JPH074610Y2 - 半導体素子発振特性測定治具 - Google Patents

半導体素子発振特性測定治具

Info

Publication number
JPH074610Y2
JPH074610Y2 JP1987085093U JP8509387U JPH074610Y2 JP H074610 Y2 JPH074610 Y2 JP H074610Y2 JP 1987085093 U JP1987085093 U JP 1987085093U JP 8509387 U JP8509387 U JP 8509387U JP H074610 Y2 JPH074610 Y2 JP H074610Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
pattern
oscillation
characteristic measuring
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1987085093U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63193372U (ja
Inventor
惣一郎 椿山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1987085093U priority Critical patent/JPH074610Y2/ja
Publication of JPS63193372U publication Critical patent/JPS63193372U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH074610Y2 publication Critical patent/JPH074610Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体素子の発振特性を測定する治具、特に治
具の大きさにかかわらず配線パターンの長さと幅また配
線パターンの間隔により発振周波数を決めることがで
き、更に半導体素子の発振特性の測定の際、規定された
発振周波数を容易に測定するための治具に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
従来の発振特性測定治具は、発振特性を測定する際の規
定された発振周波数が治具の形状により決まり、また半
田付けを施して被測定半導体素子のコレクタを治具本体
にしっかり固定した後にベースとエミッタにバイアスを
印加していた。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体素子の発振特性測定治具は治具本
体の形状を決めてしまうと、その治具の形状によって発
振特性の測定の際、発振周波数が決まり、また治具の取
扱いが複雑であり、作業能率が低いという欠点がある。
本考案の目的は前記問題点を解決する測定治具を提供す
ることにある。
〔考案の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の半導体素子発振特性測定治具に対し、本
考案は発振特性測定回路をパターン化し、このパターン
の長さと幅またはパターン間隔により発振周波数を自由
に選択でき発振状態を安定させるために被測定半導体素
子の各電極を強く押えつけて測定を行うという独創的内
容を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本考案に係る半導体素子発振
特性測定治具は、発振特性測定回路と、押圧部とを有す
る半導体素子発振特性測定治具であって、 発振特性測定回路は、被測定半導体素子の各電極にそれ
ぞれ対応したパターン形状に構成され、そのパターンの
長さと幅またはパターン間隔により発振周波数を任意に
選択可能なものであり、 押圧部は、ハンドクランプ装置に取付けられ、ハンドク
ランプ装置の操作により、前記発振特性測定回路のパタ
ーン上に置かれた被測定半導体素子の各電極を圧下する
ものであり、絶縁体と絶縁性押え棒とを有し、 前記絶縁体は、前記ハンドクランプ装置にバネを介して
弾性的に支持されたものであり、 前記絶縁性押え棒は、前記絶縁体にバネを介して弾性的
に支持されたものである。
〔実施例〕
以下、本考案の一実施例を図により説明する。
第1図は本考案の実施例である。1は治具本体であり、
この本体1の底部に発振特性測定回路2が取付けられ、
被測定半導体素子13の各電極に対応するパターンが設け
られ、そのパターンの長さと幅またはパターン間隔によ
り発振周波数を任意に選択可能となっている。3は貫通
コンデンサ(バイアス印加端子)、4はRFコネクタ(出
力端子)。一方、本体1の一側にクランプレバー11と、
クランプアーム10を有するハンドクランプ装置が設けら
れており、クランプアーム10の先端部には、被測定半導
体素子13の各電極を対応パターンに押圧固定する押圧部
12が取付けられている。押圧部12は、つぎのような内部
構造となっている。すなわち、バネ8を金属板7により
上下から挟み、金属板7にあけられたネジ穴に4本のネ
ジ9を通すことによりバネ8を金属板7の間に固定して
いる。下側の金属板7には絶縁体6がネジ9により取付
けられ、この絶縁体6には被測定半導体素子13の電極を
押えるための絶縁性の押さえ棒5が組み込まれている。
押さえ棒5はこれを組み込んである絶縁体6との間にバ
ネが入れられており、このバネにより、被測定半導体素
子の電極と回路のパターンとの間の完全な接触が得ら
れ、各電極に対するバイアス電圧供給が支障なく行われ
る。被測定半導体素子13を発振特性測定回路2のパター
ン部分に接触されるように所定位置に置き、ハンドクラ
ンプレバー11を矢印14の方向に引くことにより、クラン
プアーム10の先端部に取付けられた押圧部12は下方に降
下し、被測定半導体素子の各電極に対応する押さえ棒5
はバネ8の弾力により治具に取付けられた対応する回路
の各パターンに強く押し付けられる。また、第2図は発
振特性測定回路パターン図である。この図において発振
周波数を変化する場合は、aの長さを変化するとよい。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案の治具によれば、発振特性測
定回路パターンの長さや幅を変えることにより、発振周
波数を自由に選択することができる。
さらに、押圧部は絶縁体と絶縁性押え棒とを有し、絶縁
体はハンドクランプ装置にバネを介して弾性的に支持さ
れ、絶縁性押え棒は前記絶縁体にバネを介して弾性的に
支持され、バネ構造が2重になっているため、被測定半
導体素子の電極と回路パターンの間の完全な接触が得ら
れ、各電極に対するバイアス電圧供給を支障なく行うこ
とができるとともに、測定の際の発振状態を安定させる
ことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す構成図、第2図は第1
図の発振特性測定回路のパターンを示す図である。 1……治具本体、2……発振特性測定回路 3……貫通コンデンサ(バイアス印加端子) 4……RFコネクタ(出力端子)、5……押さえ棒 6……絶縁体、7……金属板 8……バネ、9……ネジ 10……クランプアーム、11……クランプレバー 12……押圧部、13……被測定半導体素子

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】発振特性測定回路と、押圧部とを有する半
    導体素子発振特性測定治具であって、 発振特性測定回路は、被測定半導体素子の各電極にそれ
    ぞれ対応したパターン形状に構成され、そのパターンの
    長さと幅またはパターン間隔により発振周波数を任意に
    選択可能なものであり、 押圧部は、ハンドクランプ装置に取付けられ、ハンドク
    ランプ装置の操作により、前記発振特性測定回路のパタ
    ーン上に置かれた被測定半導体素子の各電極を圧下する
    ものであり、絶縁体と絶縁性押え棒とを有し、 前記絶縁体は、前記ハンドクランプ装置にバネを介して
    弾性的に支持されたものであり、 前記絶縁性押え棒は、前記絶縁体にバネを介して弾性的
    に支持されたものであることを特徴とする半導体素子発
    振特性測定治具。
JP1987085093U 1987-05-30 1987-05-30 半導体素子発振特性測定治具 Expired - Lifetime JPH074610Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987085093U JPH074610Y2 (ja) 1987-05-30 1987-05-30 半導体素子発振特性測定治具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987085093U JPH074610Y2 (ja) 1987-05-30 1987-05-30 半導体素子発振特性測定治具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63193372U JPS63193372U (ja) 1988-12-13
JPH074610Y2 true JPH074610Y2 (ja) 1995-02-01

Family

ID=30940184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987085093U Expired - Lifetime JPH074610Y2 (ja) 1987-05-30 1987-05-30 半導体素子発振特性測定治具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH074610Y2 (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6142481U (ja) * 1984-08-21 1986-03-19 三菱電機株式会社 半導体装置の試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63193372U (ja) 1988-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH074610Y2 (ja) 半導体素子発振特性測定治具
JPH075419Y2 (ja) 表面抵抗測定装置
JP2576335Y2 (ja) リーフスイッチ
JPS59632Y2 (ja) 回路素子挾持装置
JPS61205053U (ja)
JPS6225877U (ja)
JPS6123867Y2 (ja)
JPH0249575Y2 (ja)
JPH0621025Y2 (ja) 隣接する2つのチップを同時に測定するプローブカード
JP2517819Y2 (ja) コンデンサーの静電容量測定装置
JPH079341Y2 (ja) 電子機器の端子接続構造
JPS5833742Y2 (ja) 回路基板におけるリ−ド接触導通構造
JPH0446221Y2 (ja)
JPH0668323U (ja) 接触端子
KR0125425Y1 (ko) 전자부품 소자의 클램핑장치
JPS5849272U (ja) チツプ状試料装着ヘツド
JPS6123866Y2 (ja)
JPH0469767U (ja)
JPS63172080U (ja)
JPS6163174U (ja)
JPS58138058A (ja) 半導体装置
JPS59161057A (ja) 半導体集積回路
JPS63236977A (ja) 半導体装置のソケツト
JPS63109658U (ja)
JPS6215138B2 (ja)