JPH073596B2 - 電子写真用感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体およびその製造方法Info
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- JPH073596B2 JPH073596B2 JP15920986A JP15920986A JPH073596B2 JP H073596 B2 JPH073596 B2 JP H073596B2 JP 15920986 A JP15920986 A JP 15920986A JP 15920986 A JP15920986 A JP 15920986A JP H073596 B2 JPH073596 B2 JP H073596B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は非晶質セレンまたは非晶質セレン合金を光導電
性材料として用いる電子写真用感光体およびその製造方
法に関する。
性材料として用いる電子写真用感光体およびその製造方
法に関する。
〔従来技術とその問題点〕 電子写真装置の像形成部材として用いられる電子写真用
感光体（以下、単に感光体とも称する）の性能として
は、電荷を受容する能力が高くて暗所において充分高い
所要電位に帯電でき、かつ、暗時には電荷の漏れが少な
くて電荷減衰速度が小さくて帯電位を保持することがで
きること、光が照射されたときには表面の帯電電荷が速
やかに放電して帯電位が減衰し、残留電位が充分少ない
こと、帯電・露光を連続して繰り返して行ったとき疲労
が無視できる程小さく、暗減衰の増加や残留電位の蓄積
が少ないことなどが求められる。
感光体（以下、単に感光体とも称する）の性能として
は、電荷を受容する能力が高くて暗所において充分高い
所要電位に帯電でき、かつ、暗時には電荷の漏れが少な
くて電荷減衰速度が小さくて帯電位を保持することがで
きること、光が照射されたときには表面の帯電電荷が速
やかに放電して帯電位が減衰し、残留電位が充分少ない
こと、帯電・露光を連続して繰り返して行ったとき疲労
が無視できる程小さく、暗減衰の増加や残留電位の蓄積
が少ないことなどが求められる。
このような要望を満足させるために、最近機能分離型感
光体が注目されてきている。これは、主として暗所での
帯電と露光時のキャリア輸送に寄与するキャリア輸送層
と、主として露光時キャリア発生に寄与するキャリア発
生層とを積層してなる感光体であって、このように機能
分離した各層についてその機能に応じた最適設計を追求
することにより、一つの層にこれらの機能を持たせる単
層型の感光体よりも特性の優れた感光体が得られること
になる。
光体が注目されてきている。これは、主として暗所での
帯電と露光時のキャリア輸送に寄与するキャリア輸送層
と、主として露光時キャリア発生に寄与するキャリア発
生層とを積層してなる感光体であって、このように機能
分離した各層についてその機能に応じた最適設計を追求
することにより、一つの層にこれらの機能を持たせる単
層型の感光体よりも特性の優れた感光体が得られること
になる。
セレン系材料を光導電性材料として利用する感光体にお
いても機能分離型が開発され、例えばアルミニウム合金
からなる基体上に非晶質セレンまたは非晶質セレン−テ
ルル合金からなるキャリア輸送層と非晶質セレン−テル
ル合金または非晶質セレン−テルル−ひ素合金からなる
キャリア発生層を有する感光体が知られている。しかし
ながら、このような感光体で連続繰り返し像形成を行う
と第３図に示すように残留電位の蓄積が生じ、その結
果、画像上に地汚れが発生し、現在までのところ、残留
電位の蓄積の少ない満足すべき感光体は得られていな
い。
いても機能分離型が開発され、例えばアルミニウム合金
からなる基体上に非晶質セレンまたは非晶質セレン−テ
ルル合金からなるキャリア輸送層と非晶質セレン−テル
ル合金または非晶質セレン−テルル−ひ素合金からなる
キャリア発生層を有する感光体が知られている。しかし
ながら、このような感光体で連続繰り返し像形成を行う
と第３図に示すように残留電位の蓄積が生じ、その結
果、画像上に地汚れが発生し、現在までのところ、残留
電位の蓄積の少ない満足すべき感光体は得られていな
い。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、連
続繰り返し像形成を行っても残留電位の蓄積が少なく、
画像上地汚れが少ない感光体およびその製造方法を提供
することを目的とする。
続繰り返し像形成を行っても残留電位の蓄積が少なく、
画像上地汚れが少ない感光体およびその製造方法を提供
することを目的とする。
本発明の目的は、真空槽内でセレンまたはセレン合金を
蒸発させて導電性基体上に電荷輸送層を形成するとき
に、タングステンの酸化物を同時に蒸発させて電荷輸送
層中に酸素を50×10-6原子％〜200×10-6原子％，タン
グステンを15×10-6原子％〜110×10-6原子ドープさせ
ることによって達成される。
蒸発させて導電性基体上に電荷輸送層を形成するとき
に、タングステンの酸化物を同時に蒸発させて電荷輸送
層中に酸素を50×10-6原子％〜200×10-6原子％，タン
グステンを15×10-6原子％〜110×10-6原子ドープさせ
ることによって達成される。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図は、本発明による感光体の製造の際の電荷輸送層
の蒸着方法を示す説明図であって、真空槽（図示はされ
てない）の中にアルミニウム合金からなる円筒状導電性
基体１が矢印方向に回転可能に配置され、その下方にセ
レン−テルル合金４の充填された蒸着ボート２が設置さ
れ、蒸着ボート２に近接してフラッシュ蒸着ボート５が
並設されている。フラッシュ蒸着ボート５はボートに直
接通電し加熱される方式である。真空槽内を圧力１×10
-5Torrの真空とし、基体１を温度65℃に保持して回転さ
せながら、加熱ヒータ３により蒸着ボート２を約300℃
に加熱し、テルルを5.5重量％含有するセレン−テルル
合金４を蒸発させる。同時にフラッシュ蒸着ボート５に
通電してその温度を1000℃以上に上げ、タングステン酸
化物WO3微粉末（図では便宜上粒上で示してある）を少
量ずつ供給してフラッシュ蒸発させ、その蒸気をセレン
−テルル蒸気と共に基体１上に共蒸着して約１μm/分の
成膜速度で膜厚約60μｍの電荷輸送層を形成した。WO3
の量はセレン−テルル合金量に対して比率で500重量ppm
供給した。このようにして形成された電荷輸送層中の酸
素とタングステンの含有量を放射化分析で調べたとこ
ろ、酸素が100×10-6原子％，タングステンが40×10-6
原子％ドープされていた。次にこの電荷輸送層の上に非
晶質セレン−テルル−ひ素合金からなり膜厚５μｍの電
荷発生層を形成して感光体とした。
の蒸着方法を示す説明図であって、真空槽（図示はされ
てない）の中にアルミニウム合金からなる円筒状導電性
基体１が矢印方向に回転可能に配置され、その下方にセ
レン−テルル合金４の充填された蒸着ボート２が設置さ
れ、蒸着ボート２に近接してフラッシュ蒸着ボート５が
並設されている。フラッシュ蒸着ボート５はボートに直
接通電し加熱される方式である。真空槽内を圧力１×10
-5Torrの真空とし、基体１を温度65℃に保持して回転さ
せながら、加熱ヒータ３により蒸着ボート２を約300℃
に加熱し、テルルを5.5重量％含有するセレン−テルル
合金４を蒸発させる。同時にフラッシュ蒸着ボート５に
通電してその温度を1000℃以上に上げ、タングステン酸
化物WO3微粉末（図では便宜上粒上で示してある）を少
量ずつ供給してフラッシュ蒸発させ、その蒸気をセレン
−テルル蒸気と共に基体１上に共蒸着して約１μm/分の
成膜速度で膜厚約60μｍの電荷輸送層を形成した。WO3
の量はセレン−テルル合金量に対して比率で500重量ppm
供給した。このようにして形成された電荷輸送層中の酸
素とタングステンの含有量を放射化分析で調べたとこ
ろ、酸素が100×10-6原子％，タングステンが40×10-6
原子％ドープされていた。次にこの電荷輸送層の上に非
晶質セレン−テルル−ひ素合金からなり膜厚５μｍの電
荷発生層を形成して感光体とした。
この実施例の感光体について連続繰り返し像形成を行っ
てそのときの感光体の残留電位を調べた。その結果を第
２図に示す。第２図に見られる通り残留電位は非常に小
さく最初10V程度であり、しかもその後の増加は極僅少
で、しかも最初の数回の繰り返しのうちに約20Vで飽和
し、その後250回まで残留電位の蓄積は見られない。ま
た、画像上地汚れは認められなかった。
てそのときの感光体の残留電位を調べた。その結果を第
２図に示す。第２図に見られる通り残留電位は非常に小
さく最初10V程度であり、しかもその後の増加は極僅少
で、しかも最初の数回の繰り返しのうちに約20Vで飽和
し、その後250回まで残留電位の蓄積は見られない。ま
た、画像上地汚れは認められなかった。
比較例１として、電荷輸送層の形成にあたってWO3のフ
ラッシュ蒸着のみを行わず、他は実施例と同様にして感
光体を作製し、この比較例の感光体について連続繰り返
し像形成を行って残留電位を調べたところ、初期値約30
Vと大きく、その後50回で80V,100回で100Vと増加し、25
0回で約130Vと大幅な蓄積が見られ、画像上地汚れが発
生した。また、比較例２として実施例のWO3のフラッシ
ュ蒸着を行わずタングステン単体を10,150×10-6at％添
加した２例と、比較例３として実施例のWO3のフラッシ
ュ蒸着を行わず酸素のみを酸化セレンとして50,200×10
-6at％添加した２例と合計４例の感光体を作成した。こ
れらの感光体により連続繰り返し像形成を行った結果の
残留電位と暗中の電荷保持率とを表１に示す。
ラッシュ蒸着のみを行わず、他は実施例と同様にして感
光体を作製し、この比較例の感光体について連続繰り返
し像形成を行って残留電位を調べたところ、初期値約30
Vと大きく、その後50回で80V,100回で100Vと増加し、25
0回で約130Vと大幅な蓄積が見られ、画像上地汚れが発
生した。また、比較例２として実施例のWO3のフラッシ
ュ蒸着を行わずタングステン単体を10,150×10-6at％添
加した２例と、比較例３として実施例のWO3のフラッシ
ュ蒸着を行わず酸素のみを酸化セレンとして50,200×10
-6at％添加した２例と合計４例の感光体を作成した。こ
れらの感光体により連続繰り返し像形成を行った結果の
残留電位と暗中の電荷保持率とを表１に示す。
表１より、タングステン単体では添加量を変えても、暗
中の電荷保持率はいずれも良好であるが、残留電位はい
ずれも上昇し、画像上地汚れが発生した。また、酸化セ
レンの形でのドープによる酸素のみの場合の繰り返し像
形成の結果は、残留電位の点はそれほど上昇しないが、
暗中の電荷保持率が小さくなりすぎることがわかった。
これらの比較例から前述した本実施例におけるWO3の共
蒸着が極めて有効であることが判る。
中の電荷保持率はいずれも良好であるが、残留電位はい
ずれも上昇し、画像上地汚れが発生した。また、酸化セ
レンの形でのドープによる酸素のみの場合の繰り返し像
形成の結果は、残留電位の点はそれほど上昇しないが、
暗中の電荷保持率が小さくなりすぎることがわかった。
これらの比較例から前述した本実施例におけるWO3の共
蒸着が極めて有効であることが判る。
連続繰り返し像形成したときの残留電位の飽和値は電荷
輸送層中の酸素の含有量に左右される。酸素含有量が少
ないと飽和値が大きく、多いと小さくなる。そのとき表
１に示す結果からわかるようにタングステンが共存する
ことが大切で、タングステンが共存することにより酸素
が非晶質セレンまたは非晶質セレン−テルル合金中に均
一に安定してドープされることになり安定した特性の感
光体が得られる。電荷輸送層中の酸素量が50×10-6原子
％程度、タングステン量が15×10-6原子％程度のとき、
残留電位の飽和量は80V程度で、より少なくなると飽和
値が大きくなり過ぎ画像上地汚れが実用上問題となる。
また、タングステンと酸素の組成比をパラメータとし
て、連続繰り返し像形成回数と残留電位との関係を示す
第４図と、タングステンと酸素のそれぞれの濃度と暗中
電荷保持率との関係を示す第５図からわかるように、酸
素量が200×10-6原子％程度、タングステン量が110×10
-6原子％程度になると飽和値は10V程度で画像上地汚れ
の発生は認められないが、反面、暗減衰が大きくなって
きて、これらの含有量がさらに多くなると帯電量が低く
なり帯電の減衰も大きくなって実用上問題となってく
る。
輸送層中の酸素の含有量に左右される。酸素含有量が少
ないと飽和値が大きく、多いと小さくなる。そのとき表
１に示す結果からわかるようにタングステンが共存する
ことが大切で、タングステンが共存することにより酸素
が非晶質セレンまたは非晶質セレン−テルル合金中に均
一に安定してドープされることになり安定した特性の感
光体が得られる。電荷輸送層中の酸素量が50×10-6原子
％程度、タングステン量が15×10-6原子％程度のとき、
残留電位の飽和量は80V程度で、より少なくなると飽和
値が大きくなり過ぎ画像上地汚れが実用上問題となる。
また、タングステンと酸素の組成比をパラメータとし
て、連続繰り返し像形成回数と残留電位との関係を示す
第４図と、タングステンと酸素のそれぞれの濃度と暗中
電荷保持率との関係を示す第５図からわかるように、酸
素量が200×10-6原子％程度、タングステン量が110×10
-6原子％程度になると飽和値は10V程度で画像上地汚れ
の発生は認められないが、反面、暗減衰が大きくなって
きて、これらの含有量がさらに多くなると帯電量が低く
なり帯電の減衰も大きくなって実用上問題となってく
る。
このように電荷輸送層中に適量の酸素とタングステンが
ドープされると感光体の残留電位の蓄積が少なくなる理
由はまだ充分解明されてはいないが、酸素がドープされ
ることにより正孔のトラップ準位が浅くなり、また、正
孔トラップの密度も低減されるためと推定される。
ドープされると感光体の残留電位の蓄積が少なくなる理
由はまだ充分解明されてはいないが、酸素がドープされ
ることにより正孔のトラップ準位が浅くなり、また、正
孔トラップの密度も低減されるためと推定される。
本実施例においてはドーピング材料としてWO3を用いた
がWO3やW4O11も同様に有効に用いることが可能である。
がWO3やW4O11も同様に有効に用いることが可能である。
本発明によれば、真空槽内でセレンまたはセレン合金を
蒸発させて導電性基体上に電荷輸送層を形成するとき
に、タングステン酸化物を同時に蒸発させて、電荷発生
層中に酸素を50×10-6原子％〜200×10-6原子％，タン
グステンを15×10-6原子％〜110×10-6原子％ドープさ
せる。このようにして製造された電子写真用感光体は、
連続繰り返し像形成を行っても残留電位の蓄積が少な
く、地汚れのない良好な画像を安定して提供することが
可能である。
蒸発させて導電性基体上に電荷輸送層を形成するとき
に、タングステン酸化物を同時に蒸発させて、電荷発生
層中に酸素を50×10-6原子％〜200×10-6原子％，タン
グステンを15×10-6原子％〜110×10-6原子％ドープさ
せる。このようにして製造された電子写真用感光体は、
連続繰り返し像形成を行っても残留電位の蓄積が少な
く、地汚れのない良好な画像を安定して提供することが
可能である。
第１図は本発明の電荷輸送層の蒸着の一実施例の説明
図、第２図は一実施例の感光体の残留電位の蓄積を示す
線図、第３図は従来例の感光体の残留電位の蓄積を示す
線図、第４図は連続繰り返しと残留電位との関係を示す
図、第５図はタングステンと酸素のそれぞれの濃度と暗
中電荷保持率（帯電後５秒時）との関係を示す図であ
る。 １……導電性基体、２……蒸着ボート、３……加熱ヒー
タ、４……セレン合金、５……フラッシュ蒸着ボート、
６……タングステン酸化物。
図、第２図は一実施例の感光体の残留電位の蓄積を示す
線図、第３図は従来例の感光体の残留電位の蓄積を示す
線図、第４図は連続繰り返しと残留電位との関係を示す
図、第５図はタングステンと酸素のそれぞれの濃度と暗
中電荷保持率（帯電後５秒時）との関係を示す図であ
る。 １……導電性基体、２……蒸着ボート、３……加熱ヒー
タ、４……セレン合金、５……フラッシュ蒸着ボート、
６……タングステン酸化物。
Claims (5)
- 【請求項１】導電性基体上に非晶質セレンまたは非晶質
セレン合金からなる電荷輸送層と非晶質セレン合金から
なる電荷発生層とを有する電子写真用感光体において、
前記電荷輸送層に酸素が50×10-6原子％〜200×10-6原
子％、タングステンが15×10-6原子％〜110×10-6原子
％ドープされていることを特徴とする電子写真用感光
体。 - 【請求項２】真空槽内でセレンまたはセレン−テルル合
金を蒸発源より蒸発させて導電性基体上に電荷輸送層を
形成するときに、タングステンの酸化物を同時に蒸発さ
せて前記電荷輸送層中に酸素を50×10-6原子％〜200×1
0-6原子％，タングステンを15×10-6原子％〜110×10-6
原子％ドープさせることを特徴とする電子写真用感光体
の製造方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第２項記載の製造方法にお
いて、タングステンの酸化物がWO2であることを特徴と
する電子写真用感光体の製造方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第２項記載の製造方法にお
いて、タングステンの酸化物がWO3であることを特徴と
する電子写真用感光体の製造方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第２項記載の製造方法にお
いて、タングステンの酸化物がW4O11であることを特徴
とする電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15920986A JPH073596B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15920986A JPH073596B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314163A JPS6314163A (ja) | 1988-01-21 |
| JPH073596B2 true JPH073596B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=15688704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15920986A Expired - Fee Related JPH073596B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073596B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5030477A (en) * | 1988-11-14 | 1991-07-09 | Xerox Corporation | Processes for the preparation and processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys |
| KR101502434B1 (ko) * | 2013-08-21 | 2015-03-24 | 영동제약 주식회사 | 세포 도말용 슬라이드 챔버 |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP15920986A patent/JPH073596B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314163A (ja) | 1988-01-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |