JPH0733364Y2 - ウエハー保持機構 - Google Patents

ウエハー保持機構

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JPH0733364Y2
JPH0733364Y2 JP1989030764U JP3076489U JPH0733364Y2 JP H0733364 Y2 JPH0733364 Y2 JP H0733364Y2 JP 1989030764 U JP1989030764 U JP 1989030764U JP 3076489 U JP3076489 U JP 3076489U JP H0733364 Y2 JPH0733364 Y2 JP H0733364Y2
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JP
Japan
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wafer
holding mechanism
split ring
spring
semiconductor wafer
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JP1989030764U
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智司 村田
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NEC Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体製造装置に関し、特にウエハーの保持機
構に関するものである。
〔従来の技術〕
この種のウエハー保持機構９は第５図に示すように、イ
オン注入装置のエンドステーション等で用いられるよう
な半導体ウエハー１を１枚１枚保持する機構である。第
５図中、７はプラテン、10はファラデー、11はウエハー
ピックである。
従来のウエハー保持機構は第４図（ａ），（ｂ）に示す
ように半導体ウエハー１の周囲を保持するため、１枚の
ウエハー保持リング８を複数個のコイル状のばねでプラ
テン側に押しつけてウエハーを保持する機構になってい
た。４は押えリング、５はフロントプレートである。
〔考案が解決しようとする課題〕
上述した従来のウエハー保持機構はウエハーの周囲を１
枚の保持リングで複数のコイル状のばねによって、プラ
テン側に押しつけてウエハーを保持させていたため、ば
ね圧が強いと、拡散炉等熱処理工程を通ってきたウエハ
ーは熱による歪みが生じているため、歪みのひどいもの
はウエハー周囲のある一ケ所に集中応力が加わり、ウエ
ハーが割れ、又化合物半導体はシリコン半導体に比べて
非常に割れやすいため、チッピングや割れにつながる。
又、ばね圧が弱いと、歪みのあるウエハーはある一ケ所
に応力が加わり、他の部分ではウエハーを保持できなく
なり、ウエハーがずれることがある。
このように、ウエハーを保持するにあたり、ウエハー周
囲に均等に力を加えることが非常に困難であるという欠
点がある。
本考案の目的は前記課題を解決したウエハー保持機構を
提供することにある。
〔考案の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のウエハー保持機構に対し、本考案はウエ
ハーの周囲を保持する複数個の板ばねを複数個の分割さ
れた分割リングで固定することにより、ウエハーのチッ
ピングや割れを低減できるという相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本考案に係るウェハー保持機
構は、分割リングと、コイル状ばねと、板ばねとを有
し、半導体ウェハーに不純物を注入するイオン注入装置
のエンドステーション等で用いられる該ウェハーを１枚
ずつ保持するウェハー保持機構であって、 分割リングは、半導体ウェハーの周囲に対応して設けら
れ、複数個に分割されたものであり、 コイル状ばねは、前記複数個に分割された分割リングを
半導体ウェハーの周囲に対応して支持するものであり、 板ばねは、前記分割リングに別個独立に支持され、半導
体ウェハーの周囲を圧着保持するものである。
〔実施例〕
次に、本考案について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本考案の実施例１を示す正面図、第２図は同断
面図である。
図において、本考案はウエハー１を保持する８ヶの板ば
ね２を８分割された分割リング３に等間隔で固定し、こ
の分割されたリングを各々コイル状のばね６で支持した
ものである。４は押えリング、５はフロントプレートで
ある。
第２図において、ウエハー１は挿入され、ウエハー１の
背面よりプラテン７が閉じることによって、ウエハー１
が保持される。このとき、ウエハー１に板ばね２から加
わる力は分割リング３が各々コイル状のばね６で支持さ
れることにより、二重の弾性で均等に力を加えることが
できる。
（実施例２） 第３図は本考案の実施例２を示す断面図である。本実施
例では16ヶの板ばね２を16分割された分割リング３に等
間隔で固定されている。分割の数が増えることにより、
より一層ウエハーを安定に保持することが可能であると
いう利点がある。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は半導体ウエハーの周囲を保
持する複数個の板ばねを複数個に分割された分割リング
に固定し、その分割リングをおのおののコイル状のばね
で支持するため、ウェハーを保持する板ばねは各々コイ
ル状ばねに直接支持されることがなく、分割リングに個
々に支持されることとなり、板ばねは分割リングにより
姿勢規制されてウェハーに接触し、ウェハーとの接触部
分に無理な力を与えることがなく、ウェハーのチッピン
グや割れ、又は位置ずれを低減でき、しかもウェハーに
板ばねから加わる力は分割リングが各々コイル状ばねで
支持されることになり、二重の弾性で均等に力を加える
ことができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例１を示す正面図、第２図は同断
面図、第３図は本考案の実施例２を示す正面図、第４図
（ａ）は従来例を示す正面図、（ｂ）は同断面図、第５
図はイオン注入装置のエンドステーションを示す図であ
る。 １……半導体ウエハー、２……板ばね ３……分割リング、４……押えリング ５……フロントプレート、６……コイル状ばね ７……プラテン ８……ウエハー保持リング ９……ウエハー保持機構 10……ファラデー、11……ウエハーピック

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】分割リングと、コイル状ばねと、板ばねと
    を有し、半導体ウェハーに不純物を注入するイオン注入
    装置のエンドステーション等で用いられ該ウェハーを１
    枚ずつ保持するウェハー保持機構であって、 分割リングは、半導体ウェハーの周囲に対応して設けら
    れ、複数個に分割されたものであり、 コイル状ばねは、前記複数個に分割された分割リングを
    半導体ウェハーの周囲に対応して支持するものであり、 板ばねは、前記分割リングに別個独立に支持され、半導
    体ウェハーの周囲を圧着保持するものであることを特徴
    とするウェハー保持機構。
JP1989030764U 1989-03-17 1989-03-17 ウエハー保持機構 Expired - Lifetime JPH0733364Y2 (ja)

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JP1989030764U JPH0733364Y2 (ja) 1989-03-17 1989-03-17 ウエハー保持機構

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JPH02120746U JPH02120746U (ja) 1990-09-28
JPH0733364Y2 true JPH0733364Y2 (ja) 1995-07-31

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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58118747U (ja) * 1982-02-08 1983-08-13 日本電気株式会社 基板支持具
JPS63191634U (ja) * 1987-05-29 1988-12-09

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Publication number Publication date
JPH02120746U (ja) 1990-09-28

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