JPH07335620A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07335620A JPH07335620A JP12763594A JP12763594A JPH07335620A JP H07335620 A JPH07335620 A JP H07335620A JP 12763594 A JP12763594 A JP 12763594A JP 12763594 A JP12763594 A JP 12763594A JP H07335620 A JPH07335620 A JP H07335620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- compound semiconductor
- group
- light emitting
- group compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対して、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体を選択的にエッチングすることので
きるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の選択的ドライエッチン
グ方法を提供する。 【構成】 エッチングがなされるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体を有する被エッチング体１が配置された処理室２内
に、８０％（体積比）以上の希ガスによるガスを導入
し、主として上記希ガスイオンの上記被エッチング体１
に対する衝撃によるドライエッチングによって上記ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体を選択的にエッチングする。
ＶＩ族化合物半導体を選択的にエッチングすることので
きるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の選択的ドライエッチン
グ方法を提供する。 【構成】 エッチングがなされるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体を有する被エッチング体１が配置された処理室２内
に、８０％（体積比）以上の希ガスによるガスを導入
し、主として上記希ガスイオンの上記被エッチング体１
に対する衝撃によるドライエッチングによって上記ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体を選択的にエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体の例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対する選択的エ
ッチングを行うＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体の選択的ド
ライエッチング方法に係わる。
体の例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対する選択的エ
ッチングを行うＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体の選択的ド
ライエッチング方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】青ないしは緑の比較的短波長の光を発光
させる半導体発光素子例えばレーザダイオード、発光ダ
イオードとして、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による半導
体発光素子が注目されている。
させる半導体発光素子例えばレーザダイオード、発光ダ
イオードとして、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による半導
体発光素子が注目されている。
【０００３】このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による半導
体発光素子は、一般にＩＩＩ−Ｖ族の例えばＧａＡｓ基
板もしくはＧａz Ｉｎ1-z Ｐ（０≦ｚ≦１）基板上に半
導体発光素子を構成するクラッド層、活性層等のＩＩ−
ＶＩ族半導体層がエピタキシーされて構成される。
体発光素子は、一般にＩＩＩ−Ｖ族の例えばＧａＡｓ基
板もしくはＧａz Ｉｎ1-z Ｐ（０≦ｚ≦１）基板上に半
導体発光素子を構成するクラッド層、活性層等のＩＩ−
ＶＩ族半導体層がエピタキシーされて構成される。
【０００４】この場合、複数の発光素子によって、ある
いは他の素子との組み合わせによるモノリシック集積回
路化等において、ＩＩＩ−Ｖ族基板上に形成したＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体に対し、ＩＩＩ−Ｖ族基板を残して
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のみを選択的にエッチング除
去することが要求される。
いは他の素子との組み合わせによるモノリシック集積回
路化等において、ＩＩＩ−Ｖ族基板上に形成したＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体に対し、ＩＩＩ−Ｖ族基板を残して
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のみを選択的にエッチング除
去することが要求される。
【０００５】また、昨今共通の基板上に、赤、緑および
青の各半導体発光素子を積層形成し、これら発光素子に
よってフルカラー発光を行うようにするカラー発光素子
の研究、開発が盛んに行われている。この場合、少なく
とも青の発光素子に関してはＩＩ−ＶＩ族による発光素
子とし、少なくとも赤の発光素子に関してはＩＩＩ−Ｖ
族による発光素子とする。
青の各半導体発光素子を積層形成し、これら発光素子に
よってフルカラー発光を行うようにするカラー発光素子
の研究、開発が盛んに行われている。この場合、少なく
とも青の発光素子に関してはＩＩ−ＶＩ族による発光素
子とし、少なくとも赤の発光素子に関してはＩＩＩ−Ｖ
族による発光素子とする。
【０００６】この場合においても、各色の発光素子から
の端子導出のための電極形成の必要性から、例えば上層
側に位置するＩＩ−ＶＩ族半導体層を例えばＩＩＩ−Ｖ
族半導体層ないしは基板を残して選択的にエッチングす
ることが必要となってくる。
の端子導出のための電極形成の必要性から、例えば上層
側に位置するＩＩ−ＶＩ族半導体層を例えばＩＩＩ−Ｖ
族半導体層ないしは基板を残して選択的にエッチングす
ることが必要となってくる。
【０００７】エッチング方法としては、プラズマエッチ
ング例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等多くの
エッチング方法が知られていて、この種のエッチングは
異方性エッチングがなされることから、微細加工に好適
であるものの、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対して、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体のみを選択的にドライエッチン
グできる方法の提案は未だなされていない。
ング例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等多くの
エッチング方法が知られていて、この種のエッチングは
異方性エッチングがなされることから、微細加工に好適
であるものの、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対して、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体のみを選択的にドライエッチン
グできる方法の提案は未だなされていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体に対して、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を
選択的にエッチングすることのできるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体の選択的ドライエッチング方法を提供する。
族化合物半導体に対して、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を
選択的にエッチングすることのできるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体の選択的ドライエッチング方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明方法におい
ては、図１に本発明によるエッチングを実施するエッチ
ング装置の一例の概略構成図を示すように、エッチング
がなされるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を有する被エッチ
ング体１が配置された処理室２内に、８０％（体積比）
以上の希ガスによるガスを導入し、主として上記希ガス
イオンの上記被エッチング体１に対する衝撃によるドラ
イエッチングによって上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を
選択的にエッチングするものである。
ては、図１に本発明によるエッチングを実施するエッチ
ング装置の一例の概略構成図を示すように、エッチング
がなされるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を有する被エッチ
ング体１が配置された処理室２内に、８０％（体積比）
以上の希ガスによるガスを導入し、主として上記希ガス
イオンの上記被エッチング体１に対する衝撃によるドラ
イエッチングによって上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を
選択的にエッチングするものである。
【００１０】第２の本発明方法は、上述の本発明方法に
おいて、そのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体に対して選択的にエッチングする。
おいて、そのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を、ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体に対して選択的にエッチングする。
【００１１】第３の本発明方法は、上述の各本発明方法
において、その希ガスを、Ａｒ，Ｈｅ，またはＫｒのう
ちの少なくとも１種以上とする。
において、その希ガスを、Ａｒ，Ｈｅ，またはＫｒのう
ちの少なくとも１種以上とする。
【００１２】第４の本発明方法は、上述の各本発明方法
において、そのエッチングの対象をＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体が、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓa Ｔｅb Ｓｅ
1-a-b （０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ａ＜１、０≦ｂ
＜１）とする。
において、そのエッチングの対象をＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体が、Ｚｎ1-x-y Ｍｇx Ｃｄy Ｓa Ｔｅb Ｓｅ
1-a-b （０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ａ＜１、０≦ｂ
＜１）とする。
【００１３】第５の本発明方法においては、上述の各本
発明方法において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、
ＧａＡｓまたはＧａz Ｉｎ1-z Ｐ（０≦ｚ≦１）とす
る。
発明方法において、そのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を、
ＧａＡｓまたはＧａz Ｉｎ1-z Ｐ（０≦ｚ≦１）とす
る。
【００１４】
【作用】上述の本発明方法によるとき、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体に対してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のみを選
択的にエッチングすることができる。これは、ドライエ
ッチングにおいて、その導入ガスを希ガスの８０％以上
としたことにより、殆ど化学的な反応性エッチングは発
生せずに主としてこの希ガスのイオンの衝撃による物理
的エッチングが発生するものであり、この場合ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体の原子相互の結合が、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体における同様の結合力に比して弱いために、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対するエッチング速度に比
しＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対するエッチング速度高
く、このためにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の選択的エッ
チングがなされるものであると考えられる。因みに結晶
の強度の目安となるデバイ温度は、ＩＩ−ＶＩ族のＺｎ
ＳｅおよびＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓがそれぞれ２７１お
よび３７６であり、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓの方が高い
値を有する。
合物半導体に対してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のみを選
択的にエッチングすることができる。これは、ドライエ
ッチングにおいて、その導入ガスを希ガスの８０％以上
としたことにより、殆ど化学的な反応性エッチングは発
生せずに主としてこの希ガスのイオンの衝撃による物理
的エッチングが発生するものであり、この場合ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体の原子相互の結合が、ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体における同様の結合力に比して弱いために、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対するエッチング速度に比
しＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に対するエッチング速度高
く、このためにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の選択的エッ
チングがなされるものであると考えられる。因みに結晶
の強度の目安となるデバイ温度は、ＩＩ−ＶＩ族のＺｎ
ＳｅおよびＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓがそれぞれ２７１お
よび３７６であり、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓの方が高い
値を有する。
【００１５】このように、本発明方法によれば、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体に対し、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の選択的エッチングを行うことができるので、前述した
ようにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子を有するモノ
リシック集積回路、カラー発光素子等の作製を容易、確
実に行うことができる。
−Ｖ族化合物半導体に対し、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
の選択的エッチングを行うことができるので、前述した
ようにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子を有するモノ
リシック集積回路、カラー発光素子等の作製を容易、確
実に行うことができる。
【００１６】
【実施例】本発明方法の実施例を説明する。本発明方法
は、例えば図１に示す平行平板型エッチング装置として
知られているエッチング装置によって行うことができ
る。すなわち、このエッチング装置は、例えば高周波電
源３からの高周波電力がマッチンク回路８を通じて印加
される陰極４側に被エッチング体が配置される陰極結合
方式を採った場合で、陰極４との対向電極５を接地電極
とした場合であるが、陽極結合方式を採ることもできる
など、エッチング装置は、この例に限られるものではな
く、種々の構成を採ることができる。
は、例えば図１に示す平行平板型エッチング装置として
知られているエッチング装置によって行うことができ
る。すなわち、このエッチング装置は、例えば高周波電
源３からの高周波電力がマッチンク回路８を通じて印加
される陰極４側に被エッチング体が配置される陰極結合
方式を採った場合で、陰極４との対向電極５を接地電極
とした場合であるが、陽極結合方式を採ることもできる
など、エッチング装置は、この例に限られるものではな
く、種々の構成を採ることができる。
【００１７】被エッチング体が配置される処理室２内
は、排気手段（図示せず）によって排気口６から排気が
なされて高真空度に保持され、ガス供給口７から処理室
２内に、８０％以上を希ガスとするガスを導入する。
は、排気手段（図示せず）によって排気口６から排気が
なされて高真空度に保持され、ガス供給口７から処理室
２内に、８０％以上を希ガスとするガスを導入する。
【００１８】この希ガスは、例えばＡｒ，Ｈｅ，Ｋｒの
うちの少なくとも１種以上を用いることができる。
うちの少なくとも１種以上を用いることができる。
【００１９】そのエッチングの対象とするＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体は、例えばＺｎ1-x-yＭｇx Ｃｄy Ｓa Ｔ
ｅb Ｓｅ1-a-b （０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１）であり、エッチングを回避するＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体は、例えばＧａＡｓまたはＧａz Ｉ
ｎ1-z Ｐ（０≦ｚ≦１）とする。
化合物半導体は、例えばＺｎ1-x-yＭｇx Ｃｄy Ｓa Ｔ
ｅb Ｓｅ1-a-b （０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１）であり、エッチングを回避するＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体は、例えばＧａＡｓまたはＧａz Ｉ
ｎ1-z Ｐ（０≦ｚ≦１）とする。
【００２０】図２Ａに示すようにＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡ
ｓ基板２１上に、ＩＩ−ＶＩ族のＺｎＳｅによる半導体
層２２をエピタキシーした被エッチング体１に対し、そ
のＧａＡｓ基板２１を残してＺｎＳｅ半導体層２２のみ
を選択的にしかも所要のパターンに、本発明方法によっ
てエッチングする場合について実施例を挙げて説明す
る。
ｓ基板２１上に、ＩＩ−ＶＩ族のＺｎＳｅによる半導体
層２２をエピタキシーした被エッチング体１に対し、そ
のＧａＡｓ基板２１を残してＺｎＳｅ半導体層２２のみ
を選択的にしかも所要のパターンに、本発明方法によっ
てエッチングする場合について実施例を挙げて説明す
る。
【００２１】この場合、図２Ａに示すように、被エッチ
ング体１の半導体層２２上にエッチングを行う部分に開
口２３Ｗを有するエッチングマスク２３を、例えばフォ
トレジストの塗布、パターン露光、現像によって形成す
る。
ング体１の半導体層２２上にエッチングを行う部分に開
口２３Ｗを有するエッチングマスク２３を、例えばフォ
トレジストの塗布、パターン露光、現像によって形成す
る。
【００２２】そして、この被エッチング体１を図１で説
明したエッチング装置の、陰極４上に配置して本発明に
よるエッチングを行う。このエッチングは、つぎの実施
例として挙げる条件で行った。
明したエッチング装置の、陰極４上に配置して本発明に
よるエッチングを行う。このエッチングは、つぎの実施
例として挙げる条件で行った。
【００２３】実施例１ 導入ガス Ａｒ 圧力 ２５ mTorr 高周波出力 １００Ｗ この実施例１の方法による場合、そのエッチングレート
は、 ＺｎＳｅ ８ ｎｍ／分 ＧａＡｓ ０．７ｎｍ／分 となり、ＺｎＳｅとＧａＡｓとに対し高い選択性を示
す。
は、 ＺｎＳｅ ８ ｎｍ／分 ＧａＡｓ ０．７ｎｍ／分 となり、ＺｎＳｅとＧａＡｓとに対し高い選択性を示
す。
【００２４】したがって、この実施例１の条件で、図２
Ａで示す被エッチング体１に対するエッチングを行う
と、ＺｎＳｅの半導体層２２の開口２３Ｗを通じて外部
に露呈した部分のみが、図２Ｂに示すように、エッチン
グされる。そして、この場合半導体層２２のエッチング
がその全厚さに渡ってエッチングされ、ＧａＡｓ基板２
１が外部に露呈するとそのエッチング速度が急激に低下
するので、この時点でエッチングを停止すれば、半導体
層２２に関してのみエッチングを選択的にできる。そし
て、この場合、ＧａＡｓ基板２１が外部に露呈すると、
そのエッチング速度が急激に低下することから、この時
点の検出およびエッチング停止の制御は、容易かつ確実
に行うことができる。
Ａで示す被エッチング体１に対するエッチングを行う
と、ＺｎＳｅの半導体層２２の開口２３Ｗを通じて外部
に露呈した部分のみが、図２Ｂに示すように、エッチン
グされる。そして、この場合半導体層２２のエッチング
がその全厚さに渡ってエッチングされ、ＧａＡｓ基板２
１が外部に露呈するとそのエッチング速度が急激に低下
するので、この時点でエッチングを停止すれば、半導体
層２２に関してのみエッチングを選択的にできる。そし
て、この場合、ＧａＡｓ基板２１が外部に露呈すると、
そのエッチング速度が急激に低下することから、この時
点の検出およびエッチング停止の制御は、容易かつ確実
に行うことができる。
【００２５】上述の実施例１では、導入ガスとしてＡｒ
を用いた場合であるが、次に挙げる実施例２におけるよ
うに、導入ガスとしてＨｅガスを用いることもできる。
を用いた場合であるが、次に挙げる実施例２におけるよ
うに、導入ガスとしてＨｅガスを用いることもできる。
【００２６】実施例２ 導入ガス Ｈｅ 圧力 ７５ mTorr 高周波出力 １００Ｗ この実施例２の方法による場合、そのエッチングレート
は、 ＺｎＳｅ ７ ｎｍ／分 ＧａＡｓ ０．９ｎｍ／分 となり、この場合においてもＺｎＳｅとＧａＡｓとに対
し高い選択性を示す。
は、 ＺｎＳｅ ７ ｎｍ／分 ＧａＡｓ ０．９ｎｍ／分 となり、この場合においてもＺｎＳｅとＧａＡｓとに対
し高い選択性を示す。
【００２７】尚、上述した各例では、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体がＺｎＳｅで、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体がＧ
ａＡｓとした場合であるが、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体およびＩＩＩ−Ｖ族に対しても同様の選択性を示し
た。
物半導体がＺｎＳｅで、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体がＧ
ａＡｓとした場合であるが、他のＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体およびＩＩＩ−Ｖ族に対しても同様の選択性を示し
た。
【００２８】例えば、実施例２と同様のエッチングによ
る場合の、それぞれＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体に対するエッチングレートを例示する。
る場合の、それぞれＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体に対するエッチングレートを例示する。
【００２９】ＩＩ−ＶＩ族 ＺｎＳｅ ７ ｎｍ／分 ＺｎＳＳｅ ６ ｎｍ／分 ＺｎＭｇＳＳｅ ７ ｎｍ／分 ＺｎＴｅ ８ ｎｍ／分 ＩＩＩ−Ｖ族 ＧａＡｓ ０．９ ｎｍ／分 ＧａＩｎＰ １．５ ｎｍ／分
【００３０】次に、比較のために、導入ガスとして希ガ
スを８０％未満としたときのエッチングの例を比較例１
として例示する。この場合においても、図１で説明した
エッチング装置を用いてエッチングした。
スを８０％未満としたときのエッチングの例を比較例１
として例示する。この場合においても、図１で説明した
エッチング装置を用いてエッチングした。
【００３１】比較例１ 導入ガスおよびその流量比 ＳｉＣｌ4 ：Ｈｅ＝１
０：８．６（希ガス４６％） 圧力 ２５ mTorr 高周波出力 １００Ｗ この比較例１の方法による場合、そのエッチングレート
は、 ＺｎＳｅ ３０ ｎｍ／分 ＧａＡｓ ４００ ｎｍ／分 となり、この場合は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎ
Ｓｅに比し、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓに対し高いエッチ
ング性を示した。
０：８．６（希ガス４６％） 圧力 ２５ mTorr 高周波出力 １００Ｗ この比較例１の方法による場合、そのエッチングレート
は、 ＺｎＳｅ ３０ ｎｍ／分 ＧａＡｓ ４００ ｎｍ／分 となり、この場合は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のＺｎ
Ｓｅに比し、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓに対し高いエッチ
ング性を示した。
【００３２】この比較例１と、この比較例１と同条件と
してその導入ガスをＨｅ単体（Ｈｅ１００％）としたと
きの、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの各エッチングレートＲ
ZnSeとＲGaAsの比すなわち選択比Ｒ（Ｒ＝ＲZnSe／Ｒ
GaAs）をもとに、この選択比Ｒと導入ガス中の希ガスＨ
ｅの割合との関係をみると、図３に示す関係が得られ
る。これによって、導入ガスにおける希ガスの割合を８
０％以上とするとき、選択比Ｒ＞０とすることができる
ことがわかる。
してその導入ガスをＨｅ単体（Ｈｅ１００％）としたと
きの、ＺｎＳｅとＧａＡｓとの各エッチングレートＲ
ZnSeとＲGaAsの比すなわち選択比Ｒ（Ｒ＝ＲZnSe／Ｒ
GaAs）をもとに、この選択比Ｒと導入ガス中の希ガスＨ
ｅの割合との関係をみると、図３に示す関係が得られ
る。これによって、導入ガスにおける希ガスの割合を８
０％以上とするとき、選択比Ｒ＞０とすることができる
ことがわかる。
【００３３】尚、本発明方法によれば、ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対するエッチ
ングの選択性が高いドライエッチングを行うことができ
るものであるが、比較的そのエッチングレート自体が低
いものであるために、例えば比較的厚いＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体に対してエッチングを行う場合には、長時間
のエッチングを必要とすることになり、作業性の問題と
か、エッチングマスク２３に対する破損の問題を考慮す
る必要が生じて来る。この場合には、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層に対するエッチングの初期においては、通常
のＲＩＥすなわち例えば比較例１におけるように導入ガ
ス中に反応性のガスを混入させてのエッチングを行い、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との界面近傍の位置で、本発
明方法のエッチングに切り換えて、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体のみを選択的にエッチングする方法を採ることが
できる。
合物半導体のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対するエッチ
ングの選択性が高いドライエッチングを行うことができ
るものであるが、比較的そのエッチングレート自体が低
いものであるために、例えば比較的厚いＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体に対してエッチングを行う場合には、長時間
のエッチングを必要とすることになり、作業性の問題と
か、エッチングマスク２３に対する破損の問題を考慮す
る必要が生じて来る。この場合には、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層に対するエッチングの初期においては、通常
のＲＩＥすなわち例えば比較例１におけるように導入ガ
ス中に反応性のガスを混入させてのエッチングを行い、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との界面近傍の位置で、本発
明方法のエッチングに切り換えて、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体のみを選択的にエッチングする方法を採ることが
できる。
【００３４】また、本発明方法は、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体による半導体層２１に対して所定の深さのエッチ
ングを行う場合に、本発明方法による場合のＩＩ−ＶＩ
族とＩＩＩ−Ｖ族の各半導体に対するエッチングの選択
性を利用して、確実に所定の深さのエッチングを行うこ
とができる。すなわち、この場合はＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層をエッチングのストッパとして用いるものであ
る。
半導体による半導体層２１に対して所定の深さのエッチ
ングを行う場合に、本発明方法による場合のＩＩ−ＶＩ
族とＩＩＩ−Ｖ族の各半導体に対するエッチングの選択
性を利用して、確実に所定の深さのエッチングを行うこ
とができる。すなわち、この場合はＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体層をエッチングのストッパとして用いるものであ
る。
【００３５】この場合の一例を、図４を参照して説明す
る。この場合、図４Ａに示すように、例えばＭＢＥ（分
子線エピタキシー）による所要の厚さのＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体の例えばＺｎＳｅによる第１の半導体層２２
Ａ上に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical V
apor Deposition)によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
例えばＧａＡｓによるストッパ層２４を所要の厚さｄS
をもって例えばエピタキシーする。そして、これの上に
所要の厚さｄのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の同様の例え
ばＺｎＳｅによる第２の半導体層２２Ｂを例えばＭＢＥ
によってエピタキシーする。
る。この場合、図４Ａに示すように、例えばＭＢＥ（分
子線エピタキシー）による所要の厚さのＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体の例えばＺｎＳｅによる第１の半導体層２２
Ａ上に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical V
apor Deposition)によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
例えばＧａＡｓによるストッパ層２４を所要の厚さｄS
をもって例えばエピタキシーする。そして、これの上に
所要の厚さｄのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の同様の例え
ばＺｎＳｅによる第２の半導体層２２Ｂを例えばＭＢＥ
によってエピタキシーする。
【００３６】この場合、各ストッパ層２４の厚さｄS と
第２の半導体層２２Ｂの厚さｄとの和が、その目的とす
るエッチングの深さＤ（すなわちＤ＝ｄ＋ｄS ）となる
ように選定する。
第２の半導体層２２Ｂの厚さｄとの和が、その目的とす
るエッチングの深さＤ（すなわちＤ＝ｄ＋ｄS ）となる
ように選定する。
【００３７】そして、第２の半導体層２２Ｂ上に、その
エッチングを行う部分に開口２３Ｗを有するエッチング
マスク２３を、例えばフォトレジストの塗布、パターン
露光、現像処理によって形成する。
エッチングを行う部分に開口２３Ｗを有するエッチング
マスク２３を、例えばフォトレジストの塗布、パターン
露光、現像処理によって形成する。
【００３８】図４Ｂに示すように、エッチングマスク２
３の開口２３Ｗを通じて外部に露呈する半導体層２２Ｂ
を、例えば上述の実施例１または２によってエッチング
