JPH0744006B2 - マグネトロンアノードの製造方法 - Google Patents
マグネトロンアノードの製造方法Info
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- JPH0744006B2 JPH0744006B2 JP1234958A JP23495889A JPH0744006B2 JP H0744006 B2 JPH0744006 B2 JP H0744006B2 JP 1234958 A JP1234958 A JP 1234958A JP 23495889 A JP23495889 A JP 23495889A JP H0744006 B2 JPH0744006 B2 JP H0744006B2
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- vane
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- magnetron
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
- B23K26/24—Seam welding
- B23K26/244—Overlap seam welding
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、マグネトロンアノード及びその製造方法に
関する。
関する。
(従来の技術) 周知のように、例えば電子レンジ用マグネトロンのアノ
ードは、第5図及び第6図に示すように、円筒状アノー
ドシリンダー1の内側に放射状に複数枚のアノードベイ
ン2が並べられ、このアノードベイン2の数に相当する
共振空胴が構成されている。これらは電気伝導度及び熱
伝導度の良い銅(Cu)、アルミニウム(Al)などが使用
され得るが、一般的には耐熱性の点から銅が使用され
る。
ードは、第5図及び第6図に示すように、円筒状アノー
ドシリンダー1の内側に放射状に複数枚のアノードベイ
ン2が並べられ、このアノードベイン2の数に相当する
共振空胴が構成されている。これらは電気伝導度及び熱
伝導度の良い銅(Cu)、アルミニウム(Al)などが使用
され得るが、一般的には耐熱性の点から銅が使用され
る。
このようなマグネトロンアノードの製造方法において、
従来、アノードベイン2とアノードシリンダー1を接合
する場合、第7図及び第8図に示すように、ろう接によ
り行なっている。このろう接は、一般的には、水素炉
(H2)や水素(H2)+窒素(N2)の混合ガス炉を使用
し、主に銀(Ag)ろう材でろう接を行なっている。図中
の3がろう接箇所であり、3aがろう接面である。
従来、アノードベイン2とアノードシリンダー1を接合
する場合、第7図及び第8図に示すように、ろう接によ
り行なっている。このろう接は、一般的には、水素炉
(H2)や水素(H2)+窒素(N2)の混合ガス炉を使用
し、主に銀(Ag)ろう材でろう接を行なっている。図中
の3がろう接箇所であり、3aがろう接面である。
しかしながら、このような方法は、大がかりなろう接用
設備、及び動力費が必要となる。
設備、及び動力費が必要となる。
又、アノードベイン2とアノードシリンダー1との接合
に使用するろう材は、アノードベイン1枚につき、1個
のろう材が必要になるか、又はアノードシリンダー内周
に相当するリング状ろう材が必要であり、マグネトロン
アノードとしての製品価格を不所望に高くしているのが
現状である。
に使用するろう材は、アノードベイン1枚につき、1個
のろう材が必要になるか、又はアノードシリンダー内周
に相当するリング状ろう材が必要であり、マグネトロン
アノードとしての製品価格を不所望に高くしているのが
現状である。
更に、ろう接後の製品精度面においては、ろう接前の組
立て治具を使用して行ない、ろう接時は治具ごと炉へ投
入する。当然のことながら、組立て治具と各部品の関係
は組立てを容易にするため、隙間(クリアランス)を設
けてあるが、炉への投入前のクリアランスはろう接温度
(約800〜930℃)まで昇温することで熱膨脹の影響によ
り変化が生じる。
立て治具を使用して行ない、ろう接時は治具ごと炉へ投
入する。当然のことながら、組立て治具と各部品の関係
は組立てを容易にするため、隙間(クリアランス)を設
けてあるが、炉への投入前のクリアランスはろう接温度
(約800〜930℃)まで昇温することで熱膨脹の影響によ
り変化が生じる。
その結果として、第6図に示すように各アノードベイン
2の遊端(カソード側端部)で形成される内部寸法D及
び隣接するベイン同士のなす角度θにバラツキが生じ、
発振周波数や発振モードが不安定となる。
2の遊端(カソード側端部)で形成される内部寸法D及
び隣接するベイン同士のなす角度θにバラツキが生じ、
発振周波数や発振モードが不安定となる。
一方、特開昭56−156646号公報に開示されているよう
に、アノードシリンダーの外周からレーザ溶接によりア
ノードベインを接合する方法もある。
に、アノードシリンダーの外周からレーザ溶接によりア
ノードベインを接合する方法もある。
ところが、この方法の場合も、第8図と同様にアノード
ベインの接合すべき端面全面積が溶融部となり、上記と
同じく個々のアノードベインをしっかり固定した状態で
レーザ溶接しないと、各ベインのカソード側端部の各相
対位置が変化し、相互間隔が狂う。
ベインの接合すべき端面全面積が溶融部となり、上記と
同じく個々のアノードベインをしっかり固定した状態で
レーザ溶接しないと、各ベインのカソード側端部の各相
対位置が変化し、相互間隔が狂う。
この発明は、アノードベインの組立て精度を改善し、高
品質のマグネトロンアノード及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
品質のマグネトロンアノード及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は、アノードシリンダーの内側に複数のアノー
ドベインを放射状に配設し且つアノードシリンダー内壁
にアノードベイン端面を密着させ、アノードシリンダー
の外周側からレーザビームを照射してアノードベインを
溶接するマグネトロンアノードの製造方法において、ア
ノードシリンダーに接合すべきアノードベイン端面の周
辺部にこのアノードベイン端面の全面積の20〜90%が非
溶融部として残るようにレーザ溶接するマグネトロンア
ノードの製造方法である。
ドベインを放射状に配設し且つアノードシリンダー内壁
にアノードベイン端面を密着させ、アノードシリンダー
の外周側からレーザビームを照射してアノードベインを
溶接するマグネトロンアノードの製造方法において、ア
ノードシリンダーに接合すべきアノードベイン端面の周
辺部にこのアノードベイン端面の全面積の20〜90%が非
溶融部として残るようにレーザ溶接するマグネトロンア
ノードの製造方法である。
(作用) この発明によれば、アノードベインの各相対位置が狂わ
ず、カソード側端部の相互間隔が変化しないので良好な
発振特性が得られる。
ず、カソード側端部の相互間隔が変化しないので良好な
発振特性が得られる。
(実施例) 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
先ず、この発明によって完成するマグネトロンアノード
は、第1図及び第2図に示すように構成され、従来例
(第5図乃至第8図)と同一箇所は同一符号を付すと、
円筒状のアノードシリンダー1の内側に放射状に複数枚
の板状アノードベイン2が配設され、レーザビーム溶接
により接合固着されている。
は、第1図及び第2図に示すように構成され、従来例
(第5図乃至第8図)と同一箇所は同一符号を付すと、
円筒状のアノードシリンダー1の内側に放射状に複数枚
の板状アノードベイン2が配設され、レーザビーム溶接
により接合固着されている。
製造に当たっては、アノードシリンダー1の内側に放射
状に複数枚のアノードベイン2を配列固定し、アノード
シリンダー1の外周側からレーザビームを照射して両者
を溶接する。図中の4がレーザビーム溶接による接合箇
所である。
状に複数枚のアノードベイン2を配列固定し、アノード
シリンダー1の外周側からレーザビームを照射して両者
を溶接する。図中の4がレーザビーム溶接による接合箇
所である。
但し、この場合、第3図(a)、(b)に示すように、
アノードベイン2のうちアノードシリンダー1の内面に
接合すべき端面4の全面積の20〜90%が非溶融部5とし
て残るように溶接する。残り80〜10%の面積が溶融し合
って融接した領域6である。
アノードベイン2のうちアノードシリンダー1の内面に
接合すべき端面4の全面積の20〜90%が非溶融部5とし
て残るように溶接する。残り80〜10%の面積が溶融し合
って融接した領域6である。
例えば、アノードベイン2の接合すべき端面4が、幅2.
0mm、長さが9.0mmの場合、第3図(a)に示すように、
アノードベイン2端面の周縁部に約0.2mm幅の非溶融部
5が出来るように溶接を行なう。それにより、全面積の
約20%の非溶融部5が、アノードベイン2とアノードシ
リンダー1との間に残って互いに機械的に接し合ってい
る。
0mm、長さが9.0mmの場合、第3図(a)に示すように、
アノードベイン2端面の周縁部に約0.2mm幅の非溶融部
5が出来るように溶接を行なう。それにより、全面積の
約20%の非溶融部5が、アノードベイン2とアノードシ
リンダー1との間に残って互いに機械的に接し合ってい
る。
或いは又、周辺部に非溶融部を残し中央部を連続的に溶
かして接合しても良い。
かして接合しても良い。
尚、非溶融部が90%以上であると、溶接強度不足を生
じ、又、これが10%未満であると、溶融部がが多すぎて
アノードベイン2の相互位置が変化し易い。従って、非
溶融部は接合すべき端面の全面積の20〜90%の範囲が適
当である。
じ、又、これが10%未満であると、溶融部がが多すぎて
アノードベイン2の相互位置が変化し易い。従って、非
溶融部は接合すべき端面の全面積の20〜90%の範囲が適
当である。
さて、溶接スタート時は、アノードベイン2端面とアノ
ードシリンダー1内面はほぼ密着している。しかし、ア
ノードベイン2端面の溶融面積を全面にした場合、溶接
後の冷却時に溶融部分が収縮するため、第6図に示すφ
D寸法が不安定となり、結果的に前述した信頼性に乏し
い製品となる。
ードシリンダー1内面はほぼ密着している。しかし、ア
ノードベイン2端面の溶融面積を全面にした場合、溶接
後の冷却時に溶融部分が収縮するため、第6図に示すφ
D寸法が不安定となり、結果的に前述した信頼性に乏し
い製品となる。
これを防ぐために、第2図に示す非溶融部5が必要であ
り、この非溶融部5が溶接後の熱による収縮のストッパ
ーとなり、アノードベイン2端面がアノードシリンダー
1内面に密着する、その結果、第6図に示すD寸法はア
ノードシリンダー内径及びアノードベイン2の部品精度
で安定した精度を維持することが出来る。
り、この非溶融部5が溶接後の熱による収縮のストッパ
ーとなり、アノードベイン2端面がアノードシリンダー
1内面に密着する、その結果、第6図に示すD寸法はア
ノードシリンダー内径及びアノードベイン2の部品精度
で安定した精度を維持することが出来る。
又、溶接作業は、常温で行なうため、組立治具と各部品
のクリアランスは変化せず、全体的に組立精度は向上す
る。
のクリアランスは変化せず、全体的に組立精度は向上す
る。
更に、ビーム溶接時は、インサート材等を使用する必要
がないため、マグネトロンアノードとしての製品価格も
従来のろう接品に比べ、大幅なコストダウンが出来る。
又、設備面では、水素炉等の必要もなく、スペース及び
動力費を低減することが出来る。
がないため、マグネトロンアノードとしての製品価格も
従来のろう接品に比べ、大幅なコストダウンが出来る。
又、設備面では、水素炉等の必要もなく、スペース及び
動力費を低減することが出来る。
(他の実施例) 第4図(a)、(b)はこの発明の他の実施例を示した
もので、上記実施例と同様効果が得られる。
もので、上記実施例と同様効果が得られる。
即ち、(a)の場合は、溶接性向上のため、アノードシ
リンダー1のうちアノードベイン2の接合部にのみ凹部
7を形成し、その部分のみ肉厚tを減少させた状態を示
している。
リンダー1のうちアノードベイン2の接合部にのみ凹部
7を形成し、その部分のみ肉厚tを減少させた状態を示
している。
又、(b)の場合も(a)と同様に溶接性向上を目的と
しているが、凹部8をアノードベイン2の接合部だけで
なく、全周に亘って形成している。
しているが、凹部8をアノードベイン2の接合部だけで
なく、全周に亘って形成している。
[発明の効果] この発明によれば、各アノードベインを内側からアノー
ドシリンダー内壁に密着させてアードシリンダーに接合
すべきアノードベイン端面の周辺部分にこの端面の全面
積の20〜90%を非溶融部として残し、端面の中央部分を
溶融させてレーザ溶接している。それによって、ベイン
先端相互の間隔が不揃いになるおそれがなく、高精度の
共振空胴群をもつマグネトロンアノードが得られる。
ドシリンダー内壁に密着させてアードシリンダーに接合
すべきアノードベイン端面の周辺部分にこの端面の全面
積の20〜90%を非溶融部として残し、端面の中央部分を
溶融させてレーザ溶接している。それによって、ベイン
先端相互の間隔が不揃いになるおそれがなく、高精度の
共振空胴群をもつマグネトロンアノードが得られる。
従来、アノードベイン端面の全面積を溶融してアードシ
リンダー内壁に溶接する組立て方法が一般的である。こ
れは、ベイン端面の全体が溶融することによってベイン
の端部がアノードシリンダーの内部に埋まってしまう。
そのため、各ベインは内側先端の相互間隔が不揃いにな
り、且つベインと電子放射用カソードとの距離も不揃い
になる。周知の通り、マグネトロンにおいてこのベイン
相互間隔は、各ベイン及びアノードシリンダー内壁で構
成される各空胴共振器の静電容量成分の主要部分を担っ
ているため、各ベイン相互間隔が不揃いであると、各空
胴共振器の共振周波数が不揃いになり、結果として発振
波の周波数スペクトラムが拡がってしまい、不要な高調
波成分も多くなってしまうという不都合がある。又、各
ベインの内端面からカソード面までの距離が不揃いであ
ると、安定な回転電子雲ができず、従って、発振効率が
低いマグネトロンになってしまう。
リンダー内壁に溶接する組立て方法が一般的である。こ
れは、ベイン端面の全体が溶融することによってベイン
の端部がアノードシリンダーの内部に埋まってしまう。
そのため、各ベインは内側先端の相互間隔が不揃いにな
り、且つベインと電子放射用カソードとの距離も不揃い
になる。周知の通り、マグネトロンにおいてこのベイン
相互間隔は、各ベイン及びアノードシリンダー内壁で構
成される各空胴共振器の静電容量成分の主要部分を担っ
ているため、各ベイン相互間隔が不揃いであると、各空
胴共振器の共振周波数が不揃いになり、結果として発振
波の周波数スペクトラムが拡がってしまい、不要な高調
波成分も多くなってしまうという不都合がある。又、各
ベインの内端面からカソード面までの距離が不揃いであ
ると、安定な回転電子雲ができず、従って、発振効率が
低いマグネトロンになってしまう。
それに対してこの発明のように、各アノードベインを内
側からアノードシリンダー内壁に押し付けるようにして
密着させて、アノードベイン端面の周辺部分にこの端面
の全面積の20〜90%を非溶融部として残して端面の中央
部分を溶融させレーザ溶接すると、アードシリンダー内
壁にベインの周辺部の非溶融部が機械的に保持される。
そのため、ベイン移動がなく、両者の相対位置に変化が
起こらない。したがって、各ベインの内側先端の相互間
隔は一定間隔に保たれる。その結果、各空胴共振器の共
振周波数は均等であり、それによって高調波成分も少な
くて良好なスペクトラムの発振波が得られる。又、各ベ
インの内端面からカソード面までの距離はすべてのベイ
ンで均等になり、安定な回転電子雲ができ、発振効率の
低下が生じない。
側からアノードシリンダー内壁に押し付けるようにして
密着させて、アノードベイン端面の周辺部分にこの端面
の全面積の20〜90%を非溶融部として残して端面の中央
部分を溶融させレーザ溶接すると、アードシリンダー内
壁にベインの周辺部の非溶融部が機械的に保持される。
そのため、ベイン移動がなく、両者の相対位置に変化が
起こらない。したがって、各ベインの内側先端の相互間
隔は一定間隔に保たれる。その結果、各空胴共振器の共
振周波数は均等であり、それによって高調波成分も少な
くて良好なスペクトラムの発振波が得られる。又、各ベ
インの内端面からカソード面までの距離はすべてのベイ
ンで均等になり、安定な回転電子雲ができ、発振効率の
低下が生じない。
第1図はこの発明の一実施例に係るマグネトロンアノー
ドの製造方法により得られたマグネトロンアノードを示
す斜視図、第2図は第1図のマグネトロンアノードにお
けるアノードベインを示す斜視図、第3図はこの発明の
製造方法におけるアノードベインの非溶融部を示す平面
図、第4図(a)、(b)はこの発明の他の実施例に係
るマグネトロンアノードの製造方法により得られたマグ
ネトロンアノードを示す半断面図、第5図及び第6図は
一般的なマグネトロンアノードを示す斜視図と平面図、
第7図は従来のマグネトロンアノードの製造方法により
得られたマグネトロンアノードを示す斜視図、第8図は
第7図のマグネトロンアノードにおけるアノードベイン
を示す斜視図である。 1……アノードシリンダー、2……アノードベイン、5
……非溶融部、6……溶融部。
ドの製造方法により得られたマグネトロンアノードを示
す斜視図、第2図は第1図のマグネトロンアノードにお
けるアノードベインを示す斜視図、第3図はこの発明の
製造方法におけるアノードベインの非溶融部を示す平面
図、第4図(a)、(b)はこの発明の他の実施例に係
るマグネトロンアノードの製造方法により得られたマグ
ネトロンアノードを示す半断面図、第5図及び第6図は
一般的なマグネトロンアノードを示す斜視図と平面図、
第7図は従来のマグネトロンアノードの製造方法により
得られたマグネトロンアノードを示す斜視図、第8図は
第7図のマグネトロンアノードにおけるアノードベイン
を示す斜視図である。 1……アノードシリンダー、2……アノードベイン、5
……非溶融部、6……溶融部。
Claims (1)
- 【請求項1】アノードシリンダーの内側に複数のアノー
ドベインを放射状に配設し且つ上記アノードシリンダー
内壁に上記アノードベイン端面を密着させ、上記アノー
ドシリンダーの外周側からレーザビームを照射して上記
アノードベインを溶接するマグネトロンアノードの製造
方法において、 上記アノードシリンダーに接合すべきアノードベイン端
面の周辺部に該アノードベイン端面の全面積の20〜90%
が非溶融部として残るようにレーザ溶接することを特徴
とするマグネトロンアノードの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234958A JPH0744006B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | マグネトロンアノードの製造方法 |
| DE69010433T DE69010433T2 (de) | 1989-09-11 | 1990-08-01 | Verfahren zur Herstellung von Magnetronanoden. |
| EP90114772A EP0417455B1 (en) | 1989-09-11 | 1990-08-01 | Method of manufacturing magnetron anodes |
| US07/563,619 US5078635A (en) | 1989-09-11 | 1990-08-07 | Method of manufacturing magnetron anodes |
| KR1019900014604A KR920010171B1 (ko) | 1989-09-11 | 1990-09-11 | 마그네트론 애노드의 제조방법. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234958A JPH0744006B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | マグネトロンアノードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0398242A JPH0398242A (ja) | 1991-04-23 |
| JPH0744006B2 true JPH0744006B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16978924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1234958A Expired - Lifetime JPH0744006B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | マグネトロンアノードの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5078635A (ja) |
| EP (1) | EP0417455B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0744006B2 (ja) |
| KR (1) | KR920010171B1 (ja) |
| DE (1) | DE69010433T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117283176B (zh) * | 2023-10-27 | 2025-03-28 | 中山市美格电子科技有限公司 | 一种磁控管a侧焊接工艺 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51151060A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Toshiba Corp | Construction method of a magnetron anode constituted body |
| US4167662A (en) * | 1978-03-27 | 1979-09-11 | National Research Development Corporation | Methods and apparatus for cutting and welding |
| JPS56156646A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Magnetron anode and manufacture |
| US4461946A (en) * | 1982-03-11 | 1984-07-24 | Hull Corporation | Apparatus for clamping an assembly of parts for laser welding |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1234958A patent/JPH0744006B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-01 DE DE69010433T patent/DE69010433T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-01 EP EP90114772A patent/EP0417455B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-07 US US07/563,619 patent/US5078635A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-11 KR KR1019900014604A patent/KR920010171B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0417455B1 (en) | 1994-07-06 |
| EP0417455A1 (en) | 1991-03-20 |
| KR910007053A (ko) | 1991-04-30 |
| DE69010433T2 (de) | 1994-12-22 |
| DE69010433D1 (de) | 1994-08-11 |
| US5078635A (en) | 1992-01-07 |
| KR920010171B1 (ko) | 1992-11-19 |
| JPH0398242A (ja) | 1991-04-23 |
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