JPH0735295Y2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0735295Y2 JPH0735295Y2 JP1989143826U JP14382689U JPH0735295Y2 JP H0735295 Y2 JPH0735295 Y2 JP H0735295Y2 JP 1989143826 U JP1989143826 U JP 1989143826U JP 14382689 U JP14382689 U JP 14382689U JP H0735295 Y2 JPH0735295 Y2 JP H0735295Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- chamber
- sample
- gate valve
- front chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 210000002159 anterior chamber Anatomy 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はイオン注入装置に関する。
（従来の技術） たとえばMeV級の研究用のイオン注入装置では、ビーム
パワーは最大1Kw近くにも達し、また均一照射する試料
サイズも、30cm角から1cm角程度の広い範囲に及ぶ。
パワーは最大1Kw近くにも達し、また均一照射する試料
サイズも、30cm角から1cm角程度の広い範囲に及ぶ。
そのためビームを有効に使用することが要求され、その
目的のために試料サイズに応じたサイズのマスクを交換
して使用することが要求される。またビームパワーが大
きいため、マスクを確実に冷却する必要がある。
目的のために試料サイズに応じたサイズのマスクを交換
して使用することが要求される。またビームパワーが大
きいため、マスクを確実に冷却する必要がある。
第３図は従来例の構成を示し、１はチエンバーで、内部
に照射対象の試料（たとえば半導体ウエファー）２が回
転キャリヤー３の表面に複数登載された状態で設置され
てある。
に照射対象の試料（たとえば半導体ウエファー）２が回
転キャリヤー３の表面に複数登載された状態で設置され
てある。
４はチエンバー１の蓋で、その上に回転駆動機５が設置
されてあり、これによって回転キャリヤー３が回転され
るようになっている。
されてあり、これによって回転キャリヤー３が回転され
るようになっている。
６はゲートバルブ、７はゲートバルブ７とチエンバー１
との間に設置されてある前方室である。イオンは矢印方
向より前方室７を通ってチエンバー１内に入り、試料２
を走査しながら照射する。
との間に設置されてある前方室である。イオンは矢印方
向より前方室７を通ってチエンバー１内に入り、試料２
を走査しながら照射する。
従来ではマスク８をチエンバー１内に設置し、これをボ
ルト９で固定するとともに、その表面に水冷管10を固定
し、この水冷管10に連なる水配管11をジョイント12を介
して外部に導出するようにしていた。
ルト９で固定するとともに、その表面に水冷管10を固定
し、この水冷管10に連なる水配管11をジョイント12を介
して外部に導出するようにしていた。
（考案が解決しようとする課題） ところでこのような構成において、マスク８を交換する
のに、まず重い蓋４を開き、次にボルト９を緩め、ジョ
イント12を緩める。これによって始めてマスク８を交換
することができるようになる。したがってその作業は極
めて面倒であり、長時間を要するといった欠点があっ
た。
のに、まず重い蓋４を開き、次にボルト９を緩め、ジョ
イント12を緩める。これによって始めてマスク８を交換
することができるようになる。したがってその作業は極
めて面倒であり、長時間を要するといった欠点があっ
た。
またジョイント12を緩める際、内部から水がこぼれる恐
れがあり、そのため周囲がぬれて汚れることがあった。
れがあり、そのため周囲がぬれて汚れることがあった。
この考案は、試料へのイオン照射領域を規制するための
マスクの交換を、水こぼれなどの懸念もなく簡単に可能
とするすることを目的とする。
マスクの交換を、水こぼれなどの懸念もなく簡単に可能
とするすることを目的とする。
（課題を解決するための手段） この考案は、内部にイオンビーム照射対象の試料を配置
してなるチェンバーと、前記チェンバーに前方室を介し
て連結されてあるゲートバルブとを具備し、前記ゲート
バルブより前方室を経て前記試料にイオンビームを照射
するようにしてなるイオン注入装置であって、前記チェ
ンバーとゲートバルブとの間の前方室に、前記試料に前
記イオンビームを照射する領域を規制するマスクを収納
する収納部を設け、前記収納部に前記マスクを着脱自在
に設置するとともに、前記マスクを中空とし、その内部
に連通する冷却管を取り付けたことを特徴とする。
してなるチェンバーと、前記チェンバーに前方室を介し
て連結されてあるゲートバルブとを具備し、前記ゲート
バルブより前方室を経て前記試料にイオンビームを照射
するようにしてなるイオン注入装置であって、前記チェ
ンバーとゲートバルブとの間の前方室に、前記試料に前
記イオンビームを照射する領域を規制するマスクを収納
