JPH0766113A - レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 - Google Patents
レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法Info
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- JPH0766113A JPH0766113A JP21644093A JP21644093A JPH0766113A JP H0766113 A JPH0766113 A JP H0766113A JP 21644093 A JP21644093 A JP 21644093A JP 21644093 A JP21644093 A JP 21644093A JP H0766113 A JPH0766113 A JP H0766113A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造における露光工程に用いるレ
チクルと、レチクルの位置合わせ用に用いるバーニアの
形成方法の改善に関する。 【構成】遮光領域（１１）と、ＬＳＩの形成に係る所定
のパターンが形成されたＬＳＩ対応領域（１２）と、ス
クライブラインに対応するスクライブライン対応領域
（１３）とが形成されてなり、複数のチップ形成領域を
有するウエハを露光するレチクルであって、前記スクラ
イブライン対応領域（１３）上の所定の位置に第１のバ
ーニアパターン（１４）が形成され、かつステップ露光
する際に重なる位置に、第２のバーニアパターン（１
５）が形成されてなること。
チクルと、レチクルの位置合わせ用に用いるバーニアの
形成方法の改善に関する。 【構成】遮光領域（１１）と、ＬＳＩの形成に係る所定
のパターンが形成されたＬＳＩ対応領域（１２）と、ス
クライブラインに対応するスクライブライン対応領域
（１３）とが形成されてなり、複数のチップ形成領域を
有するウエハを露光するレチクルであって、前記スクラ
イブライン対応領域（１３）上の所定の位置に第１のバ
ーニアパターン（１４）が形成され、かつステップ露光
する際に重なる位置に、第２のバーニアパターン（１
５）が形成されてなること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレチクル及び位置合わせ
用バーニアの形成方法に関し、更に詳しく言えば半導体
装置の製造における露光工程に用いるレチクルと、レチ
クルの位置合わせ用に用いるバーニアの形成方法の改善
に関する。
用バーニアの形成方法に関し、更に詳しく言えば半導体
装置の製造における露光工程に用いるレチクルと、レチ
クルの位置合わせ用に用いるバーニアの形成方法の改善
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例に係るレチクルについて図面を参
照しながら以下で説明する。半導体装置の製造における
露光工程においては、図９に示すようなレチクルを用い
ていた。図９は、従来例に係るレチクルを説明する上面
図である。従来用いていたレチクルは、図９に示すよう
に、不図示のガラス基板上にクロム膜などからなる遮光
領域（１Ａ）が形成され、その一部にＬＳＩの形成に係
る所定のパターンが形成されたＬＳＩ対応領域（１Ｂ）
が形成され、その周囲に、チップの切り出し線であるス
クライブラインに対応し、ＬＳＩの設計には直接関与し
ないスクライブライン対応領域（１Ｃ）が形成されてな
る。
照しながら以下で説明する。半導体装置の製造における
露光工程においては、図９に示すようなレチクルを用い
ていた。図９は、従来例に係るレチクルを説明する上面
図である。従来用いていたレチクルは、図９に示すよう
に、不図示のガラス基板上にクロム膜などからなる遮光
領域（１Ａ）が形成され、その一部にＬＳＩの形成に係
る所定のパターンが形成されたＬＳＩ対応領域（１Ｂ）
が形成され、その周囲に、チップの切り出し線であるス
クライブラインに対応し、ＬＳＩの設計には直接関与し
ないスクライブライン対応領域（１Ｃ）が形成されてな
る。
【０００３】通常、半導体の製造工程においては、複数
のレチクルを用いるが、それらの複数のパターンの位置
合わせ用に、スクライブライン対応領域（１Ｃ）の一部
にクロム膜などの遮光膜からなるバーニアパターン（１
Ｄ）が形成されており、これを用いて数枚のレチクルの
微量な位置ずれ量を検出する。以下でバーニアパターン
（１Ｄ）の形状について詳述する。図９に示す第１のレ
チクル（１）には第１のバーニアパターン（１Ｄ）が設
けられており、第１のバーニアパターン（１Ｄ）は長方
形形状を有するｘ方向バーニアパターン（１Ｅ）とｙ方
向バーニアパターン（１Ｆ）とからなるものである。
のレチクルを用いるが、それらの複数のパターンの位置
合わせ用に、スクライブライン対応領域（１Ｃ）の一部
にクロム膜などの遮光膜からなるバーニアパターン（１
Ｄ）が形成されており、これを用いて数枚のレチクルの
微量な位置ずれ量を検出する。以下でバーニアパターン
（１Ｄ）の形状について詳述する。図９に示す第１のレ
チクル（１）には第１のバーニアパターン（１Ｄ）が設
けられており、第１のバーニアパターン（１Ｄ）は長方
形形状を有するｘ方向バーニアパターン（１Ｅ）とｙ方
向バーニアパターン（１Ｆ）とからなるものである。
【０００４】また、第１のレチクル（１）とは異なるパ
ターンが形成された図１０に示す第２のレチクル（２）
のスクライブライン対応領域（２Ｃ）には、第２のバー
ニアパターン（２Ｄ）が設けられており、第２のバーニ
アパターン（２Ｄ）は台形形状を有するｘ方向バーニア
パターン（２Ｅ）とｙ方向バーニアパターン（２Ｆ）と
からなる。
ターンが形成された図１０に示す第２のレチクル（２）
のスクライブライン対応領域（２Ｃ）には、第２のバー
ニアパターン（２Ｄ）が設けられており、第２のバーニ
アパターン（２Ｄ）は台形形状を有するｘ方向バーニア
パターン（２Ｅ）とｙ方向バーニアパターン（２Ｆ）と
からなる。
【０００５】上記の第１，第２のバーニアパターン（１
Ｄ，２Ｄ）は図１１，１２に示すように、各々Ｐ１，Ｐ
２のピッチで等間隔に形成されており、例えばＰ１が１
０μｍならば、Ｐ２は１０．１μｍというように、Ｐ１
とＰ２とは異なる値を有し、また、各レチクルの同じ位
置に形成されている。以下で、上記のレチクルを用いた
位置合わせ用バーニアの形成方法について説明する。ま
ず、のちに第１のバーニア（３）を形成するSiN 膜，レ
ジスト膜が順次形成されたウエハをステッパに載置し、
第１のレチクル（１）の第１のバーニアパターン（１
Ｄ）を介してレジスト膜をステッパで露光する。
Ｄ，２Ｄ）は図１１，１２に示すように、各々Ｐ１，Ｐ
２のピッチで等間隔に形成されており、例えばＰ１が１
０μｍならば、Ｐ２は１０．１μｍというように、Ｐ１
とＰ２とは異なる値を有し、また、各レチクルの同じ位
置に形成されている。以下で、上記のレチクルを用いた
位置合わせ用バーニアの形成方法について説明する。ま
ず、のちに第１のバーニア（３）を形成するSiN 膜，レ
ジスト膜が順次形成されたウエハをステッパに載置し、
第１のレチクル（１）の第１のバーニアパターン（１
Ｄ）を介してレジスト膜をステッパで露光する。
【０００６】次に、ウエハをステッパから取り外し、露
光されたレジスト膜を現像して露光領域を除去し、それ
をマスクにしてSiN 膜をエッチングして第１のバーニア
パターン（１Ｄ）が転写され、SiN 膜からなる第１のバ
ーニア（３）を形成する。次いで、第１のバーニア
（３）が形成されたウエハにレジスト膜を形成してステ
ッパに載置したのちに第２のレチクル（２）を用いてレ
ジスト膜を露光したのちにウエハをステッパから取り外
し、現像して露光領域のレジスト膜を除去し、第２のバ
ーニアパターン（２Ｄ）が転写され、レジスト膜からな
る第２のバーニア（４）を形成する。
光されたレジスト膜を現像して露光領域を除去し、それ
をマスクにしてSiN 膜をエッチングして第１のバーニア
パターン（１Ｄ）が転写され、SiN 膜からなる第１のバ
ーニア（３）を形成する。次いで、第１のバーニア
（３）が形成されたウエハにレジスト膜を形成してステ
ッパに載置したのちに第２のレチクル（２）を用いてレ
ジスト膜を露光したのちにウエハをステッパから取り外
し、現像して露光領域のレジスト膜を除去し、第２のバ
ーニアパターン（２Ｄ）が転写され、レジスト膜からな
る第２のバーニア（４）を形成する。
【０００７】第１，第２のバーニアパターン（１Ｄ，２
Ｄ）は上述した通り、各レチクルの同じ位置に形成され
ているので、図１３，１４に示すように、SiN 膜からな
る第１のバーニア（３）上に、レジスト膜からなる第２
のバーニア（４）が形成される。なお、図１３は第１，
第２のバーニア（３，４）が形成された状態を示す上面
図であって、図１４は図１３のＡ−Ａ線断面図である。
Ｄ）は上述した通り、各レチクルの同じ位置に形成され
ているので、図１３，１４に示すように、SiN 膜からな
る第１のバーニア（３）上に、レジスト膜からなる第２
のバーニア（４）が形成される。なお、図１３は第１，
第２のバーニア（３，４）が形成された状態を示す上面
図であって、図１４は図１３のＡ−Ａ線断面図である。
【０００８】上記までの工程において、第１のレチクル
（１）と第２のレチクル（２）との露光パターンが全く
ずれなければ、図１３に示すように、第２のバーニア
（４）の中央のバーニアである第２の中央バーニア（４
Ａ）が、第１の中央バーニア（３Ａ）上の、ちょうど中
央部にくるように形成される。露光パターンがずれてい
る場合には、図１５に示すように、第１の中央バーニア
（３Ａ）の他の箇所に形成された第１のバーニア（３）
の中央部にちょうど第２のバーニア（４）がくるように
形成される。図１５では、第１の中央バーニア（３Ａ）
から数えて右から３番目の第１のバーニア（３）上で第
２のバーニア（４）がその中央部に形成されている。な
お、図１５は第１，第２のバーニア（３，４）がずれて
形成された状態を示す上面図であって、図１６は図１５
のＢ−Ｂ線断面図である。
（１）と第２のレチクル（２）との露光パターンが全く
ずれなければ、図１３に示すように、第２のバーニア
（４）の中央のバーニアである第２の中央バーニア（４
Ａ）が、第１の中央バーニア（３Ａ）上の、ちょうど中
央部にくるように形成される。露光パターンがずれてい
る場合には、図１５に示すように、第１の中央バーニア
（３Ａ）の他の箇所に形成された第１のバーニア（３）
の中央部にちょうど第２のバーニア（４）がくるように
形成される。図１５では、第１の中央バーニア（３Ａ）
から数えて右から３番目の第１のバーニア（３）上で第
２のバーニア（４）がその中央部に形成されている。な
お、図１５は第１，第２のバーニア（３，４）がずれて
形成された状態を示す上面図であって、図１６は図１５
のＢ−Ｂ線断面図である。
【０００９】そのずれ量（Δ）は、第１のバーニア
（３）がピッチＰ１で形成され、第２のバーニア（４）
がピッチＰ２で形成され、かつ第１の中央バーニア（３
Ａ）のちょうど中央に形成された第２のバーニア（４）
が、中央の第１のバーニア（３）から数えてｎ番目にあ
ったとすると、 Δ＝（Ｐ２−Ｐ１）×ｎ… で与えられるので、この式によって各レチクルによる
露光パターンのずれ量（Δ）を検出していた。
（３）がピッチＰ１で形成され、第２のバーニア（４）
がピッチＰ２で形成され、かつ第１の中央バーニア（３
Ａ）のちょうど中央に形成された第２のバーニア（４）
が、中央の第１のバーニア（３）から数えてｎ番目にあ
ったとすると、 Δ＝（Ｐ２−Ｐ１）×ｎ… で与えられるので、この式によって各レチクルによる
露光パターンのずれ量（Δ）を検出していた。
【００１０】例えば、図１３に示すような場合では、第
１のバーニア（３）のピッチＰ１が１０μｍで第２のバ
ーニア（４）のピッチＰ２が１０．１μｍで、第１の中
央バーニア（３Ａ）のちょうど中央に形成された第２の
バーニア（４）が、中央の第１のバーニア（３）から数
えて３番目にあるので、そのずれ量（Δ）は Δ＝（１０．１−１０）〔μｍ〕×３＝０．３〔μｍ〕 であって、第２のバーニア（２２）が０．３〔μｍ〕だ
け右にずれているというように、露光パターンのずれ量
（Δ）を検出していた。
１のバーニア（３）のピッチＰ１が１０μｍで第２のバ
ーニア（４）のピッチＰ２が１０．１μｍで、第１の中
央バーニア（３Ａ）のちょうど中央に形成された第２の
バーニア（４）が、中央の第１のバーニア（３）から数
えて３番目にあるので、そのずれ量（Δ）は Δ＝（１０．１−１０）〔μｍ〕×３＝０．３〔μｍ〕 であって、第２のバーニア（２２）が０．３〔μｍ〕だ
け右にずれているというように、露光パターンのずれ量
（Δ）を検出していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のレチクルによると、スクライブライン形成領域の同
一箇所に異なるパターンのバーニアパターンを形成する
必要があったため、複数のレチクルを用いた場合の位置
合わせには何ら問題がなかったが、例えば１つのレチク
ルを用いてステッパで１度ウエハを露光し、ステッパか
らウエハを取り外して処理したのちに、再び前のレチク
ルを用いて同一のパターンでウエハを露光するような場
合には、１つのレチクルの同一箇所に、異なるバーニア
パターンを形成する事ができないので、最初の露光の際
の露光パターンと、次の露光の際の露光パターンとのず
れ量を検出することができないという問題があった。
来のレチクルによると、スクライブライン形成領域の同
一箇所に異なるパターンのバーニアパターンを形成する
必要があったため、複数のレチクルを用いた場合の位置
合わせには何ら問題がなかったが、例えば１つのレチク
ルを用いてステッパで１度ウエハを露光し、ステッパか
らウエハを取り外して処理したのちに、再び前のレチク
ルを用いて同一のパターンでウエハを露光するような場
合には、１つのレチクルの同一箇所に、異なるバーニア
パターンを形成する事ができないので、最初の露光の際
の露光パターンと、次の露光の際の露光パターンとのず
れ量を検出することができないという問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑み成されたもので、図１〜図３に示すように、遮光
領域（１１）と、ＬＳＩの形成に係る所定のパターンが
形成されたＬＳＩ対応領域（１２）と、スクライブライ
ンに対応するスクライブライン対応領域（１３）とが形
成されてなり、複数のチップ形成領域を有するウエハを
露光するレチクルであって、スクライブライン対応領域
（１３）上の所定の位置に第１のバーニアパターン（１
４）が形成され、かつステップ露光する際に重なる位置
に、第２のバーニアパターン（１５）が形成されてなる
ことを特徴とするレチクルと、本発明に係るレチクルを
用いて露光し、複数のチップ形成領域を有するウエハ上
に位置合わせ用のバーニアを形成する方法であって、図
４に示すようにウエハ（１８）上にバーニア形成層（１
９），第１のレジスト膜（２０）を順次形成したのち
に、本発明に係るレチクルのＬＳＩ対応領域（１２）及
びスクライブライン対応領域（１３）に光を選択的に照
射して第１のレジスト膜（２０）を露光する工程と、第
１のレジスト膜（２０）を現像し、露光領域が除去され
た第１のレジスト膜（２０）をマスクにしてバーニア形
成層（１９）をエッチングして図５に示すような第１の
バーニア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成する工程と、ウエハ
（１８）上に形成された第１のバーニア（１９Ａ，１９
Ｂ）上に第２のレジスト膜（２１）を形成したのちに、
図６に示すように本発明に係るレチクルのＬＳＩ対応領
域（１２），スクライブライン対応領域（１３）及び第
２のバーニアパターン（１５）に光を選択的に照射して
第２のレジスト膜（２１）を露光する工程と、第２のレ
ジスト膜（２１）を現像してその露光領域を除去して、
図７，図８に示すような第２のレジスト膜（２１）から
なる第２のバーニア（２２）を形成する工程とを有する
ことを特徴とする位置合わせ用バーニアの形成方法によ
り、同一のレチクルを用いて、２度重ね露光をするよう
な場合などに、それらの露光パターンのずれ量を検出す
ることを可能にするものである。
に鑑み成されたもので、図１〜図３に示すように、遮光
領域（１１）と、ＬＳＩの形成に係る所定のパターンが
形成されたＬＳＩ対応領域（１２）と、スクライブライ
ンに対応するスクライブライン対応領域（１３）とが形
成されてなり、複数のチップ形成領域を有するウエハを
露光するレチクルであって、スクライブライン対応領域
（１３）上の所定の位置に第１のバーニアパターン（１
４）が形成され、かつステップ露光する際に重なる位置
に、第２のバーニアパターン（１５）が形成されてなる
ことを特徴とするレチクルと、本発明に係るレチクルを
用いて露光し、複数のチップ形成領域を有するウエハ上
に位置合わせ用のバーニアを形成する方法であって、図
４に示すようにウエハ（１８）上にバーニア形成層（１
９），第１のレジスト膜（２０）を順次形成したのち
に、本発明に係るレチクルのＬＳＩ対応領域（１２）及
びスクライブライン対応領域（１３）に光を選択的に照
射して第１のレジスト膜（２０）を露光する工程と、第
１のレジスト膜（２０）を現像し、露光領域が除去され
た第１のレジスト膜（２０）をマスクにしてバーニア形
成層（１９）をエッチングして図５に示すような第１の
バーニア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成する工程と、ウエハ
（１８）上に形成された第１のバーニア（１９Ａ，１９
Ｂ）上に第２のレジスト膜（２１）を形成したのちに、
図６に示すように本発明に係るレチクルのＬＳＩ対応領
域（１２），スクライブライン対応領域（１３）及び第
２のバーニアパターン（１５）に光を選択的に照射して
第２のレジスト膜（２１）を露光する工程と、第２のレ
ジスト膜（２１）を現像してその露光領域を除去して、
図７，図８に示すような第２のレジスト膜（２１）から
なる第２のバーニア（２２）を形成する工程とを有する
ことを特徴とする位置合わせ用バーニアの形成方法によ
り、同一のレチクルを用いて、２度重ね露光をするよう
な場合などに、それらの露光パターンのずれ量を検出す
ることを可能にするものである。
【００１３】
【作 用】本発明に係るレチクルによれば、図１に示す
ようにスクライブライン対応領域（１３）上の所定の位
置に第１のバーニアパターン（１４）が形成され、かつ
ステップ露光する際に重なる位置に、第２のバーニアパ
ターン（１５）が形成されてなる。
ようにスクライブライン対応領域（１３）上の所定の位
置に第１のバーニアパターン（１４）が形成され、かつ
ステップ露光する際に重なる位置に、第２のバーニアパ
ターン（１５）が形成されてなる。
【００１４】このため、第１のバーニアを形成するため
に第１のバーニアパターン（１４）を転写するための露
光工程で、露光対象である第１のチップ対応領域に隣接
する第２のチップ対応領域のスクライブラインに、同時
に第１のバーニアパターン（１４）と異なる第２のバー
ニアパターン（１５）を転写するための露光をすること
が可能になる。
に第１のバーニアパターン（１４）を転写するための露
光工程で、露光対象である第１のチップ対応領域に隣接
する第２のチップ対応領域のスクライブラインに、同時
