JPS61269829A - デイスペンサー形陰極の製造方法 - Google Patents
デイスペンサー形陰極の製造方法Info
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- JPS61269829A JPS61269829A JP61098397A JP9839786A JPS61269829A JP S61269829 A JPS61269829 A JP S61269829A JP 61098397 A JP61098397 A JP 61098397A JP 9839786 A JP9839786 A JP 9839786A JP S61269829 A JPS61269829 A JP S61269829A
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- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ディスペンサー体の形成段階において少なく
とも表面層に金属の酸化物を含むタングステン粉末圧縮
体をつくり、この圧縮体に含浸処理を施し、該圧縮体中
に、動作時に金属とバリウムを放出面に補給するための
金属とバラリム含有化合物を有する微孔を得るようにし
た、動作時に放出すべき面をもった多孔性ディスペンサ
ー体を有するディスペンサー形陰極の製造方法に関する
ものである。
とも表面層に金属の酸化物を含むタングステン粉末圧縮
体をつくり、この圧縮体に含浸処理を施し、該圧縮体中
に、動作時に金属とバリウムを放出面に補給するための
金属とバラリム含有化合物を有する微孔を得るようにし
た、動作時に放出すべき面をもった多孔性ディスペンサ
ー体を有するディスペンサー形陰極の製造方法に関する
ものである。
前記のタイプの方法はオランダ国特許出願第８２０１：
３７１号に開示されている。
３７１号に開示されている。
この既知の方法では、スカンジウムが金属として用いら
れ、ディスペンサー体がそれより圧縮されるべき容積の
表面層に酸化スカンジウムが設けられる。この粉末容積
は圧縮されて焼結され、焼結された圧縮体は、酸化スカ
ンジウムのない面を経て含浸される。
れ、ディスペンサー体がそれより圧縮されるべき容積の
表面層に酸化スカンジウムが設けられる。この粉末容積
は圧縮されて焼結され、焼結された圧縮体は、酸化スカ
ンジウムのない面を経て含浸される。
この既知の方法の変形では、酸化スカンジウムが焼結タ
ングステン体の表面にデポジットされ、この焼結タング
ステン体は後燃焼され、酸化スカンジウムのない面を経
て含浸される。
ングステン体の表面にデポジットされ、この焼結タング
ステン体は後燃焼され、酸化スカンジウムのない面を経
て含浸される。
酸化スカンジウムを圧縮タングステン粉末上にデポジッ
トし、次いでこれを焼結して含浸することもできる。
トし、次いでこれを焼結して含浸することもできる。
酸化スカンジウムは良い結果をもたらすが、この材料は
高価であるという欠点をもつ。
高価であるという欠点をもつ。
本発明の目的はこの欠点を除くことにある。
本発明の経て含浸するところは、冒頭記載の製造方法に
おいて、ガリウムとインジウムより成る群の代表の少な
くとも１つを金属として用いることにある。
おいて、ガリウムとインジウムより成る群の代表の少な
くとも１つを金属として用いることにある。
ガリウムおよびインジウムは比較的安価で、良好なディ
スペンサー形陰極を供することがわかった。
スペンサー形陰極を供することがわかった。
酸化インジウムまたは酸化ガリウムをディスペンサー体
の表面層に設ける場合には、金属酸化物とタングステン
の和で計算して重量で２から２０ １％、特
に略々１０％の金属酸化物成分を用いるのが好適である
。
の表面層に設ける場合には、金属酸化物とタングステン
の和で計算して重量で２から２０ １％、特
に略々１０％の金属酸化物成分を用いるのが好適である
。
前記の成分は特に良好な結果を与えるもので、例えば９
５０℃の温度で７０ ８０Ａ／ｃｍ２の放出と少なくと
も１０．０００時間の陰極寿命を与え、一方、その上陰
極はイオン衝撃に極めて良く耐える。
５０℃の温度で７０ ８０Ａ／ｃｍ２の放出と少なくと
も１０．０００時間の陰極寿命を与え、一方、その上陰
極はイオン衝撃に極めて良く耐える。
本発明の一実施態様では、酸化インジウムおよび／また
は酸化ガリウムとタングステンの粉末層をタングステン
粉末の容積の上に設け、しかる後全体を圧縮して焼結し
、金属酸化物のない面を経て含浸する。
は酸化ガリウムとタングステンの粉末層をタングステン
粉末の容積の上に設け、しかる後全体を圧縮して焼結し
、金属酸化物のない面を経て含浸する。
特に良い結果は、放出面に２０から１００μｍの厚さに
亘って延在する酸化インジウムおよび／または酸化ガリ
ウム含有層を使用すると得られる。
亘って延在する酸化インジウムおよび／または酸化ガリ
ウム含有層を使用すると得られる。
本発明の方法の別の実施態様では、タングステン圧縮体
全体に亘って酸化インジウムおよび／または酸化カリウ
ムを有するタングステン圧縮体をつくり、この場合重量
で０．５から５％特に略々２％の金属酸化物成分を使用
する。
全体に亘って酸化インジウムおよび／または酸化カリウ
ムを有するタングステン圧縮体をつくり、この場合重量
で０．５から５％特に略々２％の金属酸化物成分を使用
する。
酸化ガリウムおよび／または酸化インジウムがタングス
テン粉末（マトリックス）の全容積内に入ると、圧縮お
よび焼結後に得られる圧縮体は、酸化スカンジウムを用
いるよりも含浸剤を良く吸収することがわかった。
テン粉末（マトリックス）の全容積内に入ると、圧縮お
よび焼結後に得られる圧縮体は、酸化スカンジウムを用
いるよりも含浸剤を良く吸収することがわかった。
本発明の方法は例えばＬ−力ソードの製造に特に適して
いる。