する収納部を設け、前記収納部に前記マスクを着脱自在
に設置するとともに、前記マスクを中空とし、その内部
に連通する冷却管を取り付けたことを特徴とする。
（作用） マスクを交換するときは、そのマスクを前方室の中間に
設置してある収納部から引出し、これに代えて別のマス
クを、その収納部に挿入して設置する。これによってマ
スクの交換は簡単に行なわれる。またマスクに冷却管を
取り付けておくことにより、このマスクの交換の際に、
水などがこぼれる心配は全くない。
設置してある収納部から引出し、これに代えて別のマス
クを、その収納部に挿入して設置する。これによってマ
スクの交換は簡単に行なわれる。またマスクに冷却管を
取り付けておくことにより、このマスクの交換の際に、
水などがこぼれる心配は全くない。
（実施例） この考案の実施例を第１図によって説明する。なお第３
図と同じ符号を付した部分は、同一または対応する部分
を示す。この考案にしたがい、マスク８を前方室７の中
間に着脱自在に設置する。
図と同じ符号を付した部分は、同一または対応する部分
を示す。この考案にしたがい、マスク８を前方室７の中
間に着脱自在に設置する。
具体的には、前方室７の中間に、フランジ16を有する収
納部17を形成する。この収納部17には窓18が形成されて
ある。
納部17を形成する。この収納部17には窓18が形成されて
ある。
マスク８は内部を中空にしてあり、蓋19によって閉塞さ
れてある。また中央には貫通するマスク窓20が形成され
てある。各マスク毎にこのマスク窓20の大きさを変えて
構成されてある。
れてある。また中央には貫通するマスク窓20が形成され
てある。各マスク毎にこのマスク窓20の大きさを変えて
構成されてある。
21はマスク８内に連通する冷却管、たとえば冷媒を冷却
水とする水配管で、マスク８に予め連結されてある。こ
の水配管21を利用してマスク８は冷却される。
水とする水配管で、マスク８に予め連結されてある。こ
の水配管21を利用してマスク８は冷却される。
マスク８を収納部17に収納し、蓋19をフランジ16にたと
えばＯリングを介して固定する。この固定はたとえば、
ワンタッチで取付け、取外しが可能な固定片22を利用す
る。
えばＯリングを介して固定する。この固定はたとえば、
ワンタッチで取付け、取外しが可能な固定片22を利用す
る。
マスク８を収納部17に取り付けた状態では、マスク窓20
が前方室７の窓18に向かい合い、かつビームの通過路に
相対する。これによってビームはマスク窓20の形状にし
たがい、照射領域が規制されるようになる。
が前方室７の窓18に向かい合い、かつビームの通過路に
相対する。これによってビームはマスク窓20の形状にし
たがい、照射領域が規制されるようになる。
マスク８の交換は、これを収納部17から取りだし、これ
に代る他のマスク８を挿入して、固定すればよい。した
がってその作業は極めて簡単である。しかもこの交換は
短時間で可能であるため、その交換後の真空立ち上げ時
間も短くてすむようになる。
に代る他のマスク８を挿入して、固定すればよい。した
がってその作業は極めて簡単である。しかもこの交換は
短時間で可能であるため、その交換後の真空立ち上げ時
間も短くてすむようになる。
またこの交換の際、水配管に連なるジョイントを緩める
作業を必要としないため、水などの冷媒がこぼれ出すと
いったことはなんら生じない。
作業を必要としないため、水などの冷媒がこぼれ出すと
いったことはなんら生じない。
（考案の効果） 以上詳述したようにこの考案によれば、イオン照射領域
を規制するためのマスクを交換するにあたり、その作業
を簡単にかつ短時間で実行できるとともに、その際冷媒
がこぼれて周囲を汚すといったことは皆無となる効果を
奏する。
を規制するためのマスクを交換するにあたり、その作業
を簡単にかつ短時間で実行できるとともに、その際冷媒
がこぼれて周囲を汚すといったことは皆無となる効果を
奏する。
第１図はこの考案の実施例を示し、一部を断面とする正
面図、第２図はマスクの部分を示す分解斜視図、第３図
は従来例の正面図である。 １……チエンバー、２……試料、６……ゲートバルブ、
７……前方室、８……マスク、17……収納部、20……マ
スク窓、
面図、第２図はマスクの部分を示す分解斜視図、第３図
は従来例の正面図である。 １……チエンバー、２……試料、６……ゲートバルブ、
７……前方室、８……マスク、17……収納部、20……マ
スク窓、
Claims (1)
- 【請求項１】内部にイオンビーム照射対象の試料を配置
してなるチェンバーと、前記チェンバーに前方室を介し
て連結されてあるゲートバルブとを具備し、前記ゲート
バルブより前方室を経て前記試料にイオンビームを照射
するようにしてなるイオン注入装置において、前記チェ
ンバーとゲートバルブとの間の前方室に、前記試料に前
記イオンビームを照射する領域を規制するマスクを収納
する収納部を設け、前記収納部に前記マスクを着脱自在
に設置するとともに、前記マスクを中空とし、その内部
に連通する冷却管を取り付けてなることを特徴とするイ
