JPH0732957B2 - 電子ビーム溶接面の表面処理方法 - Google Patents
電子ビーム溶接面の表面処理方法Info
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- JPH0732957B2 JPH0732957B2 JP1139667A JP13966789A JPH0732957B2 JP H0732957 B2 JPH0732957 B2 JP H0732957B2 JP 1139667 A JP1139667 A JP 1139667A JP 13966789 A JP13966789 A JP 13966789A JP H0732957 B2 JPH0732957 B2 JP H0732957B2
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- Japan
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- welding
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- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子ビーム溶接面の表面処理に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］ アルミ合金を溶接により接合して真空機器を製作する場
合、従来はTIG溶接で溶接していたので、溶接面に多孔
質の酸化膜が形成され、この多孔質の酸化膜に吸着され
たガスなどが真空圧力において放出されるため、真空圧
力が悪くなるという問題がある。
合、従来はTIG溶接で溶接していたので、溶接面に多孔
質の酸化膜が形成され、この多孔質の酸化膜に吸着され
たガスなどが真空圧力において放出されるため、真空圧
力が悪くなるという問題がある。
最近は、電子ビーム溶接によって精密な溶接が行えるの
で、溶接幅がTIG溶接の数十分の一に小さくなって、溶
接面からのガスの放出か著しく減少している。
で、溶接幅がTIG溶接の数十分の一に小さくなって、溶
接面からのガスの放出か著しく減少している。
しかしながら、超高真空、極高真空においては、放出ガ
スを可能な限り減少させる必要があり、たとえ溶接面積
が全面積の数百分の一程度の極めて小さい場合であって
も、溶接面からの放出ガスを無視することができず、か
つガス放出抑制処置ができないために大きな問題であっ
た。
スを可能な限り減少させる必要があり、たとえ溶接面積
が全面積の数百分の一程度の極めて小さい場合であって
も、溶接面からの放出ガスを無視することができず、か
つガス放出抑制処置ができないために大きな問題であっ
た。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明が解決しようとする課題は、溶接面からの放出ガ
スを可能な限り減少させる溶接面の表面処理方法を提供
することにある。
スを可能な限り減少させる溶接面の表面処理方法を提供
することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するため、本発明の電子ビーム溶接面の
表面処理方法は、真空中における電子ビーム溶接後、該
真空を大気圧にもどす際に、先ず微量の酸素ガスを含む
不活性ガスを供給して数ないし数十トルの真空圧とし、
これによって活性化している溶接面に緻密な酸化膜を形
成させることを特徴としている。
表面処理方法は、真空中における電子ビーム溶接後、該
真空を大気圧にもどす際に、先ず微量の酸素ガスを含む
不活性ガスを供給して数ないし数十トルの真空圧とし、
これによって活性化している溶接面に緻密な酸化膜を形
成させることを特徴としている。
［作用］ 真空中での電子ビーム溶接後、微量の酸素ガスを含む不
活性ガスを供給して、数トルないし数十トルの真空圧に
すると、溶接により活性化している溶接面に、微量の酸
素ガスによって緻密な酸化膜が形成される。この場合、
真空圧が数トルより低いと酸化膜の形成に時間がかか
り、真空圧が百トル程度になると酸化膜のきめが荒くな
るので好ましくない。
活性ガスを供給して、数トルないし数十トルの真空圧に
すると、溶接により活性化している溶接面に、微量の酸
素ガスによって緻密な酸化膜が形成される。この場合、
真空圧が数トルより低いと酸化膜の形成に時間がかか
り、真空圧が百トル程度になると酸化膜のきめが荒くな
るので好ましくない。
したがって、電子ビーム溶接によって溶接面積が小さい
ことと、溶接面に緻密な酸化膜が形成されることとが相
まって、超高真空、極高真空においても、溶接面からの
放出ガスを極限に減少させることができる。
ことと、溶接面に緻密な酸化膜が形成されることとが相
まって、超高真空、極高真空においても、溶接面からの
放出ガスを極限に減少させることができる。
［実施例］ 図面は本発明を実施する装置の一例を示し、チャンバ１
内は、10-2〜10-6トル程度の真空圧力に保持されてい
る。このチャンバ１内にアルミ合金よりなる溶接体２を
設置し、図示を省略している適宜の手段によって溶接体
２を回転させながら、その溶接部2aに電子ビーム３を照
射して溶接する。
内は、10-2〜10-6トル程度の真空圧力に保持されてい
る。このチャンバ１内にアルミ合金よりなる溶接体２を
設置し、図示を省略している適宜の手段によって溶接体
２を回転させながら、その溶接部2aに電子ビーム３を照
射して溶接する。
この場合、チャンバ１内の空気密度は、大気の10-5〜10
-9分の１程度であるから、溶接面の酸化は殆ど進行しな
い。
-9分の１程度であるから、溶接面の酸化は殆ど進行しな
い。
溶接の終了後、チャンバ１を大気圧力にもどす際に、チ
ャージ口1aから、十分に乾燥させたAr＋O2等の微量の酸
素ガスを含む不活性ガスを供給して、チャンバ１内を数
〜数十トル程度の真空圧に昇圧すると、活性化している
溶接面に、不純物（主に水）の少ない緻密な酸化膜が形
成される。
ャージ口1aから、十分に乾燥させたAr＋O2等の微量の酸
素ガスを含む不活性ガスを供給して、チャンバ１内を数
〜数十トル程度の真空圧に昇圧すると、活性化している
溶接面に、不純物（主に水）の少ない緻密な酸化膜が形
成される。
したがって、上記溶接体２の溶接面は、超高真空、極高
真空においても、電子ビーム溶接によって溶接面積が小
さいことと、面積の小さい溶接面に緻密な酸化膜が形成
されていることとが相まって、溶接面からの放出ガスを
極限に減少させることができる。
真空においても、電子ビーム溶接によって溶接面積が小
さいことと、面積の小さい溶接面に緻密な酸化膜が形成
されていることとが相まって、溶接面からの放出ガスを
極限に減少させることができる。
［発明の効果］ 本発明における電子ビーム溶接面の表面処理方法は、真
空中における溶接により活性化している溶接面に、緻密
な酸化膜を形成させることにより、溶接面におけるガス
の吸着が殆どないため、溶接面積が小さいことと相まっ
て、超高真空、極高真空においても、溶接面からの放出
ガスを極限に減少させることができる。
空中における溶接により活性化している溶接面に、緻密
な酸化膜を形成させることにより、溶接面におけるガス
の吸着が殆どないため、溶接面積が小さいことと相まっ
て、超高真空、極高真空においても、溶接面からの放出
ガスを極限に減少させることができる。
第１図は本発明を実施する装置の一例を示す縦断正面図
である。 2a……溶接部、３……電子ビーム。
である。 2a……溶接部、３……電子ビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小室 弘 埼玉県草加市稲荷６―19―１ エスエムシ ー株式会社草加工場内 (72)発明者 渡辺 文夫 茨城県つくば市大字赤▲塚▼616―１ 財 団法人真空科学研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−28685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−232015（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】真空中における電子ビーム溶接後、該真空
を大気圧にもどす際に、先ず微量の酸素ガスを含む不活
性ガスを供給して数ないし数十トルの真空圧とし、これ
によって活性化している溶接面に緻密な酸化膜を形成さ
せる、 ことを特徴とする電子ビーム溶接面の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139667A JPH0732957B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電子ビーム溶接面の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139667A JPH0732957B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電子ビーム溶接面の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035085A JPH035085A (ja) | 1991-01-10 |
| JPH0732957B2 true JPH0732957B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15250615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139667A Expired - Fee Related JPH0732957B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電子ビーム溶接面の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732957B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296974A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Toyota Motor Corp | セラミツク粒子分散金属複合層の形成方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1139667A patent/JPH0732957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035085A (ja) | 1991-01-10 |
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|---|---|---|---|
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