JPH073594B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH073594B2 JPH073594B2 JP62184758A JP18475887A JPH073594B2 JP H073594 B2 JPH073594 B2 JP H073594B2 JP 62184758 A JP62184758 A JP 62184758A JP 18475887 A JP18475887 A JP 18475887A JP H073594 B2 JPH073594 B2 JP H073594B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- arsenic
- alloy
- amorphous
- photoconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電性基体上に形成される感光層が、暗所で
の帯電位の保持および露光時の電荷の輸送を主たる機能
とする第一層とその上に形成された露光時の電荷の発生
を主たる機能とする第二層とからなり、第二層が非晶質
セレン化ひ素（As2Se3）またはそれに近い組成を有する
非晶質セレン・ひ素合金からなり、第一層が前記第二層
よりもひ素含有量の少ない非晶質セレン・ひ素合金から
なる電子写真用感光体に関する。
の帯電位の保持および露光時の電荷の輸送を主たる機能
とする第一層とその上に形成された露光時の電荷の発生
を主たる機能とする第二層とからなり、第二層が非晶質
セレン化ひ素（As2Se3）またはそれに近い組成を有する
非晶質セレン・ひ素合金からなり、第一層が前記第二層
よりもひ素含有量の少ない非晶質セレン・ひ素合金から
なる電子写真用感光体に関する。
電子写真式の複写機の像形成部材として用いられる電子
写真用感光体に要求される性能の中で重要なものとし
て、電子写真複写機の高速化及び低消費電力化に伴う高
感度性能及び原稿の色再現性、特に青色再現性が挙げら
れる。
写真用感光体に要求される性能の中で重要なものとし
て、電子写真複写機の高速化及び低消費電力化に伴う高
感度性能及び原稿の色再現性、特に青色再現性が挙げら
れる。
従来の純SeあるいはSe−Te合金を主体とする感光体で
は、こうした性能において限界が認められ、特開昭56−
74255号等に見られる如く、Se−As合金を主体とする感
光体が開発されている。この材料については化学量論的
結合であるAs2Se3がその物性面から最も安定であり、As
2Se3及びそれに近い組成を有するSe−As合金材料を用い
た単一層型の感光体が広く採用されている。しかしなが
ら、この材料の有する欠点としては、比誘電率が比較的
大きなことから、複写画像を形成するために要する表面
電位を帯電させるには電源負荷が大であることおよび深
いキャリアトラップに起因して光に対する挙動が不安定
なことが挙げられる。これに対して、既に本出願人が特
許出願昭61−96280号（特開昭62−241754号）にて出願
しているように、導電性基体上に形成される非晶質Se−
As合金からなる感光層を、主として暗所での帯電位の保
持および露光時の電荷の輸送を行う機能を有する第一層
と、主として露光時の電荷発生の機能を有する第二層と
に分離し、第二層を非晶質As2Se3またはそれに近い組成
を有する非晶質セレン・ひ素合金で形成し、第一層を第
二層に比してひ素濃度が低い非晶質Se−As合金で形成す
ることにより、非晶質As2Se3またはそれに近い組成を有
する非晶質セレン・ひ素合金の単一層の感光層からなる
感光体の高感度で色再現性が良好であるという利点を生
かしつつ、その欠点である帯電性能を改良し、光疲労の
低減することが可能となり、高速で低消費電力の複写機
に適した電子写真用感光体を得ることができる。
は、こうした性能において限界が認められ、特開昭56−
74255号等に見られる如く、Se−As合金を主体とする感
光体が開発されている。この材料については化学量論的
結合であるAs2Se3がその物性面から最も安定であり、As
2Se3及びそれに近い組成を有するSe−As合金材料を用い
た単一層型の感光体が広く採用されている。しかしなが
ら、この材料の有する欠点としては、比誘電率が比較的
大きなことから、複写画像を形成するために要する表面
電位を帯電させるには電源負荷が大であることおよび深
いキャリアトラップに起因して光に対する挙動が不安定
なことが挙げられる。これに対して、既に本出願人が特
許出願昭61−96280号（特開昭62−241754号）にて出願
しているように、導電性基体上に形成される非晶質Se−
As合金からなる感光層を、主として暗所での帯電位の保
持および露光時の電荷の輸送を行う機能を有する第一層
と、主として露光時の電荷発生の機能を有する第二層と
に分離し、第二層を非晶質As2Se3またはそれに近い組成
を有する非晶質セレン・ひ素合金で形成し、第一層を第
二層に比してひ素濃度が低い非晶質Se−As合金で形成す
ることにより、非晶質As2Se3またはそれに近い組成を有
する非晶質セレン・ひ素合金の単一層の感光層からなる
感光体の高感度で色再現性が良好であるという利点を生
かしつつ、その欠点である帯電性能を改良し、光疲労の
低減することが可能となり、高速で低消費電力の複写機
に適した電子写真用感光体を得ることができる。
本発明の目的は、上述されている電子写真用感光体の特
性を改善して、感度を向上させ、残留電位の上昇を低減
させることを目的とする。
性を改善して、感度を向上させ、残留電位の上昇を低減
させることを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は、導電性基体上
に形成される感光層が、暗所での帯電位の保持および露
光時の電荷の輸送を主たる機能とする第一層とその上に
形成された露光時の電荷の発生を主たる機能とする第二
層とからなり、第二層が非晶質セレン化ひ素（As2Se3）
またはそれに近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金
からなり、第一層がハロゲンを含み、ひ素含有量が30〜
33.5重量％の範囲にある非晶質セレン・ひ素合金からな
るものとする。
に形成される感光層が、暗所での帯電位の保持および露
光時の電荷の輸送を主たる機能とする第一層とその上に
形成された露光時の電荷の発生を主たる機能とする第二
層とからなり、第二層が非晶質セレン化ひ素（As2Se3）
またはそれに近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金
からなり、第一層がハロゲンを含み、ひ素含有量が30〜
33.5重量％の範囲にある非晶質セレン・ひ素合金からな
るものとする。
第１図は、ハロゲンとしてよう素を用い、As濃度30〜40
重量％のSe−As合金よりなる電荷輸送層に5000ppm添加
した場合の残留電位の温度特性を曲線11に、添加しない
場合のそれを曲線12に示すもので、このようにハロゲン
の添加は残留電位の上昇の抑制に効果がある。またハロ
ゲンの添加は同時に感度も向上させる。
重量％のSe−As合金よりなる電荷輸送層に5000ppm添加
した場合の残留電位の温度特性を曲線11に、添加しない
場合のそれを曲線12に示すもので、このようにハロゲン
の添加は残留電位の上昇の抑制に効果がある。またハロ
ゲンの添加は同時に感度も向上させる。
さらに、第二層を非晶質セレン化ひ素（As2Se3）または
それに近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金から構
成し、第一層をひ素含有量が30〜33.5重量％の非晶質セ
レン・ひ素合金から構成することで、高感度で色再現性
が良好となり、帯電性能においては帯電性能変化量を抑
制する。
それに近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金から構
成し、第一層をひ素含有量が30〜33.5重量％の非晶質セ
レン・ひ素合金から構成することで、高感度で色再現性
が良好となり、帯電性能においては帯電性能変化量を抑
制する。
〔実施例〕 第２図は本発明の実施例の感光体の概念的層構成を示
し、導電性基体１として外径120mmのJISA3003アルミニ
ウム合金からなる管を用い、その表面を鏡面に仕上げた
後、脱脂、硝酸によるエッチングを施した。この基体１
を真空蒸着槽内の温度制御可能な回転支持軸に装着し、
槽内を５×10-5Torrの真空にし、支持軸の下方に配置さ
れた電荷輸送層２用の第一の蒸発源と電荷発生層３用の
第二の蒸発源に所定の組成のSe−As合金を収容する。電
荷輸送層用の第一の蒸発源の材料にはハロゲンとしての
よう素が所定の量添加される。次いで、まず第一の蒸発
源を440℃に加熱して基体１上に電荷輸送層２を真空蒸
着し、次いで蒸発源を同様に加熱して電荷発生層３を真
空蒸着した。各層の膜厚は蒸発源に収容する材料の充填
量により調整した。実施例として各層の組成を変えた５
種類の感光体、比較例として単層の感光体,As濃度の高
い感光体あるいはハロゲンを含まない感光体など８種類
の感光体を製作した。第１表にそれらの感光体の組成，
膜厚を示す。
し、導電性基体１として外径120mmのJISA3003アルミニ
ウム合金からなる管を用い、その表面を鏡面に仕上げた
後、脱脂、硝酸によるエッチングを施した。この基体１
を真空蒸着槽内の温度制御可能な回転支持軸に装着し、
槽内を５×10-5Torrの真空にし、支持軸の下方に配置さ
れた電荷輸送層２用の第一の蒸発源と電荷発生層３用の
第二の蒸発源に所定の組成のSe−As合金を収容する。電
荷輸送層用の第一の蒸発源の材料にはハロゲンとしての
よう素が所定の量添加される。次いで、まず第一の蒸発
源を440℃に加熱して基体１上に電荷輸送層２を真空蒸
着し、次いで蒸発源を同様に加熱して電荷発生層３を真
空蒸着した。各層の膜厚は蒸発源に収容する材料の充填
量により調整した。実施例として各層の組成を変えた５
種類の感光体、比較例として単層の感光体,As濃度の高
い感光体あるいはハロゲンを含まない感光体など８種類
の感光体を製作した。第１表にそれらの感光体の組成，
膜厚を示す。
これらの感光体について、色温度3000Kのタングステン
ランプ光で各感光体の半減衰露光量の100倍の光量で前
露光したのちの帯電性能、前露光（光除電）−帯電を30
0サイクル繰り返したときの帯電性能の変化量、色温度3
00Kのタングステンランプ光での半減衰露光量ならびに
一部の感光体について23℃における残留電位を測定した
結果を第２表に示す。
ランプ光で各感光体の半減衰露光量の100倍の光量で前
露光したのちの帯電性能、前露光（光除電）−帯電を30
0サイクル繰り返したときの帯電性能の変化量、色温度3
00Kのタングステンランプ光での半減衰露光量ならびに
一部の感光体について23℃における残留電位を測定した
結果を第２表に示す。
第２表から、実施例の感光体は単層の場合に比して帯電
性能の変動が小さく、ま半減衰露光量が小さい、すなわ
ち感度の高いこと、機能分離感光体の場合は電荷輸送層
のAs濃度が33.5％を超えると帯電性能が低いこと、本発
明により電荷輸送層がよう素を含有することにより感度
が高くなっていることがわかる。よう素以外のハロゲン
元素を用いても同様の結果が得られる。
性能の変動が小さく、ま半減衰露光量が小さい、すなわ
ち感度の高いこと、機能分離感光体の場合は電荷輸送層
のAs濃度が33.5％を超えると帯電性能が低いこと、本発
明により電荷輸送層がよう素を含有することにより感度
が高くなっていることがわかる。よう素以外のハロゲン
元素を用いても同様の結果が得られる。
本発明は、非晶質セレン化ひ素（As2Se3）またはそれに
近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金からなる電荷
発生層と、ひ素含有量が30〜33.5重量％の非晶質セレン
・ひ素合金からなる電荷輸送層を設けることによって、
帯電性能を改良し、光疲労を低減した電子写真用感光体
の電荷輸送層にハロゲンを添加することにより、さらに
感度を向上させ、室温以下での残留電位の上昇を低減さ
せることが可能となった。
近い組成を有する非晶質セレン・ひ素合金からなる電荷
発生層と、ひ素含有量が30〜33.5重量％の非晶質セレン
・ひ素合金からなる電荷輸送層を設けることによって、
帯電性能を改良し、光疲労を低減した電子写真用感光体
の電荷輸送層にハロゲンを添加することにより、さらに
感度を向上させ、室温以下での残留電位の上昇を低減さ
せることが可能となった。
第１図は本発明の効果を示す残留電位の温度特性線図、
第２図は本発明の実施例の感光体の概念的断面図であ
る。 11:よう素添加、12:よう素無添加、1:導電性基体、2:電
荷輸送層、3:電荷発生層。
第２図は本発明の実施例の感光体の概念的断面図であ
る。 11:よう素添加、12:よう素無添加、1:導電性基体、2:電
荷輸送層、3:電荷発生層。
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上に形成される感光層が、暗所
での帯電位の保持および露光時の電荷の輸送を主たる機
能とする第一層とその上に形成された露光時の電荷の発
生を主たる機能とする第二層とからなり、第二層が非晶
質セレン化ひ素（As2Se3）またはそれに近い組成を有す
る非晶質セレン・ひ素合金からなり、第一層がハロゲン
を含み、ひ素含有量が30〜33.5重量％の範囲の非晶質セ
レン・ひ素合金からなることを特徴とする電子写真用感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62184758A JPH073594B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62184758A JPH073594B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428653A JPS6428653A (en) | 1989-01-31 |
| JPH073594B2 true JPH073594B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16158822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62184758A Expired - Lifetime JPH073594B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073594B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011184B2 (ja) | 1998-06-11 | 2000-02-21 | 富士電機株式会社 | 電子写真用セレン感光体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112623A (ja) * | 1973-02-03 | 1974-10-26 |
-
1987
- 1987-07-24 JP JP62184758A patent/JPH073594B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428653A (en) | 1989-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4286035A (en) | Halogen doped selenium-tellurium alloy electrophotographic photoconductor | |
| JPS5913021B2 (ja) | 複合感光体部材 | |
| US3170790A (en) | Red sensitive xerographic plate and process therefor | |
| JPH073594B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
| US3867143A (en) | Electrophotographic photosensitive material | |
| US3709683A (en) | Infrared sensitive image retention photoreceptor | |
| JPS636865B2 (ja) | ||
| JPH0740138B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS636866B2 (ja) | ||
| JPH077215B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0217019B2 (ja) | ||
| JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
| JPS6064357A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPH0535425B2 (ja) | ||
| JP2638185B2 (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JP3538514B2 (ja) | 電子写真用セレン感光体の製造方法 | |
| JPS62251754A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH073596B2 (ja) | 電子写真用感光体およびその製造方法 | |
| JPS5882250A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6261056A (ja) | 光導電体 | |
| JPS6090341A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JP2595536B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2599950B2 (ja) | 感光体構造物 | |
| JPH0157899B2 (ja) |