オン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989143826U JPH0735295Y2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989143826U JPH0735295Y2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382552U JPH0382552U (ja) | 1991-08-22 |
| JPH0735295Y2 true JPH0735295Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31690579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989143826U Expired - Fee Related JPH0735295Y2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735295Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7794486B2 (en) * | 2005-12-15 | 2010-09-14 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Therapeutic kit employing a thermal insert |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926151A (ja) * | 1972-07-04 | 1974-03-08 | ||
| JPS57152653A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-21 | Ulvac Corp | Wafer processing equipment for ion implanting device |
| JPS63200452A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Nec Corp | 線状電子ビ−ム装置 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1989143826U patent/JPH0735295Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0382552U (ja) | 1991-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3588132T2 (de) | Vorrichtung zum Scannen von Wafern | |
| DE102021110509A1 (de) | Ein Inkubator und ein Sterilisationsverfahren davon | |
| JPH0735295Y2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP4382221B2 (ja) | 水没式切削装置 | |
| EP0405668A1 (en) | Vacuum system | |
| US5455426A (en) | Target chamber shielding | |
| JP2000057986A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPH11339711A (ja) | イオン注入装置 | |
| KR20100007185A (ko) | 흄 배기장치 | |
| EP1146549A1 (en) | Method and device for ion implanting | |
| JP2603432Y2 (ja) | ワーク面取り装置 | |
| JPH05317046A (ja) | 磁場印加実験用恒温振盪装置 | |
| JPH0548357Y2 (ja) | ||
| CN218685345U (zh) | 一种具有灭菌功能的酵母重组胶原蛋白贴敷料用辐照装置 | |
| JPH0610615Y2 (ja) | 電子線照射装置 | |
| JP2000294187A (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
| JPH04190548A (ja) | イオンビーム加工装置および該装置の試料交換方法 | |
| JPH0539561Y2 (ja) | ||
| JPH05314937A (ja) | 回転対陰極ｘ線発生装置 | |
| JPS6423864U (ja) | ||
| JP2000024522A (ja) | 熱媒液槽 | |
| JPS6310453A (ja) | イオン打込装置 | |
| KR19990084041A (ko) | 다원계 증착을 위한 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판오염 방지용 가리개를 가진 증착조 | |
| JP3092578B2 (ja) | イオン注入装置の回転ステ−ジ | |
| JPH0222986Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |