JPH0740632B2 - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH0740632B2 JPH0740632B2 JP63144028A JP14402888A JPH0740632B2 JP H0740632 B2 JPH0740632 B2 JP H0740632B2 JP 63144028 A JP63144028 A JP 63144028A JP 14402888 A JP14402888 A JP 14402888A JP H0740632 B2 JPH0740632 B2 JP H0740632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- hybrid integrated
- integrated circuit
- resin thin
- thin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000760 Hardened steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は低熱抵抗回路基板を用いた混成集積回路の製造
方法に関する。
方法に関する。
(ロ)従来の技術 本願出願人はすでに特公昭46−13234号公報に厚膜混成
集積回路の組み込みに適した金属基板を用いた低熱抵抗
回路基板を開発した。斯る基板はアルミニウム板の表面
を陽極酸化として酸化アルミニウム被膜で被覆したもの
であり、その表面に約30μの厚さのエポキシ樹脂で銅箔
を接着している構造なので熱抵抗は1cm2の面積あたり
1.3℃/W程度であった。
集積回路の組み込みに適した金属基板を用いた低熱抵抗
回路基板を開発した。斯る基板はアルミニウム板の表面
を陽極酸化として酸化アルミニウム被膜で被覆したもの
であり、その表面に約30μの厚さのエポキシ樹脂で銅箔
を接着している構造なので熱抵抗は1cm2の面積あたり
1.3℃/W程度であった。
最近集積化の要請より、更に大出力回路をも組み込みで
きる低熱抵抗基板が提案された。この基板はアルミニウ
ム等の良熱伝導性金属基板の一主面に多量のアルミナ
(Al2O3)を含有したエポキシ樹脂層を薄く付着した構
造を有し、樹脂層の厚さが60μと2倍になったにもかか
わらず、熱抵抗は0.8℃/Wと改善されている。
きる低熱抵抗基板が提案された。この基板はアルミニウ
ム等の良熱伝導性金属基板の一主面に多量のアルミナ
(Al2O3)を含有したエポキシ樹脂層を薄く付着した構
造を有し、樹脂層の厚さが60μと2倍になったにもかか
わらず、熱抵抗は0.8℃/Wと改善されている。
(ハ)発明が解決しようとする課題 しかしながら斯上の基板を用いて混成集積回路を生産す
ると大きな問題が生じた。これは一枚の基板に多数個の
混成集積回路を形成した後にプレスで各混成集積回路に
打抜く工程で、プレス金型の寿命が従来の基板が100万
ショットであるのに対しこの基板では5000ショットで摩
耗してしまうのである。この原因はアルミナにある。即
ちアルミナのモース硬度は9であり、プレス金型を形成
する焼入れ鋼のモース硬度は約6.5でありプレス金型の
側面を削る。即ち、プレス金型の寿命を著しく低下させ
る大きな問題点があった。
ると大きな問題が生じた。これは一枚の基板に多数個の
混成集積回路を形成した後にプレスで各混成集積回路に
打抜く工程で、プレス金型の寿命が従来の基板が100万
ショットであるのに対しこの基板では5000ショットで摩
耗してしまうのである。この原因はアルミナにある。即
ちアルミナのモース硬度は9であり、プレス金型を形成
する焼入れ鋼のモース硬度は約6.5でありプレス金型の
側面を削る。即ち、プレス金型の寿命を著しく低下させ
る大きな問題点があった。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した問題点に鑑みて為されたものであり、
短冊状の金属基板を準備し、前記基板上の複数の所定領
域に高熱伝導性フィラーが含有された絶縁樹脂薄層をス
クリーン印刷し、前記高熱伝導性フィラーを含有する前
記絶縁樹脂薄層が印刷された以外の前記基板領域上に絶
縁層を形成し、前記高熱伝導性フィラーが含有された絶
縁樹脂薄層上に所望形状の回路導体を形成し、前記回路
導体上に回路素子を固着した後、前記絶縁樹脂薄層近傍
の前記絶縁層領域の前記基板をプレス打抜きし、個々の
混成集積回路に分離して解決する。
短冊状の金属基板を準備し、前記基板上の複数の所定領
域に高熱伝導性フィラーが含有された絶縁樹脂薄層をス
クリーン印刷し、前記高熱伝導性フィラーを含有する前
記絶縁樹脂薄層が印刷された以外の前記基板領域上に絶
縁層を形成し、前記高熱伝導性フィラーが含有された絶
縁樹脂薄層上に所望形状の回路導体を形成し、前記回路
導体上に回路素子を固着した後、前記絶縁樹脂薄層近傍
の前記絶縁層領域の前記基板をプレス打抜きし、個々の
混成集積回路に分離して解決する。
(ホ)作用 この様に本発明に依れば、高熱伝導性フィラーが含有さ
れた絶縁樹脂薄層を直接プレス金型で切断することがな
いので、従来の問題点を大幅に改善した低熱抵抗回路基
板を用いた混成集積回路を提供することができる。
れた絶縁樹脂薄層を直接プレス金型で切断することがな
いので、従来の問題点を大幅に改善した低熱抵抗回路基
板を用いた混成集積回路を提供することができる。
(ヘ)実施例 以下に図面を参照して本発明の一実施例を詳述する。
本発明の第1の工程は第1図Aに示す如く、短冊状の金
属基板(1)を準備することにある。金属基板(1)は
アルミニウムが適しており、アルミニウム板の表面に陽
極酸化により酸化アルミニウム薄層を形成した絶縁金属
板を用いる。斯る金属基板(1)上には所定の間隔で所
定領域、即ち、低熱抵抗回路基板となる領域に高熱伝導
性フィラー(2)が含有された絶縁樹脂薄層(3)をス
クリーン印刷により所定の膜厚で付着する。
属基板(1)を準備することにある。金属基板(1)は
アルミニウムが適しており、アルミニウム板の表面に陽
極酸化により酸化アルミニウム薄層を形成した絶縁金属
板を用いる。斯る金属基板(1)上には所定の間隔で所
定領域、即ち、低熱抵抗回路基板となる領域に高熱伝導
性フィラー(2)が含有された絶縁樹脂薄層(3)をス
クリーン印刷により所定の膜厚で付着する。
絶縁樹脂薄層(3)はエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、プラチラール樹脂等の樹脂が用いら
れ、その樹脂中にプレス金型よりもモース硬度の大きい
Al2O3,AlN,SiC,ダイヤモンド及び金型よりモース硬度は
小さいが特に熱伝導性の優れたBN等のフィラー(2)が
10%〜80%重量比で混入されている。
フェノール樹脂、プラチラール樹脂等の樹脂が用いら
れ、その樹脂中にプレス金型よりもモース硬度の大きい
Al2O3,AlN,SiC,ダイヤモンド及び金型よりモース硬度は
小さいが特に熱伝導性の優れたBN等のフィラー(2)が
10%〜80%重量比で混入されている。
本発明の第2の工程は第1図Bに示す如く、高熱伝導性
フィラー(2)を含有した絶縁樹脂薄層(3)が印刷さ
れた以外の領域に絶縁層(4)を形成するところにあ
る。
フィラー(2)を含有した絶縁樹脂薄層(3)が印刷さ
れた以外の領域に絶縁層(4)を形成するところにあ
る。
絶縁層(4)は絶縁樹脂薄層(3)と同じ樹脂が用いら
れ、スクリーン印刷により絶縁樹脂薄層(3)と同一膜
厚となる様に付着させる。また。絶縁層(4)中に高熱
伝導性フィラーを含有させることも可能であるこの場合
の高熱伝導性フィラーはプレス金型のモース硬度より小
さいものを使用する。
れ、スクリーン印刷により絶縁樹脂薄層(3)と同一膜
厚となる様に付着させる。また。絶縁層(4)中に高熱
伝導性フィラーを含有させることも可能であるこの場合
の高熱伝導性フィラーはプレス金型のモース硬度より小
さいものを使用する。
本発明の第3の工程は第1図Cに示す如く、絶縁樹脂薄
層(3)上に所望形状の回路導体(5)を形成し、その
回路導体(5)上に複数の回路素子(6)を固着する。
層(3)上に所望形状の回路導体(5)を形成し、その
回路導体(5)上に複数の回路素子(6)を固着する。
回路導体(5)は絶縁樹脂薄層(3)及び絶縁層(4)
全面に銅箔を貼着して絶縁樹脂薄層(3)上のみに回路
導体(5)を形成する様にエッチングする。このとき銅
箔の片面には接着剤があらかじめ付着されており、絶縁
樹脂薄層(3)及び絶縁層(4)との接着性は十分であ
る。
全面に銅箔を貼着して絶縁樹脂薄層(3)上のみに回路
導体(5)を形成する様にエッチングする。このとき銅
箔の片面には接着剤があらかじめ付着されており、絶縁
樹脂薄層(3)及び絶縁層(4)との接着性は十分であ
る。
回路導体(5)上にはトランジスタ、集積回路、チップ
部品等の複数の回路素子(6)を固着し、必要とされる
ものは近傍の回路導体(5)とワイヤ等で接続する。
部品等の複数の回路素子(6)を固着し、必要とされる
ものは近傍の回路導体(5)とワイヤ等で接続する。
本発明の第4の工程は第1図Dに示す如く、絶縁樹脂薄
層(3)近傍の絶縁層(4)領域の基板(1)をプレス
金型(7)でプレス打抜きを行い第1図Eに示す如く、
個々の混成集積回路(8)に分離するところにある。
層(3)近傍の絶縁層(4)領域の基板(1)をプレス
金型(7)でプレス打抜きを行い第1図Eに示す如く、
個々の混成集積回路(8)に分離するところにある。
このときのプレス金型(7)のプレス面は回路素子
(6)と接しない様に凹型に形成されていることが望ま
しい。
(6)と接しない様に凹型に形成されていることが望ま
しい。
斯る本発明に依れば、高熱伝導性フィラー(2)が含有
された絶縁樹脂薄層(3)をプレス金型(7)でプレス
打抜きすることなく、低熱抵抗用の混成集積回路(8)
を形成することができ、プレス金型(7)が摩耗されず
プレス金型(7)の寿命を著しく延ばすことができる。
された絶縁樹脂薄層(3)をプレス金型(7)でプレス
打抜きすることなく、低熱抵抗用の混成集積回路(8)
を形成することができ、プレス金型(7)が摩耗されず
プレス金型(7)の寿命を著しく延ばすことができる。
(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、高熱伝導性フィ
ラーを含有する絶縁樹脂薄層を直接プレス金型によって
プレス打抜きしないためプレス金型の寿命を著しく延ば
すと同じに低熱抵抗用の混成集積回路を個々に分離する
ことができる。
ラーを含有する絶縁樹脂薄層を直接プレス金型によって
プレス打抜きしないためプレス金型の寿命を著しく延ば
すと同じに低熱抵抗用の混成集積回路を個々に分離する
ことができる。
また本発明ではプレス金型で直接絶縁樹脂薄層をプレス
打抜きしないため、モース硬度の高いフィラーを絶縁樹
脂薄層中に含有させることができることにより、高い熱
伝導率を有する混成集積回路を容易に提供することがで
きる。
打抜きしないため、モース硬度の高いフィラーを絶縁樹
脂薄層中に含有させることができることにより、高い熱
伝導率を有する混成集積回路を容易に提供することがで
きる。
第1図A乃至第1図Eは本発明の実施例を説明する断面
工程図である。 (1)…金属基板、(2)…高熱伝導性フィラー、
(3)…絶縁樹脂薄層、(4)…絶縁層、(5)…回路
導体、(6)…回路素子、(7)…プレス金型。
工程図である。 (1)…金属基板、(2)…高熱伝導性フィラー、
(3)…絶縁樹脂薄層、(4)…絶縁層、(5)…回路
導体、(6)…回路素子、(7)…プレス金型。
Claims (1)
- 【請求項1】金属基板を準備し、前記金属基板上に於て
形成予定の多数個の混成集積回路領域に高熱伝導性フィ
ラーが含有された絶縁樹脂薄層を形成し、 前記高熱伝導性フィラーを含有する前記絶縁樹脂薄層が
形成された混成集積回路領域間上に前記絶縁樹脂薄層と
ほぼ同じ膜厚でフィラーの含有していない絶縁層を形成
し、 前記高熱伝導性フィラーが含有された絶縁樹脂薄層上に
所望形状の回路導体を形成し、前記回路導体上に回路素
子を固着した後、 前記絶縁樹脂薄層間の前記絶縁層領域に対応する前記金
属基板をプレス打抜きし、個々の混成集積回路に分離す
ることを特徴とする混成集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144028A JPH0740632B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144028A JPH0740632B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312890A JPH01312890A (ja) | 1989-12-18 |
| JPH0740632B2 true JPH0740632B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15352644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63144028A Expired - Fee Related JPH0740632B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740632B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9115000B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-08-25 | Showa Denko K.K. | Process for producing carbonyl sulfide |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715496A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Sumitomo Bakelite Co | Method of producing heat dissipating insulating board |
| JPS5910080A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | テレビ音声多重放送受信装置 |
| JPS605589A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板 |
| JPS6050991A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | 昭和電工株式会社 | 電気絶縁基板 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63144028A patent/JPH0740632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9115000B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-08-25 | Showa Denko K.K. | Process for producing carbonyl sulfide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01312890A (ja) | 1989-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002009196A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7550322B2 (en) | Manufacturing method for resin sealed semiconductor device | |
| JP2008177461A (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
| JPH10149901A (ja) | 電気抵抗器および電気抵抗器の製造方法 | |
| JP2664408B2 (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH0922963A (ja) | 半導体回路素子搭載基板フレームの製造方法 | |
| JPH07105461B2 (ja) | 半導体装置用絶縁基板の製造方法およびそのための金属パターン板 | |
| JPH0740632B2 (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP3869849B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000261152A (ja) | プリント配線組立体 | |
| JPH11186679A (ja) | 絶縁基板およびその製造方法 | |
| JPH0712071B2 (ja) | ハイブリッド集積回路製作方法 | |
| JP2831971B2 (ja) | 半導体素子搭載用プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2740977B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01289188A (ja) | 低熱抵抗回路基板の製造方法 | |
| JP7741789B2 (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 | |
| JPS59124794A (ja) | 電子回路基板の製造方法 | |
| JPH01289196A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH081108Y2 (ja) | Icモジュール | |
| JPH0227786A (ja) | 低熱抵抗回路基板 | |
| JP2664409B2 (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH06120370A (ja) | 積層板の製造方法 | |
| JPH11284335A (ja) | 金属ベース回路基板とその製造方法 | |
| JPH0895504A (ja) | 表示装置 | |
| JPH0537156A (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |