JPH0750328B2 - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPH0750328B2 JPH0750328B2 JP28293585A JP28293585A JPH0750328B2 JP H0750328 B2 JPH0750328 B2 JP H0750328B2 JP 28293585 A JP28293585 A JP 28293585A JP 28293585 A JP28293585 A JP 28293585A JP H0750328 B2 JPH0750328 B2 JP H0750328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- mask
- alignment mark
- layer
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、リソグラフィ技術、とりわけレチクルに適用
して有効な技術に関する。
して有効な技術に関する。
半導体装置の製造工程の１つである、いわゆるウエハ工
程においては、リソグラフィ技術が駆使されている。こ
のリソグラフィ技術は、一般に半導体ウエハ上に被着さ
れたレジスト層に所定のパターンの露光・現像を行い、
形成されたレジストパターンに基づいて微細な回路素子
または配線等の形成を行うものである。
程においては、リソグラフィ技術が駆使されている。こ
のリソグラフィ技術は、一般に半導体ウエハ上に被着さ
れたレジスト層に所定のパターンの露光・現像を行い、
形成されたレジストパターンに基づいて微細な回路素子
または配線等の形成を行うものである。
上記レジストパターンを形成する場合、縮小露光を目的
とするレチクルや1:1露光を目的とするマスクが用いら
れ、同一のウエハ工程においてレチクルを使用した後に
マスクを使用することもある。このように、１つの半導
体ウエハを製造するためには、多数のリソグラフィ工程
を経ることが必要とされ、各工程ごとにおけるレチクル
またはマスクの位置合わせが極めて重要である。
とするレチクルや1:1露光を目的とするマスクが用いら
れ、同一のウエハ工程においてレチクルを使用した後に
マスクを使用することもある。このように、１つの半導
体ウエハを製造するためには、多数のリソグラフィ工程
を経ることが必要とされ、各工程ごとにおけるレチクル
またはマスクの位置合わせが極めて重要である。
たとえば、レチクルを用いて露光・現像して形成したレ
ジストパターンに基づいて、あるウエハ層を形成した
後、該ウエハ層上にマスクを用いて新たな層を形成する
場合には、次のように位置合わせを行うことができる。
予めレチクルにマスク用のアライメントマークを形成
し、該レチクルを用いて上記ウエハ層に回路または配線
等と同時にアライメントマークに対応するチップアライ
ンメントマークを形成し基準層とする。次いで、その基
準層に同時に形成された上記チップアラインメントマー
クにマスクのアラインメントマークを一致させることに
より、該マスクの正確な位置合わせが達成される。
ジストパターンに基づいて、あるウエハ層を形成した
後、該ウエハ層上にマスクを用いて新たな層を形成する
場合には、次のように位置合わせを行うことができる。
予めレチクルにマスク用のアライメントマークを形成
し、該レチクルを用いて上記ウエハ層に回路または配線
等と同時にアライメントマークに対応するチップアライ
ンメントマークを形成し基準層とする。次いで、その基
準層に同時に形成された上記チップアラインメントマー
クにマスクのアラインメントマークを一致させることに
より、該マスクの正確な位置合わせが達成される。
ところで、半導体ウエハを製造する場合は、マスクまた
はレチクルを適用する層が異なったり、使用するウエハ
の径が異なったり、または露光装置の機種が異なったり
することがある。そのため、同一のレチクルを用いる場
合でも、その後に使用するマスクやレチクルが異なった
条件で適用される場合がある。
はレチクルを適用する層が異なったり、使用するウエハ
の径が異なったり、または露光装置の機種が異なったり
することがある。そのため、同一のレチクルを用いる場
合でも、その後に使用するマスクやレチクルが異なった
条件で適用される場合がある。
したがって、基準層を形成するためレチクルにその上の
層の形成に適用するマスクまたはレチクルの位置合わせ
に使用するチップアラインメントマークを形成するため
のアラインメントマークとしては、異なるウエハ層の形
成に適用する場合、異なる径の半導体ウエハに適用する
場合、または異なる機種の露光装置に適用する場合等に
使用する異なる種類のものが考えられる。
層の形成に適用するマスクまたはレチクルの位置合わせ
に使用するチップアラインメントマークを形成するため
のアラインメントマークとしては、異なるウエハ層の形
成に適用する場合、異なる径の半導体ウエハに適用する
場合、または異なる機種の露光装置に適用する場合等に
使用する異なる種類のものが考えられる。
そこで、１つのレチクルには１種類のチップアラインメ
ントマークを形成するためのアラインメントマークを形
成し、各種類ごとに適用するレチクルを別個に形成する
ことが考えられる。
ントマークを形成するためのアラインメントマークを形
成し、各種類ごとに適用するレチクルを別個に形成する
ことが考えられる。
ところが、上記の場合は、同一のレチクルでありなが
ら、その後に適用するマスクまたはレチクルの種類が異
なると、その種類の数だけ同一パターンが形成されてい
る複数のレチクルを別個に用意しなければならないとい
う問題があることが、本発明者により見い出された。
ら、その後に適用するマスクまたはレチクルの種類が異
なると、その種類の数だけ同一パターンが形成されてい
る複数のレチクルを別個に用意しなければならないとい
う問題があることが、本発明者により見い出された。
なお、レチクルについては、株式会社工業調査会、昭和
57年11月15日発行、「電子材料」1981年11月号別冊、P1
03以下に説明されている。
57年11月15日発行、「電子材料」1981年11月号別冊、P1
03以下に説明されている。
本発明の目的は、レチクルの適用範囲を拡大できる技術
を提供することにある。
を提供することにある。
本考案の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、本発明のレチクルは、パターン領域の周囲
に、異なる種類のマスクまたはレチクルを使って前記半
導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複数のア
ラインメントマークと、異なる種類の露光装置を使って
前記半導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複
数のアライメントマークと、異なる径の半導体ウェハに
対応する複数のアライメントマークとを形成したもので
ある。
に、異なる種類のマスクまたはレチクルを使って前記半
導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複数のア
ラインメントマークと、異なる種類の露光装置を使って
前記半導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複
数のアライメントマークと、異なる径の半導体ウェハに
対応する複数のアライメントマークとを形成したもので
ある。
第１図は本発明による一実施例でありレチクルを示す概
略平面図である。
略平面図である。
本実施例のレチクルは、石英等からなる透明基板１にク
ロム（Cr）等の遮光膜２が被着されてなるものであり、
該遮光膜２のほぼ中央部には所定のパターンが形成され
たパターン領域３が形成され、その周囲には複数種類の
アラインメントマーク4,4a,4bが、また遮光膜２の周囲
にはウエハアラインメントマーク５が形成されているも
のである。すなわち、パターン領域３の左側には層の種
類に対応するアラインメントマーク４が、右側には適用
するウエハ径に対応するそれ4aが、さらに下側には使用
する露光装置の種類に対応するそれ4bがそれぞれ形成さ
れている。
ロム（Cr）等の遮光膜２が被着されてなるものであり、
該遮光膜２のほぼ中央部には所定のパターンが形成され
たパターン領域３が形成され、その周囲には複数種類の
アラインメントマーク4,4a,4bが、また遮光膜２の周囲
にはウエハアラインメントマーク５が形成されているも
のである。すなわち、パターン領域３の左側には層の種
類に対応するアラインメントマーク４が、右側には適用
するウエハ径に対応するそれ4aが、さらに下側には使用
する露光装置の種類に対応するそれ4bがそれぞれ形成さ
れている。
本実施例のレチクルは、半導体ウエハ上に被着されたレ
ジスト層に、そのパターン領域３に形成されているパタ
ーンを転写するために使用されるものである。半導体装
置の製造工程であるウエハ工程では、上記パターンの転
写を幾度となく繰り返し、各パターンに対応する回路素
子または該回路素子等を電気的に接続する配線層をシリ
コン等からなる半導体ウエハ上に形成することが行われ
る。
ジスト層に、そのパターン領域３に形成されているパタ
ーンを転写するために使用されるものである。半導体装
置の製造工程であるウエハ工程では、上記パターンの転
写を幾度となく繰り返し、各パターンに対応する回路素
子または該回路素子等を電気的に接続する配線層をシリ
コン等からなる半導体ウエハ上に形成することが行われ
る。
上記ウエハ工程においては、本実施例のレチクルを用い
て半導体ウエハ上に被着されたレジスト層を露光・現像
して所定のレジストパターンを形成し、該レジストパタ
ーンを基にして基準層を形成する。この基準層を形成す
ることにより、該層には前記アラインメントマーク4,4a
および4bに対応するパターンからなるチップアラインメ
ントマークも同時に形成される。
て半導体ウエハ上に被着されたレジスト層を露光・現像
して所定のレジストパターンを形成し、該レジストパタ
ーンを基にして基準層を形成する。この基準層を形成す
ることにより、該層には前記アラインメントマーク4,4a
および4bに対応するパターンからなるチップアラインメ
ントマークも同時に形成される。
次に、前記レチクルを適用して形成した基準層の上にマ
スクを使用して新たな層の形成を行う。その場合、上記
マスクが、たとえば第ｍ層目を形成するためのものであ
れば、前記アラインメントマーク４の中で第ｍ層目のた
めのアラインメントマークに対応するチップアラインメ
ントマークに、上記マスクのアラインメントマークを一
致させることにより、正確な位置合わせが達成される。
また、第ｎ層目を形成するマスクを使用する場合も、基
準層に形成されている第ｎ層目のためのチップアライン
メントマークに、該マスクのアラインメントマークを一
致させることにより同様に実行できる。
スクを使用して新たな層の形成を行う。その場合、上記
マスクが、たとえば第ｍ層目を形成するためのものであ
れば、前記アラインメントマーク４の中で第ｍ層目のた
めのアラインメントマークに対応するチップアラインメ
ントマークに、上記マスクのアラインメントマークを一
致させることにより、正確な位置合わせが達成される。
また、第ｎ層目を形成するマスクを使用する場合も、基
準層に形成されている第ｎ層目のためのチップアライン
メントマークに、該マスクのアラインメントマークを一
致させることにより同様に実行できる。
一方、本実施例のレチクルを径の異なる複数の半導体ウ
エハに適用して、各半導体ウエハに基準層を形成し、そ
の後各半導体ウエハに別種のマスクを適用してそれぞれ
新たな層を形成する場合が考えられる。この場合におい
ても、各半導体ウエハの基準層に形成されているレチク
ルのアラインメントマーク4aに対応するウエハ径を表示
するチップアラインメントマークに、所望のマスクのア
ラインメントマークを一致させることにより、径の異な
る複数の半導体ウエハについて該マスクの正確な位置合
わせが達成される。
エハに適用して、各半導体ウエハに基準層を形成し、そ
の後各半導体ウエハに別種のマスクを適用してそれぞれ
新たな層を形成する場合が考えられる。この場合におい
ても、各半導体ウエハの基準層に形成されているレチク
ルのアラインメントマーク4aに対応するウエハ径を表示
するチップアラインメントマークに、所望のマスクのア
ラインメントマークを一致させることにより、径の異な
る複数の半導体ウエハについて該マスクの正確な位置合
わせが達成される。
さらに、たとえば、基準層までが共通な構造のセミカス
タム品の場合等のように、途中から異なるラインで製造
する必要があり、そのため本実施例のレチクルで基準層
を形成した後に使用されるマスクを装着する露光装置の
機種がラインごとに異なる場合が考えられる。この場合
も、レチクルのアラインメントマーク4bに対応して上記
基準層に形成されている露光装置の機種を表示するチッ
プアラインメントマークに前記マスクのアラインメント
マークを一致させることにより、正確な位置合わせが達
成されるものである。
タム品の場合等のように、途中から異なるラインで製造
する必要があり、そのため本実施例のレチクルで基準層
を形成した後に使用されるマスクを装着する露光装置の
機種がラインごとに異なる場合が考えられる。この場合
も、レチクルのアラインメントマーク4bに対応して上記
基準層に形成されている露光装置の機種を表示するチッ
プアラインメントマークに前記マスクのアラインメント
マークを一致させることにより、正確な位置合わせが達
成されるものである。
以上説明した如く、本実施例のレチクルは、該レチクル
を使用した後に異なる種類のマスクを使用する場合や、
異なる機種の露光装置を使用する場合のようにマスクの
適用条件が異なる場合であっても、基準層に異種のチッ
プアラインメントマークを形成することができるため、
単一のレチクルを用意するだけで複数用途に共通使用が
可能となるものである。それ故に、同一のパターンを有
するレチクルを複数個製造する無駄を省くことができ
る。
を使用した後に異なる種類のマスクを使用する場合や、
異なる機種の露光装置を使用する場合のようにマスクの
適用条件が異なる場合であっても、基準層に異種のチッ
プアラインメントマークを形成することができるため、
単一のレチクルを用意するだけで複数用途に共通使用が
可能となるものである。それ故に、同一のパターンを有
するレチクルを複数個製造する無駄を省くことができ
る。
（１）．異なる種類のマスクまたはレチクルを使って半
導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複数のア
ライメントマークと、異なる種類の露光装置を使って半
導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複数のア
ライメントマークと、異なる径の半導体ウェハに対応す
る複数のアライメントマークをレチクルに形成すること
により、該レチクルを用いて半導体ウェハの特定層を形
成した後、適用条件が異なるマスク、レチクルあるいは
露光装置を用いて他の層を形成する場合や、該レチクル
を径の異なる他の半導体ウェハに適用する場合、上記特
定層にアラインメントマークに対応するチップアライン
メントマークが形成されているため、各場合についてマ
スクまたはレチクルのアラインメントマークを上記特定
層に印字されたチップアラインメントマークに一致させ
ることにより正確に位置合わせを行うことができる。
導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複数のア
ライメントマークと、異なる種類の露光装置を使って半
導体ウェハ上に形成される複数の層に対応する複数のア
ライメントマークと、異なる径の半導体ウェハに対応す
る複数のアライメントマークをレチクルに形成すること
により、該レチクルを用いて半導体ウェハの特定層を形
成した後、適用条件が異なるマスク、レチクルあるいは
露光装置を用いて他の層を形成する場合や、該レチクル
を径の異なる他の半導体ウェハに適用する場合、上記特
定層にアラインメントマークに対応するチップアライン
メントマークが形成されているため、各場合についてマ
スクまたはレチクルのアラインメントマークを上記特定
層に印字されたチップアラインメントマークに一致させ
ることにより正確に位置合わせを行うことができる。
（２）．前記（１）により、特定層の後に使用するマス
クまたはレチクルの適用条件が異なる場合であっても、
該特定層の形成を単一のレチクルで形成することができ
る。
クまたはレチクルの適用条件が異なる場合であっても、
該特定層の形成を単一のレチクルで形成することができ
る。
（３）．前記（１）により、特定層までが共通なセミカ
スタム品を異なるラインで容易に製造できる。
スタム品を異なるラインで容易に製造できる。
（４）．前記（２）により、異なる適用条件ごとに同一
パターンのレチクルを形成する必要がないので、工程管
理が容易になる。
パターンのレチクルを形成する必要がないので、工程管
理が容易になる。
（５）．前記（３）と同様の理由により、無駄を省くこ
とができるので製造コストの低減を達成できる。
とができるので製造コストの低減を達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例ではレチクルで基準層を形成した後に
他の層を形成するためにマスクを用いる例について説明
したが、これに限るものでなく、マスクではなく他のレ
チクルを用いる場合にも適用できることはいうまでもな
い。
他の層を形成するためにマスクを用いる例について説明
したが、これに限るものでなく、マスクではなく他のレ
チクルを用いる場合にも適用できることはいうまでもな
い。
また、レチクルに形成するアラインメントマークの表示
種類は前記実施例に示したものに限るものでなく、たと
えばマスクまたはレチクルの位置合わせの自動化のため
のアラインメントマークであってもよい。これによって
位置合わせの自動化も達成できる。
種類は前記実施例に示したものに限るものでなく、たと
えばマスクまたはレチクルの位置合わせの自動化のため
のアラインメントマークであってもよい。これによって
位置合わせの自動化も達成できる。
さらに、レチクルに形成するアラインメントマークの形
状、またその配置等も実施例に示したものに限るもので
ないことはいうまでもない。
状、またその配置等も実施例に示したものに限るもので
ないことはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるレチクルに適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、1:1露光に使用するマスクについて適用
しても有効な技術である。すなわち、マスクは一般にレ
チクルを用いて形成される。したがって、本発明による
レチクルを用いて形成されるマスクについて同様の効果
を期待できるものである。
をその背景となった利用分野であるレチクルに適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、1:1露光に使用するマスクについて適用
しても有効な技術である。すなわち、マスクは一般にレ
チクルを用いて形成される。したがって、本発明による
レチクルを用いて形成されるマスクについて同様の効果
を期待できるものである。
第１図は本発明による一実施例であるレチクルを示す概
略平面図である。 １……透明基板、２……遮光膜、３……パターン領域、
4,4a,4b……アラインメントマーク、５……ウエハアラ
インメントマーク。
略平面図である。 １……透明基板、２……遮光膜、３……パターン領域、
4,4a,4b……アラインメントマーク、５……ウエハアラ
インメントマーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−111037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−124733（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−88451（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハ上に被着されたレジスト層
に、そのパターン領域に形成されたパターンを転写する
レチクルであって、前記パターン領域の周囲に、異なる
種類のマスクまたはレチクルを使って前記半導体ウェハ
上に形成される複数の層に対応する複数のアライメント
マークと、異なる種類の露光装置を使って前記半導体ウ
ェハ上に形成される複数の層に対応する複数のアライメ
ントマークと、異なる径の半導体ウェハに対応する複数
のアライメントマークとを形成したことを特徴とするレ
チクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28293585A JPH0750328B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28293585A JPH0750328B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | レチクル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064796A Division JP2596415B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144168A JPS62144168A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH0750328B2 true JPH0750328B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=17659017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28293585A Expired - Lifetime JPH0750328B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750328B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2545431B2 (ja) * | 1988-03-17 | 1996-10-16 | 富士通株式会社 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788451A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-02 | Hitachi Ltd | Photomask |
| DE3070434D1 (en) * | 1980-12-29 | 1985-05-09 | Ibm Deutschland | Mask for copying a pattern onto a photoresist layer, process for the production of this mask, and its use in a photolithographic process |
| JPS58111037A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトマスク基板 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28293585A patent/JPH0750328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144168A (ja) | 1987-06-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |