JPH0733355B2 - ビフエニルカルボン酸エステル誘導体および液晶組成物 - Google Patents
ビフエニルカルボン酸エステル誘導体および液晶組成物Info
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- JPH0733355B2 JPH0733355B2 JP61237818A JP23781886A JPH0733355B2 JP H0733355 B2 JPH0733355 B2 JP H0733355B2 JP 61237818 A JP61237818 A JP 61237818A JP 23781886 A JP23781886 A JP 23781886A JP H0733355 B2 JPH0733355 B2 JP H0733355B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶性化合物およびその化合物少なくと
も１種を含有する液晶組成物に関する。液晶表示素子
は、時計のデジタル化に端を発し、計算機、ゲーム等に
用いられ、すでにそれらの商品における液晶表示は技術
的に完全に定着化している。現在ではポケツトテレビ等
に用いられて来ているが、それらの表示方式においては
液晶の中のネマチツク相を利用したTN（ツイストネマチ
ツク）型が主流となつている。
も１種を含有する液晶組成物に関する。液晶表示素子
は、時計のデジタル化に端を発し、計算機、ゲーム等に
用いられ、すでにそれらの商品における液晶表示は技術
的に完全に定着化している。現在ではポケツトテレビ等
に用いられて来ているが、それらの表示方式においては
液晶の中のネマチツク相を利用したTN（ツイストネマチ
ツク）型が主流となつている。
この方式の欠点として、応答が遅い、視る角度によつて
表示が見えない（視角特性が悪い）等がある。液晶表示
素子は受光型で眼が疲れない、消費電力が極めて少な
い、ICとの相性が良好といつた優れた特徴を有してお
り、用途の拡大が望まれているがそれには前記の欠点の
改善は不可欠の問題とされている。
表示が見えない（視角特性が悪い）等がある。液晶表示
素子は受光型で眼が疲れない、消費電力が極めて少な
い、ICとの相性が良好といつた優れた特徴を有してお
り、用途の拡大が望まれているがそれには前記の欠点の
改善は不可欠の問題とされている。
この問題を解決するため種々の研究がされてきている
が、その中にTN型表示方式に代る新しい液晶表示方式と
して強誘電性液晶を用いた表示デバイス（N.A.Clark,S.
T.Lagerwall;Appl.Phys.Lett.,36,899（1980））があ
る。
が、その中にTN型表示方式に代る新しい液晶表示方式と
して強誘電性液晶を用いた表示デバイス（N.A.Clark,S.
T.Lagerwall;Appl.Phys.Lett.,36,899（1980））があ
る。
強誘電性液晶はR.B.Meyerらにより見い出されたもので
ある。（R.B.Meyer,J.Physique,36,L−69（1975）） この表示方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクＣ
相（以下SmC＊と略記する）、カイラルスメクチツクＨ
相（SmH＊と略記する）を利用するものでTN型方式に比
べ格段に応答速度が速いところから各方面で実用化の研
究が活発に行われている。しかしこの表示方式に用いる
強誘電性液晶材料は未だ数が少なく又それらは安定性等
の点で実用上問題がある。
ある。（R.B.Meyer,J.Physique,36,L−69（1975）） この表示方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクＣ
相（以下SmC＊と略記する）、カイラルスメクチツクＨ
相（SmH＊と略記する）を利用するものでTN型方式に比
べ格段に応答速度が速いところから各方面で実用化の研
究が活発に行われている。しかしこの表示方式に用いる
強誘電性液晶材料は未だ数が少なく又それらは安定性等
の点で実用上問題がある。
本発明者らは実用に供し得る、化学的に安定で広いSmC
＊相を有する液晶化合物、及び組成物成分として有用な
液晶化合物の開発を目的として鋭意研究した結果、本発
明に到達した。
＊相を有する液晶化合物、及び組成物成分として有用な
液晶化合物の開発を目的として鋭意研究した結果、本発
明に到達した。
すなわち本発明は、一般式 （式中、Ｒ＊は炭素原子数４〜14の不整炭素原子を有す
るアルキル基を表わし、ｎは１〜12の整数を表わし、Ｒ
は炭素原子数１〜12のアルキル基を表わし、ｎの数とＲ
の炭素原子数の和は14以下である）で表わされるビフエ
ニルカルボン酸エステル誘導体並びにその化合物の少な
くとも１種を含有する液晶組成物を提供するものであ
る。
るアルキル基を表わし、ｎは１〜12の整数を表わし、Ｒ
は炭素原子数１〜12のアルキル基を表わし、ｎの数とＲ
の炭素原子数の和は14以下である）で表わされるビフエ
ニルカルボン酸エステル誘導体並びにその化合物の少な
くとも１種を含有する液晶組成物を提供するものであ
る。
本発明に係る新規強誘電性液晶化合物は、化学的に安定
な物質であり、それ自身単独でも広い温度範囲でSmC＊
相を有しているがそれらを相互に混合し、或は他の液晶
組成物に添加することによりSmC＊相の温度範囲をさら
に拡張することができ、表示素子の動作温度範囲を拡張
するのに有効に利用される。
な物質であり、それ自身単独でも広い温度範囲でSmC＊
相を有しているがそれらを相互に混合し、或は他の液晶
組成物に添加することによりSmC＊相の温度範囲をさら
に拡張することができ、表示素子の動作温度範囲を拡張
するのに有効に利用される。
以下に、本発明に係る化合物の合成ルートを式で示し、
また、実施例によりその製造方法及び使用例を具体的に
説明する。図式中に示された（ｉ）〜（ｘ）の記号は、
いずれも実施例中の対応する各化合物に符されている。
また、実施例によりその製造方法及び使用例を具体的に
説明する。図式中に示された（ｉ）〜（ｘ）の記号は、
いずれも実施例中の対応する各化合物に符されている。
なお本明細書に使用した略記号は以下のとおりの意味を
表わす。
表わす。
m.p.:融点 Sm:スメクテイツク相 SmC＊：カイラルスメクテイツクＣ相 SmA:スメクテイツクＡ相 SmB:スメクテイツクＢ相 Sx:同定できなかつたスメクテイツク相 Ch:コレステリツク相 Iso:等方性液体 Cryst:結晶状態 及び 実施例 １ （Ｓ）−Ｐ−（３−エトキシプロピル）フエニル４′−
〔（６−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレート（ｖ）の合成 （ａ） （Ｓ）−６−メチルオクチルブロマイド（ｉ）
の合成 反応容器に粉末マグネシウム13.8gおよびテトラヒドロ
フラン（水素化リチウムアルミニウムで処理した後に蒸
留して精製）160ccを仕込み、これに（Ｓ）−２−メチ
ルブチルブロマイド（Mol.Cryst.Liq.Cryst.,48,37〜5
2,1978の反応例に従つて合成b.p123〜124℃）78gを滴下
してグリニヤール試薬を調製した。
〔（６−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレート（ｖ）の合成 （ａ） （Ｓ）−６−メチルオクチルブロマイド（ｉ）
の合成 反応容器に粉末マグネシウム13.8gおよびテトラヒドロ
フラン（水素化リチウムアルミニウムで処理した後に蒸
留して精製）160ccを仕込み、これに（Ｓ）−２−メチ
ルブチルブロマイド（Mol.Cryst.Liq.Cryst.,48,37〜5
2,1978の反応例に従つて合成b.p123〜124℃）78gを滴下
してグリニヤール試薬を調製した。
別に、反応容器に1,4−ジブロモブタン123g、テトラヒ
ドロフラン（THF）350ccおよび0.1mol/のジリチウム
テトラクロロキュープレート−THF溶液（Li2CuCl4/TH
F）18ccを仕込み、０℃以下で上記のグリニヤール試薬
を滴下した。
ドロフラン（THF）350ccおよび0.1mol/のジリチウム
テトラクロロキュープレート−THF溶液（Li2CuCl4/TH
F）18ccを仕込み、０℃以下で上記のグリニヤール試薬
を滴下した。
０℃以下で１時間、10℃で１時間、さらに室温下で１時
間撹拌した後、反応液を希塩酸中に注加した。遊離した
有機層をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を充分に水洗し
た。ベンゼン層を芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し、
残留分を減圧蒸留して、（Ｓ）−６−メチルオクチルブ
ロマイド（ｉ）60gを得た。b.p.102〜114℃/27mmHg （ｂ） （Ｓ）−メチル−４〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート（i
i）の合成 反応容器に、メチル４−ヒドロキシビフエニル−４′−
カルボキシレート38g、（Ｓ）−６−メチルオクチルブ
ロマイド（ｉ）38g、無水炭酸ナトリウム53gおよびシク
ロヘキサノン500ccを仕込み、130〜140℃で５時間撹拌
した。放冷後、反応液を水へあけ、遊離した有機層をベ
ンゼンで抽出した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝
で乾燥させた。溶媒を留去し、残留分もアセトンより再
結晶することにより50gの（Ｓ）−メチル４−〔（６″
−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボ
キシレート（ii）を得た。
間撹拌した後、反応液を希塩酸中に注加した。遊離した
有機層をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を充分に水洗し
た。ベンゼン層を芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し、
残留分を減圧蒸留して、（Ｓ）−６−メチルオクチルブ
ロマイド（ｉ）60gを得た。b.p.102〜114℃/27mmHg （ｂ） （Ｓ）−メチル−４〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート（i
i）の合成 反応容器に、メチル４−ヒドロキシビフエニル−４′−
カルボキシレート38g、（Ｓ）−６−メチルオクチルブ
ロマイド（ｉ）38g、無水炭酸ナトリウム53gおよびシク
ロヘキサノン500ccを仕込み、130〜140℃で５時間撹拌
した。放冷後、反応液を水へあけ、遊離した有機層をベ
ンゼンで抽出した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝
で乾燥させた。溶媒を留去し、残留分もアセトンより再
結晶することにより50gの（Ｓ）−メチル４−〔（６″
−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボ
キシレート（ii）を得た。
（ｃ） （Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチル）オキ
シ〕ビフエニル−４′−カルボン酸（iii）の合成 反応容器に（Ｓ）−メチル４−〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート（i
i）50g（テトラヒドロフラン200ccに溶解）、メタノー
ル200ccおよび95％苛性ソーダ15g（水150ccに溶解）を
仕込み、還流下に４時間撹拌した。次に反応液へ塩酸を
投入して酸性とした後、析出物を減圧過した。集し
た結晶を加熱乾燥して45gの（Ｓ）−４−〔（６″−メ
チルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボン酸
（iii）を得た。
シ〕ビフエニル−４′−カルボン酸（iii）の合成 反応容器に（Ｓ）−メチル４−〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート（i
i）50g（テトラヒドロフラン200ccに溶解）、メタノー
ル200ccおよび95％苛性ソーダ15g（水150ccに溶解）を
仕込み、還流下に４時間撹拌した。次に反応液へ塩酸を
投入して酸性とした後、析出物を減圧過した。集し
た結晶を加熱乾燥して45gの（Ｓ）−４−〔（６″−メ
チルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボン酸
（iii）を得た。
（ｄ） （Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチル）オキ
シ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド（iv）の
合成 反応容器に（Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチル）オ
キシ〕ビフエニル−４′−カルボン酸（iii）45g、ベン
ゼン500ccおよび少量のピリジンを仕込み、還流下に撹
拌しながら塩化チオニル32gを滴下した。次いで同温度
で10時間反応させた後、溶媒と過剰の塩化チオニルを留
去して、47gの（Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド
（iv）を得た。
シ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド（iv）の
合成 反応容器に（Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチル）オ
キシ〕ビフエニル−４′−カルボン酸（iii）45g、ベン
ゼン500ccおよび少量のピリジンを仕込み、還流下に撹
拌しながら塩化チオニル32gを滴下した。次いで同温度
で10時間反応させた後、溶媒と過剰の塩化チオニルを留
去して、47gの（Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド
（iv）を得た。
（ｅ） （Ｓ）−Ｐ−（３−エトキシプロピル）フエニ
ル４′−〔（６−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニ
ル−４″−カルボキシレート（ｖ）の合成 反応容器に、Ｐ−（３−エトキシプロピル）フエノール
（特開昭58−85825公報153頁記載の４−（γ−メトキシ
プロピル）フエノールの合成例に準じて合成したもの）
1.7g、ベンゼン10ccおよびピリジン0.8gを仕込み、撹拌
しながら室温下（Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド
（iv）3.5g（ベンゼン20ccに溶解させた）を滴下した。
室温下で２時間、さらに還流下で３時間反応させた後、
反応液を水へ注加した。遊離したベンゼン層をよく水洗
し、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去し、残留分をア
セトンより２回再結晶して（Ｓ）−Ｐ−（３−エトキシ
プロピル）フエニル４′−〔（６−メチルオクチル）
オキシ〕ビフエニル−４″−カルボキシレート（ｖ）1.
8gを得た。
ル４′−〔（６−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニ
ル−４″−カルボキシレート（ｖ）の合成 反応容器に、Ｐ−（３−エトキシプロピル）フエノール
（特開昭58−85825公報153頁記載の４−（γ−メトキシ
プロピル）フエノールの合成例に準じて合成したもの）
1.7g、ベンゼン10ccおよびピリジン0.8gを仕込み、撹拌
しながら室温下（Ｓ）−４−〔（６″−メチルオクチ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド
（iv）3.5g（ベンゼン20ccに溶解させた）を滴下した。
室温下で２時間、さらに還流下で３時間反応させた後、
反応液を水へ注加した。遊離したベンゼン層をよく水洗
し、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去し、残留分をア
セトンより２回再結晶して（Ｓ）−Ｐ−（３−エトキシ
プロピル）フエニル４′−〔（６−メチルオクチル）
オキシ〕ビフエニル−４″−カルボキシレート（ｖ）1.
8gを得た。
このものの含量は、液体クロマトグラフイーにて99％以
上であり、薄層クロマトグラフイーにて１スポツトであ
つた。
上であり、薄層クロマトグラフイーにて１スポツトであ
つた。
また、赤外線吸収スペクトル測定によれば特性値は、28
00〜3000cm-1、1720cm-1、1270cm-1、1180cm-1であつ
た。また、マススペクトル分析では、503に分子イオン
ピーク、323に基準ピークが認められ、このものの化学
構造が支持された。
00〜3000cm-1、1720cm-1、1270cm-1、1180cm-1であつ
た。また、マススペクトル分析では、503に分子イオン
ピーク、323に基準ピークが認められ、このものの化学
構造が支持された。
このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、偏
光顕微鏡下で相変化を観察したところ、以下のようであ
つた。
光顕微鏡下で相変化を観察したところ、以下のようであ
つた。
実施例 ２ （Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′−
〔（６−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレート（vi）の合成 反応容器に、Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエノール
（後記の製造法により合成）1.5g、ベンゼン10ccおよび
ピリジン0.7gを仕込み、撹拌しながら室温下（Ｓ）−４
−〔（６″−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−
４′−カルボニルクロライド（iv）2.8g（ベンゼン20cc
に溶解）を滴下した。室温下で２時間、さらに還流下で
３時間反応させた後、反応液を水へ注加した。遊離した
ベンゼン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。ベンゼン
を留去し、残留分をアセトンより２回再結晶して（Ｓ）
−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′−〔（６
−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″−カル
ボキシレート（vi）1.7gを得た。このものの含量は、液
体クロマトグラフイーにて99％以上であり、薄層クロマ
トグラフイーにて１スポツトであつた。
〔（６−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレート（vi）の合成 反応容器に、Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエノール
（後記の製造法により合成）1.5g、ベンゼン10ccおよび
ピリジン0.7gを仕込み、撹拌しながら室温下（Ｓ）−４
−〔（６″−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−
４′−カルボニルクロライド（iv）2.8g（ベンゼン20cc
に溶解）を滴下した。室温下で２時間、さらに還流下で
３時間反応させた後、反応液を水へ注加した。遊離した
ベンゼン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。ベンゼン
を留去し、残留分をアセトンより２回再結晶して（Ｓ）
−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′−〔（６
−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″−カル
ボキシレート（vi）1.7gを得た。このものの含量は、液
体クロマトグラフイーにて99％以上であり、薄層クロマ
トグラフイーにて１スポツトであつた。
また、赤外線吸収スペクトル測定によれば、特性値は、
2800〜3000cm-1、1730cm-1、1270cm-1、1180cm-1であつ
た。また、マススペクトル分析では、516に分子イオン
ピーク、323に基準ピークが認められ、このものの化学
構造が支持された。
2800〜3000cm-1、1730cm-1、1270cm-1、1180cm-1であつ
た。また、マススペクトル分析では、516に分子イオン
ピーク、323に基準ピークが認められ、このものの化学
構造が支持された。
このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、偏
光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のようであつ
た。
光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のようであつ
た。
本実施例で使用したＰ−（５−メトキシペンチル）フエ
ノールは下記の如くして製造した。
ノールは下記の如くして製造した。
Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエノールの合成 ａ） ３−ベンゾイル酪酸の合成 反応容器に、ベンゼン2.5および粉末状に砕いた無水
塩化アルミニウム512gを仕込んだ。この混合物に、無水
グルタル酸200g（ベンゼン500ccに溶解）を撹拌下、25
〜30℃で滴下し、さらに同温度で７時間撹拌した。反応
液をを希塩酸に注加し、析出した結晶を別した。結晶
を苛性ソーダ水溶液に溶解させ、不溶物を除いた後、塩
酸を加えて酸性とした。析出した結晶を集して３−ベ
ンゾイル酪酸320gを得た。m.p.122〜126℃ ｂ） ５−フエニル吉草酸の合成 反応容器に３−ベンゾイル酪酸320g、80％抱水ヒドラジ
ン330g、ジエチレングリコール２および85％苛性カリ
254g（水400ccに溶解）を仕込み、還流下に３時間撹拌
した。次に水を留去しながら220℃まで昇温し、同温度
で６時間撹拌した。
塩化アルミニウム512gを仕込んだ。この混合物に、無水
グルタル酸200g（ベンゼン500ccに溶解）を撹拌下、25
〜30℃で滴下し、さらに同温度で７時間撹拌した。反応
液をを希塩酸に注加し、析出した結晶を別した。結晶
を苛性ソーダ水溶液に溶解させ、不溶物を除いた後、塩
酸を加えて酸性とした。析出した結晶を集して３−ベ
ンゾイル酪酸320gを得た。m.p.122〜126℃ ｂ） ５−フエニル吉草酸の合成 反応容器に３−ベンゾイル酪酸320g、80％抱水ヒドラジ
ン330g、ジエチレングリコール２および85％苛性カリ
254g（水400ccに溶解）を仕込み、還流下に３時間撹拌
した。次に水を留去しながら220℃まで昇温し、同温度
で６時間撹拌した。
放冷後、反応液を水へあけ、塩酸を加えて酸性とした。
析出した結晶をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を水洗し
た後芒硝で乾燥させた。
析出した結晶をベンゼンで抽出し、ベンゼン層を水洗し
た後芒硝で乾燥させた。
ベンゼンを留去し、残留分をリグロインから再結晶して
５−フエニル吉草酸260gを得た。m.p.57〜59℃ ｃ） ５−フエニルペンタノールの合成 反応容器に、エチルエーテル700ccおよび水素化リチウ
ムアルミニウム62gを仕込み、５−フエニル吉草酸260g
（エチルエーテル１に溶解させた）を撹拌下、30℃以
下で滴下した。同温度でさらに２時間撹拌した後、反応
液を希塩酸中へ注加した。遊離したエチルエーテル層を
水洗した後芒硝で乾燥させた。
５−フエニル吉草酸260gを得た。m.p.57〜59℃ ｃ） ５−フエニルペンタノールの合成 反応容器に、エチルエーテル700ccおよび水素化リチウ
ムアルミニウム62gを仕込み、５−フエニル吉草酸260g
（エチルエーテル１に溶解させた）を撹拌下、30℃以
下で滴下した。同温度でさらに２時間撹拌した後、反応
液を希塩酸中へ注加した。遊離したエチルエーテル層を
水洗した後芒硝で乾燥させた。
エチルエーテルを留去後、残留分を蒸留して５−フエニ
ルペンタノール200gを得た。
ルペンタノール200gを得た。
b.p.97〜103℃/0.1mmHg ｄ） １−クロロ−５−フエニルペンタンの合成 反応容器に、塩化チオニル290g、ピリジン20gおよびベ
ンゼン500ccを仕込み、５−フエニルペンタノール200g
を還流下撹拌しながら滴下した。同温度で４時間撹拌し
た後、反応液を水へ注加した。
ンゼン500ccを仕込み、５−フエニルペンタノール200g
を還流下撹拌しながら滴下した。同温度で４時間撹拌し
た後、反応液を水へ注加した。
ベンゼン層を苛性ソーダ水溶液で洗浄し、さらに水洗し
た後、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去した後、残留
分を蒸留して１−クロロ−５−フエニルペンタン195gを
得た。b.p.139〜140℃/18mmHg ｅ） １−メトキシ−５−フエニルペンタンの合成 反応容器に、メタノール１を仕込み、金属ナトリウム
50gを溶解させた。次に１−クロロ−５−フエニルペン
タン195gを還流下に、撹拌しながら滴下し、さらに、同
温度で32時間撹拌した。
た後、芒硝で乾燥させた。ベンゼンを留去した後、残留
分を蒸留して１−クロロ−５−フエニルペンタン195gを
得た。b.p.139〜140℃/18mmHg ｅ） １−メトキシ−５−フエニルペンタンの合成 反応容器に、メタノール１を仕込み、金属ナトリウム
50gを溶解させた。次に１−クロロ−５−フエニルペン
タン195gを還流下に、撹拌しながら滴下し、さらに、同
温度で32時間撹拌した。
反応液を水へ注加し、遊離したオイルをベンゼンで抽出
した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させ
た。ベンゼンを留去し、残留分を蒸留して１−メトキシ
−５−フエニルペンタン181gを得た。b.p.127〜133℃/1
9mmHgf）Ｐ−（５−メトキシペンチル）アセトフエノン
の合成 反応容器に、塩化メチレン２、無水塩化アルミニウム
295gおよび１−メトキシ−５−フエニルペンタン180gを
仕込んだ。次に塩化アセチル158gを撹拌しながら０〜５
℃で滴下し、同温度でさらに４時間撹拌した。
した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させ
た。ベンゼンを留去し、残留分を蒸留して１−メトキシ
−５−フエニルペンタン181gを得た。b.p.127〜133℃/1
9mmHgf）Ｐ−（５−メトキシペンチル）アセトフエノン
の合成 反応容器に、塩化メチレン２、無水塩化アルミニウム
295gおよび１−メトキシ−５−フエニルペンタン180gを
仕込んだ。次に塩化アセチル158gを撹拌しながら０〜５
℃で滴下し、同温度でさらに４時間撹拌した。
反応液を希塩酸中に注加し、分離した塩化メチレン層を
水洗した後芒硝で乾燥させた。
水洗した後芒硝で乾燥させた。
塩化メチレンを留去した後、残留分を蒸留してＰ−（５
−エトキシペンチル）アセトフエノン202gを得た。b.p.
128℃/0.6mmHg〜136℃/0.4mmHg ｇ） Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエノールの合成 反応容器に、Ｐ−（５−メトキシペンチル）アセトフエ
ノン200g、88％ぎ酸1.6、無水酢酸0.8、濃硫酸10cc
および35％過酸化水素水300ccを仕込み、40〜50℃で８
時間撹拌した。反応液を水へあけ、水溶液をエーテルで
抽出した。エーテル層を炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し
水洗した後、芒硝で乾燥させた。エーテルを留去後、残
留分を蒸留した（b.p.130〜150℃/0.4mmHg、74g）。別
の反応容器に蒸留物74g、メタノール200cc、苛性ソーダ
32g（水100ccに溶解させた）を仕込み、還流下に２時間
撹拌した。反応液を希塩酸へ注加し、遊離したオイルを
エーテルで抽出した。エーテル層を水洗後、芒硝で乾燥
させた。
−エトキシペンチル）アセトフエノン202gを得た。b.p.
128℃/0.6mmHg〜136℃/0.4mmHg ｇ） Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエノールの合成 反応容器に、Ｐ−（５−メトキシペンチル）アセトフエ
ノン200g、88％ぎ酸1.6、無水酢酸0.8、濃硫酸10cc
および35％過酸化水素水300ccを仕込み、40〜50℃で８
時間撹拌した。反応液を水へあけ、水溶液をエーテルで
抽出した。エーテル層を炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し
水洗した後、芒硝で乾燥させた。エーテルを留去後、残
留分を蒸留した（b.p.130〜150℃/0.4mmHg、74g）。別
の反応容器に蒸留物74g、メタノール200cc、苛性ソーダ
32g（水100ccに溶解させた）を仕込み、還流下に２時間
撹拌した。反応液を希塩酸へ注加し、遊離したオイルを
エーテルで抽出した。エーテル層を水洗後、芒硝で乾燥
させた。
エーテルを留去後、残留分を蒸留してＰ−（５−メトキ
シペンチル）フエノール54gを得た。b.p.128〜150℃/0.
3mmHg ＜反応経路＞ 実施例 ３〜５ 実施例１、２に準拠して、同様にして各種の誘導体を合
成し、相転移温度を測定した結果を次に示す。
シペンチル）フエノール54gを得た。b.p.128〜150℃/0.
3mmHg ＜反応経路＞ 実施例 ３〜５ 実施例１、２に準拠して、同様にして各種の誘導体を合
成し、相転移温度を測定した結果を次に示す。
〔表中、Ｒ＊および（CH2）nORは、いずれも前記一般式
（Ｉ）中におけるＲ＊および（CH2）nORであり、それに
より化合物を示す。
（Ｉ）中におけるＲ＊および（CH2）nORであり、それに
より化合物を示す。
実施例 ６ （Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′−
〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレート（ｘ）の合成 （ａ） （Ｓ）−メチル４−〔（４″−メチルヘキシ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート（vi
i）の合成 反応容器にメチル４−ヒドロキシビフエニル−４′−カ
ルボキシレート67.5g、（Ｓ）−４−メチルヘキシルブ
ロマイド（Mol.Cryst.Liq.Cryst.114 237〜247 1984の
反応例に従い合成。b.p.71〜72℃/23.5mmHg）58.5g、無
水炭酸カリウム82gおよびシクロヘキサノン750ccを仕込
み、130〜140℃で５時間、撹拌した。
〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレート（ｘ）の合成 （ａ） （Ｓ）−メチル４−〔（４″−メチルヘキシ
ル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート（vi
i）の合成 反応容器にメチル４−ヒドロキシビフエニル−４′−カ
ルボキシレート67.5g、（Ｓ）−４−メチルヘキシルブ
ロマイド（Mol.Cryst.Liq.Cryst.114 237〜247 1984の
反応例に従い合成。b.p.71〜72℃/23.5mmHg）58.5g、無
水炭酸カリウム82gおよびシクロヘキサノン750ccを仕込
み、130〜140℃で５時間、撹拌した。
放冷後、反応液を水へあけ、遊離した有機層をベンゼン
で抽出した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥
させた。溶媒を留去し、残留分をアセトンより再結晶す
ることにより75gの（Ｓ）−メチル４−〔（４″−メチ
ルヘキシル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレ
ート（vii）を得た。このものの相変化を偏光顕微鏡下
で観察したところ以下のようであつた。
で抽出した。ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥
させた。溶媒を留去し、残留分をアセトンより再結晶す
ることにより75gの（Ｓ）−メチル４−〔（４″−メチ
ルヘキシル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレ
ート（vii）を得た。このものの相変化を偏光顕微鏡下
で観察したところ以下のようであつた。
（ｂ） （Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）オキ
シ〕 ビフエニル−４′−カルボン酸（viii）の合成 反応容器に、（Ｓ）−メチル４−〔（４″−メチルヘキ
シル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート
（vii）75g（テトラヒドロフラン200ccに溶解させ
た）、メタノール200ccおよび95％苛性ソーダ30g（水15
0ccに溶解させた）を仕込み還流下に４時間撹拌した。
シ〕 ビフエニル−４′−カルボン酸（viii）の合成 反応容器に、（Ｓ）−メチル４−〔（４″−メチルヘキ
シル）オキシ〕ビフエニル−４′−カルボキシレート
（vii）75g（テトラヒドロフラン200ccに溶解させ
た）、メタノール200ccおよび95％苛性ソーダ30g（水15
0ccに溶解させた）を仕込み還流下に４時間撹拌した。
次に、反応液へ塩酸を投入して酸性とした後、析出物を
減圧過した。集した結晶を加熱乾燥して67gの
（Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）オキシ〕ビフ
エニル−４′−カルボン酸（viii）を得た。
減圧過した。集した結晶を加熱乾燥して67gの
（Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）オキシ〕ビフ
エニル−４′−カルボン酸（viii）を得た。
（ｃ） （Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）オキ
シ〕 ビフエニル−４′−カルボニルクロライド（ix）の合成 反応容器に、（Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）
オキシ〕ビフエニル−４′−カルボン酸（viii）67g、
ベンゼン600ccおよび少量のピリジンを仕込み、還流下
に撹拌しながら塩化チオニル51gを滴下した。次いで同
温度で10時間反応させた後、溶媒と過剰の塩化チオニル
を留去して（Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）オ
キシ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド（ix）
70gを得た。
シ〕 ビフエニル−４′−カルボニルクロライド（ix）の合成 反応容器に、（Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）
オキシ〕ビフエニル−４′−カルボン酸（viii）67g、
ベンゼン600ccおよび少量のピリジンを仕込み、還流下
に撹拌しながら塩化チオニル51gを滴下した。次いで同
温度で10時間反応させた後、溶媒と過剰の塩化チオニル
を留去して（Ｓ）−４−〔（４″−メチルヘキシル）オ
キシ〕ビフエニル−４′−カルボニルクロライド（ix）
70gを得た。
（ｄ） （Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニ
ル４′−〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニ
ル−４″−カルボキシレート（ｘ）の合成 反応容器に、実施例２に記載の如くして製造したＰ−
（５−メトキシペンチル）フエノール2g、ベンゼン10c
c、ピリジン0.8gを仕込み、撹拌しながら室温下（Ｓ）
−４−〔（４″−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニル
−４′−カルボニルクロライド（ix）3.4g（ベンゼン20
ccに溶解させた）を滴下した。室温下で２時間、さらに
還流下で３時間反応させた後、反応液を水に注加した。
遊離したベンゼン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。
ベンゼンを留去し、残留分をアセトンより２回再結晶し
て（Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′
−〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニル−
４″−カルボキシレート（ｘ）2.1gを得た。
ル４′−〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニ
ル−４″−カルボキシレート（ｘ）の合成 反応容器に、実施例２に記載の如くして製造したＰ−
（５−メトキシペンチル）フエノール2g、ベンゼン10c
c、ピリジン0.8gを仕込み、撹拌しながら室温下（Ｓ）
−４−〔（４″−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニル
−４′−カルボニルクロライド（ix）3.4g（ベンゼン20
ccに溶解させた）を滴下した。室温下で２時間、さらに
還流下で３時間反応させた後、反応液を水に注加した。
遊離したベンゼン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。
ベンゼンを留去し、残留分をアセトンより２回再結晶し
て（Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′
−〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕ビフエニル−
４″−カルボキシレート（ｘ）2.1gを得た。
このものの含量は、液体クロマトグラフイーにて99％以
上であり、薄層クロマトグラフイーにて１スポツトであ
つた。
上であり、薄層クロマトグラフイーにて１スポツトであ
つた。
また、赤外線吸収スペクトル測定によれば、特性値は28
00〜3000cm-1、1730cm-1、1270cm-1、1180cm-1であつ
た。また、マススペクトル分析では、488に分子イオン
ピーク、295に基準ピークが認められ、このものの化学
構造が支持された。
00〜3000cm-1、1730cm-1、1270cm-1、1180cm-1であつ
た。また、マススペクトル分析では、488に分子イオン
ピーク、295に基準ピークが認められ、このものの化学
構造が支持された。
このものを、メトラーホツトステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ、以下のようで
あつた。
偏光顕微鏡下で相変化を観察したところ、以下のようで
あつた。
実施例 ７ （Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペンチル）フエニル４′−
〔（２−メチルブチル）オキシ〕ビフエニル−４″−
カルボキシレートの合成 実施例６において（Ｓ）−４−メチルヘキシルブロマイ
ドの替わりに、（Ｓ）−２−メチルブチルブロマイドを
用い、同様に操作して（Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペン
チル）フエニル４′−〔（２−メチルブチル）オキ
シ〕ビフエニル−４″−カルボキシレートを得た。
〔（２−メチルブチル）オキシ〕ビフエニル−４″−
カルボキシレートの合成 実施例６において（Ｓ）−４−メチルヘキシルブロマイ
ドの替わりに、（Ｓ）−２−メチルブチルブロマイドを
用い、同様に操作して（Ｓ）−Ｐ−（５−メトキシペン
チル）フエニル４′−〔（２−メチルブチル）オキ
シ〕ビフエニル−４″−カルボキシレートを得た。
このものの含量は、液体クロマトグラフイーにて99％以
上、薄層クロマトグラフイーにて１スポツトであつた。
上、薄層クロマトグラフイーにて１スポツトであつた。
また赤外線吸収スペクトル測定によれば特性値は2800〜
3000cm-1、1730cm-1、1270cm-1、1190cm-1であつた。ま
たマススペクトル分析では、460に分子イオンピーク、2
67に基準ピークが認められ、このものの化学構造が支持
された。
3000cm-1、1730cm-1、1270cm-1、1190cm-1であつた。ま
たマススペクトル分析では、460に分子イオンピーク、2
67に基準ピークが認められ、このものの化学構造が支持
された。
このものをメトラーホツトステージFP−82にはさみ、偏
光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のようであつ
た。
光顕微鏡下で相変化を観察したところ以下のようであつ
た。
実施例 ８ 表面にポリイミド系高分子膜を塗布し、ラビング処理し
た２枚の透明電極を有するガラス基板にて、マイラーフ
イルムをはさんで、液晶セルを組立てた。なお、２枚の
基板は、そのラビング方向は平行になるようにされ、セ
ル間隔は、９μｍである。このような液晶セルを作製
し、それらの各実施例で得られたSmC＊相を有する各化
合物をそれぞれ封入し、等方性液体からSmC＊相まで徐
冷した。
た２枚の透明電極を有するガラス基板にて、マイラーフ
イルムをはさんで、液晶セルを組立てた。なお、２枚の
基板は、そのラビング方向は平行になるようにされ、セ
ル間隔は、９μｍである。このような液晶セルを作製
し、それらの各実施例で得られたSmC＊相を有する各化
合物をそれぞれ封入し、等方性液体からSmC＊相まで徐
冷した。
この液晶セルを２枚の偏光板にはさみ、電圧を印加し、
極性を反転させると表示状態が変化した。各実施例で得
られた各化合物のSmC＊相は、強誘電性を示し、電気光
学素子として使用し得るものである。
極性を反転させると表示状態が変化した。各実施例で得
られた各化合物のSmC＊相は、強誘電性を示し、電気光
学素子として使用し得るものである。
実施例 ９ 既存の強誘電性液晶（Ｓ）−ｐ−オクチルオキシフエニ
ル４−〔（２″−メチルブチル）〕ビフエニル−４′−
カルボキシレート（Mol.Cryst.Liq.Cryst.37 189 197
6）に実施例１で得られた（Ｓ）−ｐ−（３−エトキシ
プロピル）フエニル４′−〔（６″−メチルオクチル）
オキシ〕ビフエニル−４″−カルボキシレートを20％
（重量比）添加したときのSmC＊相の温度範囲を表に示
した。
ル４−〔（２″−メチルブチル）〕ビフエニル−４′−
カルボキシレート（Mol.Cryst.Liq.Cryst.37 189 197
6）に実施例１で得られた（Ｓ）−ｐ−（３−エトキシ
プロピル）フエニル４′−〔（６″−メチルオクチル）
オキシ〕ビフエニル−４″−カルボキシレートを20％
（重量比）添加したときのSmC＊相の温度範囲を表に示
した。
（Ｓ）−ｐ−（３−エトキシプロピル）フエニル４′−
〔（６″−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレートを20％添加することにより（Ｓ）−
ｐ−オクチルオキシフエニル４−〔（２″−メチルブチ
ル）〕ビフエニル−４′−カルボキシレートのSmC＊相
の温度範囲は12.6℃から33℃へと拡張した。
〔（６″−メチルオクチル）オキシ〕ビフエニル−４″
−カルボキシレートを20％添加することにより（Ｓ）−
ｐ−オクチルオキシフエニル４−〔（２″−メチルブチ
ル）〕ビフエニル−４′−カルボキシレートのSmC＊相
の温度範囲は12.6℃から33℃へと拡張した。
本発明に係る化合物は、化学的に安定であつて強誘電液
晶組成物の温度範囲を拡張する成分として有用なもので
ある。
晶組成物の温度範囲を拡張する成分として有用なもので
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】一般式 （式中、Ｒ＊は炭素原子数４〜14の不整炭素原子を有す
るアルキル基を表わし、ｎは１〜12の整数を表わし、Ｒ
は炭素原子数１〜12のアルキル基を表わし、ｎの数とＲ
の炭素原子数の和は14以下である）で表わされるビフエ
ニルカルボン酸エステル誘導体。 - 【請求項２】上記〔Ｉ〕式においてＲ＊が一般式 （式中ｍは、０〜10の整数を表わし、ｎは１〜12の整数
を表わし、Ｒは炭素原子数１〜12のアルキル基を表わ
し、ｎの数とＲの炭素原子数の和は14以下である）で表
わされるアルキル基である特許請求の範囲第１項記載の
ビフエニルカルボン酸エステル誘導体。 - 【請求項３】一般式 （式中、Ｒ＊は炭素原子数４〜14の不整炭素原子を有す
るアルキル基を表わし、ｎは１〜12の整数を表わし、Ｒ
は炭素原子数１〜12のアルキル基を表わし、ｎの数とＲ
の炭素原子数の和は14以下である）で表わされるビフエ
ニルカルボン酸エステル誘導体の少なくとも１種を含有
することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項４】前記〔Ｉ〕式においてＲ＊が一般式 （式中、ｍは、０〜10の整数を表わし、ｎは１〜12の整
数を表わし、Ｒは炭素原子数１〜12のアルキル基を表わ
し、ｎの数と、Ｒの炭素原子数の和は14以下である）で
表わされるアルキル基である特許請求の範囲第３項に記
載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61237818A JPH0733355B2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | ビフエニルカルボン酸エステル誘導体および液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61237818A JPH0733355B2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | ビフエニルカルボン酸エステル誘導体および液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393749A JPS6393749A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH0733355B2 true JPH0733355B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=17020855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61237818A Expired - Lifetime JPH0733355B2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | ビフエニルカルボン酸エステル誘導体および液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733355B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124070A (en) * | 1988-08-29 | 1992-06-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Optically active ester derivatives, preparation process thereof, liquid crystal materials and a light switching element |
| US5264151A (en) * | 1988-08-29 | 1993-11-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Optically active ester derivatives, preparation process thereof, liquid crystal materials and a light switching element |
| JP2002295649A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | モータ内蔵タイプのパイプ駆動機構の冷却構造 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61237818A patent/JPH0733355B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6393749A (ja) | 1988-04-25 |
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