JPH073585B2

JPH073585B2 - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH073585B2
Application number: JP58126192A
Authority: JP
Inventors: 鉄雄石川; 隆一舟田; 隆大西; 正次尾形; 博義小角; 重雄鈴木; 繁正高野; 学澤田
Original assignee: Hitachi Ltd; Toyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Artience Co Ltd
Priority date: 1983-07-13
Filing date: 1983-07-13
Publication date: 1995-01-18
Anticipated expiration: 2010-01-18
Also published as: JPS6019149A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は電子写真による画像作成に有効な複合型電子写
真板に関し、特に耐久性（耐摩耗性）、解像寿命に優れ
た電荷搬送層を有する複合型電子写真板に関する。

〔発明の背景〕

電子写真複写、静電記録などは、コロナ放電による潜
像、トナー現像、トナー画像の転写、転写面のクリーニ
ングプロセスがくり返されるので電子写真板表面の耐摩
性にすぐれていること、電子写真特性の経時変化が少な
いことが要求される。

耐摩耗性に関しては、従来から、シリコーンオイル離型
層、セルロース系樹脂層、ビニル系樹脂層、シリコーン
系樹脂層、フツ素系樹脂層などの保護層あるいは（およ
び）絶縁層が提案されている。しかしこれらは、できる
だけ電子写真特性を損わない配慮から極力薄膜とするた
め、機械的摩耗や損傷を受け易く、かつコロナ電場での
化学劣化も起きやすい。さらに画質をはじめ電子写真特
性の低下があり満足出来る耐久性が得られていない。ま
た、電荷搬送層上に保護層あるいは絶縁層を形成するこ
と自体常に摩滅や界面剥離の問題を包含しており多層に
なる程コスト高になる欠点がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は上記従来技術の欠点を克服し、実用可能
な複合型電子写真板を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷搬送層
を積層してなる複合型電子写真板において、電荷搬送層
を構成する材料に一般式〔Ｉ〕及び〔II〕で表わされる
基本単位の重合物質を単独もしくは併用して添加したこ
とを特徴とするものである。

一般式〔Ｉ〕〔式中、R₁は炭素数４以下のアルキル基、R₂はフエニル
基、ビニル基を示す。〕一般式〔II〕〔式中、R₁は炭素数４以下のアルキル基、R₂はフエニル
基、ビニル基を示す。〕複合型電子写真板において、電荷発生層と電荷搬送層の
二層で構成されるのがもつともシンプルな形であり、そ
の表面層となる電荷搬送層の耐久性が電子写真板の寿命
を決定する重要な因子となる。

電荷搬送層は主として、電荷搬送物質と結着剤樹脂およ
び添加剤から構成されるが、本発明のポイントは添加剤
として上記特定のポリシロキサンを添加することにあ
る。発明者等の添加剤による電子写真特性の改善、耐摩
性等の耐久性向上、層形成のための作業性改善等に関す
る実験結果、多くのポリシロキサンは耐摩耗性など表面
潤滑性に効果は認められるが、電子写真特性の特に感度
低下、残留電位を増大させるものが多い。ポリシロキサ
ンの中でもアミノ変性、カルボキシ変性、エポキシ変
性、エポキシポリエーテル変性、エステル変性、アルギ
ツド変性、スチレン変性ポリシロキサンなどは感度低下
が大きく、また感光体としてくり返し使用した場合、経
時とともに感光体の残留電位が増加する傾向がある。こ
れに対し、本発明の請求範囲に記載のポリシロキサンは
電子写真特性および耐久性が大巾に向上する。さらに、
好都合なことは、塗料化した電荷搬送材料を電導支持体
に塗工作業する場合、塗面のハジキを防止し、塗面を平
滑にするレベリング効果も極めて大である。

本発明における前記一般式〔Ｉ〕および／または〔II〕
で表わされるポリシロキサンの添加割合は電荷搬送層を
構成する全固形分に対し0.001〜５重量％、望ましくは
0.01〜２重量％が使用される。添加量がこの範囲より少
なくなると耐摩耗性、耐薬品性、耐湿性、塗膜成膜性等
の効果が低下する。一方添加量がこの範囲を越えると電
荷発生層との界面の接着性が低下する傾向にあり、ま
た、電子写真特性の感度が低下しやすい。

次に、本発明に用いるスチリル系色素としては特に次式
で表わされる化合物が望ましい。

式中Ｘはおよびから選ばれた１種のヘテロ環基（但し、ＺはＯまたはＳ
を示し、ヘテロ環基は置換されていてもよい）を示し、
ｎは、0,1または２を示しており、R₄とR₅は炭素数が３
以下のアルキル基である。このようなヘテロ環基の置換
基としては、−CH₃，−C₂H₅，−C₃H₇などの低級アルキ
ル基、−Cl,−Brなどのハロゲン基、−N(CH₃)₂，−N(C₂
H₅)₂，−N(C₃H₇)₂などのジアルキルアミノ基、−OCH₃，
−OC₂H₅などのアルコキシ基、更にフエニル基等を挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。
このような化合物の一部を構造式により、下記に列挙す
る。

尚、上記化合物の合成法は、特公昭35−11218号公報、
特公昭35−11219号公報等に詳細に記載されており、こ
れら化合物の大部分は、日本感光色素研究所（株）から
NK色素として市販されている。

この例の如き電荷発物質と電荷搬送物質との組合せが好
適な理由は、明確でないが、既知の電荷搬送物質、例え
ば、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、トリフエ
ニルメタン系化合物、トリフエニルアミン、2,4,7−ト
リニトロフルオレノン等に比べ、比較的イオン化ポテン
シヤルが小さいこと及び結晶化し難く、他の結着剤樹脂
との配合が容易で強固かつ均一な塗膜が得られ易いこと
等が挙げられる。特に、負の帯電時において高感度を示
すことから、電荷発生物質から電荷搬送物質への正孔注
入が、効率良く行われていると予想する。

電荷搬送物質にはスチリル系色素の他に、光導電性を示
すポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−９−ｐ−ビニ
ルフエニルアントラセン等のカルバゾール環、アントラ
セン環を側鎖に有する高分子、ピラゾリン環、ジベニゾ
モオフエン環等の他のヘテロ環、芳香族環を側鎖に有す
る高分子を併用し得る。また、更にはシアニン色素ベー
ス、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピ
ラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、トリフエニルメタン系化合物、トリフ
エニルアミン系化合物、2,4,7−トリニトロフルオレノ
ン等のニトロフルオレノン類等の既知の光導電性低分子
を併用して汎用樹脂中に混合して電荷輸送層とすること
も可能である。オキサゾール誘導体の代表的な例とし
て、等が挙げられる。本発明に用い得るシアニン色素ベース
の例としてはが挙げられる。オキサジアゾール誘導体は例えばである。ピラゾリン誘導体は例えば（但しＸはH,−OCH₃である）である。

なお、これらの化合物はそれ自体単独で電荷搬送層を形
成して効果を発揮することができるが、塗膜の強度、柔
軟性及び接着性等を向上させるため他の高分子化合物と
混合した系を用いて効果を増大させることができる。

このような高分子化合物の種類は特に限定されず、既知
の電子写真板用結着剤樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コン樹脂、ポリカーボネート樹脂およびポリエステルカ
ーボネート樹脂、フエノール樹脂、ユリア樹脂、メラミ
ン樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂、繊維素誘導体等が
適宜選択して用いられる。

本発明における電荷発生物質としては、フタロシアニン
を用いることができる。特にτ型，τ′型，η型，η′
型などの無金属フタロシアニンが望ましい。

τ型無金属フタロシアニンは次のように定義される。即
ち、ブラツグ角度（２θ±0.2度）が7.6,9.2,16.8,17.
4,20.4及び20.9に強いＸ線回折図形を有するものであ
る。特に、赤外線吸収スペクトルが700〜760cm^-1の間に
751±２cm^-1が最も強い４本の吸収帯を、1320〜1340cm
^-1の間に２本のほぼ同じ強さの吸収帯を、3288±３cm^-1
に特徴的な吸収を有するものが望ましい。

τ′型無金属フタロシアニンは次のように定義される。
即ち、CuKα_１/Niの1.541ÅのＸ線に対して、ブラツグ
角度（２θ±0.2度）が7.5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.8,2
1.4及び27.4に強いＸ線回折図形を有する新規の無金属
フタロシアニン結晶多形である。特に、赤外線吸収スペ
クトルが700〜760cm^-1の間に753±２cm^-1が最も強い４
本の吸収帯を、1320〜1340cm^-1の間に２本のほぼ同じ強
さの吸収帯を、3297±３cm^-1に特徴的な吸収を有するも
のが望ましい。

η型無金属フタロシアニンは次のように定義される。即
ち、無金属フタロシアニン100重量部と、ベンゼン核に
置換基を有する無金属フタロシアニン、ベンゼン核に置
換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若しくは
金属フタロシアニンの１種若しくは２種以上の混合物50
重量部以下との混合物結晶であり、赤外線吸収スペクト
ルが700〜760cm^-1の間に753±cm^-1が最も強い４本の吸
収帯を、1320〜1340cm^-1の間に２本のほぼ同じ強さの吸
収帯を、3285±５cm^-1に特徴的な吸収を有するものであ
る。本発明者の検討によれば、η型無金属フタロシアニ
ンは特にブラツグ角度（２θ±0.2度）が7.6,9.2,16.8,
17.4及び28.5に強いピークを示すＸ線回折図形を有する
ものと、7.6,9.2,16.8,17.4,21.5及び27.5に強いピーク
を示すＸ線回折図形を有するものとが挙げられる。

η′型無金属フタロシアニンは次のように定義される。
即ち、無金属フタロシアニン100重量部と、ベンゼン核
に置換基を有する無金属フタロシアニン、ベンゼン核に
置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若しく
は金属フタロシアニンの１種若しくは２種以上の混合物
50重量部以下との混合物結晶であり、赤外線吸収スペク
トルが700〜760cm^-1の間に753±１cm^-1が最も強い４本
の吸収帯を、1320〜1340cm^-1の間に２本のほぼ同じ強さ
の吸収帯を、3297±５cm^-1に特徴的な吸収を有する新規
の無金属フタロシアニン結晶多形である。本発明者の検
討によれば、η′型無金属フタロシアニンは特にブラツ
グ角度（２θ±0.2度）が7.5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.
8,21.4及び27.4に強いピークを示すＸ線回折図形を有す
るものと、7.5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.8,21.4,22.1,2
7.4及び28.5に強いピークを示すＸ線回折図形を有する
ものが望ましい。

尚、τ型、τ′型、η型、η′型のいずれの無金属フタ
ロシアニンも、感光波長域の極大値が790〜810nmの範囲
にある。

本発明に用い得るτ型及びτ′型無金属フタロシアニン
は下記要領で作製される。すなわち、α型無金属フタロ
シアニンを50〜180℃、好ましくは60〜130℃の温度にお
いて結晶変換するのに十分な時間攪拌もしくは機械的歪
力をもつてミリングすることによつてτ′型結晶形を有
する無金属フタロシアニンが作製される。

α型フタロシアニンはモーザーおよびトーマスの「フタ
ロシアニン化合物」（Moser and Thomes“Phthalocyani
ne Compounds"）等の公知方法および他の適当な方法に
よつて得られるものを使用する。例えば、無金属フタロ
シアニンは硫酸等の酸によつて脱金属ができる金属フタ
ロシアニン、例えばリチウムフタロシアニン、ナトリウ
ムフタロシアニン、カルシウムフタロシアニン、マグネ
シウムフタロシアニンなどを含んだ金属フタロシアニン
の酸処理によつて、また、フタロジニトリル、アミノイ
ミノイソインドレニンもしくはアルコキシイミノイソイ
ンドレニンなどから直接的に作られるものが用いられ
る。このように既によく知られた方法によつて得られる
無金属フタロシアニンを望ましくは５℃以下で硫酸に一
度溶解もしくは硫酸塩にしたものを水または氷水中に注
ぎ再析出もしくは加水分解し、α型無金属フタロシアニ
ンが得られる。

この際無機顔料を硫酸中もしくは再析出溶液中に溶解又
は分散したものを用いると、無機顔料を含むα型無金属
フタロシアニンが得られる。この無機顔料としては、非
水溶性の粉末であれば良く色材充填剤として用いられる
もの、例えばチタン白、亜鉛華ホワイトカーボン、炭酸
カルシウム等の他、粉体として多方面で用いられる、例
えば金属粉、アルミナ、酸化鉄粉、カオリンなどが挙げ
られる。

この無機顔料を含むα型無金属フタロシアニンは、含ま
ないものと比べて顔料化に際し、きわめて磨砕され易
く、微粒子化が容易であり、省力化、省エネルギー化に
効果的である。

このような処理をしたα型無金属フタロシアニンは、乾
燥状態で用いることが好ましいが、水ペースト状のもの
を用いることもできる。攪拌、混練の分散メデイアとし
ては通常顔料の分散や乳化混合等に用いられるものでよ
く、例えばガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボ
ール、フリント石が挙げられる。しかし分散メデイアは
必ずしも必要としない。磨砕助剤としては通常顔料の磨
砕助剤として用いられているものでよく、例えば、食
塩、重炭酸ソーダ、ぼう硝等が挙げられる。しかし、こ
の磨砕助剤も必ずしも必要としない。

攪拌、混練、磨砕時に溶媒を必要とする場合には攪拌、
混練時の温度において液状のものでよく、例えば、アル
コール系溶媒すなわちグリセリン、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコールもしくはポリエチレングリコ
ール系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル等のセロソルブ
系溶剤、ケトン系溶剤、エステルケトン系溶剤等の群か
ら１種類以上選択することが好ましい。

結晶転移工程において使用される装置として代表的なも
のを挙げると一般的な攪拌装置例えば、ホモミキサー、
デイスパーザー、アジター、スターラーあるいはニーダ
ー、バンバリーミキサー、ボールミル、サンドミル、ア
トライター等がある。

結晶転移工程における温度範囲は50〜180℃、好ましく
は60〜130℃の温度範囲内に行なう。また、通常の結晶
転移工程におけると同様に結晶核を用いるのも有効な方
法である。

本発明に用い得るη型及びη′型無金属フタロシアニン
を製造する際使用されるα型フタロシアニンおよびベン
ゼン核に置換基を有する無金属フタロシアニン、または
ベンゼン核に置換基を有してもよりフタロシアニン窒素
同構体もしくは金属フタロシアニンは、前述したモーザ
ーおよびトーマスの「フタロシアニン化合物」（Moser
and Thomes“Phthalocyanine Compounds" ）等の公知
方法および他の適当な方法によつて得られるものを使用
する。例えば、α型無金属フタロシアニンも前述と同様
の処方により得られ、これは他の無機顔料を含むもので
あつてもよい。また、フタロシアニン窒素同構体として
は、各種のポルフイン類、例えばフタロシアニンのベン
ゼン核の一つ以上をキノリン核に置き換えた銅テトラピ
リジノポルフイラジンなどがあり、また金属フタロシア
ニンとしては、銅、ニツケル、コバルト、亜鉛、錫、ア
ルミニウムなどの各種のものを挙げることができる。

また、置換基としては、アミノ基、ニトロ基、アルキル
基、アルコキシ基、シアノ基、メルカプト基、ハロゲン
原子などがあり、さらにスルホン酸基、カルボン酸基ま
たはその金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などを比較
的簡単なものとして例示することができる。更にベンゼ
ン核にアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、イ
ミノ基などを介して種々の置換基を導入することがで
き、これらは従来フタロシアニン顔料の技術的分野にお
いて凝集防止剤あるいは結晶変換防止剤として公知のも
の（例えば、USP3973981号公報、同4088507号公報参
照）、もしくは未知のものが挙げられる。各置換基の導
入法は、公知のものについては省略する。また、公知で
ないものについては実施例中に参考例として記載する。

α型無金属フタロシアニンとベンゼン核に置換基を有す
る無金属フタロシアニン、またはベンゼン核に置換基を
有してもよいフタロシアニン窒素同構体もしくは金属フ
タロシアニンとの混合割合は100/50（重量比）以上であ
ればよいが、望ましくは100/30〜100/0.1（重量比）と
する。この比以上では得られたη型及びη′型フタロシ
アニンがブリードし易くなり顔料としての適性が低下す
る。

上述のような割合で混合するには、単に混合してもよい
し、α型無金属フタロシアニンをアシツドベーステイン
グする前に混合してもよい。このようにして混合された
混合物の攪拌あるいはミリングの方法は通常顔料の分
散、乳化、混合等に用いられるものでよく、攪拌、混練
の分散メデイアとしては例えばガラスビーズ、スチール
ビーズ、アルミナボール、フリント石が挙げられるが、
分散メデイアは必ずしも必要としない。

磨砕助剤は、混練時の溶媒、結晶転移工程において使用
する材料、装置は、前述のτ型及びτ′型無金属フタロ
シアニンの場合と同様である。

η型及びη′型無金属フタロシアニンの結晶転移工程に
おける温度範囲は30〜220℃、好ましくは60〜130℃の温
度範囲内に行なう。より高温ではβ型に転移し易く、ま
たより低温ではη型及びη′型への転移に時間がかか
る。また、通常の結晶転移工程におけると同様に結晶核
を用いるのも有効な方法である。

上記τ型、τ′型、η型或いはη′型の無金属フタロシ
アニンの他に更に他の電荷発生物質を併用することも含
まれる。このような電荷発生物質としては、例えばα
型、β型、γ型或いはＸ型の無金属フタロシアニンが挙
げられる。勿論τ型無金属フタロシアニンとη型無金属
フタロシアニンとの併用も有効である。また電荷発生物
質として知られる上記以外のフタロシアニン顔料、アゾ
顔料、アントラキノン顔料、インジゴイド顔料、キナク
リバン顔料、ベリレン顔料、多環キノン顔料、スクアリ
ツク酸メチン顔料等との併用も有効である。アゾ顔料の
例として、（式中、Ｘは、OCH₃、又はClを示す。）の如きジスアゾ
顔料や（式中、ＭはCa,Mg又はBaを示す。）の如きモノアゾ顔
料が挙げられる。

〔発明の実施例〕

実施例１ τ型フタロシアニン顔料（東洋インキ製造（株）製）１
重量部とシリコーン樹脂（信越化学工業製、KR5240）３
重量部をテトラヒドロフラン溶剤で2.5重量％の溶液に
なるようにして超音波で２時間分散混合して、電荷発生
物質とし、この塗液を膜厚100μｍのアルミ箔上浸漬塗
工した。浸漬塗工時の引上速度は15mm/secである。これ
を乾燥して電荷発生物質の層（電荷発生層）を形成し
た。この層の膜厚は約0.7μｍである。

次に下記構造式を有する電荷搬送物質と結着剤樹脂とし
てポリカーボネート樹脂（帝人化成:K1285）を重量比で
1:3の割合で混合し、塩化メチレン/1,1,2トリクロルエ
タン＝6/4（容量比）で10重量％の溶液を作成した。ま
たこのとき本発明におけるメチルフエニルポリシロキサ
ンを電荷搬送物質と結着剤樹脂に対して、０〜７重量％
なるよう添加した各塗液を得た。

この塗液を、浸漬塗工法により、上記電荷発生物質層上
に塗工し100℃で２時間乾燥して電子写真板を得た、全
層を含めた塗工膜厚は15μｍである。

この実施例より構成された複合型の電子写真用感光体
は、静電記録紙試験装置（川口電機社製、SP−428）を
用いて、電子写真特性の評価を行つた。この場合、負5k
Vのコロナ放電を10秒間行つて帯電させ（10秒間帯電直
後の表面電位V₀（Ｖ）を初期電位とする）、30秒間暗所
に放置後（この時の電位をV₃₀（Ｖ）で表わし、（V₃₀／
V₀）×100（％）を暗減衰とする）タングステンランプ
で表面照度が2luxになるように露光し、この時の表面電
位の減衰及び時間を記録し、V₃₀が1/2になるまでに要し
た時間ｔ（秒）と照度の積で白色光感度（半減露光量、
E₅₀（lux・ｓ））を表わした。

また、同時に表面の外観仕上りおよび耐摩耗性について
評価した。耐摩耗性の評価方法は、厚み5mm×巾30mm×
長さ20mmのウレタンブレードのエツジ部を電子写真板の
表面に対して45°になるように接地させ、接地部に60g
の荷重を加え、ストローク60mm往復運動させることによ
つて表面の摩耗を評価した。摩耗率は、50,000往復回走
行したときの摩耗率で表示した。

結果を表１に示す。

この結果、電子写真特性はメチルフエニルポリシロキサ
ンの添加量が５％以上になると初期電位、暗減衰、感度
が悪くなる傾向があつた。一方、耐摩耗性は添加量が多
い程良好な結果を得た。

実施例２実施例１と同様にして得られた電荷発生層に、下記構造
式の電荷搬送物質１重量部、飽和ポリエステル樹脂（東
洋紡績社製、バイロン200）３重量部をテトラヒドロフ
ラン20重量部に溶解させた塗液とし、さらに実施例１と
同様に、メチルフエニルビニルポリシロキサンを０〜５
重量％なるよう添加した塗液を塗工して電子写真板を得
た。

これらの電子写真板について、電子写真特性、耐摩耗性
を調べた。その結果を表２に示す。

実施例３実施例１と同様にして得られた電荷発生層に、下記構造
式の電荷搬送物質１重量部、ポリカーボネート樹脂（米
国GE;レキサン141−111）３重量部を1,1,2トリクロルエ
タン20重量部に溶解し、さらにメチルフエニルポリシロ
キサンを０〜５重量％なるよう添加した塗液を塗工して
電子写真板を得た。全層を含めた塗工膜厚は15μｍであ
る。

このようにして得られた電子写真板について、実施例１
で述べた静電記録紙試験装置で帯電ー露光のくり返し試
験を行い試験前後の画質の評価を行つた。

帯電ー露光の条件は負帯電5kV,10秒、暗減衰10秒、露光
はタングステンランプで表面照度2lux、露光時間を５秒
とした。これを１サイクルとして1000サイクル試験し
た。このときの試験前後の電子写真板について、手動現
像により電子写真学会発行のテストチヤートNo.1−R,19
75の解像度を評価した。結果を図に示す。

この結果、メチルフエニルポリシロキサン無添加のもの
に比較し2.0重量％までは解像度が良好になり３％で無
添加のものと同じ結果となつた。しかる解像度を重視す
る場合は0.05〜2.0重量％が最適である。

尚、τ型無金属フタロシアニンに代えてτ′型，η型，
η′型の各無金属フタロシアニンを用いた他は実施例３
と同様にして電子写真用感光体を得たが、夫々の電子写
真特性は実施例３と同様、良好であつた。

〔発明の効果〕

本発明によれば表面耐摩耗性に優れた電子写真用感光体
が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例に係る電子写真用感光体の電子写
真特性図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０３Ｇ 5/06 ３７１ 9221−2Ｈ (72)発明者大西隆茨城県日立市東多賀町１丁目１番１号株式会社日立製作所多賀工場内 (72)発明者尾形正次茨城県日立市幸町３丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者小角博義茨城県日立市幸町３丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者鈴木重雄茨城県日立市幸町３丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者高野繁正東京都中央区京橋二丁目３番13号東洋インキ製造株式会社内 (72)発明者澤田学東京都中央区京橋二丁目３番13号東洋インキ製造株式会社内 (56)参考文献特開昭57−212453（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−5050（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−84447（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−140849（ＪＰ，Ａ) 特開昭50−17842（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−90934（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に電荷発生層及び電荷搬送
層を積層してなる電子写真用感光体において、電荷搬送層を構成する材料に一般式〔Ｉ〕及び〔II〕で
表される基本単位の重合物質を単独もしくは併用して添
加し、該重合物質の添加量は該電荷搬送層を構成する材
料の全固形分に対して、0.05〜2.0重量％であり、該電
荷搬送層中の電荷搬送物質が一般式〔III〕で表される
化合物であり、該電荷発生層中の電荷発生物質がτ型、
τ′型、η型又はη′型無金属フタロシアニンであるこ
とを特徴とする電子写真用感光体。一般式〔Ｉ〕〔式中、R₁は炭素数４以下のアルキル基、R₂はフェニル
基、ビニル基を示す。〕一般式〔II〕〔式中、R₁は炭素数４以下のアルキル基、R₂はフェニル
基、ビニル基を示す。〕一般式〔III〕〔式中Ｘは、から選ばれた１種のヘテロ環基（但しＺは、Ｏ又はＳを
示し、ヘテロ環基は置換されていても良い）を示し、ｍ
は0,1又は２を示しており、R₄，R₅は炭素数３以下のア
ルキル基を示す。〕