JPH035085A - 電子ビーム溶接面の表面処理方法 - Google Patents
電子ビーム溶接面の表面処理方法Info
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- JPH035085A JPH035085A JP13966789A JP13966789A JPH035085A JP H035085 A JPH035085 A JP H035085A JP 13966789 A JP13966789 A JP 13966789A JP 13966789 A JP13966789 A JP 13966789A JP H035085 A JPH035085 A JP H035085A
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- welding
- chamber
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 39
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- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子ビーム溶接面の表面処理に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］
アルミ合金を溶接により接合して真空機器を製作する場
合、従来はＴＩＧ溶接て溶接していたのて、溶接面に多
孔質の酸化膜か形成され、この多孔質の酸化膜に吸着さ
れたカスなとか真空圧力において放出されるため、真空
圧力が悪くなるという間顯かある。
合、従来はＴＩＧ溶接て溶接していたのて、溶接面に多
孔質の酸化膜か形成され、この多孔質の酸化膜に吸着さ
れたカスなとか真空圧力において放出されるため、真空
圧力が悪くなるという間顯かある。
最近は、電子ビーム溶接によって精密な溶接が行えるの
で、溶接幅かＴＩＧ溶按の数十分の−に小ざくなって、
溶接面からのカスの放出が著しく減少している。
で、溶接幅かＴＩＧ溶按の数十分の−に小ざくなって、
溶接面からのカスの放出が著しく減少している。
しかしなから、超高真空、極高真空においては、放出カ
スを可能な限り減少させる必要があり、たとえ溶接面積
か全面積の数百分の一程度の極めて小さい場合てありて
も、溶接面からの放出ガスを無視することかてきす、か
つガス放出抑制無届かてきないために大きな問題であっ
た。
スを可能な限り減少させる必要があり、たとえ溶接面積
か全面積の数百分の一程度の極めて小さい場合てありて
も、溶接面からの放出ガスを無視することかてきす、か
つガス放出抑制無届かてきないために大きな問題であっ
た。
［発明か解決しようとする課題］
木発明か解決しようとする課題は、溶接面からの放出カ
スを可能な限り減少させる溶接面の表面処理方法を提供
することにある。
スを可能な限り減少させる溶接面の表面処理方法を提供
することにある。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため、本発明の電子ビーム溶接面の
表面処理方法は、真空中にお番づる電子ビーム溶接後、
大気圧力にもどす際、微量の酸素ガスを含む不活性ガス
を供給して、活性化している溶接面に緻密な酸化膜を形
成させることを特徴としている。
表面処理方法は、真空中にお番づる電子ビーム溶接後、
大気圧力にもどす際、微量の酸素ガスを含む不活性ガス
を供給して、活性化している溶接面に緻密な酸化膜を形
成させることを特徴としている。
［作 用コ
真空中での電子ビーム溶接により活性化している溶接面
に、微量の酸素ガスを含む不活性ガスを供給すると、微
量の酸素ガスによって溶接面に緻密な酸化膜か形成され
る。したがって、電子ビーム溶接によって溶接面積か小
さいことと相まつ゛Ｃ１超高真空、極高真空においても
、溶接面からの放出カスを極限に減少させることかてき
る。
に、微量の酸素ガスを含む不活性ガスを供給すると、微
量の酸素ガスによって溶接面に緻密な酸化膜か形成され
る。したがって、電子ビーム溶接によって溶接面積か小
さいことと相まつ゛Ｃ１超高真空、極高真空においても
、溶接面からの放出カスを極限に減少させることかてき
る。
［実施例］
図面は本発明を実施する装置の一例を示し、チャンバ１
内は、１０−２〜１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空圧力に保
持されている。このチャンバ１内にアルミ合金よりなる
溶接体２を設置し、図示を省略している適宜の手段によ
って溶接体２を回転させなから、その溶接部２ａに電子
ビーム３を照射して溶接する。
内は、１０−２〜１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空圧力に保
持されている。このチャンバ１内にアルミ合金よりなる
溶接体２を設置し、図示を省略している適宜の手段によ
って溶接体２を回転させなから、その溶接部２ａに電子
ビーム３を照射して溶接する。
この場合、チャンバ１内の空気密度は、大気の１０−５
〜］ ０− ”分の１程度であるから、溶接面の酸化は
殆と進行しない。
〜］ ０− ”分の１程度であるから、溶接面の酸化は
殆と進行しない。
溶接終了後、チャンバ】を大気圧力にもどす際、チャー
シロ１ａから、十分に乾燥させた、Ａｒ＋０□等の微量
の酸素ガスを含む不活性ガスを供給して、チャンバ１内
を数〜数十Ｔｏｒｒ程度に昇圧させると、活性化してい
る溶接面に、不純物（主に水）の少ない緻密な酸化膜か
形成される。
シロ１ａから、十分に乾燥させた、Ａｒ＋０□等の微量
の酸素ガスを含む不活性ガスを供給して、チャンバ１内
を数〜数十Ｔｏｒｒ程度に昇圧させると、活性化してい
る溶接面に、不純物（主に水）の少ない緻密な酸化膜か
形成される。
したかって、上記溶接体２の溶接面は、超高真空、極高
真空においても、電子ビーム溶接によって溶接面積か小
さいことと、面積の小さい溶接面に緻密な酸化膜が形成
されていることとが相まつて、溶接面からの放出ガスを
極限に減少させることができる。
真空においても、電子ビーム溶接によって溶接面積か小
さいことと、面積の小さい溶接面に緻密な酸化膜が形成
されていることとが相まつて、溶接面からの放出ガスを
極限に減少させることができる。
［発明の効果］
本発明における電子ビーム溶接面の表面処理方法は、真
空中において電子ビームにより溶接した溶接面に、微量
の酸素ガスを含む不活性ガスを供給して溶接面に緻密な
酸化膜を形成させることにより、溶接面におけるカスの
吸着が殆どないため、溶接面積が小さいことと相まって
、超高真空、極高真空においても、溶接面からの放出ガ
スを極限に減少させることかできる。
空中において電子ビームにより溶接した溶接面に、微量
の酸素ガスを含む不活性ガスを供給して溶接面に緻密な
酸化膜を形成させることにより、溶接面におけるカスの
吸着が殆どないため、溶接面積が小さいことと相まって
、超高真空、極高真空においても、溶接面からの放出ガ
スを極限に減少させることかできる。
第１図は本発明を実施する装置の一例を示す縦断正面図
である。 ２ａ・・溶接部、 ３ ・電子ビーム。
である。 ２ａ・・溶接部、 ３ ・電子ビーム。
Claims (1)
- １．真空中における電子ビーム溶接後、大気圧力にもど
す際、微量の酸素ガスを含む不活性ガスを供給して、活
性化している溶接面に緻密な酸化膜を形成させる、 ことを特徴とする電子ビーム溶接面の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139667A JPH0732957B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電子ビーム溶接面の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139667A JPH0732957B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電子ビーム溶接面の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035085A true JPH035085A (ja) | 1991-01-10 |
| JPH0732957B2 JPH0732957B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15250615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139667A Expired - Fee Related JPH0732957B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 電子ビーム溶接面の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732957B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296974A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Toyota Motor Corp | セラミツク粒子分散金属複合層の形成方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1139667A patent/JPH0732957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296974A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-27 | Toyota Motor Corp | セラミツク粒子分散金属複合層の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732957B2 (ja) | 1995-04-12 |
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Legal Events
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