JPH0743848B2 - 記録型光ディスク - Google Patents
記録型光ディスクInfo
- Publication number
- JPH0743848B2 JPH0743848B2 JP4097790A JP9779092A JPH0743848B2 JP H0743848 B2 JPH0743848 B2 JP H0743848B2 JP 4097790 A JP4097790 A JP 4097790A JP 9779092 A JP9779092 A JP 9779092A JP H0743848 B2 JPH0743848 B2 JP H0743848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal
- film
- present
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成された金
属薄膜の保護に関する。
属薄膜の保護に関する。
【０００２】
【従来技術】金属薄膜例えば、Al，Ag，Fe，Tb，Gdは特
に１０μｍ以下の薄膜とした場合に大気中の酸素、水、
硫化物等により変質され易く、そのため本来の特性例え
ば、反射率、光沢（鏡面）などが損なわれ易い。
に１０μｍ以下の薄膜とした場合に大気中の酸素、水、
硫化物等により変質され易く、そのため本来の特性例え
ば、反射率、光沢（鏡面）などが損なわれ易い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】金属薄膜の表面を、Si
O2薄膜で被覆することにより、保護することが提案され
たが、本発明者らの実験によれば、SiO2薄膜では十分で
ないことが判明した。
O2薄膜で被覆することにより、保護することが提案され
たが、本発明者らの実験によれば、SiO2薄膜では十分で
ないことが判明した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
の結果、偶然にも金属炭化物薄膜が金属薄膜の表面保護
に著効があることを見い出し、本発明をなすに至った。
本発明は、変質し易い金属薄膜の表面を十分に保護する
ことにある。そこで、本発明は、第１に「基板上に形成
された膜厚１０μｍ以下の TbFe、GdTbFe等の金属薄膜
を記録層とする記録型光ディスクにおいて、前記金属薄
膜を金属炭化物薄膜で被覆することにより表面保護した
ことを特徴とするディスク（請求項１）」を提供する。
の結果、偶然にも金属炭化物薄膜が金属薄膜の表面保護
に著効があることを見い出し、本発明をなすに至った。
本発明は、変質し易い金属薄膜の表面を十分に保護する
ことにある。そこで、本発明は、第１に「基板上に形成
された膜厚１０μｍ以下の TbFe、GdTbFe等の金属薄膜
を記録層とする記録型光ディスクにおいて、前記金属薄
膜を金属炭化物薄膜で被覆することにより表面保護した
ことを特徴とするディスク（請求項１）」を提供する。
【０００５】第２に「前記炭化物薄膜が100 Å〜１μｍ
の膜厚を有することを特徴とする請求項１記載の記録型
光ディスク（請求項２）」を提供する。
の膜厚を有することを特徴とする請求項１記載の記録型
光ディスク（請求項２）」を提供する。
【０００６】
【作用】本発明は、基板例えば、ガラス、セラミック、
プラスチック、異種金属の上に形成された膜厚１０μｍ
以下実用上は0.05〜２μｍの金属薄膜を金属炭化物薄膜
で表面保護したことを特徴とするものである。本発明に
よって有効に保護される金属薄膜は、特に変質を受け易
い金属のそれであり、Al，Ag，Fe，Tb，Gd，Cu，Dy，N
i，Mn，Bi，TbFe，GdTbFe，MnBiなどである。
プラスチック、異種金属の上に形成された膜厚１０μｍ
以下実用上は0.05〜２μｍの金属薄膜を金属炭化物薄膜
で表面保護したことを特徴とするものである。本発明に
よって有効に保護される金属薄膜は、特に変質を受け易
い金属のそれであり、Al，Ag，Fe，Tb，Gd，Cu，Dy，N
i，Mn，Bi，TbFe，GdTbFe，MnBiなどである。
【０００７】また金属炭化物としては例えば、Ｗ，Mo，
Ta，Si，Ti，Nb，Cr，Hf，Niなどの炭化物が挙げられ
る。これらの金属炭化物による保護膜は、厚ければ厚い
ほど有効であるが、一般には100 Å〜１μｍ特に500 Å
〜0.5 μｍもあれば十分である。従って、金属炭化物保
護膜の形成は、蒸着源又はターゲットとして金属炭化物
の塊又は粉末焼結物を用いて真空蒸着、イオンプレーテ
ィング、スパッタリングなどの真空蒸着形成技術を利用
することが好ましい。その他、場合によっては、ＣＶＤ
（Chemical vapor deposition)を利用することも可能で
ある。
Ta，Si，Ti，Nb，Cr，Hf，Niなどの炭化物が挙げられ
る。これらの金属炭化物による保護膜は、厚ければ厚い
ほど有効であるが、一般には100 Å〜１μｍ特に500 Å
〜0.5 μｍもあれば十分である。従って、金属炭化物保
護膜の形成は、蒸着源又はターゲットとして金属炭化物
の塊又は粉末焼結物を用いて真空蒸着、イオンプレーテ
ィング、スパッタリングなどの真空蒸着形成技術を利用
することが好ましい。その他、場合によっては、ＣＶＤ
（Chemical vapor deposition)を利用することも可能で
ある。
【０００８】更に必要に応じて金属炭化物保護膜の上に
他の保護膜例えば、SiO ，SiO2，Al2O3 ，ZrO2，TiO2，
HfO2，Ta2O5 ，Y2O3，MgF2，Si3N4 ，AlN などの酸化
物、フッ化物又は窒化物を積層してもよい。本発明は、
１０μｍ以下の金属薄膜が使用される例えば、ミラー、
記録型光ディスク、メタル蒸着カード等に有効である。
他の保護膜例えば、SiO ，SiO2，Al2O3 ，ZrO2，TiO2，
HfO2，Ta2O5 ，Y2O3，MgF2，Si3N4 ，AlN などの酸化
物、フッ化物又は窒化物を積層してもよい。本発明は、
１０μｍ以下の金属薄膜が使用される例えば、ミラー、
記録型光ディスク、メタル蒸着カード等に有効である。
【０００９】以下、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１０】
【実施例１】ガラス基板の上に真空度 2×10-6 Torr.蒸
着速度２Å／秒の条件で電子ビーム加熱による真空蒸着
法で1000Åのアルミニウム薄膜を形成した。次に、SiC
をターゲットとして、Arガス圧 5×10-3 Torr.形成速度
２Å／秒の条件でスパッタリングを行い、アルミニウム
薄膜の上に膜厚600 ÅのSiC 薄膜を形成した。
着速度２Å／秒の条件で電子ビーム加熱による真空蒸着
法で1000Åのアルミニウム薄膜を形成した。次に、SiC
をターゲットとして、Arガス圧 5×10-3 Torr.形成速度
２Å／秒の条件でスパッタリングを行い、アルミニウム
薄膜の上に膜厚600 ÅのSiC 薄膜を形成した。
【００１１】〔比較例〕比較のために、同様のアルミニ
ウム薄膜の上に、真空度 2×10-6 Torr.蒸着速度10Å／
秒の条件で1000ÅのSiO2薄膜を蒸着形成した。更に比較
のため、 同様のアルミニウム薄膜の上に、Alをターゲ
ットとして、N2/Ar ＝ １／10( 圧力比）の混合ガス圧
5×10-3 Torr.、形成速度１Å／秒の条件で反応性スパ
ッタリングにより膜厚600 ÅのAlN 薄膜を形成した。
ウム薄膜の上に、真空度 2×10-6 Torr.蒸着速度10Å／
秒の条件で1000ÅのSiO2薄膜を蒸着形成した。更に比較
のため、 同様のアルミニウム薄膜の上に、Alをターゲ
ットとして、N2/Ar ＝ １／10( 圧力比）の混合ガス圧
5×10-3 Torr.、形成速度１Å／秒の条件で反応性スパ
ッタリングにより膜厚600 ÅのAlN 薄膜を形成した。
【００１２】〔評価〕上述の如く表面保護された金属薄
膜について各保護膜の表面硬度を調べたところSiC が最
も硬く、その後60度、80% の恒温恒室試験槽内に入れ
て、１週間放置した。試験槽内から取り出した金属薄膜
をガラス基板側から肉眼観察した結果を次に示す。
膜について各保護膜の表面硬度を調べたところSiC が最
も硬く、その後60度、80% の恒温恒室試験槽内に入れ
て、１週間放置した。試験槽内から取り出した金属薄膜
をガラス基板側から肉眼観察した結果を次に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】＊ 金属Alが酸化アルミニウム又は水酸化
アルミニウムに変質したものと推定される。
アルミニウムに変質したものと推定される。
【００１５】
【効果】以上の通り、本発明によれば金属薄膜が良好に
表面保護されて変質しにくくなり、 また表面硬度も金
属薄膜自身より向上するので耐擦傷性や耐磨耗性も向上
し、この点からも表面保護されることになる。 以上
表面保護されて変質しにくくなり、 また表面硬度も金
属薄膜自身より向上するので耐擦傷性や耐磨耗性も向上
し、この点からも表面保護されることになる。 以上
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された膜厚１０μｍ以下の
TbFe、GdTbFe等の金属薄膜を記録層とする記録型光ディ
スクにおいて、 前記金属薄膜を金属炭化物薄膜で保護したことを特徴と
する光ディスク。 - 【請求項２】 前記炭化物薄膜が 100Å〜１μｍの膜厚
を有することを特徴とする請求項１記載の記録型光ディ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4097790A JPH0743848B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 記録型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4097790A JPH0743848B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 記録型光ディスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1550684A Division JPS60160001A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 炭化物で表面保護されたミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114166A JPH05114166A (ja) | 1993-05-07 |
| JPH0743848B2 true JPH0743848B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=14201613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4097790A Expired - Lifetime JPH0743848B2 (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 記録型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743848B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-17 JP JP4097790A patent/JPH0743848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05114166A (ja) | 1993-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |