成分としたグレ−ズ層に適用した場合について説
明したが、これにかぎらず薄くて脆い層であれば何でも
適用できるのは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】以上の構成による本発明によれば、セラ
ミック製の第１の回路基板またはヘッド基板に形成され
た被覆層またはグ−レズ層と、第２の回路基板またはフ
レキシブル基板の接続端子との間に弾性層を設けている
から、当該弾性層が、前記両基板の接続端子と、第２の
回路基板またはフレキシブル基板の接続端子とを半田で
熱溶着する際などにおける、前記グレ−ズ層と接続端子
などの他の層との熱膨張係数の違いによる応力をその弾
性により吸収し緩和してクラックが発生することを防止
する。
ミック製の第１の回路基板またはヘッド基板に形成され
た被覆層またはグ−レズ層と、第２の回路基板またはフ
レキシブル基板の接続端子との間に弾性層を設けている
から、当該弾性層が、前記両基板の接続端子と、第２の
回路基板またはフレキシブル基板の接続端子とを半田で
熱溶着する際などにおける、前記グレ−ズ層と接続端子
などの他の層との熱膨張係数の違いによる応力をその弾
性により吸収し緩和してクラックが発生することを防止
する。
【００３９】このようにクラックの発生を防止しできる
から、例えばサ−マルヘッドのようなヘッド基板とフレ
キシブル基板との接続端子の接続構造に採用した場合に
は、前記サ−マルヘッドが可動方式のものであっても、
ヘッド基板とフレキシブル基板との接続状態を保持し、
クラックによる接続剥がれを解消することができる。
から、例えばサ−マルヘッドのようなヘッド基板とフレ
キシブル基板との接続端子の接続構造に採用した場合に
は、前記サ−マルヘッドが可動方式のものであっても、
ヘッド基板とフレキシブル基板との接続状態を保持し、
クラックによる接続剥がれを解消することができる。
【図１】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図２】図６の矢印Ａから見た接続端子２の要部拡大断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施例の説明図である。
【図４】本発明の変形実施例を示す斜視図である。
【図５】図６の矢印Ａから見た従来の回路基板の接続端
子積層構造を示す断面図である。
子積層構造を示す断面図である。
【図６】一般的なサ−マルヘッドの熱圧着状態を示す側
面図である。
面図である。
【図７】図６の斜視図である。
１ 弾性層 ２２ グレ−ズ層 ２０ ヘッド基板 ６０、７０、９０ 接続端子 ８０ フレキシブル基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9168−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/92 Ｕ
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の回路基板と、該第１の回路基板の
上面に脆性である被覆層を形成するとともに、この被覆
層の上面側に金属からなる接続端子を積層して形成し、
該接続端子と第２の回路基板の接続端子とを半田を介し
て熱溶着する回路基板の接続端子積層構造において、 前記被覆層と前記第１の回路基板の接続端子との間に弾
性層を設けてなることを特徴とする回路基板の接続端子
積層構造。 - 【請求項２】 セラミック製のヘッド基板の上面全面に
グレ−ズ層を形成し、このグレ−ズ層上面に帯状の発熱
抵抗体と、この発熱抵抗体を選択発熱駆動するための駆
動ＩＣと、前記発熱抵抗体と駆動ＩＣおよび前記グレ−
ズ上面側に外部信号等導出用の接続端子とをそれぞれ設
け、前記発熱抵抗体と駆動ＩＣと接続端子とを配線にて
電気的に接続する一方、前記ヘッド基板の接続端子とフ
レキシブル基板の接続端子とを半田で熱溶着してなるサ
−マルヘッドにおいて、 前記グレ−ズ層とヘッド基板の接続端子との間には、弾
性層を設けてなることを特徴とするサ−マルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181060A JPH0732632A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 回路基板の接続端子積層構造およびその構造を用いたサ−マルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181060A JPH0732632A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 回路基板の接続端子積層構造およびその構造を用いたサ−マルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0732632A true JPH0732632A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16094087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5181060A Pending JPH0732632A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 回路基板の接続端子積層構造およびその構造を用いたサ−マルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021079600A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP5181060A patent/JPH0732632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021079600A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリンタ |
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