JPH0736404B2 - 超電導体装置の作製方法 - Google Patents
超電導体装置の作製方法Info
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- JPH0736404B2 JPH0736404B2 JP62202143A JP20214387A JPH0736404B2 JP H0736404 B2 JPH0736404 B2 JP H0736404B2 JP 62202143 A JP62202143 A JP 62202143A JP 20214387 A JP20214387 A JP 20214387A JP H0736404 B2 JPH0736404 B2 JP H0736404B2
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- Japan
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- semiconductor
- metal
- superconducting material
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Description
【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 本発明は酸化物セラミック系超電導材料を用いた超電導
装置の作製方法に関する。本発明は超電導体装置におい
て特に、半導体装置の相互配線の一部または全部を酸化
物超電導材料および金属または金属半導体化物の重ね合
わせたリードで形成するとともに、このリードの金属ま
たは金属半導体化物を有する導体の上面と半導体装置の
電極とを金属または金属半導体化物の連結部で構成せし
め、この半導体装置を70〜300K好ましくは77K以上の温
度で動作せしめんとするものである。
装置の作製方法に関する。本発明は超電導体装置におい
て特に、半導体装置の相互配線の一部または全部を酸化
物超電導材料および金属または金属半導体化物の重ね合
わせたリードで形成するとともに、このリードの金属ま
たは金属半導体化物を有する導体の上面と半導体装置の
電極とを金属または金属半導体化物の連結部で構成せし
め、この半導体装置を70〜300K好ましくは77K以上の温
度で動作せしめんとするものである。
「従来の技術」 従来、超電導材料はNb-Ge系（例えばNb3Ge）等の金属材
料を線材として用い、超電導マグネットとして用いられ
るに限られていた。
料を線材として用い、超電導マグネットとして用いられ
るに限られていた。
また最近はセラミック材料で超電導を呈し得ることが知
られている。しかしこれもインゴット構造であり、薄膜
の超電導材料の形成はまったく提案されていない。
られている。しかしこれもインゴット構造であり、薄膜
の超電導材料の形成はまったく提案されていない。
いわんや、この薄膜をフォトリソグラフィ技術によりパ
ターニングする方法も、またこれをさらに半導体装置の
相互配線の一部に用いることもまったく知られていな
い。
ターニングする方法も、またこれをさらに半導体装置の
相互配線の一部に用いることもまったく知られていな
い。
他方、半導体集積回路を含めた複数の素子を同一基板に
設けた半導体装置が知られている。しかしこの半導体装
置を液体窒素温度（77K）の如き低温で動作させる試み
はまったく知られてない。
設けた半導体装置が知られている。しかしこの半導体装
置を液体窒素温度（77K）の如き低温で動作させる試み
はまったく知られてない。
「従来の問題点」 半導体集積回路は近年益々微細化するとともに高速動作
を要求されている。また微細化とともに半導体素子の発
熱による信頼性低下または発熱部の動作速度の低下が問
題となっていた。
を要求されている。また微細化とともに半導体素子の発
熱による信頼性低下または発熱部の動作速度の低下が問
題となっていた。
このため、もし半導体素子を液体窒素温度で動作させん