いる。
以下本発明を添付の図面を参照して実施例で説明する。
例 １
ディスペンサー体１，８（第１図参照）は多量のタング
ステン粉末より圧縮されたものであるが、その上方は、
圧縮前、重量で９０％のタングステン粉末と重量で１０
％の酸化ガリウムまたは酸化インジウムとの混合物の０
．２ｍｍ厚の層が設けられている。圧縮および１５００
℃で１時間の焼結後、ディ不ペンサ一体１，８は、略々
７５％の密度を有する０、７關厚の多孔性タングステン
層１と略々８３％の密度を有する０、２ｍｍ厚の酸化ガ
リウムまたは酸化インジウム含有多孔性タングステン層
８より成る。
ステン粉末より圧縮されたものであるが、その上方は、
圧縮前、重量で９０％のタングステン粉末と重量で１０
％の酸化ガリウムまたは酸化インジウムとの混合物の０
．２ｍｍ厚の層が設けられている。圧縮および１５００
℃で１時間の焼結後、ディ不ペンサ一体１，８は、略々
７５％の密度を有する０、７關厚の多孔性タングステン
層１と略々８３％の密度を有する０、２ｍｍ厚の酸化ガ
リウムまたは酸化インジウム含有多孔性タングステン層
８より成る。
公知のディスペンサー体の密度は８３％よりも大きいこ
とが屡々である。これにくらべると、本発明の方法でつ
くったディスペンサー形陰極はより多くの含浸剤（エミ
ッタ物質）を吸収できる。
とが屡々である。これにくらべると、本発明の方法でつ
くったディスペンサー形陰極はより多くの含浸剤（エミ
ッタ物質）を吸収できる。
次いでこのディスペンサー体には、層８で被覆されてい
ない面を経て通常の方法でバリウム−カリシラム−アル
ミニウム（例えば５Ｂａ０ 、２Ａ１２０．。
ない面を経て通常の方法でバリウム−カリシラム−アル
ミニウム（例えば５Ｂａ０ 、２Ａ１２０．。
３ Ｃａｎまたは４ Ｂａｄ、 Ｉ Ａｌ２Ｏ３，ｌ
Ｃａｂ）が含浸される。
Ｃａｂ）が含浸される。
含浸されたディスペンサー体は次いでホルダ２内に押し
込まれ、陰極足部３に溶接される。
込まれ、陰極足部３に溶接される。
らせん状に巻かれた金属芯５と酸化アルミニウムの絶縁
層６より成る陰極フィラメントコイルは陰極足部３内に
ある。比較的高い濃度のガリウムまたはインジウムが放
出表面７にあるので、０．３ｍｍの陰極−陽極空隙を有
するダイオードにおいて、１．０００ボルトのパルス負
荷において９５０℃で７０８０八／ｃ＋ｎ２の放出が得
られる。寿命およびイオン衝撃に対する耐性は優れてい
る。
層６より成る陰極フィラメントコイルは陰極足部３内に
ある。比較的高い濃度のガリウムまたはインジウムが放
出表面７にあるので、０．３ｍｍの陰極−陽極空隙を有
するダイオードにおいて、１．０００ボルトのパルス負
荷において９５０℃で７０８０八／ｃ＋ｎ２の放出が得
られる。寿命およびイオン衝撃に対する耐性は優れてい
る。
例２
この例で説明するディスペンサー形陰極の製造は大体に
おいて前記の例１と同様であるが、重量で０．５−５％
例えば２％の酸化ガリウムまたは酸化インジウムがタン
グステン粉末全体と混合される点が相違している。この
ため第１図の層８は第２図には無い。
おいて前記の例１と同様であるが、重量で０．５−５％
例えば２％の酸化ガリウムまたは酸化インジウムがタン
グステン粉末全体と混合される点が相違している。この
ため第１図の層８は第２図には無い。
含浸は、ディスペンサー体の放出用でない方の面を経て
通常の方法で行われる。
通常の方法で行われる。
この場合にも例１と同じ良好な特性が見出された。
本発明の方法は前記の例に限定されるものではない。つ
くられる陰極は、例えば中空シリンダまたはし一カソー
ドでもよい。
くられる陰極は、例えば中空シリンダまたはし一カソー
ドでもよい。
本願の発明の要旨を逸脱しない範囲において多くの変形
が可能であることは当業者にとって明らかであろう。
が可能であることは当業者にとって明らかであろう。
第１図は本発明の方法によりつくられたディスペンサー
形陰極の一例の一部の断面図、第２図は本発明の方法に
よりつくられたディスペンサー形陰極の別の例を示す一
部の断面図であ ］る。 １、訃・・ディスペンサー体 ２・・・ホルダ ３・・・陰極足部５・・・
金属芯 ６・・・絶縁層７・・・放出面 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
形陰極の一例の一部の断面図、第２図は本発明の方法に
よりつくられたディスペンサー形陰極の別の例を示す一
部の断面図であ ］る。 １、訃・・ディスペンサー体 ２・・・ホルダ ３・・・陰極足部５・・・
金属芯 ６・・・絶縁層７・・・放出面 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ディスペンサー体の形成段階において少なくとも表
面層に金属の酸化物を含むタグステン粉末圧縮体をつく
り、この圧縮体に含浸処理を施し、該圧縮体中に、動作
時に金属とバリウムを放出面に補給するための金属とバ
リウム含有化合物を有する微孔を得るようにした、動作
時に放出すべき面をもった多孔性ディスペンサー体を有
するディスペンサー形陰極の製造方法において、ガリウ
ムとインジウムより成る群の代表の少なくとも１つを金
属として用いることを特徴とするディスペンサー形陰極
の製造方法。 ２、表面層に金属酸化物を含むタングステン圧縮体をつ
くり、この場合、金属酸化物とタングステンの和で計算
して重量で２から２０％の金属酸化物成分を使用する特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ３、重量で略々１０％の金属酸化物成分を使用する特許
請求の範囲第２項記載の製造方法。 ４、多量のタングステン粉末の上に金属酸化物とタング
ステンの粉末層を設け、全体を圧縮して焼結し、焼結し
た圧縮体を金属酸化物のない面を経て含浸する特許請求
の範囲第１項または第２項記載の製造方法。 ５、放出面に２０から１００μｍの厚さに亘って延在す
る金属酸化物含有層を用いる特許請求の範囲第２項から
第４項の何れかの１項記載の製造方法。 ６、圧縮体全体に亘って混合された金属酸化物を有する
タングステン粉末圧縮体をつくり、この場合、重量で０
．５から５％の金属酸化物成分を使用する特許請求の範
囲第１項記載の製造方法。 ７、重量で略々２％の金属酸化物成分を使用する特許請
求の範囲第６項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8501257 | 1985-05-03 | ||
| NL8501257A NL8501257A (nl) | 1985-05-03 | 1985-05-03 | Werkwijze voor het vervaardigen van een naleveringskathode en toepassing van de werkwijze. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269829A true JPS61269829A (ja) | 1986-11-29 |
| JPH0743998B2 JPH0743998B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=19845923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9839786A Expired - Lifetime JPH0743998B2 (ja) | 1985-05-03 | 1986-04-30 | デイスペンサー形陰極の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4671777A (ja) |
| EP (1) | EP0200276B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0743998B2 (ja) |
| KR (1) | KR930006341B1 (ja) |
| DE (1) | DE3669227D1 (ja) |
| ES (1) | ES8801951A1 (ja) |
| NL (1) | NL8501257A (ja) |
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| NL8700935A (nl) * | 1987-04-21 | 1988-11-16 | Philips Nv | Geimpregneerde kathodes met een gekontroleerde porositeit. |
| US5261845A (en) * | 1987-07-06 | 1993-11-16 | U.S. Philips Corporation | Scandate cathode |
| NL8701584A (nl) * | 1987-07-06 | 1989-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een naleveringskathode; naleveringskathode vervaardigd volgens de werkwijze; lopende golfbuis, klystron en zendbuis bevattende een kathode vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US4823044A (en) * | 1988-02-10 | 1989-04-18 | Ceradyne, Inc. | Dispenser cathode and method of manufacture therefor |
| US4863410A (en) * | 1988-07-21 | 1989-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a long life high current density cathode from tungsten and iridium powders using a low melting point impregnant |
| KR910003698B1 (en) * | 1988-11-11 | 1991-06-08 | Samsung Electronic Devices | Cavity reservoir type dispenser cathode and method of the same |
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| KR100338036B1 (ko) * | 1994-12-28 | 2002-11-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화물음극및그제조방법 |
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| US6936900B1 (en) | 2000-05-04 | 2005-08-30 | Osemi, Inc. | Integrated transistor devices |
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| JP3906766B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-04-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体 |
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