に第１のバーニアパターン（１４）と異なる第２のバー
ニアパターン（１５）を転写するための露光をすること
が可能になる。
【００１５】また、本発明に係る位置合わせ用バーニア
の形成方法によれば、図４に示すようにウエハ（１８）
上にバーニア形成層（１９），第１のレジスト膜（２
０）を順次形成したのちに、本発明に係るレチクルのＬ
ＳＩ対応領域（１２）及びスクライブライン対応領域
（１３）に光を選択的に照射して第１のレジスト膜（２
０）を露光し、第１のレジスト膜（２０）を現像し、露
光領域が除去された第１のレジスト膜（２０）をマスク
にしてバーニア形成層（１９）をエッチングして図５に
示すような第１のバーニア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成
し、第１のバーニア（１９Ａ，１９Ｂ）上に第２のレジ
スト膜（２１）を形成したのちに、図６に示すように本
発明に係るレチクルのＬＳＩ対応領域（１２），スクラ
イブライン対応領域（１３）及び第２のバーニアパター
ン（１５）に光を選択的に照射して第２のレジスト膜
（２１）を露光している。
の形成方法によれば、図４に示すようにウエハ（１８）
上にバーニア形成層（１９），第１のレジスト膜（２
０）を順次形成したのちに、本発明に係るレチクルのＬ
ＳＩ対応領域（１２）及びスクライブライン対応領域
（１３）に光を選択的に照射して第１のレジスト膜（２
０）を露光し、第１のレジスト膜（２０）を現像し、露
光領域が除去された第１のレジスト膜（２０）をマスク
にしてバーニア形成層（１９）をエッチングして図５に
示すような第１のバーニア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成
し、第１のバーニア（１９Ａ，１９Ｂ）上に第２のレジ
スト膜（２１）を形成したのちに、図６に示すように本
発明に係るレチクルのＬＳＩ対応領域（１２），スクラ
イブライン対応領域（１３）及び第２のバーニアパター
ン（１５）に光を選択的に照射して第２のレジスト膜
（２１）を露光している。
【００１６】このとき、図６に示すように、ウエハ（１
８）の露光対象である第１のチップ形成領域（１８Ａ）
上の第２のレジスト膜（２１）には、ＬＳＩ対応領域
（１２），第１のバーニアパターン（１４）が形成され
たスクライブライン対応領域（１３）のパターンが露光
・転写されるが、このとき同時に第１のチップ形成領域
（１８Ａ）に隣接する第２のチップ形成領域（１８Ｂ）
の、第１のバーニア（１９Ｂ）が形成された領域の第２
のレジスト膜（２１）に、第２のバーニアパターン（１
５）が露光・転写されている。
８）の露光対象である第１のチップ形成領域（１８Ａ）
上の第２のレジスト膜（２１）には、ＬＳＩ対応領域
（１２），第１のバーニアパターン（１４）が形成され
たスクライブライン対応領域（１３）のパターンが露光
・転写されるが、このとき同時に第１のチップ形成領域
（１８Ａ）に隣接する第２のチップ形成領域（１８Ｂ）
の、第１のバーニア（１９Ｂ）が形成された領域の第２
のレジスト膜（２１）に、第２のバーニアパターン（１
５）が露光・転写されている。
【００１７】従って、同一のレチクルを用いて２度重ね
露光をするような場合に、同一箇所に異なるパターンを
有する第１，第２のバーニアパターン（１４，１５）を
転写することができる。よって、これらの転写パターン
に基づいて、図７，図８に示すように第１，第２のバー
ニア（１９Ａ，２２）を形成することができ、これらを
読むことにより、従来不可能であった計２回の露光にお
ける露光パターンのずれ量を検出することが可能にな
る。
露光をするような場合に、同一箇所に異なるパターンを
有する第１，第２のバーニアパターン（１４，１５）を
転写することができる。よって、これらの転写パターン
に基づいて、図７，図８に示すように第１，第２のバー
ニア（１９Ａ，２２）を形成することができ、これらを
読むことにより、従来不可能であった計２回の露光にお
ける露光パターンのずれ量を検出することが可能にな
る。
【００１８】
【実施例】以下で本発明の実施例に係るレチクル及びバ
ーニアの形成方法について図面を参照しながら説明す
る。図１は、本発明の実施例に係るレチクルを説明する
上面図である。本発明の実施例に係るレチクルは、図１
に示すように不図示のガラス基板上にクロム膜などから
なる遮光領域（１１）が形成され、その一部にＬＳＩを
形成するための所望のパターンが形成されたＬＳＩ対応
領域（１２）が形成され、その周囲にチップの切り出し
線であるスクライブラインに対応するスクライブライン
対応領域（１３）が形成されてなる。
ーニアの形成方法について図面を参照しながら説明す
る。図１は、本発明の実施例に係るレチクルを説明する
上面図である。本発明の実施例に係るレチクルは、図１
に示すように不図示のガラス基板上にクロム膜などから
なる遮光領域（１１）が形成され、その一部にＬＳＩを
形成するための所望のパターンが形成されたＬＳＩ対応
領域（１２）が形成され、その周囲にチップの切り出し
線であるスクライブラインに対応するスクライブライン
対応領域（１３）が形成されてなる。
【００１９】スクライブライン対応領域（１３）の一部
には、クロム膜からなる位置合わせ用の第１のバーニア
パターン（１４）が形成されており、また、遮光領域
（１１）の一部に窓が開けられ、そこにクロム膜からな
る第２のバーニアパターン（１５）が形成されている。
上記の第１のバーニアパターン（１４）は、図１に示す
ようにスクライブライン対応領域（１２）の右端部から
距離Ｌの領域に形成されており、第２のバーニアパター
ン（１５）は、スクライブライン対応領域の左端部から
距離Ｌのところに形成されている。本実施例において
は、Ｌとして３００〜８００μｍをとっている。
には、クロム膜からなる位置合わせ用の第１のバーニア
パターン（１４）が形成されており、また、遮光領域
（１１）の一部に窓が開けられ、そこにクロム膜からな
る第２のバーニアパターン（１５）が形成されている。
上記の第１のバーニアパターン（１４）は、図１に示す
ようにスクライブライン対応領域（１２）の右端部から
距離Ｌの領域に形成されており、第２のバーニアパター
ン（１５）は、スクライブライン対応領域の左端部から
距離Ｌのところに形成されている。本実施例において
は、Ｌとして３００〜８００μｍをとっている。
【００２０】すなわち、ＬＳＩ対応領域（１２）及びス
クライブライン対応領域（１３）の側方にある遮光領域
（１１）上の領域内の、スクライブライン対応領域（１
３）上に形成された第１のバーニアパターン（１４）に
相当する位置に、第２のバーニアパターン（１５）が形
成されていることになる。このため、第１のバーニアを
形成するために第１のバーニアパターン（１４）を転写
するための露光工程において、露光対象のチップ形成領
域に隣接するチップ形成領域の第１のバーニアの位置に
ちょうど第２のバーニアパターン（１５）の形成領域が
位置合わせされるので、露光対象のチップ形成領域に隣
接するチップ形成領域のスクライブラインに、同時に第
２のバーニアパターン（１５）を転写するための露光を
することが可能になる。この詳細についてはのちのバー
ニアの形成方法で詳述する。
クライブライン対応領域（１３）の側方にある遮光領域
（１１）上の領域内の、スクライブライン対応領域（１
３）上に形成された第１のバーニアパターン（１４）に
相当する位置に、第２のバーニアパターン（１５）が形
成されていることになる。このため、第１のバーニアを
形成するために第１のバーニアパターン（１４）を転写
するための露光工程において、露光対象のチップ形成領
域に隣接するチップ形成領域の第１のバーニアの位置に
ちょうど第２のバーニアパターン（１５）の形成領域が
位置合わせされるので、露光対象のチップ形成領域に隣
接するチップ形成領域のスクライブラインに、同時に第
２のバーニアパターン（１５）を転写するための露光を
することが可能になる。この詳細についてはのちのバー
ニアの形成方法で詳述する。
【００２１】なお、第１，第２のバーニアパターン（１
４，１５）の形状について以下で詳述する。第１のバー
ニアパターン（１４）は長方形形状を有するｘ方向バー
ニアパターン（１４Ａ）とｙ方向バーニアパターン（１
４Ｂ）とからなる。第２のバーニアパターン（１５）は
台形形状を有するｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）と
ｙ方向バーニアパターン（１５Ｂ）とからなるものであ
る。なお、ｙ方向についてはｘ方向と同様なので、以下
で説明するバーニアパターン及びバーニアについては、
ｘ方向についてのみ説明する。
４，１５）の形状について以下で詳述する。第１のバー
ニアパターン（１４）は長方形形状を有するｘ方向バー
ニアパターン（１４Ａ）とｙ方向バーニアパターン（１
４Ｂ）とからなる。第２のバーニアパターン（１５）は
台形形状を有するｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）と
ｙ方向バーニアパターン（１５Ｂ）とからなるものであ
る。なお、ｙ方向についてはｘ方向と同様なので、以下
で説明するバーニアパターン及びバーニアについては、
ｘ方向についてのみ説明する。
【００２２】ところで、第１のバーニアパターン（１
４）の第１のｘ方向バーニアパターン（１４Ａ）は、図
２に示すように隣接するパターンが全てＰ１のピッチで
等間隔に形成されている。一方、第２のバーニアパター
ン（１５）の第２のｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）
は、図３に示すように隣接するパターンが全てＰ２のピ
ッチで等間隔に形成されており、例えばＰ１が１０μｍ
ならば、Ｐ２は１０．１μｍというように、Ｐ１とＰ２
とは異なる。さらに、後述するバーニアの形成方法にお
いて、露光パターンにずれが全く無ければ、第１のｘ方
向バーニアパターン（１４Ａ）の中央に形成された第１
の中央バーニアパターン（１４ａ）上の、ちょうど中央
部に、第２のバーニアパターン（１５Ａ）の中央に形成
された第２の中央バーニアパターン（１５ａ）が形成さ
れるようになっている。
４）の第１のｘ方向バーニアパターン（１４Ａ）は、図
２に示すように隣接するパターンが全てＰ１のピッチで
等間隔に形成されている。一方、第２のバーニアパター
ン（１５）の第２のｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）
は、図３に示すように隣接するパターンが全てＰ２のピ
ッチで等間隔に形成されており、例えばＰ１が１０μｍ
ならば、Ｐ２は１０．１μｍというように、Ｐ１とＰ２
とは異なる。さらに、後述するバーニアの形成方法にお
いて、露光パターンにずれが全く無ければ、第１のｘ方
向バーニアパターン（１４Ａ）の中央に形成された第１
の中央バーニアパターン（１４ａ）上の、ちょうど中央
部に、第２のバーニアパターン（１５Ａ）の中央に形成
された第２の中央バーニアパターン（１５ａ）が形成さ
れるようになっている。
【００２３】以下で、本実施例に係るレチクルを用いた
バーニアの形成方法について図面を参照しながら説明す
る。ここでは、第１，第２のｘ方向バーニアパターン
（１４Ａ，１５Ａ）を用いて第１，第２のバーニア（１
９Ａ，２２）を形成する方法について説明する。なお、
ｙ方向についてはｘ方向と同様であって、かつｘ方向と
同時に形成されるので、説明を省略する。
バーニアの形成方法について図面を参照しながら説明す
る。ここでは、第１，第２のｘ方向バーニアパターン
（１４Ａ，１５Ａ）を用いて第１，第２のバーニア（１
９Ａ，２２）を形成する方法について説明する。なお、
ｙ方向についてはｘ方向と同様であって、かつｘ方向と
同時に形成されるので、説明を省略する。
【００２４】まず、図４に示すように、SiN 膜（１
９），第１のレジスト膜（２０）が順次形成されたウエ
ハ（１８）をステッパに載置し、本実施例に係るレチク
ル（１０）を用いてＬＳＩ対応領域（１２），スクライ
ブライン対応領域（１３）にｇ線などの光を照射して、
第１のチップ形成領域（１８Ａ）上の第１のレジスト膜
（２０）を露光する。このとき、マスキングブレード
（１７）によってステッパの露光領域を設定し、第１の
ｘ方向バーニアパターン（１４Ａ）には光を照射する
が、第２のｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）には光を
照射しないようにする。よってこの工程では第２のｘ方
向バーニアパターン（１５Ａ）はどの領域にも転写され
ない。
９），第１のレジスト膜（２０）が順次形成されたウエ
ハ（１８）をステッパに載置し、本実施例に係るレチク
ル（１０）を用いてＬＳＩ対応領域（１２），スクライ
ブライン対応領域（１３）にｇ線などの光を照射して、
第１のチップ形成領域（１８Ａ）上の第１のレジスト膜
（２０）を露光する。このとき、マスキングブレード
（１７）によってステッパの露光領域を設定し、第１の
ｘ方向バーニアパターン（１４Ａ）には光を照射する
が、第２のｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）には光を
照射しないようにする。よってこの工程では第２のｘ方
向バーニアパターン（１５Ａ）はどの領域にも転写され
ない。
【００２５】次に、ウエハ（１８）を横にスライドさせ
て、レチクル（１０）のＬＳＩ対応領域（１１）の下部
に、第１のチップ形成領域（１８Ａ）に隣接する第２の
チップ形成領域（１８Ｂ）を位置合わせして上記工程と
同様にして露光する。その後順次隣接するチップ形成領
域を露光することにより、ウエハに複数形成された全て
のチップ形成領域の第１のレジスト膜（２０）を露光す
る。
て、レチクル（１０）のＬＳＩ対応領域（１１）の下部
に、第１のチップ形成領域（１８Ａ）に隣接する第２の
チップ形成領域（１８Ｂ）を位置合わせして上記工程と
同様にして露光する。その後順次隣接するチップ形成領
域を露光することにより、ウエハに複数形成された全て
のチップ形成領域の第１のレジスト膜（２０）を露光す
る。
【００２６】次いで、ウエハ（１８）をステッパから取
り外し、現像してレジスト膜（２０）の露光領域を除去
し、残存したレジスト膜をマスクにして、SiN 膜（１
９）をエッチング・除去し、第１のｘ方向バーニアパタ
ーン（１４Ａ）に対応する第１のｘ方向バーニア（１９
Ａ，１９Ｂ）を形成する（図６）。次に、第２のレジス
ト膜（２１）をウエハ（１８）上に形成し、ウエハ（１
８）をステッパに載置し、本実施例に係るレチクル（１
０）を用いて第２のレジスト膜（２１）を露光する。
り外し、現像してレジスト膜（２０）の露光領域を除去
し、残存したレジスト膜をマスクにして、SiN 膜（１
９）をエッチング・除去し、第１のｘ方向バーニアパタ
ーン（１４Ａ）に対応する第１のｘ方向バーニア（１９
Ａ，１９Ｂ）を形成する（図６）。次に、第２のレジス
ト膜（２１）をウエハ（１８）上に形成し、ウエハ（１
８）をステッパに載置し、本実施例に係るレチクル（１
０）を用いて第２のレジスト膜（２１）を露光する。
【００２７】このとき、マスキングブレード（１７）に
よって、レチクル（１０）に設けられた第１のｘ方向バ
ーニアパターン（１４Ａ）と第２のｘ方向バーニアパタ
ーン（１５Ａ）との両方に露光されるように、ステッパ
の露光領域を設定する。従って、第２のチップ形成領域
（１８Ｂ）の第１のｘ方向バーニア（１９Ｂ）上に形成
された第２のレジスト膜（２１）は、第２のｘ方向バー
ニアパターン（１５Ａ）によって露光され、そのパター
ンが転写される。
よって、レチクル（１０）に設けられた第１のｘ方向バ
ーニアパターン（１４Ａ）と第２のｘ方向バーニアパタ
ーン（１５Ａ）との両方に露光されるように、ステッパ
の露光領域を設定する。従って、第２のチップ形成領域
（１８Ｂ）の第１のｘ方向バーニア（１９Ｂ）上に形成
された第２のレジスト膜（２１）は、第２のｘ方向バー
ニアパターン（１５Ａ）によって露光され、そのパター
ンが転写される。
【００２８】次いで、ウエハ（１８）を横にスライドさ
せて、レチクル（１０）のＬＳＩ対応領域（１１）の下
部に第２のチップ形成領域（１８Ｂ）を位置合わせして
露光する。その後順次隣接するチップ形成領域を同様に
露光することにより、ウエハ（１８）に複数形成された
全てのチップ形成領域にある第２のレジスト膜（２１）
を露光する。
せて、レチクル（１０）のＬＳＩ対応領域（１１）の下
部に第２のチップ形成領域（１８Ｂ）を位置合わせして
露光する。その後順次隣接するチップ形成領域を同様に
露光することにより、ウエハ（１８）に複数形成された
全てのチップ形成領域にある第２のレジスト膜（２１）
を露光する。
【００２９】その後、ウエハ（１８）をステッパから取
り外し、現像して第２のレジスト膜（２１）の露光領域
を除去し、第２のｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）が
転写され、レジスト膜からなる第２のｘ方向バーニア
（２２）を第１のｘ方向バーニア（１９Ｂ）上に形成す
る（図７，図８）。以上の工程により、全てのチップ形
成領域について、図７，図８に示すような第１，第２の
バーニア（１９Ａ，２２）が形成される。なお、図７は
全く露光パターンにずれがないときの状態を示す上面図
であり、図８は図７のＸ−Ｘ線断面図である。
り外し、現像して第２のレジスト膜（２１）の露光領域
を除去し、第２のｘ方向バーニアパターン（１５Ａ）が
転写され、レジスト膜からなる第２のｘ方向バーニア
（２２）を第１のｘ方向バーニア（１９Ｂ）上に形成す
る（図７，図８）。以上の工程により、全てのチップ形
成領域について、図７，図８に示すような第１，第２の
バーニア（１９Ａ，２２）が形成される。なお、図７は
全く露光パターンにずれがないときの状態を示す上面図
であり、図８は図７のＸ−Ｘ線断面図である。
【００３０】上記の形成方法によって、最初のパターン
と次のパターンにずれが生じた場合には、そのずれ量
（Δ′）は第１のバーニア（１９Ａ）がピッチＰ１で形
成され、第２のバーニア（２２）がピッチＰ２で形成さ
れ、第１のバーニア（１９Ａ）のちょうど中央に形成さ
れた第２のバーニア（２２）が第１の中央バーニア（１
９ａ）から数えてｎ番目にあったとすると、 Δ′＝（Ｐ２−Ｐ１）×ｎ… で求められるので、上式によって従来例と同様に、同
一レチクルを２度露光したときの露光パターンのずれ量
（Δ′）を検出できる。
と次のパターンにずれが生じた場合には、そのずれ量
（Δ′）は第１のバーニア（１９Ａ）がピッチＰ１で形
成され、第２のバーニア（２２）がピッチＰ２で形成さ
れ、第１のバーニア（１９Ａ）のちょうど中央に形成さ
れた第２のバーニア（２２）が第１の中央バーニア（１
９ａ）から数えてｎ番目にあったとすると、 Δ′＝（Ｐ２−Ｐ１）×ｎ… で求められるので、上式によって従来例と同様に、同
一レチクルを２度露光したときの露光パターンのずれ量
（Δ′）を検出できる。
【００３１】以上説明したように、本実施例に係るレチ
クルを用いたバーニアの形成方法によれば、図６に示す
ウエハの露光対象である第１のチップ形成領域（１８
Ａ）上の第２のレジスト膜（２１）にＬＳＩ対応領域
（１２），スクライブライン対応領域（１３）のパター
ンを露光．転写する工程で、同時に第１のチップ形成領
域（１８Ａ）に隣接する第２のチップ形成領域（１８
Ｂ）の、第１のバーニア（１９Ｂ）が形成された領域に
相当する第２のレジスト膜（２１）に第２のバーニアパ
ターン（１５）を露光・転写している。
クルを用いたバーニアの形成方法によれば、図６に示す
ウエハの露光対象である第１のチップ形成領域（１８
Ａ）上の第２のレジスト膜（２１）にＬＳＩ対応領域
（１２），スクライブライン対応領域（１３）のパター
ンを露光．転写する工程で、同時に第１のチップ形成領
域（１８Ａ）に隣接する第２のチップ形成領域（１８
Ｂ）の、第１のバーニア（１９Ｂ）が形成された領域に
相当する第２のレジスト膜（２１）に第２のバーニアパ
ターン（１５）を露光・転写している。
【００３２】このため、露光対象のチップ形成領域に隣
接するチップ形成領域に第２のバーニアパターン（１
５）を転写し、ウエハ（１８）を順次スライドさせるこ
とで、全ての露光対象のチップ形成領域において、異な
るパターンを有する第１，第２のバーニアパターン（１
４，１５）を同一箇所に転写することができる。従っ
て、この転写パターンに基づいて第１，第２のバーニア
（１９Ａ，２２）を形成することができるので、これら
第１，第２のバーニア（１９Ａ，２２）を読むことによ
り、１つのレチクルを用いて同一パターンを２度露光す
るような場合に、従来検出できなかった１回目の露光の
パターンと、２回目の露光のパターンとのずれ量を検出
することが可能になる。
接するチップ形成領域に第２のバーニアパターン（１
５）を転写し、ウエハ（１８）を順次スライドさせるこ
とで、全ての露光対象のチップ形成領域において、異な
るパターンを有する第１，第２のバーニアパターン（１
４，１５）を同一箇所に転写することができる。従っ
て、この転写パターンに基づいて第１，第２のバーニア
（１９Ａ，２２）を形成することができるので、これら
第１，第２のバーニア（１９Ａ，２２）を読むことによ
り、１つのレチクルを用いて同一パターンを２度露光す
るような場合に、従来検出できなかった１回目の露光の
パターンと、２回目の露光のパターンとのずれ量を検出
することが可能になる。
【００３３】なお、本実施例においては、SiN 膜をバー
ニア形成層（１９）として用いているが、本発明の構成
はこれに限らず、また、各バーニアのピッチ（Ｐ１，Ｐ
２）の長さや、その形状もこれに限らず、バーニアとし
て用いられるものならどのような形状のものでも、同様
の効果を奏する。
ニア形成層（１９）として用いているが、本発明の構成
はこれに限らず、また、各バーニアのピッチ（Ｐ１，Ｐ
２）の長さや、その形状もこれに限らず、バーニアとし
て用いられるものならどのような形状のものでも、同様
の効果を奏する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るレチ
クルによれば、スクライブライン対応領域（１３）上の
所定の位置に第１のバーニアパターン（１４）が形成さ
れ、かつステップ露光する際に重なる位置に、第２のバ
ーニアパターン（１５）が形成されているので、第１の
バーニアパターン（１４）を転写するための露光工程
で、露光対象のチップ形成領域に隣接するチップ形成領
域のスクライブラインに、同時に第２のバーニアパター
ン（１５）を転写するための露光をすることが可能にな
る。
クルによれば、スクライブライン対応領域（１３）上の
所定の位置に第１のバーニアパターン（１４）が形成さ
れ、かつステップ露光する際に重なる位置に、第２のバ
ーニアパターン（１５）が形成されているので、第１の
バーニアパターン（１４）を転写するための露光工程
で、露光対象のチップ形成領域に隣接するチップ形成領
域のスクライブラインに、同時に第２のバーニアパター
ン（１５）を転写するための露光をすることが可能にな
る。
【００３５】また、本発明に係る位置合わせ用バーニア
の形成方法によれば、ウエハ（１８）上に第１のバーニ
ア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成し、その上に第２のレジス
ト膜（２１）を形成したのちに、本発明に係るレチクル
のＬＳＩ対応領域（１２），スクライブライン対応領域
（１３）及び第２のバーニアパターン（１５）に光を選
択的に照射して第２のレジスト膜（２１）を露光してい
る。
の形成方法によれば、ウエハ（１８）上に第１のバーニ
ア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成し、その上に第２のレジス
ト膜（２１）を形成したのちに、本発明に係るレチクル
のＬＳＩ対応領域（１２），スクライブライン対応領域
（１３）及び第２のバーニアパターン（１５）に光を選
択的に照射して第２のレジスト膜（２１）を露光してい
る。
【００３６】このため、同一のレチクルを用いて２度重
ね露光をするような場合に、同一箇所に異なるパターン
を有する第１，第２のバーニア（１９Ａ，２２）を形成
することができ、これらのバーニア（１９Ａ，２２）を
読むことにより、２度の露光における露光パターンのず
れ量を検出することが可能になる。
ね露光をするような場合に、同一箇所に異なるパターン
を有する第１，第２のバーニア（１９Ａ，２２）を形成
することができ、これらのバーニア（１９Ａ，２２）を
読むことにより、２度の露光における露光パターンのず
れ量を検出することが可能になる。
【図１】本発明の実施例に係るレチクルを説明する上面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例に係る第１のバーニアパターン
の形状を説明する上面図である。
の形状を説明する上面図である。
【図３】本発明の実施例に係る第２のバーニアパターン
の形状を説明する上面図である。
の形状を説明する上面図である。
【図４】本発明の実施例に係る位置合わせ用バーニアの
形成方法を説明する第１の断面図である。
形成方法を説明する第１の断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る位置合わせ用バーニアの
形成方法を説明する第２の断面図である。
形成方法を説明する第２の断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る位置合わせ用バーニアの
形成方法を説明する第３の断面図である。
形成方法を説明する第３の断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る位置合わせ用バーニアを
説明する上面図である。
説明する上面図である。
【図８】本発明の実施例に係る位置合わせ用バーニアを
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図９】従来例に係る第１のレチクルを説明する上面図
である。
である。
【図１０】従来例に係る第２のレチクルを説明する上面
図である。
図である。
【図１１】従来例に係る第１のバーニアパターンの形状
を説明する上面図である。
を説明する上面図である。
【図１２】従来例に係る第１のバーニアパターンの形状
を説明する上面図である。
を説明する上面図である。
【図１３】従来例に係る位置合わせ用バーニアを説明す
る第１の上面図である。
る第１の上面図である。
【図１４】従来例に係る位置合わせ用バーニアを説明す
る第１の断面図である。
る第１の断面図である。
【図１５】従来例に係る位置合わせ用バーニアを説明す
る第２の上面図である。
る第２の上面図である。
【図１６】従来例に係る位置合わせ用バーニアを説明す
る第２の断面図である。
る第２の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｌ
Claims (2)
- 【請求項１】 遮光領域（１１）と、ＬＳＩの形成に係
る所定のパターンが形成されたＬＳＩ対応領域（１２）
と、スクライブラインに対応するスクライブライン対応
領域（１３）とが形成されてなり、複数のチップ形成領
域を有するウエハを露光するレチクルであって、 前記スクライブライン対応領域（１３）上の所定の位置
に第１のバーニアパターン（１４）が形成され、かつス
テップ露光する際に重なる位置に、第２のバーニアパタ
ーン（１５）が形成されてなることを特徴とするレチク
ル。 - 【請求項２】 遮光領域（１１）と、ＬＳＩの形成に係
る所定のパターンが形成されたＬＳＩ対応領域（１２）
と、スクライブラインに対応するスクライブライン対応
領域（１３）とが形成されてなり、複数のチップ形成領
域を有するウエハを露光するレチクルであって、前記ス
クライブライン対応領域（１３）上の所定の位置に第１
のバーニアパターン（１４）が形成され、かつステップ
露光する際に重なる位置に、第２のバーニアパターン
（１５）が形成されてなる本発明に係るレチクルを用い
て露光し、複数のチップ形成領域を有するウエハ（１
８）上に位置合わせ用のバーニアを形成する方法であっ
て、 ウエハ（１８）上にバーニア形成層（１９），第１のレ
ジスト膜（２０）を順次形成したのちに、前記ＬＳＩ対
応領域（１２）及び前記スクライブライン対応領域（１
３）に光を選択的に照射して前記第１のレジスト膜（２
０）を露光する工程と、 該第１のレジスト膜（２０）を現像し、露光領域が除去
された前記第１のレジスト膜（２０）をマスクにして前
記バーニア形成層（１９）をエッチングして第１のバー
ニア（１９Ａ，１９Ｂ）を形成する工程と、 前記第１のバーニア（１９Ａ，１９Ｂ）上に第２のレジ
スト膜（２１）を形成したのちに、前記ＬＳＩ対応領域
（１２），前記スクライブライン対応領域（１３）及び
前記第２のバーニアパターン（１５）に光を選択的に照
射して第２のレジスト膜（２１）を露光する工程と、 該第２のレジスト膜（２１）を現像してその露光領域を
除去して、該第２のレジスト膜（２１）からなる第２の
バーニア（２２）を形成する工程とを有することを特徴
とする位置合わせ用バーニアの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21644093A JPH0766113A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21644093A JPH0766113A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766113A true JPH0766113A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16688578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21644093A Pending JPH0766113A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766113A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018029A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | V Technology Co., Ltd. | 露光装置及び被露光体 |
| US7534637B2 (en) | 2003-10-30 | 2009-05-19 | Asml Holding N.V. | Tunable alignment geometry |
| JP2013178535A (ja) * | 2006-02-16 | 2013-09-09 | Nikon Corp | マスク及びマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21644093A patent/JPH0766113A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534637B2 (en) | 2003-10-30 | 2009-05-19 | Asml Holding N.V. | Tunable alignment geometry |
| US7838310B2 (en) | 2003-10-30 | 2010-11-23 | Asml Holding N.V. | Tunable alignment geometry |
| WO2007018029A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | V Technology Co., Ltd. | 露光装置及び被露光体 |
| KR101308691B1 (ko) * | 2005-08-05 | 2013-09-13 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치 및 피노광체 |
| JP2013178535A (ja) * | 2006-02-16 | 2013-09-09 | Nikon Corp | マスク及びマスクの製造方法 |
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