JPH0734437B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0734437B2 JPH0734437B2 JP61169112A JP16911286A JPH0734437B2 JP H0734437 B2 JPH0734437 B2 JP H0734437B2 JP 61169112 A JP61169112 A JP 61169112A JP 16911286 A JP16911286 A JP 16911286A JP H0734437 B2 JPH0734437 B2 JP H0734437B2
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- resin
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- semiconductor device
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に最上層の
パッシベーション膜の構造に関する。
パッシベーション膜の構造に関する。
近年、半導体装置の技術革新は目覚しく、高集積化、高
密度化が進んでおり、配線も多層配線構造が多く採用さ
れてきている。またその封止も、封止用樹脂の特性向上
等により樹脂封止が多用されている。以下第２図を用い
て説明する。
密度化が進んでおり、配線も多層配線構造が多く採用さ
れてきている。またその封止も、封止用樹脂の特性向上
等により樹脂封止が多用されている。以下第２図を用い
て説明する。
第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図で
ある。
ある。
第２図において、シリコンからなる半導体基板10上に形
成された絶縁膜11上にはアルミニウム等からなる第１層
配線12が形成されており、又その上には層間絶縁膜13を
介して第２層配線15が形成されている。そして、この第
２層配線15の表面には酸化膜や窒化膜からなる最上層の
パッシベーション膜20Aが形成されている。更に封止工
程において、パッシベーション膜20A表面は封止樹脂30
により封止される。
成された絶縁膜11上にはアルミニウム等からなる第１層
配線12が形成されており、又その上には層間絶縁膜13を
介して第２層配線15が形成されている。そして、この第
２層配線15の表面には酸化膜や窒化膜からなる最上層の
パッシベーション膜20Aが形成されている。更に封止工
程において、パッシベーション膜20A表面は封止樹脂30
により封止される。
しかしながら、半導体装置の微細化、チップサイズの大
型化により、封止樹脂とシリコンチップという熱膨張係
数の大きく異なる材料で構成された従来の樹脂封止型半
導体装置は、温度サイクル試験等により、封止樹脂とシ
リコンチップの間に応力が発生し、特に多層配線構造を
有する半導体装置においては、配線パターンのずれや、
最上層のパッシベーション膜にクラックが生じ半導体装
置の信頼性を低下させるという問題点がある。
型化により、封止樹脂とシリコンチップという熱膨張係
数の大きく異なる材料で構成された従来の樹脂封止型半
導体装置は、温度サイクル試験等により、封止樹脂とシ
リコンチップの間に応力が発生し、特に多層配線構造を
有する半導体装置においては、配線パターンのずれや、
最上層のパッシベーション膜にクラックが生じ半導体装
置の信頼性を低下させるという問題点がある。
最上層のパッシベーション膜としては、各種の酸化膜や
窒化膜およびそれらの組合せによる複合膜等が用いられ
ているが、封止樹脂の応力を十分に低減させることは困
難である。
窒化膜およびそれらの組合せによる複合膜等が用いられ
ているが、封止樹脂の応力を十分に低減させることは困
難である。
本発明の目的は信頼性の向上した樹脂封止型半導体装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、配線層表面に形成さ
れ、かつ封止樹脂に接する最上層のパッシベーション膜
が塗布法により形成されたシリコンフィルムを中間層と
する多層膜から構成されているものである。
れ、かつ封止樹脂に接する最上層のパッシベーション膜
が塗布法により形成されたシリコンフィルムを中間層と
する多層膜から構成されているものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
第１図において、半導体基板10上の絶縁膜11上に第１層
配線12と層間絶縁膜13が形成されており、層間絶縁膜13
には、コンタクトホール14が形成されている。さらにそ
の上には、第２層配線15が形成されており、この第２層
配線15の表面にはプラズマCVD法による第１の窒化膜1
6、シリカフィルム17及び第２の窒化膜18からなる３層
構造の最上層のパッシベーション膜20が形成されてい
る。そして封止工程におて最上層のパッシベーション膜
20表面には、封止樹脂30により封止される。
配線12と層間絶縁膜13が形成されており、層間絶縁膜13
には、コンタクトホール14が形成されている。さらにそ
の上には、第２層配線15が形成されており、この第２層
配線15の表面にはプラズマCVD法による第１の窒化膜1
6、シリカフィルム17及び第２の窒化膜18からなる３層
構造の最上層のパッシベーション膜20が形成されてい
る。そして封止工程におて最上層のパッシベーション膜
20表面には、封止樹脂30により封止される。
通常第１層、第２層配線12及び15は、アルミニウム、ア
ルミニウム合金、金属又は金属シリサイド、ポリシリコ
ン等の導体及びそれらの組合せで形成され、厚さは必要
に応じて0.1〜2.0μｍ程度に形成される。
ルミニウム合金、金属又は金属シリサイド、ポリシリコ
ン等の導体及びそれらの組合せで形成され、厚さは必要
に応じて0.1〜2.0μｍ程度に形成される。
パッシベーション膜20を構成する第１及び第２の窒化膜
16,18は、必要に応じて0.1〜1.5μｍ程度に形成され
る。またシリカフィルム17は、通常シリカを含んだ有機
溶剤を塗布し約400℃に加熱処理することにより0.01〜
0.5μｍ程度の厚さに形成する。
16,18は、必要に応じて0.1〜1.5μｍ程度に形成され
る。またシリカフィルム17は、通常シリカを含んだ有機
溶剤を塗布し約400℃に加熱処理することにより0.01〜
0.5μｍ程度の厚さに形成する。
このように構成された本実施例においては、シリカフィ
ルム17が層間絶縁膜として用いられるために、配線等の
凹凸がなだらかになり、封止樹脂30による応力の配線等
への集中を緩和することができる。更に窒化膜16,18間
に異なる膨張係数のシリカフィルムを導入することによ
り半導体装置全体の応力も緩和される。従って封止樹脂
の応力により配線パターンがずれたり、パッシベーショ
ン膜にクラックが生じたりすることはなくなる。
ルム17が層間絶縁膜として用いられるために、配線等の
凹凸がなだらかになり、封止樹脂30による応力の配線等
への集中を緩和することができる。更に窒化膜16,18間
に異なる膨張係数のシリカフィルムを導入することによ
り半導体装置全体の応力も緩和される。従って封止樹脂
の応力により配線パターンがずれたり、パッシベーショ
ン膜にクラックが生じたりすることはなくなる。
上記実施例においては、最上層のパッシベーション膜と
してプラズマCVD法による窒化膜とシリカフィルムから
なる３層構造の場合について説明したが、シリカフィル
ムと他の絶縁膜とに組合せであってもよい。また配線層
数は、１層であってもよく、また２層以上の多層配線で
あってもよい。
してプラズマCVD法による窒化膜とシリカフィルムから
なる３層構造の場合について説明したが、シリカフィル
ムと他の絶縁膜とに組合せであってもよい。また配線層
数は、１層であってもよく、また２層以上の多層配線で
あってもよい。
以上説明したように本発明は、最上層のパッシベーショ
ン膜をシリカフィルムを含む多層膜から構成し、樹脂封
止型半導体の封止樹脂と半導体チップ間の応力を緩和す
ることにより、配線パターンのずれや、パッシベーショ
ン膜に発生するクラックをなくすことができるため信頼
性の向上した樹脂封止型半導体装置が得られる。
ン膜をシリカフィルムを含む多層膜から構成し、樹脂封
止型半導体の封止樹脂と半導体チップ間の応力を緩和す
ることにより、配線パターンのずれや、パッシベーショ
ン膜に発生するクラックをなくすことができるため信頼
性の向上した樹脂封止型半導体装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の樹
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 10…半導体基板、11…絶縁膜、12…第１層配線、13…層
間絶縁膜、14…スルーホール、15…第２層配線、16…第
１の窒化膜、17…シリカフィルム、18…第２の窒化膜、
20,20A…パッシベーション膜、30…封止樹脂。
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 10…半導体基板、11…絶縁膜、12…第１層配線、13…層
間絶縁膜、14…スルーホール、15…第２層配線、16…第
１の窒化膜、17…シリカフィルム、18…第２の窒化膜、
20,20A…パッシベーション膜、30…封止樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】配線層表面に形成され、かつ封止樹脂に接
する最上層のパッシベーション膜が塗布法により形成さ
れたシリカフィルムを中間層とする多層膜から構成され
ていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169112A JPH0734437B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169112A JPH0734437B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325932A JPS6325932A (ja) | 1988-02-03 |
| JPH0734437B2 true JPH0734437B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15880521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169112A Expired - Lifetime JPH0734437B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734437B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290276A (en) * | 1976-01-26 | 1977-07-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS6030153A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60224231A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61169112A patent/JPH0734437B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325932A (ja) | 1988-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |