JPH0745642A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0745642A
JPH0745642A JP5189711A JP18971193A JPH0745642A JP H0745642 A JPH0745642 A JP H0745642A JP 5189711 A JP5189711 A JP 5189711A JP 18971193 A JP18971193 A JP 18971193A JP H0745642 A JPH0745642 A JP H0745642A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sensor element
adhesive
stress
beads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5189711A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3445641B2 (ja
Inventor
Susumu Echigo
将 愛知後
Yoshitaka Nagayama
義高 永山
Takushi Maeda
拓志 前田
Toshitaka Yamada
利貴 山田
Masahiko Kitano
雅彦 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP18971193A priority Critical patent/JP3445641B2/ja
Priority to US08/282,006 priority patent/US5483106A/en
Publication of JPH0745642A publication Critical patent/JPH0745642A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3445641B2 publication Critical patent/JP3445641B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27—Structural arrangements therefor
    • H10P74/277—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e.g. circuits in tested chips or circuits in testing wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
    • G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/006—Details of instruments used for thermal compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07321—Aligning
    • H10W72/07327—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板上に応力を感知するセンサ素子を半導体
用接着剤にて固定した場合、温度変化に伴う基板側から
の応力とワイヤボンディング時のボンディング不良を同
時に解決する。 【構成】 基板２上に応力を感知するセンサ素子１が固
定される半導体装置において、可とう性樹脂からなるベ
−ス接着剤３と、このベ−ス接着剤３に樹脂からなる樹
脂ビ−ズ４を配合してなる半導体用接着剤を用いた半導
体装置とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、応力を感知するセンサ
素子の固定に半導体用接着剤を用いた半導体装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置として、特開昭６０
−１５４４０３号公報があり、ＩＣ、ＬＳＩペレットや
電子部品等を絶縁基板や電極に接着剤を用いて接着して
いる。この接着剤としては、ベ−ス接着剤とこれに配合
されるビ−ズとが用いられており、ビ−ズには、シリカ
粉末及び／又はガラスが採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
電子部品等とは別に、応力を感知するセンサ素子を備え
る半導体装置に上記ビ−ズが配合される半導体用接着剤
を用いたところ、出力電圧変動（特性変動）が大きく発
生してしまうという問題が生じた。これについて、種々
検討した結果、半導体製造工程上の温度変化により、基
板側からの応力がシリカ粉末及び／又はガラスによって
センサ素子に大きく作用したためであることが見い出さ
れた。
【０００４】そこで、応力を感知するセンサ素子を備え
る半導体装置に上記ビ−ズが配合されない接着剤を用い
て検討したところ、出力電圧変動（特性変動）の抑制は
可能であったが、その反面、ワイヤボンディング時のボ
ンディングツ−ルからの超音波振動の伝達が不十分とな
りワイヤボンディング不良が発生した。従って、基板側
からの応力とワイヤボンディング時のボンディング不良
の両方を、同時に解決する必要がある。
【０００５】また、基板とセンサ素子との間の応力を緩
和するため、基板とセンサ素子との間にシリコン製或い
はモリブデン製等の台座を挿入する方法を実施したとこ
ろ、出力電圧変動（特性変動）の抑制は十分可能であ
り、かつ、ワイヤボンディング性も良好であった。しか
し、この方法では、応力緩和とワイヤボンディング不良
の低減が可能となったものの、新たに台座を追加するこ
とで昨今の市場のニ−ズにあった小型化が非常に困難に
なり、半導体製造工程においても大幅なコストアップと
なるという欠点があった。
【０００６】従って、本発明は、台座を用いることな
く、応力を感知するセンサ素子の出力電圧変動（特性変
動）を小さくし、かつワイヤボンディング不良を防止す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明においては、基板上に応力を感知するセンサ
素子を固定した半導体装置において、可とう性樹脂から
なるベース接着剤と、該ベ−ス接着剤に樹脂からなる樹
脂ビ−ズを配合してなる半導体用接着剤を用いて前記セ
ンサ素子を基板上に固定したことを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明によれば、半導体用接着剤として、ベー
ス接着剤に可とう性樹脂を用いており、これに配合する
ビ−ズに樹脂を用いている。従って、基板側からの応力
が半導体用接着剤によって緩和されるため、センサ素子
への応力が緩和できる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の使用状態を示した実施例で
ある。センサ素子１は、圧力を感知して出力する加速度
センサの一構成要素であって、このセンサ素子１からの
出力信号に基づき図示しない電気回路にて加速度検出が
なされる。
【００１０】ベース接着剤３と、樹脂ビーズ４を配合し
てなる半導体用接着剤により、応力を感知するセンサ素
子１はアルミナ基板若しくはリードフレーム（以下、基
板という）２にダイボンディングされる。次に、ダイボ
ンディングされたセンサ素子１にボンディングパッド６
を介してボンディングワイヤ５は、超音波ボンディング
法等により固定される。また、応力８は半導体素子１と
樹脂ビ−ズ４との接点７において上下方向に作用する。
【００１１】図２は、ビ−ズ弾性率の異なるアルミナ、
ガラス、ポリジビニルベンゼンをそれぞれ弾性率１ＭＰ
ａのベ−ス接着剤３に同量配合した際の、センサ素子１
へ作用する応力の関係を示す。図２よりビ−ズ弾性率に
比例してセンサ素子１へ作用する応力は大きくなること
が確認される。この様な弾性率の異なる各ビ−ズを弾性
率１ＭＰａのベ−ス接着剤３に同量配合した際の、温度
変化に伴う出力電圧変動（以下、特性変動という）、即
ち、特性変動の温度依存性を図３に示す。図３は、ベ−
ス接着剤３に配合するビ−ズにアルミナ、ガラス、ポリ
ジビニルベンゼンのいずれを使用した場合においても、
特性変動が温度変化に伴ってほぼ直線的に変化すること
を示している。
【００１２】図２及び図３より明らかな様に、ビ−ズ弾
性率が大きい程、換言すれば、センサ素子１への応力が
大きい程、温度変化に応じて特性変動も大きくなること
が確認される。これは、温度変化に伴って基板２側から
の応力がセンサ素子１へ伝わるために発生する。即ち、
基板２とセンサ素子１との間でビ−ズが支柱のような格
好となって存在する。これに温度変化が伴うと、基板２
側からの応力は、十分に伸縮するベ−ス接着剤３によっ
て緩和される反面、ビ−ズによっては緩和され難いもの
があり、センサ素子１との接点７において上下方向の応
力８に変換される。そして、応力８によりセンサ素子１
が（弓なりに）撓むためにセンサ素子１の特性変動が発
生するのである。ここで、従来技術のような硬質のシリ
カ粉末やガラスをビ−ズに採用すると、応力８は図２に
示したようにより大きくなり、よって図３に示したよう
なより大きな特性変動が発生し半導体装置としての信頼
性が低下することとなる。
【００１３】これらの結果をもとに技術的試行を繰り返
した結果、温度変化に伴う基板若しくはリ−ドフレ−ム
２側からの応力を緩和し特性変動を抑えるためには、ベ
−ス接着剤３に配合される樹脂ビ−ズ４の材質は、硬質
フェノ−ル樹脂、硬質エポキシ樹脂等がよく、弾性率は
２０ＧＰａ以下が適合であると言える。特に、微小な応
力を感知するセンサ素子１においては、弾性率が１０Ｇ
Ｐａ以下の樹脂ビーズ４を使用することが望ましい。こ
れには、ビニル樹脂、シリコ−ン樹脂、ウレタン樹脂、
アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、可と
う性エポキシ樹脂等、およびこれらの樹脂のうち少なく
とも１つからなるものが使用可能である。
【００１４】また、ベース接着剤３の材質は、特に弾性
率が５００ＭＰａ以下であることが望ましく例えば、シ
リコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポイミド樹脂、可とう性エポキシ樹脂等、およ
びこれらの可とう性樹脂のうち少なくとも１つからなる
ものが使用可能である。図４は、樹脂ビ−ズ４の粒径に
対するワイヤボンディング性を確認した結果であり、○
印はワイヤボンディング性が良好であることを表し、×
印はワイヤボンディング性が不良（ワイヤ付かず）を表
している。粒径が５μｍ未満の樹脂ビ−ズ４を使用する
とワイヤボンディング性が極めて悪く、その殆どがワイ
ヤが付かない不良となった。
【００１５】また、その他技術的試行を繰り返した結
果、粒径が７０μｍを超えるとセンサ素子１の引張り接
着強度が大きくばらつき、さらに１００μｍを超えると
引張り接着強度は著しく低下した。従って、ベ−ス接着
剤３に配合される樹脂ビーズ４の最適粒径はセンサ素子
１の大きさや形状によって変動するが、ワイヤボンディ
ング不良が発生しない５μｍ以上を必須条件として、５
〜１００μｍがよく、望ましくは２０〜７０μｍが好適
である。
【００１６】以上の結果を加味し、従来例との比較にお
いて試行したテスト結果を下記の表１に示す。なお、ベ
−ス接着剤にシリコ−ン樹脂を、配合ビ−ズに低アルカ
リガラスを用いた場合を比較例として表１に示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から明らかな様に、ベ−ス接着剤３に
配合するビ−ズは、従来使用の８４ＧＰａもの弾性率を
有する低アルカリガラスではなく４〜６ＧＰａの弾性率
を有するポリジビニルベンゼン樹脂またはシリコーン樹
脂であれば、センサ素子１の特性変動が小さくなること
が確認できる。なお、ベ−ス接着剤３には１０ＧＰａの
弾性率を有する硬質エポキシ樹脂ではなく、１×１０-3
ＧＰａの弾性率を有するシリコ−ン樹脂や可とう性エポ
キシ樹脂を用いることが有効である。
【００１９】次に、樹脂ビ−ズ４の配合量は次の条件に
て決定する。１個当たりの接着層中に最少３個の樹脂ビ
ーズ４が均一に配置されていれば、理論上、接着膜厚が
均一に確保できるため、この最少３個に相当する樹脂ビ
−ズ４の配合量を下限として設定できる。一方、体積含
有率が７０％を超えると配合する樹脂ビーズ量に対して
ベ−ス接着剤３が不足し、センサ素子１の引張り接着強
度が低下する。さらに、配合する樹脂ビーズ転写個数が
大きくばらつくため、樹脂ビーズ４の配合量の上限につ
いては体積含有率７０％以下が適合である。
【００２０】好ましくは、樹脂ビ−ズ転写個数のばらつ
きが抑えられ十分に工程能力が確保できる範囲を得るた
めに、体積含有率を５０％以下とすることが望ましい。
実際に本実施例の接着剤を製造するにあたっては、下記
の条件に従えばよい。即ち、ベ−ス接着剤３に配合する
樹脂ビ−ズ４の体積含有率、及び樹脂ビ−ズ個数は数式
１で与えられ、これにより、樹脂ビーズ配合量は数式２
の範囲に限定され、好ましくは数式３の範囲に限定する
ことが望ましい。
【００２１】
【数１】
【００２２】
【数２】
【００２３】
【数３】
【００２４】 ＸV ：樹脂ビーズの体積含有率（ｖｏｌ％） ＸW ：樹脂ビーズの重量含有率（ｗｔ％） ｎ：センサ素子下の接着層中に配合する樹脂ビーズ個数 ｒ：樹脂ビーズの平均粒径（μｍ） ｒmax ：樹脂ビーズの最大粒径（μｍ） ρr ：ベース接着剤の比重 ρb ：樹脂ビーズの比重 Ｓ：センサ素子の接着面積（ｍｍ2 ） 上記のような弾性率を有するベ−ス接着剤３と、上記の
ような弾性率、粒径、を有する樹脂ビ−ズ４を、上記の
ような配合状態で作成した半導体用接着剤を用いて、図
１の如く基板２上に応力を感知するセンサ素子１を直接
ダイボンディングすることは、構造が簡単であるため小
型化が可能となり、かつ、十分に応力が緩和されてセン
サ素子１の出力特性変動が小さくできると同時に、ワイ
ヤボンディング不良が防止可能となる。
【００２５】なお、接着層膜厚のばらつきを小さくする
目的で、樹脂ビ−ズ４の形状は、球形率８０％以上の球
状であることが望ましい。ここで言う球形率とは樹脂ビ
−ズ４の形状が完全球体でない場合、直径は１数値に限
定されず、最大径と最小径が１個の球体中に存在し、下
記の数式４で表される。
【００２６】
【数４】
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板上に応力を感知するセンサ素子を固定する際に使用す
る半導体用接着剤において、ベース接着剤に可とう性樹
脂を用い、これに配合する樹脂ビ−ズに樹脂を用いてい
るから、基板側からの応力緩和がより効果的に行われ、
応力を感知するセンサ素子の特性変動を小さくすること
が可能となると共に、ワイヤボンディング時に良好なワ
イヤボンディングが実現されるという優れた効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の使用状態図である。
【図２】本発明のビーズ弾性率に対する応力を示した説
明図である。
【図３】本発明の特性変動の温度依存性を示した説明図
である。
【図４】本発明の樹脂ビーズ粒径に対するワイヤボンデ
ィング性を示した説明図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子 ２ アルミナ基板またはリードフレーム ３ ベース接着剤 ４ 樹脂ビーズ ５ ボンディングワイヤ ６ ボンディングパッド ７ 接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 利貴 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 北野 雅彦 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に応力を感知するセンサ素子を固
    定した半導体装置において、 可とう性樹脂からなるベース接着剤と、該ベ−ス接着剤
    に樹脂からなる樹脂ビ−ズを配合してなる半導体用接着
    剤を用いて前記センサ素子を基板上に固定したことを特
    徴とする半導体装置。
JP18971193A 1993-07-30 1993-07-30 半導体装置 Expired - Lifetime JP3445641B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18971193A JP3445641B2 (ja) 1993-07-30 1993-07-30 半導体装置
US08/282,006 US5483106A (en) 1993-07-30 1994-07-29 Semiconductor device for sensing strain on a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18971193A JP3445641B2 (ja) 1993-07-30 1993-07-30 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0745642A true JPH0745642A (ja) 1995-02-14
JP3445641B2 JP3445641B2 (ja) 2003-09-08

Family

ID=16245919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18971193A Expired - Lifetime JP3445641B2 (ja) 1993-07-30 1993-07-30 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5483106A (ja)
JP (1) JP3445641B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170367A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Denso Corp 半導体式圧力センサ
JPH11108782A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Denso Corp 半導体力学量センサ
KR100682625B1 (ko) * 2004-02-10 2007-02-15 가부시키가이샤 덴소 센서 장치 및 그의 제조방법
JP2009177067A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Kyocera Chemical Corp 接着剤組成物
JP2010238920A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Denso Corp リアクトル
WO2017155116A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
CN110176435A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 株式会社电装 物理量传感器和半导体器件

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6359335B1 (en) 1994-05-19 2002-03-19 Tessera, Inc. Method of manufacturing a plurality of semiconductor packages and the resulting semiconductor package structures
US5834339A (en) 1996-03-07 1998-11-10 Tessera, Inc. Methods for providing void-free layers for semiconductor assemblies
US6232152B1 (en) 1994-05-19 2001-05-15 Tessera, Inc. Method of manufacturing a plurality of semiconductor packages and the resulting semiconductor package structures
US5659952A (en) 1994-09-20 1997-08-26 Tessera, Inc. Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip
US6870272B2 (en) * 1994-09-20 2005-03-22 Tessera, Inc. Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces
US6169328B1 (en) 1994-09-20 2001-01-02 Tessera, Inc Semiconductor chip assembly
US6046076A (en) * 1994-12-29 2000-04-04 Tessera, Inc. Vacuum dispense method for dispensing an encapsulant and machine therefor
US5644168A (en) * 1995-05-03 1997-07-01 Texas Instruments Incorporated Mechanical interlocking of fillers and epoxy/resin
US5736074A (en) * 1995-06-30 1998-04-07 Micro Fab Technologies, Inc. Manufacture of coated spheres
US6097099A (en) * 1995-10-20 2000-08-01 Texas Instruments Incorporated Electro-thermal nested die-attach design
US6284563B1 (en) * 1995-10-31 2001-09-04 Tessera, Inc. Method of making compliant microelectronic assemblies
US6211572B1 (en) * 1995-10-31 2001-04-03 Tessera, Inc. Semiconductor chip package with fan-in leads
DE19734530B4 (de) 1996-08-09 2008-04-24 Denso Corp., Kariya Halbleiterbeschleunigungssensor
US5682066A (en) * 1996-08-12 1997-10-28 Motorola, Inc. Microelectronic assembly including a transparent encapsulant
JP3284262B2 (ja) * 1996-09-05 2002-05-20 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器
US5825091A (en) * 1997-03-25 1998-10-20 Motorola, Inc. Sensor assembly mounted to a leadframe with adhesive deposits at separate locations
US6214640B1 (en) 1999-02-10 2001-04-10 Tessera, Inc. Method of manufacturing a plurality of semiconductor packages
WO2000079232A1 (de) * 1999-06-18 2000-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Sensoreinrichtung mit eingeklebtem sensorelement
JP2002310827A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Denso Corp 圧力センサ
JP2003021647A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Denso Corp 電子装置
US6651319B2 (en) * 2001-09-07 2003-11-25 Visteon Global Technologies, Inc. Compliant standoff for low pressure sensing device
JP2003270264A (ja) * 2002-03-20 2003-09-25 Denso Corp 半導体式力学量センサ
JP2004045184A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Denso Corp 半導体力学量センサ
JP2004069349A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Denso Corp 容量式加速度センサ
JP2006518944A (ja) * 2003-02-25 2006-08-17 テッセラ，インコーポレイテッド バンプを有するボールグリッドアレー
US20050110126A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Kai-Chiang Wu Chip adhesive
JP4442339B2 (ja) * 2004-07-08 2010-03-31 株式会社デンソー 角速度検出装置
WO2006091793A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy
JP4692260B2 (ja) * 2005-12-12 2011-06-01 株式会社デンソー 半導体力学量センサ装置およびその製造方法
JP4752715B2 (ja) * 2006-10-13 2011-08-17 株式会社デンソー 超音波センサ
US7749886B2 (en) * 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
JP5595145B2 (ja) 2010-07-02 2014-09-24 株式会社デンソー 半導体力学量センサ
US8618647B2 (en) 2011-08-01 2013-12-31 Tessera, Inc. Packaged microelectronic elements having blind vias for heat dissipation
JP6044368B2 (ja) * 2013-01-31 2016-12-14 株式会社デンソー 物理量センサ
JP6462050B2 (ja) * 2017-06-23 2019-01-30 株式会社鷺宮製作所 センサチップの接合構造、および、圧力センサ
DE102019129411A1 (de) * 2019-09-12 2021-03-18 Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper
EP3929540A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-29 TE Connectivity Norge AS Attachment system for attaching a sensor to a substrate, method of attaching a sensor to a substrate

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6094744A (ja) * 1983-10-27 1985-05-27 Nippon Denso Co Ltd 混成集積回路装置
JPS60136231A (ja) * 1983-12-24 1985-07-19 Toshiba Corp 半導体装置
JPS60154403A (ja) * 1984-01-24 1985-08-14 東芝ケミカル株式会社 導電性ペ−スト
US4732702A (en) * 1986-02-13 1988-03-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electroconductive resin paste
US4888634A (en) * 1987-07-24 1989-12-19 Linear Technology Corporation High thermal resistance bonding material and semiconductor structures using same
JP2539639B2 (ja) * 1987-10-28 1996-10-02 株式会社共和電業 高温用ひずみゲ―ジおよびその添着構造
JP2596960B2 (ja) * 1988-03-07 1997-04-02 シャープ株式会社 接続構造
US5001542A (en) * 1988-12-05 1991-03-19 Hitachi Chemical Company Composition for circuit connection, method for connection using the same, and connected structure of semiconductor chips
JPH0681813B2 (ja) * 1988-12-27 1994-10-19 住友ベークライト株式会社 絶縁ペースト
JPH0357645A (ja) * 1989-07-26 1991-03-13 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JPH0623780B2 (ja) * 1989-09-21 1994-03-30 日本電装株式会社 半導体加速度センサの製造方法
JPH03120059A (ja) * 1989-10-03 1991-05-22 Ricoh Co Ltd 光プリンタ
JPH0724270B2 (ja) * 1989-12-14 1995-03-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JPH04274005A (ja) * 1991-03-01 1992-09-30 Nec Corp 半導体加速度センサ
JPH05302937A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体加速度検出装置
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170367A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Denso Corp 半導体式圧力センサ
JPH11108782A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Denso Corp 半導体力学量センサ
KR100682625B1 (ko) * 2004-02-10 2007-02-15 가부시키가이샤 덴소 센서 장치 및 그의 제조방법
JP2009177067A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Kyocera Chemical Corp 接着剤組成物
JP2010238920A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Denso Corp リアクトル
JPWO2017155116A1 (ja) * 2016-03-10 2018-03-15 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
WO2017155116A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
JP2018142709A (ja) * 2016-03-10 2018-09-13 積水化学工業株式会社 半導体実装用接着剤及び半導体センサ
US10679925B2 (en) 2016-03-10 2020-06-09 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor
US10790217B2 (en) 2016-03-10 2020-09-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor sensor chip mounting, and semiconductor sensor
CN110176435A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 株式会社电装 物理量传感器和半导体器件
JP2019145645A (ja) * 2018-02-20 2019-08-29 株式会社デンソー 物理量センサおよび半導体装置
CN110176435B (zh) * 2018-02-20 2023-10-24 株式会社电装 物理量传感器和半导体器件

Also Published As

Publication number Publication date
JP3445641B2 (ja) 2003-09-08
US5483106A (en) 1996-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3445641B2 (ja) 半導体装置
CN100351631C (zh) 加速度传感器
CN1091301C (zh) 半导体器件
JPH05129474A (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR950006433B1 (ko) 적어도 2개의 아일랜드를 갖춘 리이드 프레임과 이것을 사용한 수질밀봉형 반도체 장치
JPS62149157A (ja) 半導体素子の封止構造
JPH10130470A (ja) 流れ止め枠用液状樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
EP0469614B1 (en) Flip-chip semiconductor device
KR100260390B1 (ko) 반도체 칩 접착용 에폭시 수지 조성물
JPWO2006057230A1 (ja) 半導体素子用Ａｕボンディングワイヤ
JP3214266B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09172110A (ja) 半導体装置
CN214542238U (zh) Cmos图像传感器封装结构
JPS6364055B2 (ja)
JPS62261161A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JPH11189747A (ja) ダイアタッチペースト
JPH11189763A (ja) ダイアタッチペースト
JP2001164230A (ja) シリコーン系接着剤
JP2596663B2 (ja) 半導体用導電性樹脂ペースト
JP2921717B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2001164231A (ja) 半導体用高純度接着剤
JPH10242616A (ja) Ｉｃパッケージ及びこれを用いた回路基板
JPH09153521A (ja) 半導体装置
JPH06204264A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2002309221A (ja) 半導体用の高純度接着剤

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011106

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140627

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term