JPH0551739A - 光磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
光磁気デイスクの製造方法Info
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- JPH0551739A JPH0551739A JP24038691A JP24038691A JPH0551739A JP H0551739 A JPH0551739 A JP H0551739A JP 24038691 A JP24038691 A JP 24038691A JP 24038691 A JP24038691 A JP 24038691A JP H0551739 A JPH0551739 A JP H0551739A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクリル樹脂基板上に密着性の高い多層膜を
形成することができる光磁気ディスクの製造方法を提供
する。 【構成】 真空容器内において、２台のイオン源１８、
１８から交互に引き出した不活性ガスイオンビーム２
０、２０によってプラチナターゲット１４およびコバル
トターゲット１６を交互にスパッタすることによって、
アクリル樹脂基板２ａの表面にプラチナ膜とコバルト膜
の多層膜を形成する。
形成することができる光磁気ディスクの製造方法を提供
する。 【構成】 真空容器内において、２台のイオン源１８、
１８から交互に引き出した不活性ガスイオンビーム２
０、２０によってプラチナターゲット１４およびコバル
トターゲット１６を交互にスパッタすることによって、
アクリル樹脂基板２ａの表面にプラチナ膜とコバルト膜
の多層膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、多層膜を用いた光磁
気ディスクの製造方法に関する。
気ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の光磁気ディスクの構造の一例を
図２に示す。この光磁気ディスクは、基板２上に、プラ
チナ膜４とコバルト膜６の多層膜８を形成して成る。
図２に示す。この光磁気ディスクは、基板２上に、プラ
チナ膜４とコバルト膜６の多層膜８を形成して成る。
【０００３】多層膜８の成膜方法には、真空蒸着法は膜
の緻密性や生産性等に問題があるので、従来は主とし
て、プラズマによってターゲットをスパッタするプラズ
マスパッタ法が用いられている。
の緻密性や生産性等に問題があるので、従来は主とし
て、プラズマによってターゲットをスパッタするプラズ
マスパッタ法が用いられている。
【０００４】また、基板２には、従来は専ら、プラズマ
スパッタ法でも密着性の高い多層膜８の形成が可能なポ
リカーボネート基板が用いられている。
スパッタ法でも密着性の高い多層膜８の形成が可能なポ
リカーボネート基板が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ポリカーボ
ネート基板には、複屈折率が大きく、しかも高価である
という問題があり、それに代わるものとしてアクリル樹
脂基板が検討されているが、従来用いられているプラズ
マスパッタ法ではどうしてもアクリル樹脂基板上に密着
性の高い多層膜を形成することができなかった。
ネート基板には、複屈折率が大きく、しかも高価である
という問題があり、それに代わるものとしてアクリル樹
脂基板が検討されているが、従来用いられているプラズ
マスパッタ法ではどうしてもアクリル樹脂基板上に密着
性の高い多層膜を形成することができなかった。
【０００６】そこでこの発明は、アクリル樹脂基板上に
密着性の高い多層膜を形成することができる光磁気ディ
スクの製造方法を提供することを主たる目的とする。
密着性の高い多層膜を形成することができる光磁気ディ
スクの製造方法を提供することを主たる目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の光磁気ディスクの製造方法は、前述した
ような多層膜の内の少なくとも第１層目を、真空雰囲気
中でイオンビームによってターゲットをスパッタするイ
オンビームスパッタ法を用いて形成することを特徴とす
る。
め、この発明の光磁気ディスクの製造方法は、前述した
ような多層膜の内の少なくとも第１層目を、真空雰囲気
中でイオンビームによってターゲットをスパッタするイ
オンビームスパッタ法を用いて形成することを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】従来のプラズマスパッタ法でアクリル樹脂基板
上に密着性の高い多層膜を形成することができないの
は、成膜時にアクリル樹脂基板の表面が高密度プラズマ
にさらされるために生じる樹脂表面の劣化（温度による
樹脂の損傷）と、陽極側となるアクリル樹脂基板への高
エネルギーに電界加速された加速電子の流入による加熱
に伴って樹脂表面から放出される不純物ガスが膜と何ら
かの反応を起こすこととが原因になっているものと考え
られる。
上に密着性の高い多層膜を形成することができないの
は、成膜時にアクリル樹脂基板の表面が高密度プラズマ
にさらされるために生じる樹脂表面の劣化（温度による
樹脂の損傷）と、陽極側となるアクリル樹脂基板への高
エネルギーに電界加速された加速電子の流入による加熱
に伴って樹脂表面から放出される不純物ガスが膜と何ら
かの反応を起こすこととが原因になっているものと考え
られる。
【０００９】これに対してイオンビームスパッタ法の場
合は、原理的に、アクリル樹脂基板の表面近傍にはプラ
ズマが存在せず、更にプラズマより放出される加速電子
も存在しないので、従来のプラズマスパッタ法に見られ
るアクリル樹脂基板表面の劣化および不純物ガスの発生
を防ぐことができる。従って、このようなイオンビーム
スパッタ法を用いて、多層膜の密着性を左右する少なく
とも第１層目を形成すれば、アクリル樹脂基板上に密着
性の高い多層膜を形成することが可能になる。
合は、原理的に、アクリル樹脂基板の表面近傍にはプラ
ズマが存在せず、更にプラズマより放出される加速電子
も存在しないので、従来のプラズマスパッタ法に見られ
るアクリル樹脂基板表面の劣化および不純物ガスの発生
を防ぐことができる。従って、このようなイオンビーム
スパッタ法を用いて、多層膜の密着性を左右する少なく
とも第１層目を形成すれば、アクリル樹脂基板上に密着
性の高い多層膜を形成することが可能になる。
【００１０】
【実施例】図１は、この発明に係る光磁気ディスクの製
造方法を実施する装置の一例を示す概略図である。
造方法を実施する装置の一例を示す概略図である。
【００１１】図示しない真空容器内に回転式の基板ホル
ダ１０が設けられており、それに複数枚のアクリル樹脂
基板２ａが取り付けられている。基板ホルダ１０の下方
には二つのターゲットホルダ１２が設けられており、そ
こにこの例ではプラチナターゲット１４およびコバルト
ターゲット１６がそれぞれ取り付けられている。また、
各ターゲット１４、１６に向けて、アルゴン、ヘリウ
ム、ネオン、クリプトン、キセノン等の不活性ガスイオ
ンビーム２０をそれぞれ照射する２台のイオン源１８が
配置されている。２２は遮蔽板である。
ダ１０が設けられており、それに複数枚のアクリル樹脂
基板２ａが取り付けられている。基板ホルダ１０の下方
には二つのターゲットホルダ１２が設けられており、そ
こにこの例ではプラチナターゲット１４およびコバルト
ターゲット１６がそれぞれ取り付けられている。また、
各ターゲット１４、１６に向けて、アルゴン、ヘリウ
ム、ネオン、クリプトン、キセノン等の不活性ガスイオ
ンビーム２０をそれぞれ照射する２台のイオン源１８が
配置されている。２２は遮蔽板である。
【００１２】真空容器内を真空排気した状態で、基板ホ
ルダ１０を回転させながら、２台のイオン源１８から交
互に不活性ガスイオンビーム２０を引き出してそれをプ
ラチナターゲット１４およびコバルトターゲット１６に
交互に照射すると、両ターゲット１４、１６からプラチ
ナ粒子２４およびコバルト粒子２６が交互に叩き出さ
れ、それが基板ホルダ１０上の各アクリル樹脂基板２ａ
に交互に入射堆積して、アクリル樹脂基板２上に前述し
たようなプラチナ膜４とコバルト膜６の多層膜８が形成
される。
ルダ１０を回転させながら、２台のイオン源１８から交
互に不活性ガスイオンビーム２０を引き出してそれをプ
ラチナターゲット１４およびコバルトターゲット１６に
交互に照射すると、両ターゲット１４、１６からプラチ
ナ粒子２４およびコバルト粒子２６が交互に叩き出さ
れ、それが基板ホルダ１０上の各アクリル樹脂基板２ａ
に交互に入射堆積して、アクリル樹脂基板２上に前述し
たようなプラチナ膜４とコバルト膜６の多層膜８が形成
される。
【００１３】上記のようなイオンビームスパッタ法と従
来のプラズマスパッタ法とによって、アクリル樹脂基板
の典型例であるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
基板と、従来のポリカーボネート（ＰＣ）基板とに、Ｐ
t ／Ｃo多層膜を形成した実験結果の一例を表１に示
す。
来のプラズマスパッタ法とによって、アクリル樹脂基板
の典型例であるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
基板と、従来のポリカーボネート（ＰＣ）基板とに、Ｐ
t ／Ｃo多層膜を形成した実験結果の一例を表１に示
す。
【００１４】
【表１】
【００１５】この表において、○印は良好、×印は不良
を示す。また、膜の密着性はテープ剥離試験によって調
べた。
を示す。また、膜の密着性はテープ剥離試験によって調
べた。
【００１６】この表からも分かるように、イオンビーム
スパッタ法を用いると、ＰＭＭＡ基板上に密着性の高い
多層膜を形成することができる。また、従来のプラズマ
スパッタ法による場合に比べて、膜の反射率が約１０％
（即ち（５５−５０／５０）×１００％）高くなる。こ
のことにより、光磁気ディスクのＣＮＲ（搬送波対雑音
比）が約３％大きくなる。
スパッタ法を用いると、ＰＭＭＡ基板上に密着性の高い
多層膜を形成することができる。また、従来のプラズマ
スパッタ法による場合に比べて、膜の反射率が約１０％
（即ち（５５−５０／５０）×１００％）高くなる。こ
のことにより、光磁気ディスクのＣＮＲ（搬送波対雑音
比）が約３％大きくなる。
【００１７】なお、上記例は多層膜の全てをイオンビー
ムスパッタ法で成膜した場合の例であるが、一番問題に
なるのはアクリル樹脂基板とその上の第１層目の膜との
密着性であり、この第１層目の膜を密着性良く形成でき
さえすれば、その上に第２層目以降の膜を密着性良く形
成するのはイオンビームスパッタ法以外の方法でも可能
である。即ち、多層膜の内の基板との密着性を左右する
少なくとも第１層目をイオンビームスパッタ法で形成す
るのが重要である。
ムスパッタ法で成膜した場合の例であるが、一番問題に
なるのはアクリル樹脂基板とその上の第１層目の膜との
密着性であり、この第１層目の膜を密着性良く形成でき
さえすれば、その上に第２層目以降の膜を密着性良く形
成するのはイオンビームスパッタ法以外の方法でも可能
である。即ち、多層膜の内の基板との密着性を左右する
少なくとも第１層目をイオンビームスパッタ法で形成す
るのが重要である。
【００１８】また、基板のアクリル樹脂は、ＰＭＭＡ以
外のものでも良い。
外のものでも良い。
【００１９】また、多層膜の構成も、Ｐt ／Ｃo 多層膜
に限定されるものではなく、例えば、遷移元素の内の白
金族元素（例えばＰt 、Ｐd 等）から成る膜と鉄族元素
（例えばＣo 、Ｆe 、Ｎi 等）から成る膜の多層膜でも
良い。
に限定されるものではなく、例えば、遷移元素の内の白
金族元素（例えばＰt 、Ｐd 等）から成る膜と鉄族元素
（例えばＣo 、Ｆe 、Ｎi 等）から成る膜の多層膜でも
良い。
【００２０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、アクリ
ル樹脂基板上に密着性の高い多層膜を形成することがで
き、その結果、アクリル樹脂基板を用いた光磁気ディス
クを実用化することができる。しかも、アクリル樹脂基
板を用いれば、複屈折率が小さくなって光磁気ディスク
の特性が良好になり、またコストも安くできる。更に、
この発明のイオンビームスパッタ法によれば、従来のプ
ラズマスパッタ法による場合に比べて多層膜の反射率を
向上させることができるので、この意味からも特性の良
好な光磁気ディスクを得ることができる。
ル樹脂基板上に密着性の高い多層膜を形成することがで
き、その結果、アクリル樹脂基板を用いた光磁気ディス
クを実用化することができる。しかも、アクリル樹脂基
板を用いれば、複屈折率が小さくなって光磁気ディスク
の特性が良好になり、またコストも安くできる。更に、
この発明のイオンビームスパッタ法によれば、従来のプ
ラズマスパッタ法による場合に比べて多層膜の反射率を
向上させることができるので、この意味からも特性の良
好な光磁気ディスクを得ることができる。
【図１】 この発明に係る光磁気ディスクの製造方法を
実施する装置の一例を示す概略図である。
実施する装置の一例を示す概略図である。
【図２】 光磁気ディスクの構造の一例を示す概略断面
図である。
図である。
２ａ アクリル樹脂基板 ４ プラチナ膜 ６ コバルト膜 ８ 多層膜 １４ プラチナターゲット １６ コバルトターゲット １８ イオン源 ２０ 不活性ガスイオンビーム
Claims (1)
- 【請求項１】 アクリル樹脂基板上に多層膜を形成して
光磁気ディスクを製造する方法において、前記多層膜の
内の少なくとも第１層目を、真空雰囲気中でイオンビー
ムによってターゲットをスパッタするイオンビームスパ
ッタ法を用いて形成することを特徴とする光磁気ディス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24038691A JPH0551739A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24038691A JPH0551739A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551739A true JPH0551739A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=17058716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24038691A Pending JPH0551739A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551739A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241941A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Toyonobu Yoshida | 熱プラズマを用いた成膜装置 |
| JP2013129874A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Masaji Asamoto | 成膜装置及び成膜体の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP24038691A patent/JPH0551739A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241941A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Toyonobu Yoshida | 熱プラズマを用いた成膜装置 |
| JP2013129874A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Masaji Asamoto | 成膜装置及び成膜体の製造方法 |
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