JPH073648Y2 - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH073648Y2 JPH073648Y2 JP1988018352U JP1835288U JPH073648Y2 JP H073648 Y2 JPH073648 Y2 JP H073648Y2 JP 1988018352 U JP1988018352 U JP 1988018352U JP 1835288 U JP1835288 U JP 1835288U JP H073648 Y2 JPH073648 Y2 JP H073648Y2
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- inorganic insulating
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本考案は光起電力装置に関する。
（ロ） 従来の技術 光起電力装置の１つとして、絶縁表面を有する基板上に
第１電極、アモルフアスシリコン等のアモルフアス半導
体膜及び第２電極をこの順に積層形成したものが既に知
られている。
第１電極、アモルフアスシリコン等のアモルフアス半導
体膜及び第２電極をこの順に積層形成したものが既に知
られている。
斯る光起電力装置の基板としては、ガラスが用いられて
いるが、ガラスは割れ易く、また可撓性に乏しいことか
ら、最近では基板としてステンレス等の金属支持体の表
面に、ポリイミド等の耐熱性樹脂膜またはシリコン酸化
物、シリコン窒化物等の無機系絶縁膜を形成したものも
用いられるようになつている（例えば、特公昭62-60819
号公報参照）。
いるが、ガラスは割れ易く、また可撓性に乏しいことか
ら、最近では基板としてステンレス等の金属支持体の表
面に、ポリイミド等の耐熱性樹脂膜またはシリコン酸化
物、シリコン窒化物等の無機系絶縁膜を形成したものも
用いられるようになつている（例えば、特公昭62-60819
号公報参照）。
（ハ） 考案が解決しようとする課題 しかし乍ら、金属支持体の表面に耐熱性樹脂膜を形成し
たものを基板として用いる場合、耐熱性樹脂膜として、
アモルフアスシリコン等のアモルフアス半導体を形成す
るに必要な温度（250℃程度）に耐え得る材料を用いな
ければならないため、高価となる他、高温処理による樹
脂膜の熱分解により発生したガス等により、アモルフア
ス半導体中に不純物が混入し、光起電力装置の出力特性
を低下させる。
たものを基板として用いる場合、耐熱性樹脂膜として、
アモルフアスシリコン等のアモルフアス半導体を形成す
るに必要な温度（250℃程度）に耐え得る材料を用いな
ければならないため、高価となる他、高温処理による樹
脂膜の熱分解により発生したガス等により、アモルフア
ス半導体中に不純物が混入し、光起電力装置の出力特性
を低下させる。
これに対し、金属支持体の表面に無機系絶縁膜を形成し
た基板によれば、上述の如き欠点が解決される反面、次
のような新たな欠点が生じる。即ち、金属支持体の表面
が少しでも酸化したり、汚れたりしていると、無機系絶
縁膜との密着力が低下し、無機系絶縁膜にクラツクやピ
ンホールが生じたり、更には剥離が起こる。また、金属
支持体の表面が清浄であつて、金属支持体と無機系絶縁
膜との夫々の線膨張率との間に大きな差がある場合も、
無機系絶縁膜にクラツクが生じたり、剥離が起こる。
た基板によれば、上述の如き欠点が解決される反面、次
のような新たな欠点が生じる。即ち、金属支持体の表面
が少しでも酸化したり、汚れたりしていると、無機系絶
縁膜との密着力が低下し、無機系絶縁膜にクラツクやピ
ンホールが生じたり、更には剥離が起こる。また、金属
支持体の表面が清浄であつて、金属支持体と無機系絶縁
膜との夫々の線膨張率との間に大きな差がある場合も、
無機系絶縁膜にクラツクが生じたり、剥離が起こる。
そこで、本考案は金属支持体に無機系絶縁膜を形成した
基板における上述の如き無機系絶縁膜のクラツク、剥離
を防止することを目的とする。
基板における上述の如き無機系絶縁膜のクラツク、剥離
を防止することを目的とする。
（ニ） 課題を解決するための手段 本考案の光起電力装置は、金属支持体上に順次金属膜及
び無機系絶縁膜を積層形成してなる基板と、この基板の
上記無機系絶縁膜上に形成された光起電力素子とを備え
た光起電力装置であって、上記金属膜は上記金属支持体
及び無機系絶縁膜の夫々の線膨張率の中間の線膨張率を
有することを特徴とする。
び無機系絶縁膜を積層形成してなる基板と、この基板の
上記無機系絶縁膜上に形成された光起電力素子とを備え
た光起電力装置であって、上記金属膜は上記金属支持体
及び無機系絶縁膜の夫々の線膨張率の中間の線膨張率を
有することを特徴とする。
（ホ） 作用 本考案の光起電力装置に用いられる基板では、金属支持
体と無機系絶縁膜との間に介在された金属膜、特に金属
支持体及び無機系絶縁膜の夫々の線膨張率の中間の線膨
張率を有する金属膜が、線膨張率の差による無機系絶縁
膜のクラツクや剥離を防止する。
体と無機系絶縁膜との間に介在された金属膜、特に金属
支持体及び無機系絶縁膜の夫々の線膨張率の中間の線膨
張率を有する金属膜が、線膨張率の差による無機系絶縁
膜のクラツクや剥離を防止する。
（ヘ） 実施例 図は本考案の一実施例を示す側面断面図である。（１）
はステンレス、アルミ等の金属支持体、（２）は真空蒸
着、スパツタ等により金属支持体（１）の表面に形成さ
れた金属膜、（３）は真空蒸着、スパツタ等により金属
膜（２）の表面に形成されたシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜、アルミナ等の無機系絶縁膜であり、これら金属
支持体（１）、金属膜（２）及び無機系絶縁膜（３）に
より、基板（４）が構成される。（５）は無機系絶縁膜
（３）の表面に分割形成された複数（本実施例では４
個）の第１電極、（６）は第１電極（５）の夫々に積層
形成されたアモルフアスシリコン等のアモルフアス半導
体膜で、第１電極（５）側からnip接合を有する。
（７）はアオルフアス半導体膜（６）の夫々に積層形成
されると共に右隣りの第１電極（５）と電気的に接続さ
れた透明電極であり、これら第１電極（５）、アモルフ
アス半導体膜（６）及び透明電極（７）にて光起電力素
子（８）が構成される。
はステンレス、アルミ等の金属支持体、（２）は真空蒸
着、スパツタ等により金属支持体（１）の表面に形成さ
れた金属膜、（３）は真空蒸着、スパツタ等により金属
膜（２）の表面に形成されたシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜、アルミナ等の無機系絶縁膜であり、これら金属
支持体（１）、金属膜（２）及び無機系絶縁膜（３）に
より、基板（４）が構成される。（５）は無機系絶縁膜
（３）の表面に分割形成された複数（本実施例では４
個）の第１電極、（６）は第１電極（５）の夫々に積層
形成されたアモルフアスシリコン等のアモルフアス半導
体膜で、第１電極（５）側からnip接合を有する。
（７）はアオルフアス半導体膜（６）の夫々に積層形成
されると共に右隣りの第１電極（５）と電気的に接続さ
れた透明電極であり、これら第１電極（５）、アモルフ
アス半導体膜（６）及び透明電極（７）にて光起電力素
子（８）が構成される。
斯る構成において、金属膜（２）は金属支持体（１）及
び無機系絶縁膜（３）の夫々の線膨張率の中間の線膨張
率を有している。例えば、金属支持体（１）として線膨
張率15〜17×10-6/degを有するステンレスを、また無機
系絶縁膜（３）として線膨張率2.5×10-6/degを有する
シリコン窒化膜を用いた場合、金属膜（２）としては、
線膨張率10×10-6/degのチタン、７×10-6/degのクロム
または12.8×10-6/degのニツケル等が用いられる。
び無機系絶縁膜（３）の夫々の線膨張率の中間の線膨張
率を有している。例えば、金属支持体（１）として線膨
張率15〜17×10-6/degを有するステンレスを、また無機
系絶縁膜（３）として線膨張率2.5×10-6/degを有する
シリコン窒化膜を用いた場合、金属膜（２）としては、
線膨張率10×10-6/degのチタン、７×10-6/degのクロム
または12.8×10-6/degのニツケル等が用いられる。
これにより、金属支持体（１）と無機系絶縁膜（３）と
の間の線膨張率の差は、金属膜（２）によつて緩和さ
れ、従つて無機系絶縁膜（３）のクラツクや剥離が抑制
される。
の間の線膨張率の差は、金属膜（２）によつて緩和さ
れ、従つて無機系絶縁膜（３）のクラツクや剥離が抑制
される。
また、金属膜（２）として、金属支持体（１）から無機
系絶縁膜（３）に向かつて漸次線膨張率が変化するよう
に、複数の層を用いるとより効果的である。例えば、ス
テンレスから成る金属支持体（１）側からシリコン窒化
膜より成る無機系絶縁膜（３）に向かつて、ニツケル、
チタン及びクロムによる複数層から成る金属膜（２）が
用いられる。
系絶縁膜（３）に向かつて漸次線膨張率が変化するよう
に、複数の層を用いるとより効果的である。例えば、ス
テンレスから成る金属支持体（１）側からシリコン窒化
膜より成る無機系絶縁膜（３）に向かつて、ニツケル、
チタン及びクロムによる複数層から成る金属膜（２）が
用いられる。
更に、金属支持体（１）上に積層形成される金属膜
（２）及び無機系絶縁膜（３）は真空中にて連続形成さ
れた積層体であることが好適である。この場合、無機系
絶縁膜（３）の形成表面となる金属膜（２）の表面が全
く汚染することなく、無機系絶縁膜（３）が金属膜
（２）の表面に形成されるため、無機系絶縁膜（３）は
非常に強い密着力を有することになる。また、金属支持
体（１）と金属膜（２）とは金属どおしの密着であるた
め、金属支持体（１）の表面がある程度の清浄さを有し
ているならば、金属膜（２）は金属支持体（１）に対し
て強い密着力を持つ。
（２）及び無機系絶縁膜（３）は真空中にて連続形成さ
れた積層体であることが好適である。この場合、無機系
絶縁膜（３）の形成表面となる金属膜（２）の表面が全
く汚染することなく、無機系絶縁膜（３）が金属膜
（２）の表面に形成されるため、無機系絶縁膜（３）は
非常に強い密着力を有することになる。また、金属支持
体（１）と金属膜（２）とは金属どおしの密着であるた
め、金属支持体（１）の表面がある程度の清浄さを有し
ているならば、金属膜（２）は金属支持体（１）に対し
て強い密着力を持つ。
（ト） 考案の効果 本考案の光起電力装置は、以上の構成であり、特に、金
属支持体及び無機系絶縁膜の夫々の線膨張率の中間の線
膨張率を有する金属膜により、線膨張率の差による無機
系絶縁膜のクラックや剥離を抑制することができる。
属支持体及び無機系絶縁膜の夫々の線膨張率の中間の線
膨張率を有する金属膜により、線膨張率の差による無機
系絶縁膜のクラックや剥離を抑制することができる。
図は本考案の一実施例を示す側面断面図であつて、
（１）は金属支持体、（２）は金属膜、（３）は無機系
絶縁膜、（８）は光起電力素子である。
（１）は金属支持体、（２）は金属膜、（３）は無機系
絶縁膜、（８）は光起電力素子である。
Claims (1)
- 【請求項１】金属支持体上に順次金属膜及び無機系絶縁
膜を積層形成してなる基板と、この基板の上記無機系絶
縁膜上に形成された光起電力素子とを備えた光起電力装
置であって、上記金属膜は上記金属支持体及び無機系絶
縁膜の夫々の線膨張率の中間の線膨張率を有することを
特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988018352U JPH073648Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988018352U JPH073648Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123366U JPH01123366U (ja) | 1989-08-22 |
| JPH073648Y2 true JPH073648Y2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=31232922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988018352U Expired - Lifetime JPH073648Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073648Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103178A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜太陽電池 |
| JPS60211825A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜半導体素子 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP1988018352U patent/JPH073648Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01123366U (ja) | 1989-08-22 |
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