JPH0574582B2 - - Google Patents
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- JPH0574582B2 JPH0574582B2 JP60287956A JP28795685A JPH0574582B2 JP H0574582 B2 JPH0574582 B2 JP H0574582B2 JP 60287956 A JP60287956 A JP 60287956A JP 28795685 A JP28795685 A JP 28795685A JP H0574582 B2 JPH0574582 B2 JP H0574582B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
(技術分野)
本発明は、強誘電性液晶組成物の成分として有
用で、かつ、化学的安定性に優れた新規な液晶性
化合物ならびにこの液晶性化合物の少くとも1種
を含有する液晶組成物に関する。 (従来技術) 1980年、クラークおよびラゲルバル(アプライ
ド・フイジクス・レターズ、36,899,1980)に
よつて発表された強誘電性液晶の光スイツチング
現象を利用した表示方式は、従来のネマテイツク
液晶を用いた表示方式にはないすぐれた性質、す
なわち高速応答性を有しており、次世代表示素子
として注目をあびている。 強誘電液晶は、1975年、アール・ビー・メイア
ーらによつて初めて見出されたものであるが
(ル・ジユルナール・ドウ・フイジク36L−69
(1975))、液晶物質が強誘電性を示すには、次の
条件を満足しなければならない。 分子構造中に不斉炭素原子を有し、かつ、光
学活性であること。 分子長軸方向に垂直な永久双極子モーメント
を有すること。 カイラルスメクテイツクc相(SmC*相)を
有すること。 従来の代表的な強誘電液晶を構造式その他によ
り次に示す。
用で、かつ、化学的安定性に優れた新規な液晶性
化合物ならびにこの液晶性化合物の少くとも1種
を含有する液晶組成物に関する。 (従来技術) 1980年、クラークおよびラゲルバル(アプライ
ド・フイジクス・レターズ、36,899,1980)に
よつて発表された強誘電性液晶の光スイツチング
現象を利用した表示方式は、従来のネマテイツク
液晶を用いた表示方式にはないすぐれた性質、す
なわち高速応答性を有しており、次世代表示素子
として注目をあびている。 強誘電液晶は、1975年、アール・ビー・メイア
ーらによつて初めて見出されたものであるが
(ル・ジユルナール・ドウ・フイジク36L−69
(1975))、液晶物質が強誘電性を示すには、次の
条件を満足しなければならない。 分子構造中に不斉炭素原子を有し、かつ、光
学活性であること。 分子長軸方向に垂直な永久双極子モーメント
を有すること。 カイラルスメクテイツクc相(SmC*相)を
有すること。 従来の代表的な強誘電液晶を構造式その他によ
り次に示す。
【化】
【化】
【化】
【化】
(a)は、メイアーらにより見出された最初の強誘
電液晶物質であり、(b)は、自発分極の大きい化合
物として知られている。いずれも、シツフ塩基で
あり、水分に不安定である。(c)は、水分には安定
であるがSmC*相の温度範囲が狭い。 (発明の開示) 本発明者らは、化学的に安定で、強誘電性液晶
組成物成分として有用な新規化合物を提供するこ
とに成功した。 本発明に係る新規化合物は、化学的に安定な物
質であつて、液晶組成物成分として使用した場合
に、動作温度範囲の広い表示素子を提供すること
ができるものである。すなわち、本発明に係る化
合物は、液晶組成物においてSmC*相の温度範囲
を拡張する成分として有用なものである。 以下に本発明を詳細に説明する。 本発明に係る新規化合物は、一般式()
電液晶物質であり、(b)は、自発分極の大きい化合
物として知られている。いずれも、シツフ塩基で
あり、水分に不安定である。(c)は、水分には安定
であるがSmC*相の温度範囲が狭い。 (発明の開示) 本発明者らは、化学的に安定で、強誘電性液晶
