JPS63200452A - 線状電子ビ−ム装置 - Google Patents
線状電子ビ−ム装置Info
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- JPS63200452A JPS63200452A JP3397187A JP3397187A JPS63200452A JP S63200452 A JPS63200452 A JP S63200452A JP 3397187 A JP3397187 A JP 3397187A JP 3397187 A JP3397187 A JP 3397187A JP S63200452 A JPS63200452 A JP S63200452A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- sample
- mask
- linear
- heat treatment
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は線状電子ビーム装置に関する。
（従来の技術）
従来、半導体基板等を熱処理する一つの方法として断面
形状がほぼ矩形（線状）である線状電子ビームを、固定
された基板上に照射し走査させる方法が行われてきた。
形状がほぼ矩形（線状）である線状電子ビームを、固定
された基板上に照射し走査させる方法が行われてきた。
（「エネルギビーム加工」精機学会エネルギビーム分科
会績、リアライズ社、１９８５年、２６８頁。「第５凹
所機能素子技術シンポジウム予稿集」新機能素子開発協
会、１９８６年、１４５頁〜１５２頁）。従来の電子ビ
ーム装置では、第２図の概略構成図に示したように、試
料９上に線状電子ビームを収束させ、偏向器６で電子ビ
ームを偏向させることにより試料上を広範囲に走査させ
、試料９を熱処理してきた。
会績、リアライズ社、１９８５年、２６８頁。「第５凹
所機能素子技術シンポジウム予稿集」新機能素子開発協
会、１９８６年、１４５頁〜１５２頁）。従来の電子ビ
ーム装置では、第２図の概略構成図に示したように、試
料９上に線状電子ビームを収束させ、偏向器６で電子ビ
ームを偏向させることにより試料上を広範囲に走査させ
、試料９を熱処理してきた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、線状電子ビーム４の収束状態は、線状カ
ソード１とウェーネルト電極２とアノード３の電子銃や
レンズ５と偏向器６の電子光学系によって調整されるが
、線状電子ビームが非軸対称であることや、偏向幅が大
きいことなどのために、良好なビーム電流密度を持った
線状電子ビームを広範囲で得るように制御することは困
難であった。そのため、例えば、電子ビームアニール法
を５０１（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−１ｎｓｕｌａｔｏｒ
）形成技術に使用する場合・、２インチあるいは４イン
チ以上のウェハ全面を均一にアニールするとき広範囲の
アニールが難しく実用化の大きな障害となっていた。
ソード１とウェーネルト電極２とアノード３の電子銃や
レンズ５と偏向器６の電子光学系によって調整されるが
、線状電子ビームが非軸対称であることや、偏向幅が大
きいことなどのために、良好なビーム電流密度を持った
線状電子ビームを広範囲で得るように制御することは困
難であった。そのため、例えば、電子ビームアニール法
を５０１（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−１ｎｓｕｌａｔｏｒ
）形成技術に使用する場合・、２インチあるいは４イン
チ以上のウェハ全面を均一にアニールするとき広範囲の
アニールが難しく実用化の大きな障害となっていた。
本発明゛の目的は、この様な問題を解決し、大面積領域
をむらなく均一に電子ビーム照射による熱処理ができる
線状電子ビーム装置を提供することにある。
をむらなく均一に電子ビーム照射による熱処理ができる
線状電子ビーム装置を提供することにある。
（問題を解決するための手段〉
本発明の線状電子ビーム装置は、試料の線状電子ビーム
照射面直近に配置され開口部のみ電子ビームを通過させ
該開口部以外は電子ビームを遮断する手段としての冷却
機構を備えたマスクと、試料の電子ビーム被照射領域を
前記マスク開口部を通過した電子ビームの照射位置に合
わせ該試料の電子ビームを照射すべき領域を順次電子ビ
ーム照射位置に送る手段としての移動機構とから構成さ
れる。
照射面直近に配置され開口部のみ電子ビームを通過させ
該開口部以外は電子ビームを遮断する手段としての冷却
機構を備えたマスクと、試料の電子ビーム被照射領域を
前記マスク開口部を通過した電子ビームの照射位置に合
わせ該試料の電子ビームを照射すべき領域を順次電子ビ
ーム照射位置に送る手段としての移動機構とから構成さ
れる。
（作用）
本発明の電子ビーム装置によれば、マスクの開口幅を収
差等の極めて少ない安定したビームの得られる最大偏向
幅以下にし、試料をマスク開口部を通過した電子ビーム
の照射位置に合わせた後、該マスクの開口幅よりも大き
く線状電子ビームを走査することにより、電子ビーム照
射による熱処理領域を電子ビームの収差等の極めて少な
い良好な状態であるマクス開口部を通過した電子ビーム
の照射領域に限定することが出来る。さらに１回の電子
ビーム照射による熱処理後、試料を次に熱処理したい位
置に電子ビーム照射領域がくるように移動し再び電子ビ
ームを照射及び走査して電子ビーム照射による熱処理を
するという手順に繰り返すことにより、試料面の熱処理
すべき領域を均一に電子ビーム照射による熱処理をする
ことが出来る。また、マスクを冷却することにより電子
ビーム照射加熱を抑えマスク損傷及び脱ガスを防止でき
る。
差等の極めて少ない安定したビームの得られる最大偏向
幅以下にし、試料をマスク開口部を通過した電子ビーム
の照射位置に合わせた後、該マスクの開口幅よりも大き
く線状電子ビームを走査することにより、電子ビーム照
射による熱処理領域を電子ビームの収差等の極めて少な
い良好な状態であるマクス開口部を通過した電子ビーム
の照射領域に限定することが出来る。さらに１回の電子
ビーム照射による熱処理後、試料を次に熱処理したい位
置に電子ビーム照射領域がくるように移動し再び電子ビ
ームを照射及び走査して電子ビーム照射による熱処理を
するという手順に繰り返すことにより、試料面の熱処理
すべき領域を均一に電子ビーム照射による熱処理をする
ことが出来る。また、マスクを冷却することにより電子
ビーム照射加熱を抑えマスク損傷及び脱ガスを防止でき
る。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の主要な構成図を示したもの
である。
である。
真空容器１５内の線状カソード１とウェーネルト電極２
と陽極３から構成される電子銃から出射された線状電子
ビーム４は、レンズ５によって試料９上に線状電子ビー
ムとして結像される。結像された線状電子ビームは偏向
器６によって試料９上に走査するが、例えば水冷パイプ
１４の伝熱効果等により冷却されたマスク８によって線
状電子ビームは遮断されマスク開ロア部分のみ線状電子
ビームは通過し、マスク開ロアを通過した電子ビームの
照射領域の試料９上のみ電子ビームによる熱処理がされ
る。試料９は試料ホルダ１０にセットされ、試料加熱し
−タ１３等の手段によって例えば約６００℃に予備加熱
される。さらに試料ホルダ１０！よＸＹテーブル１２上
にセットされており、ＸＹテーブル駆動系１１によって
試料９の電子ビーム照射により熱処理したい部分をマス
ク開ロアを通過した電子ビームの照射領域に位置するよ
うに移動し、線状電子ビームを照射し熱処理する。電子
ビーム照射による熱処理復改の試料９の熱処理したい部
分をマスク開ロアを通過した電子ビームの照射領域に移
動し電子ビーム照射による熱処理をする。
と陽極３から構成される電子銃から出射された線状電子
ビーム４は、レンズ５によって試料９上に線状電子ビー
ムとして結像される。結像された線状電子ビームは偏向
器６によって試料９上に走査するが、例えば水冷パイプ
１４の伝熱効果等により冷却されたマスク８によって線
状電子ビームは遮断されマスク開ロア部分のみ線状電子
ビームは通過し、マスク開ロアを通過した電子ビームの
照射領域の試料９上のみ電子ビームによる熱処理がされ
る。試料９は試料ホルダ１０にセットされ、試料加熱し
−タ１３等の手段によって例えば約６００℃に予備加熱
される。さらに試料ホルダ１０！よＸＹテーブル１２上
にセットされており、ＸＹテーブル駆動系１１によって
試料９の電子ビーム照射により熱処理したい部分をマス
ク開ロアを通過した電子ビームの照射領域に位置するよ
うに移動し、線状電子ビームを照射し熱処理する。電子
ビーム照射による熱処理復改の試料９の熱処理したい部
分をマスク開ロアを通過した電子ビームの照射領域に移
動し電子ビーム照射による熱処理をする。
この繰り返しにより、試料の所定の領域をむら無く均一
に広範囲に電子ビームによる熱処理をすることが出来る
。
に広範囲に電子ビームによる熱処理をすることが出来る
。
（発明の効果）
以上述べた通り、本発明によれば、電子ビーム照射によ
り熱処理される領域をマスクによって線状電子ビームが
良好な状態の部分のみに限定し、電子ビームの収差等の
不安定な要素を減らすことが出来る。また、マスクが冷
却されているため電子ビーム照射によるマスクの加熱を
抑えマスクの損傷を防ぎ脱ガスを抑えることが出来る。
り熱処理される領域をマスクによって線状電子ビームが
良好な状態の部分のみに限定し、電子ビームの収差等の
不安定な要素を減らすことが出来る。また、マスクが冷
却されているため電子ビーム照射によるマスクの加熱を
抑えマスクの損傷を防ぎ脱ガスを抑えることが出来る。
さらに試料を順次、例えば間欠方式で、移動させ広範囲
に均一な電子ビーム照射による熱処理を行うことが出来
る。このような諸効果により大口径ウェハ等の電子ビー
ム照射による大面積熱処理の歩留りを飛躍的に向上させ
ることが出来る。
に均一な電子ビーム照射による熱処理を行うことが出来
る。このような諸効果により大口径ウェハ等の電子ビー
ム照射による大面積熱処理の歩留りを飛躍的に向上させ
ることが出来る。
第１図は本発明による装置の一実施例の全体概略構成図
、第２図は従来装置の全体概略構成図を示したものであ
る。 図に於て、 １は線状カソード、２はウェーネルト電極、３は陽極、
４は線状電子ビーム、５はレンズ、６は偏向器、７はマ
スク開口、８はマスク、９は試料、１０は試料ホルダ、
１１はＸＹテーブル駆動系、１２はＸＹテーブル、１３
は試料加熱し−タ、１４は水量 １ 図
、第２図は従来装置の全体概略構成図を示したものであ
る。 図に於て、 １は線状カソード、２はウェーネルト電極、３は陽極、
４は線状電子ビーム、５はレンズ、６は偏向器、７はマ
スク開口、８はマスク、９は試料、１０は試料ホルダ、
１１はＸＹテーブル駆動系、１２はＸＹテーブル、１３
は試料加熱し−タ、１４は水量 １ 図
Claims (1)
- 線状電子ビーム装置に於て、試料の線状電子ビーム照射
面直近に配置され開口部のみ電子ビームを通過させ該開
口部以外は電子ビームを遮断する手段としての冷却機構
を備えたマスクと、試料の電子ビーム被照射領域を前記
マスク開口部を通過した電子ビームの照射位置に合わせ
該試料の電子ビーム照射されるべき領域を順次電子ビー
ム照射位置に送る手段としての移動機構とを備えたこと
を特徴とする線状電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3397187A JPS63200452A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 線状電子ビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3397187A JPS63200452A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 線状電子ビ−ム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200452A true JPS63200452A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12401372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3397187A Pending JPS63200452A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 線状電子ビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200452A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382552U (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-22 | ||
| JP2010257856A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 加工装置、及び試料加工方法 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP3397187A patent/JPS63200452A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382552U (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-22 | ||
| JP2010257856A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 加工装置、及び試料加工方法 |
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