する。このとき、そのエッチングが進行してＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体のストッパ層２４が露呈すると、そのエ
ッチング速度が急激に低下するのでこの時点でエッチン
グを停止する。このエッチングの停止は前述したよう
に、そのエッチング速度が急激に低下するので、その検
出および停止は容易に行うことができる。
３の開口２３Ｗを通じて外部に露呈する半導体層２２Ｂ
を、例えば上述の実施例１または２によってエッチング
する。このとき、そのエッチングが進行してＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体のストッパ層２４が露呈すると、そのエ
ッチング速度が急激に低下するのでこの時点でエッチン
グを停止する。このエッチングの停止は前述したよう
に、そのエッチング速度が急激に低下するので、その検
出および停止は容易に行うことができる。
【００３９】次に、図４Ｃに示すように、第１の半導体
層２２Ｂのエッチングによって外部に露呈したストッパ
層２４を、例えば上述した比較例１の方法によってエッ
チングする。このようにすると、ストッパ層２４のみを
選択的にエッチングすることができ、上述した第２の半
導体層２２Ｂのエッチングと、ストッパ層２４のエッチ
ングとによって、所定の深さＤ（Ｄ＝ｄ＋ｄS ）による
パターンエッチングを行うことができる。
層２２Ｂのエッチングによって外部に露呈したストッパ
層２４を、例えば上述した比較例１の方法によってエッ
チングする。このようにすると、ストッパ層２４のみを
選択的にエッチングすることができ、上述した第２の半
導体層２２Ｂのエッチングと、ストッパ層２４のエッチ
ングとによって、所定の深さＤ（Ｄ＝ｄ＋ｄS ）による
パターンエッチングを行うことができる。
【００４０】上述したように、本発明方法によれば、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族に対してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を選択的
にエッチングできるものであり、またこのエッチングは
希ガスのイオン化すなわちプラズマエッチングであるの
で、異方性にすぐれたエッチングとなる。
ＩＩ−Ｖ族に対してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を選択的
にエッチングできるものであり、またこのエッチングは
希ガスのイオン化すなわちプラズマエッチングであるの
で、異方性にすぐれたエッチングとなる。
【００４１】この本発明方法による選択的ドライエッチ
ング方法は、例えば３原色の赤、緑および青の発光素子
Ｒ、ＧおよびＢが積層された構成を採り、これらを個別
に駆動発光させることによって、これらの光の合成によ
るフルカラー発光を行う半導体カラー発光素子を製造す
る場合に適用して電極取り出し部の形成を容易、確実に
行うことができる。
ング方法は、例えば３原色の赤、緑および青の発光素子
Ｒ、ＧおよびＢが積層された構成を採り、これらを個別
に駆動発光させることによって、これらの光の合成によ
るフルカラー発光を行う半導体カラー発光素子を製造す
る場合に適用して電極取り出し部の形成を容易、確実に
行うことができる。
【００４２】先ず、この半導体カラー発光素子の概略構
成を図５を参照して説明する。この例では、ＧａＡｓ基
板３１上に、ＧａＡｓに格子整合するＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体発光素子およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光
素子よりなる赤、緑および青の例えば発光ダイオードま
たは半導体レーザによる各半導体発光素子Ｒ、Ｇおよび
Ｂを積層して半導体カラー発光素子５０を構成するもの
である。
成を図５を参照して説明する。この例では、ＧａＡｓ基
板３１上に、ＧａＡｓに格子整合するＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体発光素子およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光
素子よりなる赤、緑および青の例えば発光ダイオードま
たは半導体レーザによる各半導体発光素子Ｒ、Ｇおよび
Ｂを積層して半導体カラー発光素子５０を構成するもの
である。
【００４３】ここで、比較的長波長の赤の半導体発光素
子Ｒと、更に或る場合は緑の半導体発光素子Ｇとは、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族系構成とし、少なくとも短波長の青の半導体
発光素子Ｂ、更に或る場合は緑の半導体発光素子ＧをＩ
Ｉ−ＶＩ族系構成とする。
子Ｒと、更に或る場合は緑の半導体発光素子Ｇとは、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族系構成とし、少なくとも短波長の青の半導体
発光素子Ｂ、更に或る場合は緑の半導体発光素子ＧをＩ
Ｉ−ＶＩ族系構成とする。
【００４４】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子は、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系化合物半導体により構成することが望ま
れ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子は、Ｚｎ1-x-y
Ｍｇ x Ｃｄy Ｓa Ｔｅb Ｓｅ1-a-b （０≦ｘ＜１、０≦
ｙ＜１、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１）による構成とする。
ｌＧａＩｎＰ系化合物半導体により構成することが望ま
れ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子は、Ｚｎ1-x-y
Ｍｇ x Ｃｄy Ｓa Ｔｅb Ｓｅ1-a-b （０≦ｘ＜１、０≦
ｙ＜１、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１）による構成とする。
【００４５】各半導体発光素子Ｒ、Ｇ、Ｂの各間と最上
層の半導体発光素子（図5 の例では発光素子Ｂ）の上面
にコンタクト層５２、５３および５４が形成される。
層の半導体発光素子（図5 の例では発光素子Ｂ）の上面
にコンタクト層５２、５３および５４が形成される。
【００４６】そして、ＧａＡｓ基板３１の裏面に例えば
Ｉｎによる第１の電極４１をオーミックに被着形成し、
各半導体発光素子Ｂ、ＧおよびＲの各上方側（ＧａＡｓ
基板３１とは反対側）のコンタクト層５２、５３、およ
び５４にそれぞれ第２、第３および第４の電極４２、４
３および４４をオーミックに被着する。
Ｉｎによる第１の電極４１をオーミックに被着形成し、
各半導体発光素子Ｂ、ＧおよびＲの各上方側（ＧａＡｓ
基板３１とは反対側）のコンタクト層５２、５３、およ
び５４にそれぞれ第２、第３および第４の電極４２、４
３および４４をオーミックに被着する。
【００４７】図６は、この半導体カラー発光素子の等価
回路を示すもので、各端子Ｔ1 〜Ｔ 4 は、それぞれ第１
〜第４の電極４１〜４４の端子を示す。この構成による
場合、端子Ｔ1 およびＴ2 間、端子Ｔ2 およびＴ3 間、
端子Ｔ3 およびＴ4 間にそれぞれ所要の駆動電圧を供給
することによって、各発光素子Ｒ、Ｇ、Ｂを独立に制御
できる。したがって、これら素子Ｒ、Ｇ、Ｂを組み合わ
せ発光させることにより、これら発光の合成によってカ
ラー発光を行うことができる。
回路を示すもので、各端子Ｔ1 〜Ｔ 4 は、それぞれ第１
〜第４の電極４１〜４４の端子を示す。この構成による
場合、端子Ｔ1 およびＴ2 間、端子Ｔ2 およびＴ3 間、
端子Ｔ3 およびＴ4 間にそれぞれ所要の駆動電圧を供給
することによって、各発光素子Ｒ、Ｇ、Ｂを独立に制御
できる。したがって、これら素子Ｒ、Ｇ、Ｂを組み合わ
せ発光させることにより、これら発光の合成によってカ
ラー発光を行うことができる。
【００４８】この場合、各半導体発光素子Ｒ、Ｇおよび
Ｂの発光は、図５において、矢印Ａ R 、ＡG およびＡB
に示すように、これら素子Ｒ、ＧおよびＢを構成する半
導体層の端面から出射させる横型構成とすることもでき
るし、縦型すなわち半導体層の面と交叉する矢印ＢR 、
ＢG およびＢB 方向に出射させるいわゆる面発光型構成
とすることもできる。
Ｂの発光は、図５において、矢印Ａ R 、ＡG およびＡB
に示すように、これら素子Ｒ、ＧおよびＢを構成する半
導体層の端面から出射させる横型構成とすることもでき
るし、縦型すなわち半導体層の面と交叉する矢印ＢR 、
ＢG およびＢB 方向に出射させるいわゆる面発光型構成
とすることもできる。
【００４９】面発光型構成とするとき、赤、緑および青
の各半導体発光素子Ｒ、ＧおよびＢを、赤、緑、青の順
に重ね、青の半導体発光素子Ｂ側からカラー発光を取り
出す。
の各半導体発光素子Ｒ、ＧおよびＢを、赤、緑、青の順
に重ね、青の半導体発光素子Ｂ側からカラー発光を取り
出す。
【００５０】また、この半導体カラー発光素子５０は、
共通のＧａＡｓ基板３１に、１次元的にすなわち１列に
配列することもできるし、２次元的にすなわちそれぞれ
複数個互いに交叉する行および列方向に配列することも
できる。
共通のＧａＡｓ基板３１に、１次元的にすなわち１列に
配列することもできるし、２次元的にすなわちそれぞれ
複数個互いに交叉する行および列方向に配列することも
できる。
【００５１】この半導体カラー発光素子５０は、図７に
示すように、ＧａＡｓ基板３１上に、それぞれ最終的に
ダブルヘテロ構造による赤、緑および青の半導体発光素
子Ｒ、ＧおよびＢを構成する赤、緑および青の発光素子
構成部６１Ｒ、６１Ｇおよび６１Ｂが形成された発光素
子構成基板６１を用意する。
示すように、ＧａＡｓ基板３１上に、それぞれ最終的に
ダブルヘテロ構造による赤、緑および青の半導体発光素
子Ｒ、ＧおよびＢを構成する赤、緑および青の発光素子
構成部６１Ｒ、６１Ｇおよび６１Ｂが形成された発光素
子構成基板６１を用意する。
【００５２】赤の発光素子構成部６１Ｒは、例えば厚さ
０．５μｍのｎ型の（Ａｌ0.6 Ｇａ 0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐよりなる第１のクラッド層７１Ｒと、例えば厚さ０．
３μｍのアンドープあるいは低濃度のｎ型もしくはｐ型
の（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐよりなる活性層
７２Ｒと、例えば厚さ０．５μｍのｐ型の（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりなる第２のクラッド層７３
Ｒとを順次エピタキシーして形成する。
０．５μｍのｎ型の（Ａｌ0.6 Ｇａ 0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐよりなる第１のクラッド層７１Ｒと、例えば厚さ０．
３μｍのアンドープあるいは低濃度のｎ型もしくはｐ型
の（Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 ）0.5Ｉｎ0.5 Ｐよりなる活性層
７２Ｒと、例えば厚さ０．５μｍのｐ型の（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりなる第２のクラッド層７３
Ｒとを順次エピタキシーして形成する。
【００５３】そして、この構成部６１Ｒ上に、例えば厚
さ０．２μｍのｐ型のＧａＡｓによる上述の第２の電極
４２をコンタクトするコンタクト層５２をエピタキシー
し、これの上に緑の発光素子構成部６１Ｇをエピタキシ
ーする。この構成部６１Ｇは、例えば厚さ０．５μｍの
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりなる第１
のクラッド層７１Ｇと、例えば厚さ０．３μｍのアンド
ープあるいは低濃度のｎ型もしくはｐ型の（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりなる活性層７２Ｇと、例え
ば厚さ０．５μｍのｎ型の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐよりなる第２のクラッド層７３Ｇとを順次エピ
タキシーして形成する。
さ０．２μｍのｐ型のＧａＡｓによる上述の第２の電極
４２をコンタクトするコンタクト層５２をエピタキシー
し、これの上に緑の発光素子構成部６１Ｇをエピタキシ
ーする。この構成部６１Ｇは、例えば厚さ０．５μｍの
ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりなる第１
のクラッド層７１Ｇと、例えば厚さ０．３μｍのアンド
ープあるいは低濃度のｎ型もしくはｐ型の（Ａｌ0.6 Ｇ
ａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐよりなる活性層７２Ｇと、例え
ば厚さ０．５μｍのｎ型の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐよりなる第２のクラッド層７３Ｇとを順次エピ
タキシーして形成する。
【００５４】更に、この構成部６１Ｇ上に、例えば厚さ
０．５μｍのｎ型のＧａＡｓによる上述の第３の電極４
３をコンタクトするコンタクト層５３をエピタキシー
し、これの上に青の発光素子構成部６１Ｂをエピタキシ
ーする。この構成部６１Ｂは、例えば厚さ０．５μｍの
ｎ型のＺｎ（Ｓ0.07Ｓｅ0.93）による第１のクラッド層
７１Ｂと、例えば厚さ６ｎｍのＺｎＳｅのバリア層と厚
さ４ｎｍの（Ｚｎ0.9 Ｃｄ0.1 ）Ｓｅの量子井戸層との
繰り返し積層によるＴＱＷ（３重量子井戸）構造の活性
層７２Ｂと、例えば厚さ０．５μｍのｐ型の層Ｚｎ（Ｓ
0.07Ｓｅ0.93）による第２のクラッド層７３Ｂと、ｐ型
のＺｎＴｅとＺｎＳｅとの超格子構造によるキャップ層
７４と、ＺｎＴｅによる上述の第３の電極４３をコンタ
クトするコンタクト層５４とを順次エピタキシーして形
成する。
０．５μｍのｎ型のＧａＡｓによる上述の第３の電極４
３をコンタクトするコンタクト層５３をエピタキシー
し、これの上に青の発光素子構成部６１Ｂをエピタキシ
ーする。この構成部６１Ｂは、例えば厚さ０．５μｍの
ｎ型のＺｎ（Ｓ0.07Ｓｅ0.93）による第１のクラッド層
７１Ｂと、例えば厚さ６ｎｍのＺｎＳｅのバリア層と厚
さ４ｎｍの（Ｚｎ0.9 Ｃｄ0.1 ）Ｓｅの量子井戸層との
繰り返し積層によるＴＱＷ（３重量子井戸）構造の活性
層７２Ｂと、例えば厚さ０．５μｍのｐ型の層Ｚｎ（Ｓ
0.07Ｓｅ0.93）による第２のクラッド層７３Ｂと、ｐ型
のＺｎＴｅとＺｎＳｅとの超格子構造によるキャップ層
７４と、ＺｎＴｅによる上述の第３の電極４３をコンタ
クトするコンタクト層５４とを順次エピタキシーして形
成する。
【００５５】このようにしてＧａＡｓ基板１上に赤の発
光素子構成部６１Ｒ−コンタクト層５２−緑の発光素子
構成部６１Ｇ−コンタクト層５３−青の発光素子構成部
６１Ｂ−コンタクト層５４が形成された発光素子構成基
板６１が構成される。
光素子構成部６１Ｒ−コンタクト層５２−緑の発光素子
構成部６１Ｇ−コンタクト層５３−青の発光素子構成部
６１Ｂ−コンタクト層５４が形成された発光素子構成基
板６１が構成される。
【００５６】そして、この構成による発光素子構成基板
６１に対して、図５に示す第３の電極４３をコンタクト
するために、コンタクト層５３の一部を外部に露出させ
る青の発光素子構成部６１Ｂの一部をその全厚さに渡っ
てエッチングする作業が行われるが、このエッチングに
本発明方法の選択的エッチングを適用することによっ
て、確実にコンタクト層５３の露出を行うことができ
る。
６１に対して、図５に示す第３の電極４３をコンタクト
するために、コンタクト層５３の一部を外部に露出させ
る青の発光素子構成部６１Ｂの一部をその全厚さに渡っ
てエッチングする作業が行われるが、このエッチングに
本発明方法の選択的エッチングを適用することによっ
て、確実にコンタクト層５３の露出を行うことができ
る。
【００５７】すなわち、この場合、青の発光素子構成部
６１Ｂの図５において青の発光素子Ｂとして残す部分上
に図示しないがエッチングマスクを形成し、例えば前述
の実施例１または２等によるエッチングを行う。このよ
うにすると、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による青の発光
素子Ｂの構成部分以外のエッチングが進行し、コンタク
ト層５３が外部に露出すると、そのエッチング速度が急
激に低下することから、この時点でエッチングを停止す
る。
６１Ｂの図５において青の発光素子Ｂとして残す部分上
に図示しないがエッチングマスクを形成し、例えば前述
の実施例１または２等によるエッチングを行う。このよ
うにすると、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による青の発光
素子Ｂの構成部分以外のエッチングが進行し、コンタク
ト層５３が外部に露出すると、そのエッチング速度が急
激に低下することから、この時点でエッチングを停止す
る。
【００５８】尚、この青の発光素子構成部６１Ｂのエッ
チングにおいても、前述したように、エッチングの初期
においては、希ガスを８０％未満として例えばＲＩＥに
よりある程度の深さのエッチングを行って後に、本発明
方法による希ガスを８０％以上とするエッチングを行う
こともできる。
チングにおいても、前述したように、エッチングの初期
においては、希ガスを８０％未満として例えばＲＩＥに
よりある程度の深さのエッチングを行って後に、本発明
方法による希ガスを８０％以上とするエッチングを行う
こともできる。
【００５９】その後、図５に示す第２の電極４２をコン
タクトするために、コンタクト層５２の一部を外部に露
出させる緑の発光素子構成部６１Ｇの一部をその全厚さ
に渡ってエッチングする作業が行われる。このエッチン
グは、図５に示す青および緑の発光素子ＢおよびＧの形
成部上を、図示しないがエッチングマスクによって覆
い、外部に露出したコンタクト層５３を例えばアンモニ
アと過酸化水素水との混合によるエッチング液による化
学的エッチングによって除去する。そして、更にこれの
下のＡｌＧａＩｎＰ系の緑の発光素子構成部６１Ｇを例
えば塩酸の水溶液、あるいは塩酸と過酸化水素水との混
合液によるエッチング液による化学的エッチングを行
う。
タクトするために、コンタクト層５２の一部を外部に露
出させる緑の発光素子構成部６１Ｇの一部をその全厚さ
に渡ってエッチングする作業が行われる。このエッチン
グは、図５に示す青および緑の発光素子ＢおよびＧの形
成部上を、図示しないがエッチングマスクによって覆
い、外部に露出したコンタクト層５３を例えばアンモニ
アと過酸化水素水との混合によるエッチング液による化
学的エッチングによって除去する。そして、更にこれの
下のＡｌＧａＩｎＰ系の緑の発光素子構成部６１Ｇを例
えば塩酸の水溶液、あるいは塩酸と過酸化水素水との混
合液によるエッチング液による化学的エッチングを行
う。
【００６０】この場合、このエッチングはＡｌＧａＩｎ
Ｐによる発光素子構成部６１Ｇに関しては良好にそのエ
ッチングがなされるが、ＧａＡｓに関してはそのエッチ
ング速度が極めて遅いことから、このＧａＡｓによるコ
ンタクト層５２が外部に露出した時点で、エッチングが
見掛け上停止するので、この時点でエッチングを停止す
れば、図５に示す第２の電極４２のコンタクトを外部に
露出させることができる。
Ｐによる発光素子構成部６１Ｇに関しては良好にそのエ
ッチングがなされるが、ＧａＡｓに関してはそのエッチ
ング速度が極めて遅いことから、このＧａＡｓによるコ
ンタクト層５２が外部に露出した時点で、エッチングが
見掛け上停止するので、この時点でエッチングを停止す
れば、図５に示す第２の電極４２のコンタクトを外部に
露出させることができる。
【００６１】このようにコンタクト層５２、５３および
５４の一部が外部に露出されることから、これらコンタ
クト層５２、５３および５４にそれぞれ第２、第３およ
び第４の電極４２、４３および４４をオーミックにコン
タクトし、３１の裏面に第１の電極４１をオーミックに
コンタクトする。
５４の一部が外部に露出されることから、これらコンタ
クト層５２、５３および５４にそれぞれ第２、第３およ
び第４の電極４２、４３および４４をオーミックにコン
タクトし、３１の裏面に第１の電極４１をオーミックに
コンタクトする。
【００６２】上述したように、本発明によれば、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
組み合わせによる各種化合物半導体素子の製造、あるい
は図４で説明したように、ＩＩ−ＶＩ族のエッチングに
おいて、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をストッパとして利
用することにより所要の深さにＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体のエッチングを行うなど、その加工に用いて、確実に
エッチングを行うことができるものである。
ＶＩ族化合物半導体およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
組み合わせによる各種化合物半導体素子の製造、あるい
は図４で説明したように、ＩＩ−ＶＩ族のエッチングに
おいて、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をストッパとして利
用することにより所要の深さにＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体のエッチングを行うなど、その加工に用いて、確実に
エッチングを行うことができるものである。
【００６３】
【発明の効果】上述したように本発明方法によれば、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対してＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のみを選択的にエッチングすることができるので、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のエッチング、このエッチン
グの深さの規制、したがってＩＩ−ＶＩ族に対する正確
な加工が可能となり、目的とする例えば前述したような
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子を有するモノリシッ
ク集積回路、カラー発光素子等の製造を容易、確実に行
うことができる。
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体に対してＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のみを選択的にエッチングすることができるので、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のエッチング、このエッチン
グの深さの規制、したがってＩＩ−ＶＩ族に対する正確
な加工が可能となり、目的とする例えば前述したような
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子を有するモノリシッ
ク集積回路、カラー発光素子等の製造を容易、確実に行
うことができる。
【図１】本発明方法を実施するエッチング装置の一例の
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明方法の適用例の工程図である。Ａはその
一工程での断面図である。Ｂはその一工程での断面図で
ある。
一工程での断面図である。Ｂはその一工程での断面図で
ある。
【図３】本発明方法の説明に供するエッチング時の導入
ガスにおける希ガスＨｅの割合とＩＩ−ＶＩ族およびＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の選択比との関係を示す図であ
る。
ガスにおける希ガスＨｅの割合とＩＩ−ＶＩ族およびＩ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体の選択比との関係を示す図であ
る。
【図４】本発明方法の他の適用例の工程図である。Ａは
その一工程での断面図である。Ｂはその一工程での断面
図である。Ｃはその一工程での断面図である。
その一工程での断面図である。Ｂはその一工程での断面
図である。Ｃはその一工程での断面図である。
【図５】本発明方法を適用して得る半導体カラー素子の
素子の斜視図である
素子の斜視図である
【図６】半導体カラー発光素子の等価回路図である。
【図７】本発明方法を適用して得る半導体発光カラー素
子の発光素子構成基板の略線的断面図である。
子の発光素子構成基板の略線的断面図である。
１ 被エッチング体 ２ 処理室 ３ 高周波電源 ４ 陰極 ５ 対向電極 ６ 排気口 ７ ガス供給口 ２１ 基板 ２２ 半導体層 ２３ エッチングマスク
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチングがなされるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体を有する被エッチング体が配置された処理室内
に、 ８０％以上の希ガスによるガスを導入し、主として上記
希ガスイオンの上記被エッチング体に対する衝撃による
ドライエッチングによって上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体を選択的にエッチングを行うことを特徴とする化合物
半導体の選択的ドライエッチング方法。 - 【請求項２】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体に対して選択的にエッチングする
ことを特徴とする請求項１に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体の選択的ドライエッチング方法。 - 【請求項３】 上記希ガスが、Ａｒ，Ｈｅ，またはＫｒ
のうちの少なくとも１種以上によることを特徴とする請
求項１または２に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の選
択的ドライエッチング方法。 - 【請求項４】 上記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が、Ｚｎ
1-x-y Ｍｇx Ｃｄy ＳaＴｅb Ｓｅ1-a-b （０≦ｘ＜
１、０≦ｙ＜１、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１）であること
を特徴とする請求項１、２または３に記載のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法。 - 【請求項５】 上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が、Ｇａ
ＡｓまたはＧａz Ｉｎ1- z Ｐ（０≦ｚ≦１）であること
を特徴とする請求項１、２、３または４に記載のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12763594A JPH07335620A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12763594A JPH07335620A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335620A true JPH07335620A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14964979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12763594A Pending JPH07335620A (ja) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750151B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method for ZnSe polycrystalline substrate |
| CN102893378A (zh) * | 2009-11-09 | 2013-01-23 | 3M创新有限公司 | 用于半导体的蚀刻工艺 |
-
1994
- 1994-06-09 JP JP12763594A patent/JPH07335620A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750151B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method for ZnSe polycrystalline substrate |
| KR100540862B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2006-01-16 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | ZnSe 다결정체의 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법 |
| CN102893378A (zh) * | 2009-11-09 | 2013-01-23 | 3M创新有限公司 | 用于半导体的蚀刻工艺 |
| JP2013510442A (ja) * | 2009-11-09 | 2013-03-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体のためのエッチングプロセス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3926697B1 (en) | Nanorod light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| EP0562768A1 (en) | Semiconductor surface emitting laser having reduced threshold voltage and enhanced optical output | |
| US6570191B2 (en) | Surface-light-emitting device including AlGalnP and AlGaAs multi-film reflecting layers | |
| US20250344553A1 (en) | Nanorod light emitting device, method of manufacturing the same, and display apparatus including the same | |
| WO2007040149A1 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| US20100155899A1 (en) | Etching method, etching mask and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| US11870008B2 (en) | Nanorod light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP5010129B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH07335620A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の選択的ドライエッチング方法 | |
| JP3792003B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2003332674A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| CN111193187A (zh) | AlGaInPAs系的半导体激光元件及其制造方法 | |
| JP2804714B2 (ja) | 可視光半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2005209773A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2804736B2 (ja) | 可視光半導体レーザ装置 | |
| JP2500588B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| JP2005051168A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH11284228A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH05267243A (ja) | ドライエッチングガスおよびそれを用いたドライエッチング方法 | |
| JPH06350132A (ja) | 半導体発光素子アレイ | |
| JPH10163576A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
| JP2006319120A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH07142808A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH09172220A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH07162082A (ja) | 半導体レーザ素子 |