組成物成分として有用な新規化合物を提供するこ
とに成功した。 本発明に係る新規化合物は、化学的に安定な物
質であつて、液晶組成物成分として使用した場合
に、動作温度範囲の広い表示素子を提供すること
ができるものである。すなわち、本発明に係る化
合物は、液晶組成物においてSmC*相の温度範囲
を拡張する成分として有用なものである。 以下に本発明を詳細に説明する。 本発明に係る新規化合物は、一般式()
【化】
(式中、Rは炭素原子数1〜18のアルキル基で
あり、nは3〜7の整数を表わし、*の符号は光
学活性原子を示すものである) で表わされる液晶性化合物である。 本発明に係る化合物は、次の図式により示され
る合成ルートにより製造することができる。図式
中に示された()〜()の記号は、いずれ
も実施例中の対応する各化合物に符されている。 以下に、本発明に係る化合物およびその製造例
ならびに使用例を実施例によつて具体的に説明す
る。 実施例 1 (s)−4−オクチルビフエニル−4′−イルp
−(4−メチルヘキシル)オキシベンゾエート
()の合成 (a) 4−アセトキシ−4′−カプリリルビフエニル
()の合成 無水塩化アルミニウム126g、塩化メチレン400
c.c.の混合物へ、攪拌しながらカプリリンクロライ
ド92gを滴下し、次に、これに、4−アセトキシ
ビフエニル80gを塩化メチレン溶液として室温下
で、滴下した。同温度で、5時間反応させた後、
反応液を希塩酸中へ注加した。遊離した塩化メチ
レン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。溶媒を
留去した後、エタノールより2回再結晶すること
により、83gの4−アセトキシ−4′−カプリリル
ビフエニル()を得た。 (b) 4−オクチル−4′−ヒドロキシビフエニル
()の合成 反応容器に4−アセトキシ−4′−カプリリルビ
フエニル()92g、ジエチレングリコール450
c.c.、85%苛性カリ60g(水100c.c.へ溶解)および
85%抱水ヒドラジン85gを仕込み、還流下に、3
時間攪拌した。次に、反応系内の水を留去しなが
ら220℃まで昇温させ、同温度で4時間反応させ
た。放冷後、反応液を希塩酸中へ注加し、析出物
をイソプロピルエーテル(IPE)で抽出した。
IPE層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させた。
IPEを留去し、残留分をエタノールより再結晶す
ることにより66gの4−オクチル−4′−ヒドロキ
シビフエニル()を得た。m.p.139〜140℃ (c) (s)−p−(4−メチルヘキシル)オキシ安
息香酸メチル()の合成 反応容器にp−ヒドロキシ安息香酸メチル25
g、(s)−4−メチルヘキシルブロマイド
(Mol.Cryst.Liq.Cryst114 237−247 1984の反応
例に従い合成。b.p.71〜72℃/23.5mmHg)30g、
無水炭酸カリウム46gおよびシクロヘキサノン
300c.c.を仕込み、130〜140℃で5時間攪拌した。 反応液を水に注加し、次いで、遊離した有機層
をベンゼンで抽出した。このベンゼン層によく水
洗した後、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去し、残
留分を減圧蒸留して(s)−p−(4−メチルヘキ
シル)オキシ安息香酸メチル()37.5gを得
た。b.p.136〜137℃/0.4mmHg (d) (s)−p−(4−メチルヘキシル)オキシ安
息香酸()の合成 反応容器に、(s)−p−(メチルヘキシル)オ
キシ安息香酸メチル()37.5g、メタノール
200c.c.および95%苛性ソーダ18g(水100c.c.に溶
解)を仕込み、還流下で、4時間攪拌した。反応
液を希塩酸中に注加し、析出物をイソプロピルエ
ーテル(IPE)で抽出した。このIPE層をよく水
洗した後、芒硝で乾燥させた。IPEを留去した
後、残留分をヘキサンより再結晶して(s)−p
−(4−メチルヘキシル)オキシ安息香酸()
34gを得た。m.p.118〜125.5℃ (e) (s)−p−(4−メチルヘキシル)オキシ安
息香酸クロライド()の合成 反応容器に、(s)−p−(4−メチルヘキシル)
オキシ安息香酸34g、ベンゼン150c.c.を仕込み、
還流下に攪拌しながら塩化チオニル35gを滴下し
た。次いで、同温度で6時間反応させた後、溶媒
と過剰の塩化チオニルを留去した。残留分を減圧
蒸留して(s)−p−(メチルヘキシル)オキシ安
息香酸クロライド()32.7gを得た。b.p.133
℃/0.3mmHg (f) (s)−4−オクチルビフエニル−4′−イル
p−(4−メチルヘキシル)オキシベンゾエー
ト()の合成 反応容器に、4−オクチル−4′−ヒドロキシビ
フエニル()2g、ベンゼン30c.c.、ピリジン
0.6gを仕込み、攪拌しながら、室温下、(s)−
p−(4−メチルヘキシル)オキシ安息香酸クロ
ライド()2gを滴下した。室温下で2時間、
さらに還流下で3時間、反応させた後、反応液を
水に注加した。遊離したベンゼン層をよく水洗
し、芒硝で乾燥させた。 ベンゼンを留去し、残留分をアセトンより2回
再結晶して(s)−4−オクチルビフエニル−
4′−イルp−(4−メチルヘキシル)オキシベン
ゾエート()1.3gを得た。 このものの含量は、液体クロマトグラフイーに
て99%以上、薄層クロマトグラフイーにて1スポ
ツトであつた。また、赤外線吸収スペクトル測定
によれば、特性値は、2800〜3000cm-1,1740cm-
1,1260cm-1であつた。また、マススペクトル分
析では、500に分子イオンピークが認められ、こ
のものの化学構造が支持された。 このものを、メトラーホツトステージFP−82
にはさみ、偏光顕微鏡下で、相変化を観察したと
ころ以下のようであつた。 Cryst108 ――→ SmC*125 ←―→ ch153 ←―→ Iso 実施例 2〜4 実施例1に準拠して、同様にして、各種の誘導
体を合成し、相転移温度を測定した結果を表1に
示す。〔表中、Rは、前記一般式()における
Rであり、それにより各化合物を示す〕
あり、nは3〜7の整数を表わし、*の符号は光
学活性原子を示すものである) で表わされる液晶性化合物である。 本発明に係る化合物は、次の図式により示され
る合成ルートにより製造することができる。図式
中に示された()〜()の記号は、いずれ
も実施例中の対応する各化合物に符されている。 以下に、本発明に係る化合物およびその製造例
ならびに使用例を実施例によつて具体的に説明す
る。 実施例 1 (s)−4−オクチルビフエニル−4′−イルp
−(4−メチルヘキシル)オキシベンゾエート
()の合成 (a) 4−アセトキシ−4′−カプリリルビフエニル
()の合成 無水塩化アルミニウム126g、塩化メチレン400
c.c.の混合物へ、攪拌しながらカプリリンクロライ
ド92gを滴下し、次に、これに、4−アセトキシ
ビフエニル80gを塩化メチレン溶液として室温下
で、滴下した。同温度で、5時間反応させた後、
反応液を希塩酸中へ注加した。遊離した塩化メチ
レン層をよく水洗し、芒硝で乾燥させた。溶媒を
留去した後、エタノールより2回再結晶すること
により、83gの4−アセトキシ−4′−カプリリル
ビフエニル()を得た。 (b) 4−オクチル−4′−ヒドロキシビフエニル
()の合成 反応容器に4−アセトキシ−4′−カプリリルビ
フエニル()92g、ジエチレングリコール450
c.c.、85%苛性カリ60g(水100c.c.へ溶解)および
85%抱水ヒドラジン85gを仕込み、還流下に、3
時間攪拌した。次に、反応系内の水を留去しなが
ら220℃まで昇温させ、同温度で4時間反応させ
た。放冷後、反応液を希塩酸中へ注加し、析出物
をイソプロピルエーテル(IPE)で抽出した。
IPE層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させた。
IPEを留去し、残留分をエタノールより再結晶す
ることにより66gの4−オクチル−4′−ヒドロキ
シビフエニル()を得た。m.p.139〜140℃ (c) (s)−p−(4−メチルヘキシル)オキシ安
息香酸メチル()の合成 反応容器にp−ヒドロキシ安息香酸メチル25
g、(s)−4−メチルヘキシルブロマイド
(Mol.Cryst.Liq.Cryst114 237−247 1984の反応
例に従い合成。b.p.71〜72℃/23.5mmHg)30g、
無水炭酸カリウム46gおよびシクロヘキサノン
300c.c.を仕込み、130〜140℃で5時間攪拌した。 反応液を水に注加し、次いで、遊離した有機層
をベンゼンで抽出した。このベンゼン層によく水
洗した後、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去し、残
留分を減圧蒸留して(s)−p−(4−メチルヘキ
シル)オキシ安息香酸メチル()37.5gを得
た。b.p.136〜137℃/0.4mmHg (d) (s)−p−(4−メチルヘキシル)オキシ安
息香酸()の合成 反応容器に、(s)−p−(メチルヘキシル)オ
キシ安息香酸メチル()37.5g、メタノール
200c.c.および95%苛性ソーダ18g(水100c.c.に溶
解)を仕込み、還流下で、4時間攪拌した。反応
液を希塩酸中に注加し、析出物をイソプロピルエ
ーテル(IPE)で抽出した。このIPE層をよく水
洗した後、芒硝で乾燥させた。IPEを留去した
後、残留分をヘキサンより再結晶して(s)−p
−(4−メチルヘキシル)オキシ安息香酸()
34gを得た。m.p.118〜125.5℃ (e) (s)−p−(4−メチルヘキシル)オキシ安
息香酸クロライド()の合成 反応容器に、(s)−p−(4−メチルヘキシル)
オキシ安息香酸34g、ベンゼン150c.c.を仕込み、
還流下に攪拌しながら塩化チオニル35gを滴下し
た。次いで、同温度で6時間反応させた後、溶媒
と過剰の塩化チオニルを留去した。残留分を減圧
蒸留して(s)−p−(メチルヘキシル)オキシ安
息香酸クロライド()32.7gを得た。b.p.133
℃/0.3mmHg (f) (s)−4−オクチルビフエニル−4′−イル
p−(4−メチルヘキシル)オキシベンゾエー
ト()の合成 反応容器に、4−オクチル−4′−ヒドロキシビ
フエニル()2g、ベンゼン30c.c.、ピリジン
0.6gを仕込み、攪拌しながら、室温下、(s)−
p−(4−メチルヘキシル)オキシ安息香酸クロ
ライド()2gを滴下した。室温下で2時間、
さらに還流下で3時間、反応させた後、反応液を
水に注加した。遊離したベンゼン層をよく水洗
し、芒硝で乾燥させた。 ベンゼンを留去し、残留分をアセトンより2回
再結晶して(s)−4−オクチルビフエニル−
4′−イルp−(4−メチルヘキシル)オキシベン
ゾエート()1.3gを得た。 このものの含量は、液体クロマトグラフイーに
て99%以上、薄層クロマトグラフイーにて1スポ
ツトであつた。また、赤外線吸収スペクトル測定
によれば、特性値は、2800〜3000cm-1,1740cm-
1,1260cm-1であつた。また、マススペクトル分
析では、500に分子イオンピークが認められ、こ
のものの化学構造が支持された。 このものを、メトラーホツトステージFP−82
にはさみ、偏光顕微鏡下で、相変化を観察したと
ころ以下のようであつた。 Cryst108 ――→ SmC*125 ←―→ ch153 ←―→ Iso 実施例 2〜4 実施例1に準拠して、同様にして、各種の誘導
体を合成し、相転移温度を測定した結果を表1に
示す。〔表中、Rは、前記一般式()における
Rであり、それにより各化合物を示す〕
【表】
実施例 5
(s)−4−オクチルビフエニル−4′−イルp
−(6−メチルオクチル)オキシベンゾエート
()の合成 (a) (s)−6−メチルオクチルブロマイド()
の合成 反応容器に粉末マグネシウム13.8gおよびテト
ラヒドロフラン(水素化リチウムアルミニウムで
処理した後に蒸留して精製)160c.c.を仕込み、こ
れに(s)−2−メチルブチルブロマイド(Mol.
Cryst.Liq.Cryst48 37−52 1978の反応例に従つ
て合成b.p.123〜124℃)78gを滴下してグリニヤ
ール試薬を調製した。 別に、反応容器に、1,4−ジブロモブタン
123g、テトラヒドロフラン(THF)350c.c.、お
よび0.1mol/のジリチウムテトラクロロキユ
ープレート−THF溶液(Li2CuCl4/THF)18c.c.
を仕込み、0℃以下で、上記のグリニヤール試薬
を滴下した。 0℃以下で1時間、10℃で1時間、さらに室温
下で1時間攪拌した後、反応液を希塩酸中に注加
した。遊離した有機層をベンゼンで抽出し、ベン
ゼン層を充分に水洗した。ベンゼン層を芒硝で乾
燥させた後、溶媒を留去し、残留分を減圧蒸留し
て(s)−6−メチルオクチルボロマイド()
60gを得た。b.p.102〜114℃/27mmHg (b) (s)−p−(6−メチルオクチル)オキシ安
息香酸メチル()の合成 反応容器にp−ヒドロキシ安息香酸メチル40.3
g、(s)−6−メチルオクチルブロマイド50g、
無水炭酸カリウム67gおよびシクロヘキサノン
350c.c.を仕込み、120〜125℃で5時間攪拌した。 次に、反応液を水に注加し、遊離した有機層を
エチルエーテルで抽出した。エーテル層をよく水
洗し、芒硝で乾燥させた。溶媒留去後、残留分を
減圧蒸留して(s)−p−(6−メチルオクチル)
オキシ安息香酸メチル()55.5gを得た。b.
p.169〜171℃/1.0mmHg (c) (s)−p−(6−メチルオクチル)オキシ安
息香酸()の合成 反応容器に(s)−p−(6−メチルオクチル)
オキシ安息香酸メチル54g、95%の苛性ソーダ20
g(水200c.c.に溶解)、メタノール300c.c.を仕込み、
還流下3時間攪拌した。反応液を希塩酸中へ注加
し、析出物をベンゼンで抽出した。ベンゼン層を
よく水洗した後、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去
後、残留分をヘキサンより再結晶して、(s)−p
−(6−メチルオクチル)オキシ安息香酸()
43.1gを得た。m.p.126.5〜127℃ (d) (s)−p−(6−メチルオクチル)オキシ安
息香酸クロライド()の合成 反応容器に(s)−p−(6−メチルオクチル)
オキシ安息香酸48gおよびベンゼン200c.c.を仕込
み、還流下、攪拌しながら塩化チオニル45gを滴
下した。同温度で6時間反応させた後、ベンゼン
と過剰の塩化チオニルを留去した。残留分を減圧
蒸留して(s)−p−(6−メチルオクチル)オキ
シ安息香酸クロライド()48gを得た。b.
p.151℃/0.25mmHg (e) (s)−4−オクチルビフエニル−4′−イル
p−(6−メチルオクチル)オキシベンゾエー
ト()の合成 反応容器に、4−オクチル−4′−ヒドロキシビ
フエニル2g、ベンゼン30c.c.、ピリジン0.6gを
仕込み、攪拌しながら(s)−p−(6−メチルオ
クチル)オキシ安息香酸クロライド2.2gを滴下
した。室温下で2時間、さらに還流下で3時間反
応させた後、反応液を水中に注加した。遊離した
ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させ
た。 溶媒留去後、残留分をエタノールより2回再結
晶して(s)−4−オクチルビフエニル−4′−イ
ルp−(6−メチルオクチル)オキシベンゾエー
ト1.8gを得た。 このものの含量は、液体クロマトグラフイーに
て99%以上、薄層クロマトグラフイーにて1スポ
ツトであつた。また、赤外線吸収スペクトル測定
によれば、特性値は2800〜3000cm-1,1730cm-1,
1260cm-1であつた。マススペクトル分析では、
528に分子イオンピークが認められ、このものの
化学構造が支持された。このものを、メトラーホ
ツトステージFP−82にはさみ、偏光顕微鏡下で
相変化を観察したところ以下のようであつた。 Cryst87.9 ――→ SmC*140 ←―→ Ch15.8 ←―→ Iso 実施例 6〜8 実施例5に準拠して、同様にして、各種の誘導
体を合成し、相転移温度を測定した結果を表2に
示す。〔表中、Rは、前記一般式()における
Rであり、それにより各化合物を示す〕
−(6−メチルオクチル)オキシベンゾエート
()の合成 (a) (s)−6−メチルオクチルブロマイド()
の合成 反応容器に粉末マグネシウム13.8gおよびテト
ラヒドロフラン(水素化リチウムアルミニウムで
処理した後に蒸留して精製)160c.c.を仕込み、こ
れに(s)−2−メチルブチルブロマイド(Mol.
Cryst.Liq.Cryst48 37−52 1978の反応例に従つ
て合成b.p.123〜124℃)78gを滴下してグリニヤ
ール試薬を調製した。 別に、反応容器に、1,4−ジブロモブタン
123g、テトラヒドロフラン(THF)350c.c.、お
よび0.1mol/のジリチウムテトラクロロキユ
ープレート−THF溶液(Li2CuCl4/THF)18c.c.
を仕込み、0℃以下で、上記のグリニヤール試薬
を滴下した。 0℃以下で1時間、10℃で1時間、さらに室温
下で1時間攪拌した後、反応液を希塩酸中に注加
した。遊離した有機層をベンゼンで抽出し、ベン
ゼン層を充分に水洗した。ベンゼン層を芒硝で乾
燥させた後、溶媒を留去し、残留分を減圧蒸留し
て(s)−6−メチルオクチルボロマイド()
60gを得た。b.p.102〜114℃/27mmHg (b) (s)−p−(6−メチルオクチル)オキシ安
息香酸メチル()の合成 反応容器にp−ヒドロキシ安息香酸メチル40.3
g、(s)−6−メチルオクチルブロマイド50g、
無水炭酸カリウム67gおよびシクロヘキサノン
350c.c.を仕込み、120〜125℃で5時間攪拌した。 次に、反応液を水に注加し、遊離した有機層を
エチルエーテルで抽出した。エーテル層をよく水
洗し、芒硝で乾燥させた。溶媒留去後、残留分を
減圧蒸留して(s)−p−(6−メチルオクチル)
オキシ安息香酸メチル()55.5gを得た。b.
p.169〜171℃/1.0mmHg (c) (s)−p−(6−メチルオクチル)オキシ安
息香酸()の合成 反応容器に(s)−p−(6−メチルオクチル)
オキシ安息香酸メチル54g、95%の苛性ソーダ20
g(水200c.c.に溶解)、メタノール300c.c.を仕込み、
還流下3時間攪拌した。反応液を希塩酸中へ注加
し、析出物をベンゼンで抽出した。ベンゼン層を
よく水洗した後、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去
後、残留分をヘキサンより再結晶して、(s)−p
−(6−メチルオクチル)オキシ安息香酸()
43.1gを得た。m.p.126.5〜127℃ (d) (s)−p−(6−メチルオクチル)オキシ安
息香酸クロライド()の合成 反応容器に(s)−p−(6−メチルオクチル)
オキシ安息香酸48gおよびベンゼン200c.c.を仕込
み、還流下、攪拌しながら塩化チオニル45gを滴
下した。同温度で6時間反応させた後、ベンゼン
と過剰の塩化チオニルを留去した。残留分を減圧
蒸留して(s)−p−(6−メチルオクチル)オキ
シ安息香酸クロライド()48gを得た。b.
p.151℃/0.25mmHg (e) (s)−4−オクチルビフエニル−4′−イル
p−(6−メチルオクチル)オキシベンゾエー
ト()の合成 反応容器に、4−オクチル−4′−ヒドロキシビ
フエニル2g、ベンゼン30c.c.、ピリジン0.6gを
仕込み、攪拌しながら(s)−p−(6−メチルオ
クチル)オキシ安息香酸クロライド2.2gを滴下
した。室温下で2時間、さらに還流下で3時間反
応させた後、反応液を水中に注加した。遊離した
ベンゼン層をよく水洗した後、芒硝で乾燥させ
た。 溶媒留去後、残留分をエタノールより2回再結
晶して(s)−4−オクチルビフエニル−4′−イ
ルp−(6−メチルオクチル)オキシベンゾエー
ト1.8gを得た。 このものの含量は、液体クロマトグラフイーに
て99%以上、薄層クロマトグラフイーにて1スポ
ツトであつた。また、赤外線吸収スペクトル測定
によれば、特性値は2800〜3000cm-1,1730cm-1,
1260cm-1であつた。マススペクトル分析では、
528に分子イオンピークが認められ、このものの
化学構造が支持された。このものを、メトラーホ
ツトステージFP−82にはさみ、偏光顕微鏡下で
相変化を観察したところ以下のようであつた。 Cryst87.9 ――→ SmC*140 ←―→ Ch15.8 ←―→ Iso 実施例 6〜8 実施例5に準拠して、同様にして、各種の誘導
体を合成し、相転移温度を測定した結果を表2に
示す。〔表中、Rは、前記一般式()における
Rであり、それにより各化合物を示す〕
【表】
各実施例で得られた化合物は、広い温度域にエ
ナンチオトロピツクSmC*相を有しており、強誘
電性液晶組成物の温度範囲を拡張する成分として
いずれも有効である。 実施例 9 表面にポリイミド系高分子膜を塗布し、ラビン
グ処理した2枚の透明電極を有するガラス基板
に、マイラーフイルムをはさんで液晶セルを組立
てた。なお、2枚の基板は、そのラビング方向は
平行になるようにされ、セル間隔は9μmである。
この液晶セルに各実施例で得られた化合物を封入
し、等方性液体からSmC*相まで徐冷した。この
液晶セルを2枚の偏光板にはさみ、電圧を印加
し、極性を反転させると表示状態が変化した。こ
のように各実施例で得られた各化合物のSmC*相
は、強誘電性を示し電気光学素子として使用し得
るものである。 本発明に係る化合物は、化学的に安定であつ
て、強誘電性液晶組成物の温度範囲を拡張する成
分として有用なものである。
ナンチオトロピツクSmC*相を有しており、強誘
電性液晶組成物の温度範囲を拡張する成分として
いずれも有効である。 実施例 9 表面にポリイミド系高分子膜を塗布し、ラビン
グ処理した2枚の透明電極を有するガラス基板
に、マイラーフイルムをはさんで液晶セルを組立
てた。なお、2枚の基板は、そのラビング方向は
平行になるようにされ、セル間隔は9μmである。
この液晶セルに各実施例で得られた化合物を封入
し、等方性液体からSmC*相まで徐冷した。この
液晶セルを2枚の偏光板にはさみ、電圧を印加
し、極性を反転させると表示状態が変化した。こ
のように各実施例で得られた各化合物のSmC*相
は、強誘電性を示し電気光学素子として使用し得
るものである。 本発明に係る化合物は、化学的に安定であつ
て、強誘電性液晶組成物の温度範囲を拡張する成
分として有用なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式() 【化】 (式中、Rは炭素原子数1〜18のアルキル基で
あり、nは3〜7の整数を表わし、*の符号は、
光学活性原子を示すものである) で表わされる液晶性化合物。 2 一般式() 【化】 (式中、Rは炭素原子数1〜18のアルキル基で
あり、nは3〜7の整数を表わし、*の符号は光
学活性原子を示すものである) で表わされる液晶性化合物の少くとも1種を含有
することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287956A JPS62148452A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 新規な液晶性物質及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287956A JPS62148452A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 新規な液晶性物質及び液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62148452A JPS62148452A (ja) | 1987-07-02 |
| JPH0574582B2 true JPH0574582B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=17723918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60287956A Granted JPS62148452A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 新規な液晶性物質及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62148452A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2598670B2 (ja) * | 1988-04-01 | 1997-04-09 | 旭電化工業株式会社 | 光学活性アリールエステル化合物 |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP60287956A patent/JPS62148452A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62148452A (ja) | 1987-07-02 |
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