JPH0743998B2 - デイスペンサー形陰極の製造方法 - Google Patents
デイスペンサー形陰極の製造方法Info
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- JPH0743998B2 JPH0743998B2 JP9839786A JP9839786A JPH0743998B2 JP H0743998 B2 JPH0743998 B2 JP H0743998B2 JP 9839786 A JP9839786 A JP 9839786A JP 9839786 A JP9839786 A JP 9839786A JP H0743998 B2 JPH0743998 B2 JP H0743998B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、ディスペンサー体の形成段階において少なく
とも表面層に金属の酸化物を含むタングステン粉末圧縮
体をつくり、この圧縮体にバリウム含有材料で含浸処理
を施し、該圧縮体中に、動作時に前記の金属とバリウム
を放出面に補給するための該金属とバウリム含有化合物
を有する微孔を得るようにした、動作時に放出すべき面
をもった多孔性ディスペンサー体を有するディスペンサ
ー形陰極の製造方法に関するものである。
とも表面層に金属の酸化物を含むタングステン粉末圧縮
体をつくり、この圧縮体にバリウム含有材料で含浸処理
を施し、該圧縮体中に、動作時に前記の金属とバリウム
を放出面に補給するための該金属とバウリム含有化合物
を有する微孔を得るようにした、動作時に放出すべき面
をもった多孔性ディスペンサー体を有するディスペンサ
ー形陰極の製造方法に関するものである。
前記のタイプの方法はオランダ国特許出願第8201371号
に開示されている。
に開示されている。
この既知の方法では、スカンジウムが金属として用いら
れ、ディスペンサー体がそれより圧縮されるべき粉末容
積の表面層に酸化スカンジウムが設けられる。この粉末
容積は圧縮されて焼結され、焼結された圧縮体は、酸化
スカンジウムのない面を経て含浸される。
れ、ディスペンサー体がそれより圧縮されるべき粉末容
積の表面層に酸化スカンジウムが設けられる。この粉末
容積は圧縮されて焼結され、焼結された圧縮体は、酸化
スカンジウムのない面を経て含浸される。
この既知の方法の変形では、酸化スカンジウムが焼結タ
ングステン体の表面にデポジットされ、この焼結タング
ステン体は後燃焼され、酸化スカンジウムのない面を経
て含浸される。
ングステン体の表面にデポジットされ、この焼結タング
ステン体は後燃焼され、酸化スカンジウムのない面を経
て含浸される。
酸化スカンジウムを圧縮タングステン粉末上にデポジッ
トし、次いでこれを焼結して含浸することもできる。
トし、次いでこれを焼結して含浸することもできる。
酸化スカンジウムは良い結果をもたらすが、この材料は
高価であるという欠点をもつ。
高価であるという欠点をもつ。
本発明の目的はこの欠点を除くことにある。
本発明の特徴とするところは、冒頭記載の製造方法にお
いて、ガリウムとインジウムより成る群の代表の少なく
とも１つの前記の金属として用いることにある。
いて、ガリウムとインジウムより成る群の代表の少なく
とも１つの前記の金属として用いることにある。
ガリウムおよびインジウムは比較的安価で、良好なディ
スペンサー形陰極を供することがわかった。
スペンサー形陰極を供することがわかった。
酸化インジウムまたは酸化ガリウムをディスペンサー体
の表面層に設ける場合には、金属酸化物とタングステン
の和で計算して重量で２から20％、特に略々10％の金属
酸化物成分を用いるのが好適である。
の表面層に設ける場合には、金属酸化物とタングステン
の和で計算して重量で２から20％、特に略々10％の金属
酸化物成分を用いるのが好適である。
前記の成分は特に良好な結果を与えるもので、例えば95
0℃の温度で70−80A/cm2の放出と少なくとも10,000時間
の陰極寿命を与え、一方、その上陰極はイオン衝撃に極
めて良く耐える。
0℃の温度で70−80A/cm2の放出と少なくとも10,000時間
の陰極寿命を与え、一方、その上陰極はイオン衝撃に極
めて良く耐える。
本発明の一実施態様では、酸化インジウムおよび／また
は酸化ガリウムとタングステンの粉末層を多量のタング
ステン粉末の上に設け、しかる後全体を圧縮して焼結
し、金属酸化物のない面を経て含浸する。
は酸化ガリウムとタングステンの粉末層を多量のタング
ステン粉末の上に設け、しかる後全体を圧縮して焼結
し、金属酸化物のない面を経て含浸する。
特に良い結果は、放出面に20から100μｍの厚さに亘っ
て延在する酸化インジウムおよび／または酸化ガリウム
含有層を使用すると得られる。
て延在する酸化インジウムおよび／または酸化ガリウム
含有層を使用すると得られる。
本発明の方法の別の実施態様では、タングステン圧縮体
全体に亘って酸化インジウムおよび／または酸化カリウ
ムを有するタングステン圧縮体をつくり、この場合重量
で0.5から５％特に略々２％の金属酸化物成分を使用す
る。
全体に亘って酸化インジウムおよび／または酸化カリウ
ムを有するタングステン圧縮体をつくり、この場合重量
で0.5から５％特に略々２％の金属酸化物成分を使用す
る。
酸化ガリウムおよび／または酸化インジウムがタングス
テン粉末（マトリックス）の全容積内に入ると、圧縮お
よび焼結後に得られる圧縮体は、酸化スカンジウムを用
いるよりも含浸剤を良く吸収することがわかった。
テン粉末（マトリックス）の全容積内に入ると、圧縮お
よび焼結後に得られる圧縮体は、酸化スカンジウムを用
いるよりも含浸剤を良く吸収することがわかった。
本発明の方法は例えばＬ−カソードの製造に特に適して
いる。
いる。
以下本発明を添付の図面を参照して実施例で説明する。
例１ ディスペンサー体1,8（第１図参照）は多量のタングス
テン粉末より圧縮されたものであるが、その上方は、圧
縮前、重量で90％のタングステン粉末と重量で10％の酸
化ガリウムまたは酸化インジウムとの混合物の0.2mm厚
の層が設けられている。圧縮および1500℃で１時間の焼
結後、ディスペンサー体1,8は、略々75％の密度を有す
る0.7mm厚の多孔性タングステン層１と略々83％の密度
を有する0.2mm厚の酸化ガリウムまたは酸化インジウム
含有多孔性タングステン層８より成る。
テン粉末より圧縮されたものであるが、その上方は、圧
縮前、重量で90％のタングステン粉末と重量で10％の酸
化ガリウムまたは酸化インジウムとの混合物の0.2mm厚
の層が設けられている。圧縮および1500℃で１時間の焼
結後、ディスペンサー体1,8は、略々75％の密度を有す
る0.7mm厚の多孔性タングステン層１と略々83％の密度
を有する0.2mm厚の酸化ガリウムまたは酸化インジウム
含有多孔性タングステン層８より成る。
公知のディスペンサー体の密度は83％よりも大きいこと
が屡々である。これにくらべると、本発明の方法でつく
ったディスペンサー形陰極はより多くの含浸剤（エミッ
タ物質）を吸収できる。
が屡々である。これにくらべると、本発明の方法でつく
ったディスペンサー形陰極はより多くの含浸剤（エミッ
タ物質）を吸収できる。
次いでこのディスペンサー体には、層８で被覆されてい
ない面を経て通常の方法でバリウム−カリシウム−アル
ミニウム（例えば5BaO,2Al2O3,3CaOまたは4BaO,1Al2O3,
1CaO）が含浸される。
ない面を経て通常の方法でバリウム−カリシウム−アル
ミニウム（例えば5BaO,2Al2O3,3CaOまたは4BaO,1Al2O3,
1CaO）が含浸される。
含浸されたディスペンサー体は次いでホルダ２内に押し
込まれ、陰極足部３に溶接される。
込まれ、陰極足部３に溶接される。
らせん状に巻かれた金属心５と酸化アルミニウムの絶縁
層６より成る陰極フィラメントコイルは陰極足部３内に
ある。比較的高い濃度のガリウムまたはインジウムが放
出表面７にあるので、0.3mmの陰極−陽極空隙を有する
ダイオードにおいて、1,000ボルトのパルス負荷におい
て950℃で70−80A/cm2の放出が得られる。寿命およびイ
オン衝撃に対する耐性は優れている。
層６より成る陰極フィラメントコイルは陰極足部３内に
ある。比較的高い濃度のガリウムまたはインジウムが放
出表面７にあるので、0.3mmの陰極−陽極空隙を有する
ダイオードにおいて、1,000ボルトのパルス負荷におい
て950℃で70−80A/cm2の放出が得られる。寿命およびイ
オン衝撃に対する耐性は優れている。
例２ この例で説明するディスペンサー形陰極の製造は大体に
おいて前記の例１と同様であるが、重量で0.5−５％例
えば２％の酸化ガリウムまたは酸化インジウムがタング
ステン粉末全体と混合される点が相違している。このた
め第１図の層８は第２図には無い。
おいて前記の例１と同様であるが、重量で0.5−５％例
えば２％の酸化ガリウムまたは酸化インジウムがタング
ステン粉末全体と混合される点が相違している。このた
め第１図の層８は第２図には無い。
含浸は、ディスペンサー体の放出用でない方の面を経て
通常の方法で行われる。
通常の方法で行われる。
この場合にも例１と同じ良好な特性が見出された。
本発明の方法は前記の例に限定されるものではない。つ
くられる陰極は、例えば中空シリンダまたはＬ−カソー
ドでもよい。
くられる陰極は、例えば中空シリンダまたはＬ−カソー
ドでもよい。
本願の発明の要旨を逸脱しない範囲において多くの変形
が可能であることは当業者にとって明らかであろう。
が可能であることは当業者にとって明らかであろう。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の方法によりつくられたディスペンサー
形陰極の一例の一部の断面図、 第２図は本発明の方法によりつくられたディスペンサー
形陰極の別の例を示す一部の断面図である。 1,8……ディスペンサー体 ２……ホルダ、３……陰極足部 ５……金属心、６……絶縁層 ７……放出面
形陰極の一例の一部の断面図、 第２図は本発明の方法によりつくられたディスペンサー
形陰極の別の例を示す一部の断面図である。 1,8……ディスペンサー体 ２……ホルダ、３……陰極足部 ５……金属心、６……絶縁層 ７……放出面
Claims (7)
- 【請求項１】ディスペンサー体の形成段階において少な
くとも表面層に金属の酸化物を含むタングステン粉末圧
縮体をつくり、この圧縮体にバリウム含有材料で含浸処
理を施し、該圧縮体中に、動作時に前記の金属とバリウ
ムを放出面に補給するための該金属とバリウム含有化合
物を有する微孔を得るようにした、動作時に放出すべき
面をもった多孔性ディスペンサー体を有するディスペン
サー形陰極の製造方法において、ガリウムとインジウム
より成る群の代表の少なくとも１つを前記の金属として
用いることを特徴とするディスペンサー形陰極の製造方
法。 - 【請求項２】表面層に金属酸化物を含むタングステン圧
縮体をつくり、この場合、金属酸化物とタングステンの
和で計算して重量で２から20％の金属酸化物成分を使用
する特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - 【請求項３】重量で略々10％の金属酸化物成分を使用す
る特許請求の範囲第２項記載の製造方法。 - 【請求項４】多量のタングステン粉末の上に金属酸化物
とタングステンの粉末層を設け、全体を圧縮して焼結
し、焼結した圧縮体を金属酸化物のない面を経て含浸す
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の製造方法。 - 【請求項５】放出面に20から100μｍの厚さに亘って延
在する金属酸化物含有層を用いる特許請求の範囲第２項
から第４項の何れかの１項記載の製造方法。 - 【請求項６】圧縮体全体に亘って混合された金属酸化物
を有するタングステン粉末圧縮体をつくり、この場合、
重量で0.5から５％の金属酸化物成分を使用する特許請
求の範囲第１項記載の製造方法。 - 【請求項７】重量で略々２％の金属酸化物成分を使用す
る特許請求の範囲第６項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8501257A NL8501257A (nl) | 1985-05-03 | 1985-05-03 | Werkwijze voor het vervaardigen van een naleveringskathode en toepassing van de werkwijze. |
| NL8501257 | 1985-05-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269829A JPS61269829A (ja) | 1986-11-29 |
| JPH0743998B2 true JPH0743998B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=19845923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9839786A Expired - Lifetime JPH0743998B2 (ja) | 1985-05-03 | 1986-04-30 | デイスペンサー形陰極の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4671777A (ja) |
| EP (1) | EP0200276B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0743998B2 (ja) |
| KR (1) | KR930006341B1 (ja) |
| DE (1) | DE3669227D1 (ja) |
| ES (1) | ES8801951A1 (ja) |
| NL (1) | NL8501257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3034790U (ja) * | 1996-03-07 | 1997-03-07 | きみえ 福間 | 手袋の形をした髪の毛用タオル |
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| US4734073A (en) * | 1986-10-10 | 1988-03-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a thermionic field emitter cathode |
| US4885211A (en) * | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| NL8700935A (nl) * | 1987-04-21 | 1988-11-16 | Philips Nv | Geimpregneerde kathodes met een gekontroleerde porositeit. |
| NL8701584A (nl) * | 1987-07-06 | 1989-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een naleveringskathode; naleveringskathode vervaardigd volgens de werkwijze; lopende golfbuis, klystron en zendbuis bevattende een kathode vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US5261845A (en) * | 1987-07-06 | 1993-11-16 | U.S. Philips Corporation | Scandate cathode |
| US4823044A (en) * | 1988-02-10 | 1989-04-18 | Ceradyne, Inc. | Dispenser cathode and method of manufacture therefor |
| US4863410A (en) * | 1988-07-21 | 1989-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a long life high current density cathode from tungsten and iridium powders using a low melting point impregnant |
| KR910003698B1 (en) * | 1988-11-11 | 1991-06-08 | Samsung Electronic Devices | Cavity reservoir type dispenser cathode and method of the same |
| US4910748A (en) * | 1988-12-20 | 1990-03-20 | Ford Carol M | Laser cathode composed of oxidized metallic particles |
| US4986788A (en) * | 1989-11-02 | 1991-01-22 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Process of forming an impregnated cathode |
| KR100338036B1 (ko) * | 1994-12-28 | 2002-11-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화물음극및그제조방법 |
| US6936900B1 (en) | 2000-05-04 | 2005-08-30 | Osemi, Inc. | Integrated transistor devices |
| US6989556B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-01-24 | Osemi, Inc. | Metal oxide compound semiconductor integrated transistor devices with a gate insulator structure |
| US7187045B2 (en) * | 2002-07-16 | 2007-03-06 | Osemi, Inc. | Junction field effect metal oxide compound semiconductor integrated transistor devices |
| JP3906766B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-04-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体 |
| WO2005048318A2 (en) * | 2003-11-17 | 2005-05-26 | Osemi, Inc. | Nitride metal oxide semiconductor integrated transistor devices |
| WO2005061756A1 (en) * | 2003-12-09 | 2005-07-07 | Osemi, Inc. | High temperature vacuum evaporation apparatus |
| US8547005B1 (en) * | 2010-05-18 | 2013-10-01 | Superior Technical Ceramics, Inc. | Multi-layer heater for an electron gun |
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| US3458913A (en) * | 1966-04-19 | 1969-08-05 | Siemens Ag | Supply cathode for electrical discharge vessels and method for its production |
| US3919751A (en) * | 1974-02-08 | 1975-11-18 | Gte Sylvania Inc | Method of making fast warm up picture tube cathode cap having high heat emissivity surface on the interior thereof |
| NL8201371A (nl) * | 1982-04-01 | 1983-11-01 | Philips Nv | Werkwijzen voor het vervaardigen van een naleveringskathode en naleveringskathode vervaardigd volgens deze werkwijzen. |
-
1985
- 1985-05-03 NL NL8501257A patent/NL8501257A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-04-24 US US06/855,233 patent/US4671777A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-29 EP EP86200730A patent/EP0200276B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-29 DE DE8686200730T patent/DE3669227D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-30 ES ES554550A patent/ES8801951A1/es not_active Expired
- 1986-04-30 JP JP9839786A patent/JPH0743998B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-01 KR KR1019860003416A patent/KR930006341B1/ko not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| EP0200276B1 (en) | 1990-02-28 |
| KR860009160A (ko) | 1986-12-20 |
| DE3669227D1 (de) | 1990-04-05 |
| US4671777A (en) | 1987-06-09 |
| KR930006341B1 (ko) | 1993-07-14 |
| NL8501257A (nl) | 1986-12-01 |
| EP0200276A1 (en) | 1986-11-05 |
| ES554550A0 (es) | 1988-03-01 |
| JPS61269829A (ja) | 1986-11-29 |
| ES8801951A1 (es) | 1988-03-01 |
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