とすると、その素子での電子およびホールの移動度は室
温のそれに比べて３〜４倍も高めることができ、ひいて
は素子の周波数特性を向上できる。
とすると、その素子での電子およびホールの移動度は室
温のそれに比べて３〜４倍も高めることができ、ひいて
は素子の周波数特性を向上できる。
またかかる問題を解決するため、本発明人の出願（昭和
62年３月９日出願超伝導半導体装置 特願昭62-05372
4）を用いんとしたものである。かかる超電導体半導体
装置において、そのリード線はセラミック材料の超電導
材料よりなる。かかる材料は被形成面上に材料を形成し
た後、酸化物雰囲気で長時間の酸化をしなければならな
い。そのため、半導体素子の電極部においては、その素
子を構成する半導体の酸化物が電極部に形成されてしま
う。そしてこの酸化物は一般に絶縁物であり、例えば半
導体がシリコン集積回路においてはその電極部には酸化
珪素絶縁膜が形成されてしまうことが判明した。
62年３月９日出願超伝導半導体装置 特願昭62-05372
4）を用いんとしたものである。かかる超電導体半導体
装置において、そのリード線はセラミック材料の超電導
材料よりなる。かかる材料は被形成面上に材料を形成し
た後、酸化物雰囲気で長時間の酸化をしなければならな
い。そのため、半導体素子の電極部においては、その素
子を構成する半導体の酸化物が電極部に形成されてしま
う。そしてこの酸化物は一般に絶縁物であり、例えば半
導体がシリコン集積回路においてはその電極部には酸化
珪素絶縁膜が形成されてしまうことが判明した。
「問題を解決すべき手段」 本発明はかかる問題点を解決するため、半導体装置にお
ける相互配線に低温（70〜300Kの温度）で超電導を呈す
る材料を用いるものである。その際、超電導材料と重ね
合わせて金属または金属半導体化物を設け、半導体素子
の電極部との連結にはこの金属または金属半導体を密接
し、かつ半導体とも酸化物を作らない金属または合金の
半導体化物により構成せしめている。
ける相互配線に低温（70〜300Kの温度）で超電導を呈す
る材料を用いるものである。その際、超電導材料と重ね
合わせて金属または金属半導体化物を設け、半導体素子
の電極部との連結にはこの金属または金属半導体を密接
し、かつ半導体とも酸化物を作らない金属または合金の
半導体化物により構成せしめている。
本発明は半導体特に好ましくは耐熱性を有する半導体、
例えば単結晶シリコン半導体基板を用いて、この半導体
に複数の素子、例えば絶縁ゲイト型電界効果トランジス
タ、バイポーラ型トランジスタ、SIT（静電誘導型トラ
ンジスタ）、抵抗、キャパシタを設ける。そしてこの上
に、またその上面の絶縁膜を耐熱性絶縁材料特に好まし
くは耐熱性窒化珪素または酸化珪素を設ける。そしてこ
の絶縁膜上に電気抵抗が零または零に近い酸化物超電導
材料の薄膜材料を形成する。さらにこの上に銅、銀、
金、アルミニウム、WSi2,MoSi2等の金属の半導体化物の
薄膜を形成する。次にこの金属または金属の半導体化物
と超電導材料をともにフォトリソグラフィ技術により選
択エッチをしてパターニングをする。
例えば単結晶シリコン半導体基板を用いて、この半導体
に複数の素子、例えば絶縁ゲイト型電界効果トランジス
タ、バイポーラ型トランジスタ、SIT（静電誘導型トラ
ンジスタ）、抵抗、キャパシタを設ける。そしてこの上
に、またその上面の絶縁膜を耐熱性絶縁材料特に好まし
くは耐熱性窒化珪素または酸化珪素を設ける。そしてこ
の絶縁膜上に電気抵抗が零または零に近い酸化物超電導
材料の薄膜材料を形成する。さらにこの上に銅、銀、
金、アルミニウム、WSi2,MoSi2等の金属の半導体化物の
薄膜を形成する。次にこの金属または金属の半導体化物
と超電導材料をともにフォトリソグラフィ技術により選
択エッチをしてパターニングをする。
本発明においては、絶縁物基板上に超電導材料およびそ
の上面に金属または金属半導体化物の導体を設け、かか
るリードの導体上にフリップチップをワイヤボンド法に
よりバンプまたはワイヤの連結部を用い半導体集積回路
装置、抵抗等を設けてもよい。
の上面に金属または金属半導体化物の導体を設け、かか
るリードの導体上にフリップチップをワイヤボンド法に
よりバンプまたはワイヤの連結部を用い半導体集積回路
装置、抵抗等を設けてもよい。
「作用」 かかる半導体装置を液体窒素温度とすると、その電子ま
たはホール移動度は３〜４倍に向上させることができ
る。加えて、そのリード、電極の電気抵抗を零または零
に等しくすることが可能となる。周波数特性の遅れを示
すCR時定数におけるＲ（抵抗）を零とすることができ、
そのためきわめて高速動作をさせることが可能となる。
たはホール移動度は３〜４倍に向上させることができ
る。加えて、そのリード、電極の電気抵抗を零または零
に等しくすることが可能となる。周波数特性の遅れを示
すCR時定数におけるＲ（抵抗）を零とすることができ、
そのためきわめて高速動作をさせることが可能となる。
以下に本発明の実施例を図面に従って説明する。
「実施例１」 第１図は絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の実施例を示
す。
す。
第１図（Ａ）において、シリコン半導体基板（１）を構
成せしめた。さらにアクティブ素子を構成せしめる領域
を除き絶縁表面を有するフィールド絶縁膜（２）を選択
酸化法で形成する。さらにゲイト絶縁膜（３）を約200
Åの厚さで高温酸化法により形成せしめる。次にその表
面にきわめて薄く、窒化珪素膜を構成せしめた。このブ
ロッキング用膜（４）は酸化珪素膜とアンモニア等で反
応せしめる固相−気相反応とし、５〜20Åの厚さとす
る。
成せしめた。さらにアクティブ素子を構成せしめる領域
を除き絶縁表面を有するフィールド絶縁膜（２）を選択
酸化法で形成する。さらにゲイト絶縁膜（３）を約200
Åの厚さで高温酸化法により形成せしめる。次にその表
面にきわめて薄く、窒化珪素膜を構成せしめた。このブ
ロッキング用膜（４）は酸化珪素膜とアンモニア等で反
応せしめる固相−気相反応とし、５〜20Åの厚さとす
る。
次にスパッタ法によりこの基板全体を700℃とし、酸化
物超電導材料を構成せしめた。この場合はターゲットと
してYBa2Cu3.6O6〜8を用いた。そして形成される薄膜
（５）は熱アニールをすることなしに超電導特性を呈す
るYBa2Cu3O6〜8とし、Tcoは84Kを得るプロセスとした。
物超電導材料を構成せしめた。この場合はターゲットと
してYBa2Cu3.6O6〜8を用いた。そして形成される薄膜
（５）は熱アニールをすることなしに超電導特性を呈す
るYBa2Cu3O6〜8とし、Tcoは84Kを得るプロセスとした。
この酸化物超電導材料（５）の厚さは0.1〜２μｍ例え
ば0.5μｍとした。
ば0.5μｍとした。
次にこの上面に金属膜（６）を同装置を用いてスパッタ
法により形成した。ここでは銅、銀または金で100〜100
00Åの導体を形成した。さらにその上にTiSi2を0.1〜0.
5μｍ例えば0.3μｍの厚さに形成してもよい。この半導
体基板（１）の一部としてSiのかわりにリンまたはホウ
素が添加された基板と同一主成分材料の珪素であって
も、またタングステン等の非酸化性耐熱性金属であって
も、さらにWSi2等の金属半導体化物であってもよい。こ
の実施例では耐熱性を必要とするため、耐熱材料を用い
た。
法により形成した。ここでは銅、銀または金で100〜100
00Åの導体を形成した。さらにその上にTiSi2を0.1〜0.
5μｍ例えば0.3μｍの厚さに形成してもよい。この半導
体基板（１）の一部としてSiのかわりにリンまたはホウ
素が添加された基板と同一主成分材料の珪素であって
も、またタングステン等の非酸化性耐熱性金属であって
も、さらにWSi2等の金属半導体化物であってもよい。こ
の実施例では耐熱性を必要とするため、耐熱材料を用い
た。
かくして第１図（Ａ）における多層膜（７）を形成し
た。
た。
さらにこれにフォトレジスト（８）を選択的に設け、こ
のフォトレジストのない部分の導体（６）および酸化物
超電導材料（５）をエッチング法により除去した。この
酸化物超電導材料は酸例えば硫酸または塩酸によりエッ
チングが可能である。
のフォトレジストのない部分の導体（６）および酸化物
超電導材料（５）をエッチング法により除去した。この
酸化物超電導材料は酸例えば硫酸または塩酸によりエッ
チングが可能である。
導体（６）の選択的除去は公知のプラズマエッチングを
用いて行った。
用いて行った。
この後フォトレジスト（８）を除去した。
かくして得られた第１図（Ｂ）においては、フィールド
絶縁膜（２）上のリード（10）（半導体の電極と連結す
るためのリード），酸化物超電導材料を用いたリード
（10′），ゲイト（11）も設けられた酸化物超電導材料
を用いたゲイト電極（９）とを有する。さらにこの後イ
オン注入法および熱アニールによりソース（12），ドレ
イン（13）を構成した。この熱アニールは超電導材料の
特性を向上させるべく950℃で行う。その後徐冷し、さ
らに500〜600℃での１〜２時間の追加アニールを行っ
た。この追加アニールにより酸化物超電導材料は正方晶
形より斜方晶形を有する変形ペルブスカイト構造とな
り、超電導特性が向上する。
絶縁膜（２）上のリード（10）（半導体の電極と連結す
るためのリード），酸化物超電導材料を用いたリード
（10′），ゲイト（11）も設けられた酸化物超電導材料
を用いたゲイト電極（９）とを有する。さらにこの後イ
オン注入法および熱アニールによりソース（12），ドレ
イン（13）を構成した。この熱アニールは超電導材料の
特性を向上させるべく950℃で行う。その後徐冷し、さ
らに500〜600℃での１〜２時間の追加アニールを行っ
た。この追加アニールにより酸化物超電導材料は正方晶
形より斜方晶形を有する変形ペルブスカイト構造とな
り、超電導特性が向上する。
この後これら全体に気相法により層間絶縁膜（10）（例
えば酸化珪素）を0.3〜１μｍの厚さに形成し、さらに
公知のフットエッチング法により開穴部（15），（16）
を構成せしめた。開穴部（15）はその一部において多層
のリード（10）の上部の導体を露呈せしめ、その他部に
おいて半導体素子の電極部（15−２）を構成せしめる。
次に２層目のリード（18）を作り、同時にリード（10）
の上面（15−１）と電極（15−２）との連結部（19）を
構成する。
えば酸化珪素）を0.3〜１μｍの厚さに形成し、さらに
公知のフットエッチング法により開穴部（15），（16）
を構成せしめた。開穴部（15）はその一部において多層
のリード（10）の上部の導体を露呈せしめ、その他部に
おいて半導体素子の電極部（15−２）を構成せしめる。
次に２層目のリード（18）を作り、同時にリード（10）
の上面（15−１）と電極（15−２）との連結部（19）を
構成する。
これはアルミニウムを0.3〜１μｍの厚さに形成し、そ
のフォトエッチングにおいて第１図（Ｄ）に示す如くに
構成せしめた。
のフォトエッチングにおいて第１図（Ｄ）に示す如くに
構成せしめた。
かくして抵抗零のリード（10）と半導体素子の電極部
（15−２）との電気的連結（19）は酸化物超導体材料が
間接的に導体（19）を介しての連結をせしめ、熱処理に
より材料の酸化物が電極部に形成されやすい絶縁膜の生
成を防ぎつつ互いに連結させることができた。
（15−２）との電気的連結（19）は酸化物超導体材料が
間接的に導体（19）を介しての連結をせしめ、熱処理に
より材料の酸化物が電極部に形成されやすい絶縁膜の生
成を防ぎつつ互いに連結させることができた。
第１図（Ｄ）において、（18）は金属リードのみである
ため、材料を選択し、これを抵抗材料として作用せしめ
ることも可能である。
ため、材料を選択し、これを抵抗材料として作用せしめ
ることも可能である。
また（18）の２層目の配線をアルミニウムの金属膜を0.
1〜0.3μｍの厚さに設けて、その上に非反応性金属を0.
05〜0.2μｍの厚さに形成し、さらにその上に酸化物超
電導材料を構成せしめ、これちをフォトエッチングをし
てリードを構成する場合、２層目も抵抗零のリードとす
ることが可能である。
1〜0.3μｍの厚さに設けて、その上に非反応性金属を0.
05〜0.2μｍの厚さに形成し、さらにその上に酸化物超
電導材料を構成せしめ、これちをフォトエッチングをし
てリードを構成する場合、２層目も抵抗零のリードとす
ることが可能である。
即ち、１層目の配線はリードが酸化物超電導材料とその
上に導体（金属、半導体または金属半導体化物）を設
け、２層目の配線においては半導体とオーム接触し、か
つ酸化物超電導材料と反応しない導体を設け、その導体
の上に酸化物超電導材料を設けることにより、ともに抵
抗を零として、連結部において金属導体同志を互いに密
接せしめるようにした。
上に導体（金属、半導体または金属半導体化物）を設
け、２層目の配線においては半導体とオーム接触し、か
つ酸化物超電導材料と反応しない導体を設け、その導体
の上に酸化物超電導材料を設けることにより、ともに抵
抗を零として、連結部において金属導体同志を互いに密
接せしめるようにした。
本発明において、超電導セラミックスに密接して銅、銀
または金を用いた。しかし、金属は半導体にとっては侵
入型原子となるため、半導体に密接せしめるのはアルミ
ニウム、WSi2、MoSi2,Siとして良好なオーム接触をせし
めた。
または金を用いた。しかし、金属は半導体にとっては侵
入型原子となるため、半導体に密接せしめるのはアルミ
ニウム、WSi2、MoSi2,Siとして良好なオーム接触をせし
めた。
かくして第１図（Ｄ）に示す如く、電界効果半導体装置
を複数ケ同一基板に設け、超LSIを得ることが可能とな
った。
を複数ケ同一基板に設け、超LSIを得ることが可能とな
った。
第１図（Ａ）において、酸化物超電導材料はスパッタ法
で形成した。しかしスクリーン印刷法、真空蒸着法また
は気相法（CVD法）を用いてもよい。スパッタに際して
はその実施例として、基板温度700℃、アルゴン・酸素
雰囲気、周波数50Hz、出力100Wで行った。かかる場合の
セラミック材料の膜厚を0.2〜２μｍ、例えば１μｍの
厚さとして、被膜形成と同時に薄膜がより超電導を呈す
る結晶を成長させやすくすべくTcオンセット＝95K（抵
抗は95Kより下がりはじめ、実験的には79Kで抵抗は実質
的に零になった）の超電導薄膜を作ることができた。
で形成した。しかしスクリーン印刷法、真空蒸着法また
は気相法（CVD法）を用いてもよい。スパッタに際して
はその実施例として、基板温度700℃、アルゴン・酸素
雰囲気、周波数50Hz、出力100Wで行った。かかる場合の
セラミック材料の膜厚を0.2〜２μｍ、例えば１μｍの
厚さとして、被膜形成と同時に薄膜がより超電導を呈す
る結晶を成長させやすくすべくTcオンセット＝95K（抵
抗は95Kより下がりはじめ、実験的には79Kで抵抗は実質
的に零になった）の超電導薄膜を作ることができた。
本発明の酸化物超電導材料は(A1-xBx)yCuzOw（Ａは元素
周期表IIIa族より選ばれた１種または複数種の元素、Ｂ
は元素周期表IIa族より選ばれた１種または複数種の元
素で、ｘ＝0.1〜1,y＝2.0〜4.0好ましくは2.5〜3.5,z＝
1.0〜4.0好ましくは1.5〜3.5,w＝4.0〜10.0好ましくは
６〜８を主成分とする）を用いている。
周期表IIIa族より選ばれた１種または複数種の元素、Ｂ
は元素周期表IIa族より選ばれた１種または複数種の元
素で、ｘ＝0.1〜1,y＝2.0〜4.0好ましくは2.5〜3.5,z＝
1.0〜4.0好ましくは1.5〜3.5,w＝4.0〜10.0好ましくは
６〜８を主成分とする）を用いている。
「実施例２」 第２図（Ａ）は第１図（Ｄ）の実施例の変形である。第
２図（Ａ）において、酸化物超電導材料を有するリード
（10）は下側に第１の金属リード（６−２）を設け、そ
の上に酸化物超電導材料のリード（５）を、その上に酸
化物超電導材料と反応をして絶縁物を作らない導体（６
−１）とを有する３層構造のリード（10）を設けてい
る。さらにこのリード（10）の電極部（15−１）と半導
体の電極（15−２）とを導体の連結部（19）を構成する
導体により互いを連結せしめた。
２図（Ａ）において、酸化物超電導材料を有するリード
（10）は下側に第１の金属リード（６−２）を設け、そ
の上に酸化物超電導材料のリード（５）を、その上に酸
化物超電導材料と反応をして絶縁物を作らない導体（６
−１）とを有する３層構造のリード（10）を設けてい
る。さらにこのリード（10）の電極部（15−１）と半導
体の電極（15−２）とを導体の連結部（19）を構成する
導体により互いを連結せしめた。
かかる連結部（19）はそれぞれと十分抵抗の低いオーム
接触をさせることが重要である。例えばタングステンの
選択成長法を用いている。するとその他の連結部（1
9′）をも有する。そのため、このリード（18）はその
下面を酸化物超電導材料（21）、さらにそれに密接して
金属の導体（22）との多層構造とせしめ得る。
接触をさせることが重要である。例えばタングステンの
選択成長法を用いている。するとその他の連結部（1
9′）をも有する。そのため、このリード（18）はその
下面を酸化物超電導材料（21）、さらにそれに密接して
金属の導体（22）との多層構造とせしめ得る。
「参考例」 第２図（Ｂ）に参考例を示す。第２図（Ｂ）における基
板は耐熱性絶縁基板（１）であり、例えば熱膨張係数を
合わせたアルミナ基板、YSZ（イットリウム・スタビラ
イズド・ジルコン），チタン酸ストロンチウムである。
この上に酸化物超電導材料を実施例１と同様にして設け
た。さらにこの上に導体を銅、銀を用いて設け、これら
プリント配線用基板上に半導体装置等のチップ（20）を
フェイスダウン方式にバンプ（21）（連結部）を用いて
連結した。
板は耐熱性絶縁基板（１）であり、例えば熱膨張係数を
合わせたアルミナ基板、YSZ（イットリウム・スタビラ
イズド・ジルコン），チタン酸ストロンチウムである。
この上に酸化物超電導材料を実施例１と同様にして設け
た。さらにこの上に導体を銅、銀を用いて設け、これら
プリント配線用基板上に半導体装置等のチップ（20）を
フェイスダウン方式にバンプ（21）（連結部）を用いて
連結した。
かかる構造においては、基板内に熱処理に敏感なアクテ
ィブ素子がない等の熱処理条件が容易になる特長を有す
る。しかし精密なパターニングを行いにくいという欠点
を有する。
ィブ素子がない等の熱処理条件が容易になる特長を有す
る。しかし精密なパターニングを行いにくいという欠点
を有する。
「効果」 本発明により半導体装置を室温ではなく、冷却して形成
する場合において実用化が初めて可能となった。
する場合において実用化が初めて可能となった。
特に半導体は液体窒素温度に冷却することにより周波数
特性を向上させることができる。そして他方、低温にす
ることにより抵抗が増してしまう金属を用いることな
く、本発明は超電導材料を用いた。
特性を向上させることができる。そして他方、低温にす
ることにより抵抗が増してしまう金属を用いることな
く、本発明は超電導材料を用いた。
そのため、本発明の技術思想を発展させることにより、
16M〜1Gビット等の超々LSIに対する応用も可能となっ
た。
16M〜1Gビット等の超々LSIに対する応用も可能となっ
た。
本発明は超電導材料を銅の酸化物の超電導材料とした。
しかし微細パターンができる他の超電導材料を用いるこ
とも有効である。
しかし微細パターンができる他の超電導材料を用いるこ
とも有効である。
第１図は本発明の製造工程を示す。 第２図は本発明の他の実施例を示す。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−27244（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−318755（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−154613（ＪＰ，Ａ) Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅ ｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ58，Ｎｏ９．ＰＰ. 908−910（２ Ｍａｒ 1987) Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖ ｏｌ．26，Ｎｏ．６（Ｊｕｎｅ 1987）, ＰＰ．Ｌ1017〜Ｌ1018
Claims (1)
- 【請求項１】基板上のフィールド絶縁物上に酸化物超電
導材料の薄膜と、該薄膜上に銅または銀または金の薄膜
とを設ける工程と、 これら多層薄膜を選択的に除去して他部をリードとする
工程と、 このリードの上部の銅または銀または金と前記基板上の
半導体の電極部とをアルミニウムまたはWSi2またはMoSi
2またはSiにより連結せしめる工程とを有することを特
徴とする超電導体装置の作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62202143A JPH0736404B2 (ja) | 1987-08-13 | 1987-08-13 | 超電導体装置の作製方法 |
| CN88106054A CN1017110B (zh) | 1987-08-13 | 1988-08-13 | 一种超导器件 |
| EP88307561A EP0303521A3 (en) | 1987-08-13 | 1988-08-15 | Superconducting device and methods of manufacturing the same |
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| ＰｈｙｓｉｃａｌＲｅｖｉｅｗＬｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ５８，Ｎｏ９．ＰＰ．９０８−９１０（２Ｍａｒ１９８７） |
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