JPH0753701A - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 末端基の少なくとも１つが、一般式（１）で
表される基である芳香族ポリカーボネート。 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ はアリール基を表し、Ｘ
₁ およびＸ₂ は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表す） 【効果】 耐熱加水分解性に優れた芳香族ポリカーボネ
ートを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
トに関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の
基を有する芳香族ポリカーボネートに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、
透明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエ
ンジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気製品等の部品として幅広く用いられている。通
常、芳香族ポリカーボネートを製造する際には、製造さ
れる芳香族ポリカーボネートの分子量を調節する目的
で、末端封止剤（分子量調節剤、連鎖停止剤とも呼ばれ
ている）を添加し重合がなされている（例えば、米国特
許第３０２８３６５号）。その中でも、末端封止剤とし
て、フェノールまたはｐ−tert−ブチルフェノールが一
般的に広く使用されている。しかし、フェノールまたは
ｐ−tert−ブチルフェノールを末端封止剤として製造さ
れる芳香族ポリカーボネートは、耐候性（例えば、耐熱
加水分解性）に難点がある。

【０００３】また、例えば、Ｃ_mＨ_2m+1Ｏ−基（ｍは３
〜１０の整数を表す）をパラ位に有するフェノール誘導
体を末端封止剤として使用し、芳香族ポリカーボネート
を製造する方法が提案されている（特開昭６３−２５８
９２２号公報）。しかし、例えば、ｐ−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを使用して製造される芳香族ポリカーボ
ネートは、耐候性（例えば、耐熱加水分解性）に難点が
ある。現在では、耐候性（例えば、耐熱加水分解性）に
優れた芳香族ポリカーボネートが要望されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
技術の問題点を改善し、耐熱加水分解性に優れた芳香族
ポリカーボネートを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し、鋭意検討した結果、本発明に到
達した。すなわち、本発明は、末端基の少なくとも１つ
が、一般式（１）（化２）で表される基である芳香族ポ
リカーボネートに関するものである。

【０００６】

【化２】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ はアリール基を表し、Ｘ
₁ およびＸ₂ は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表す）

【０００７】本発明に係る一般式（１）で表される基に
おいて、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ はアリール基を表し、該
アリール基は、さらに炭素数１〜８のアルキル基、炭素
数１〜８のアルコキシ基またはハロゲン原子で単置換あ
るいは多置換されていてもよい。より好ましくは、総炭
素数６〜１２のアリール基である。Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ
₃ の具体例としては、例えば、フェニル基、２−メチル
フェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニ
ル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、
４−イソプロピルフェニル基、４−tert−ブチルフェニ
ル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘプチル
フェニル基、４−tert−オクチルフェニル基、２，４−
ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、４
−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−
エトキシフェニル基、３−イソプロポキシフェニル基、
４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシ
フェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、３，
４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニ
ル基、４−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル
基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４
−ブロモフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２
−クロロ−４−メチルフェニル基、４−クロロ−２−メ
チルフェニル基、２−ナフチル基、１−ナフチル基を挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。

【０００８】一般式（１）で表される基において、Ｘ₁
およびＸ₂ は水素原子、アルキル基、アルコキシ基また
はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、炭素数
１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、フ
ッソ原子、塩素原子、臭素原子を表す。本発明の末端基
の少なくとも１つが、一般式（１）で表される基である
芳香族ポリカーボネートを製造する際に使用する好適な
化合物としては、一般式（１−Ａ）（化３）で表される
化合物を挙げることができる。

【０００９】

【化３】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｘ₁ およびＸ₂ は前記と同
じ意味を表し、Ｙは−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ基
を表し、Ｍは金属イオン、Ｚはハロゲン原子を表す）

【００１０】本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される
化合物において、Ｙは−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ
基を表し、Ｍは金属イオンを表し、Ｚはハロゲン原子を
表す。Ｍとしては、好ましくは、１価または２価のアル
カリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンであり、
リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、
カルシウムイオン等を具体例として挙げることができ、
Ｚとしては、好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子を挙げることができ、より好ましくは、塩素原子で
ある。尚、一般式（１−Ａ）で表される化合物は、公知
の方法により製造することができる。例えば、一般式
（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＨ基で表される化合物
は、例えば、J. Org. Chem., 58, 3748 (1993)に記載の
方法により製造することができる。すなわち、トリフェ
ニルメタノール誘導体に、酸触媒存在下で、フェノール
誘導体を作用させることにより製造することができる。

【００１１】また、一般式（１−Ａ）において、Ｙが−
ＯＣＯＺ基で表される化合物において、例えば、Ｚが塩
素原子である化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、
例えば、ホスゲンを作用させて製造することができる。
また、一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＭ基で表さ
れる化合物は、Ｙが、−ＯＨ基である化合物に、例え
ば、水溶液中、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化カルシウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土
類塩基を作用させて製造することができる。本発明の末
端基の少なくとも１つが、一般式（１）で表される基で
ある芳香族ポリカーボネートにおいて、一般式（１）で
表される基としては、代表的には以下に示す基を挙げる
ことができるが、勿論、本発明はこれらに限定されるも
のではない。

【００１２】例示番号 １． ４−（トリフェニルメチル）フェニル基 ２． ４−（トリフェニルメチル）−２−メチルフェニ
ル基 ３． ４−（トリフェニルメチル）−２，６−ジメチル
フェニル基 ４． ４−（トリフェニルメチル）−２−クロロフェニ
ル基 ５． ４−〔（４’−メチルフェニル）ビスフェニルメ
チル〕フェニル基 ６． ４−〔フェニルビス（4'−tert−ブチルフェニ
ル）メチル〕フェニル基 ７． ４−〔フェニルビス（４’−tert−ブチルフェニ
ル）メチル〕−２−メトキシフェニル基 ８． ４−〔（４”−メトキシフェニル）ビス（４’−
tert−ブチルフェニル）メチル〕フェニル基 ９． ４−〔（４”−クロロフェニル）ビス（４’−te
rt−ブチルフェニル）メチル〕フェニル基 １０． ４−〔トリス（４’−tert−ブチルフェニル）
メチル〕フェニル基 １１． ４−〔トリス（４’−tert−ブチルフェニル）
メチル〕−２−クロロフェニル基 １２． ４−〔トリス（４’−tert−オクチルフェニ
ル）メチル〕フェニル基 １３． ４−〔トリス（４’−メトキシフェニル）メチ
ル〕フェニル基 １４． ４−〔トリス（4'−ｎ−ヘキシルオキシフェニ
ル）メチル〕フェニル基 １５． ４−〔トリス（４’−クロロフェニル）メチ
ル〕フェニル基

【００１３】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物から製造することができる。その製造方法と
しては、例えば、"Encyclopedia of Polymer Science a
nd Tech-nology" vol.10, Polycarbonate, Interscien
ce Publishing, p.710-764(1969)、H.Schnell, "Chemis
try and Physics of Polycarbonate", Interscience Pu
b-lishing, p.33-41(1964)に記載されている方法、例え
ば、界面重合法、溶液重合法またはエステル交換法を利
用することができ、特に、界面重合法は好ましい製造方
法である。

【００１４】本発明の新規な末端基を有する芳香族ポリ
カーボネートを製造する際に、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物は末端封止剤として作用し、本発明の芳香族
ポリカーボネートの製造工程において、芳香族ポリカー
ボネートの分子量を制御又は調整するのに役立つ。これ
らの末端封止剤と、芳香族ジヒドロキシ化合物とは、カ
ーボネート前駆体の作用により、カーボネート結合を形
成し、本発明の一般式（１）で表される末端基を有する
芳香族ポリカーボネートを生成する。一般式（１−Ａ）
で表される末端封止剤は、一般に、芳香族ジヒドロキシ
化合物とカーボネート前駆体との反応において、最初
に、すなわち、カーボネート前駆体の添加に先立って、
芳香族ジヒドロキシ化合物と共に存在させてもよく、ま
たは、カーボネート前駆体の添加に伴い、逐次連続的に
供給することもできる。

【００１５】本発明の芳香族ポリカーボネートの製造に
際して、一般式（１−Ａ）で表される化合物は、単独あ
るいは複数併用することができる。更に、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、本発明の所望の効果を損なわ
ない範囲で、他の公知の末端封止剤と組み合わせて使用
することも可能である。他の公知の末端封止剤を併用す
る場合、全末端封止剤中、一般式（１−Ａ）で表される
化合物の割合は、３０モル％以上であることが好まし
く、６０モル％以上であることがより好ましい。一般式
（１−Ａ）で表される化合物以外の末端封止剤として
は、例えば、１価のヒドロキシ芳香族化合物、１価のヒ
ドロキシ芳香族化合物のハロホーメート誘導体、１価の
カルボキシル基を有する化合物および１価のカルボニル
ハライド誘導体等である。

【００１６】１価のヒドロキシ芳香族化合物としては、
例えば、フェノール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェ
ノール、ｐ−エチルフェノール、ｐ−イソプロピルフェ
ノール、ｐ−tert−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェ
ノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｐ−ｎ−オク
チルフェノール、ｐ−イソオクチルフェノール、ｐ−ｎ
−ノニルフェノール、２，４−キシレノール、ｐ−メト
キシフェノール、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシフェノール、
ｐ−ｎ−デシルオキシフェノール、ｏ−クロロフェノー
ル、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｐ
−ブロモフェノール、ペンタブロモフェノール、ペンタ
クロロフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−イソ
プロペニルフェノール、２，４−ジ（１−メチル−１−
フェニルエチル）フェノール、β−ナフトール、α−ナ
フトール、ｐ−（2'，4'，4'−トリメチルクロマニル）
フェノール、２−（4'−メトキシフェニル）−２−（4"
−ヒドロキシフェニル）プロパン等のフェノール類であ
る。１価のヒドロキシ芳香族化合物のハロホーメート誘
導体としては、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物の
ハロホーメート誘導体等である。

【００１７】１価のカルボキシル基を有する化合物とし
ては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カ
プロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、２，２−ジメチル
プロピオン酸、３−メチル酪酸、３，３−ジメチル酪
酸、４−メチル吉草酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−
メチルカプロン酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，５−
ジメチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類、安
息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−tert−ブチル安息香
酸、ｐ−ｎ−プロピルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−ブトキ
シ安息香酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ
−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ
−ベンジル安息香酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸
類である。１価のカルボニルハライド誘導体としては、
上記の１価のカルボキシル基を有する化合物のハライド
誘導体等である。尚、上述の１価のヒドロキシ芳香族化
合物または１価のカルボキシル基を有する化合物のアル
カリ金属（例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム）
塩、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム）塩も末端
封止剤として使用できる。

【００１８】末端封止剤の使用量は、目的とする芳香族
ポリカーボネートの平均分子量に応じて変化させること
ができる。本発明においては、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物を単独または複数、あるいは他の公知の末端
封止剤と併用して使用するが、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物と他の公知の末端封止剤と併用する場合に
は、それらの化合物の合計のモル数を末端封止剤の使用
量とする。末端封止剤の使用量と芳香族ポリカーボネー
ト平均分子量の関係は、一般に、末端封止剤の使用量の
増加に伴い芳香族ポリカーボネートの平均分子量が低下
し、末端封止剤の使用量の減少に伴い平均分子量が増大
する傾向がある。本発明の芳香族ポリカーボネートは、
末端封止剤の使用量により任意の分子量をとることがで
きるが、製造される芳香族ポリカーボネートの成形加工
性、耐熱性、機械的強度等の物性を考慮すると、約１５
０００〜約１５００００の重量平均分子量であることが
好ましく、約２００００〜約１０００００の重量平均分
子量であることがより好ましい。上記の範囲の重量平均
分子量の芳香族ポリカーボネートを製造するために必要
な末端封止剤の使用量は、使用する芳香族ジヒドロキシ
化合物の量に対して、約１〜約１０モル％であるのが好
ましく、さらには、約１．５〜約７モル％使用するのが
より好ましい。

【００１９】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、一
般式（２）または一般式（３）で表される化合物を挙げ
ることができる。 ＨＯ−Ａr₁−Ｘ−Ａr₂−ＯＨ （２） ＨＯ−Ａr₃−ＯＨ （３） （式中、Ａr₁、Ａr₂およびＡr₃は２価の芳香族基を表
し、ＸはＡr₁とＡr₂を結び付ける連結基を表す）一般式
（２）および一般式（３）において、Ａr₁、Ａr₂および
Ａr₃は、各々２価の芳香族基を表し、好ましくは、フェ
ニレン基、もしくは置換基を有する置換フェニレン基で
ある。置換フェニレン基の置換基としては、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。

【００２０】Ａr₁とＡr₂は、両方ともが置換基を有して
いてもよいｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基または
ｏ−フェニレン基、あるいは、一方がｐ−フェニレン基
であり、他方がｍ−フェニレン基またはｏ−フェニレン
基であるのが好ましく、Ａr₁とＡr₂の両方が共にｐ−フ
ェニレン基であるのが特に好ましい。Ａr₃は、置換基を
有していてもよいｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基
またはｏ−フェニレン基であり、好ましくは、ｐ−フェ
ニレン基またはｍ−フェニレン基である。Ｘは、Ａr₁と
Ａr₂を結び付ける連結基であり、単結合もしくは２価の
炭化水素基、更には−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂ −、−ＣＯ−等の炭素と水素以外の原子を含む基であ
っても良い。２価の炭化水素基とは、飽和の炭化水素
基、例えば、メチレン、エチレン、２，２−プロピリデ
ン、シクロヘキシリデン等のアルキリデン基があげられ
るが、アリール基等で置換された基も包含され、また、
芳香族基やその他の不飽和の炭化水素基を含有する炭化
水素基であってもよい。

【００２１】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−ナフチルメタン、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）プロパン〔”
ビスフェノールＡ”〕、１，３−ビス（4'−ヒドロキシ
フェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２−（4'−ヒ
ドロキシフェニル）−２−（3'−ヒドロキシフェニル）
プロパン、１，１−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ブ
タン、２，２−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、１，１−ビス（4'−ヒドロキシフェニル）−３−メ
チルブタン、

【００２２】２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサン、４，４−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（3'−メ
チル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（3'−エチル−4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３’−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−イソプロピ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３’−sec −ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３’−tert−ブチル−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−
シクロヘキシル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’−アリル−４’−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−メトキシ−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル)
プロパン、２，２−ビス（２’，３’，５’，６’−テ
トラメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３’−クロロ−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジクロロ−
４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−ブロモ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジブロモ−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２’，６’
−ジブロモ−３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
シアノメタン、１−シアノ−３，３−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等のビス（ヒド
ロキシアリール）アルカン類、

【００２３】１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（4'−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’−メチル
−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’，５’−ジ
クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−メチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス (４’−ヒドロキシフ
ェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘプ
タン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シク
ロオクタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロノナン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）シクロドデカン、２，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ノルボルナン、８，８−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）トリシクロ〔５．２．１．０^2.6 〕
デカン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ア
ダマンタン等のビス（ヒドロキシアリール）シクロアル
カン類、

【００２４】４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリー
ル）エーテル類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルスルフィド、３，３’−ジシクロヘキシル
−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルフィド類、４，4'−ジヒドロキ
シジフェニルスルホキシド、３，3'−ジメチル−４，4'
−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド等のビス（ヒド
ロキシアリール）スルホキシド類、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジ
フェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホ
ン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリール）スルホ
ン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）ケトン類、

【００２５】更には、６，6'−ジヒドロキシ−２，2'，
３，3'−テトラヒドロ−３，３，3'，3'−テトラメチル
−１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデン）〔”スピロビ
インダンビスフェノール”〕、７，７−ジヒドロキシ−
３，３’，４，４’−テトラヒドロ−４，４，４’，
４’−テトラメチル−２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−
ベンゾピラン）〔”スピロビクロマン”〕、トランス−
２，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ブテ
ン、９，９−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）フルオ
レン、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２
−ブタノン、１，６−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−１，６−ヘキサンジオン、１，１−ジクロロ−
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エチレン、
１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）エチレン、１，１−ジクロロ−2,２−ビス
（３’−フェノキシ−４’−ヒドロキシフェニル）エチ
レン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，
α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、３，３−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フタリド、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、１，４−ジヒドロキシナフタレ
ン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒド
ロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、
ハイドロキノン、レゾルシン等が挙げられる。更には、
例えば、ビスフェノールＡ２モルとイソフタロイルクロ
ライド又はテレフタロイルクロライド１モルとを反応さ
せることにより製造されるエステル結合を含むビスフェ
ノール類も有用である。これらは単独あるいは複数併用
してもよい。特に好ましい芳香族ジヒドロキシ化合物
は、ビスフェノールＡである。

【００２６】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル化合物、ハロホーメート化合物、ジアルキル
カーボネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、
アルキルアリールカーボネート化合物を挙げることがで
き、好ましくは、ハロゲン化カルボニル化合物およびハ
ロホーメート化合物である。ハロゲン化カルボニル化合
物としては、通常、ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニ
ル、臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化カルボ
ニルおよびそれらの混合物が挙げられる。さらには、ホ
スゲンの二量体であるトリクロロメチルクロロホーメー
ト、ホスゲンの三量体であるビス（トリクロロメチル）
カーボネートも使用することができる。ハロホーメート
化合物としては、モノまたはビスハロホーメート化合
物、オリゴマー状のモノまたはビスハロホーメート化合
物が用いられ、代表的には一般式（４）で表される化合
物を挙げることができる。

【００２７】 Ｚ’−（Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ））_n −Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｚ’ （４） （式中、Ｚ’は水素原子またはハロカルボニル基を表
し、少なくとも１個のＺ’はハロカルボニル基であり、
Ｒ’は２価の脂肪族基または芳香族基を表し、ｎは０ま
たは正の整数を表す）一般式（４）で表される化合物
は、脂肪族ジヒドロキシ化合物から誘導されるモノまた
はビスハロホーメート化合物、芳香族ジヒドロキシ化合
物から誘導されるモノまたはビスハロホーメート化合
物、およびこれらの化合物のオリゴマー状のモノまたは
ビスハロホーメート化合物である。尚、オリゴマー状の
モノまたはビスハロホーメート化合物の場合には、同一
分子中に構造の異なるＲ’基を有していてもよい。これ
らのハロホーメート化合物は、単独あるいは複数併用し
てもよく、さらにはハロゲン化カルボニル化合物と併用
することも可能である。一般式（４）において、Ｒ’は
脂肪族ジヒドロキシ化合物または芳香族ジヒドロキシ化
合物から誘導される２価の基である。

【００２８】脂肪族ジヒドロキシ化合物としては、ジヒ
ドロキシアルカン、ジヒドロキシシクロアルカン、一般
式（５）で表される化合物が挙げられる。 ＨＯ−Ｒ”−Ａｒ₄ −Ｒ”−ＯＨ （５） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ₄ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す）脂肪族
ジヒドロキシ化合物としては、好ましくは、炭素数２〜
２０のジヒドロキシアルカン、炭素数４〜１２のジヒド
ロキシシクロアルカン、一般式（５）で表されるジヒド
ロキシ化合物を挙げることができる。

【００２９】脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、
１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、
３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，７−ヘ
プタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−
ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１
−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、
ネオペンチルグリコール、２−エチル−１，６−ヘキサ
ンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール等
のジヒドロキシアルカン、１，３−ジヒドロキシシクロ
ヘキサン、１，４−ジヒドロキシシクロヘキサン、２，
２−ビス（４’−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン
等のジヒドロキシシクロアルカン、１，２−ビス（ヒド
ロキシメチル）ベンゼン、１，３−ビス（ヒドロキシメ
チル）ベンゼン、１，４−ビス（ヒドロキシメチル）ベ
ンゼン、１，４−ビス（２’−ヒドロキシエチル）ベン
ゼン、１，４−ビス（３’−ヒドロキシプロピル）ベン
ゼン、１，４−ビス（４’−ヒドロキシブチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（5'−ヒドロキシペンチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（６’−ヒドロキシヘキシル）ベンゼ
ン等のジヒドロキシ化合物を挙げることができる。

【００３０】また、芳香族ジヒドロキシ化合物として
は、前述した一般式（２）または一般式（３）で表され
る芳香族ジヒドロキシ化合物、例えば、ビスフェノール
Ａ、ハイドロキノン等を挙げることができる。ジアルキ
ルカーボネート化合物、ジアリールカーボネート化合
物、アルキルアリールカーボネート化合物としては、ジ
メチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、メチル
フェニルカーボネート化合物、ハロゲン原子、ニトロ基
等で置換されたジフェニルカーボネート等が挙げられ
る。これらは単独あるいは複数併用してもよい。界面重
合法により本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する
場合、カーボネート前駆体としては、ハロゲン化カルボ
ニル化合物または／およびハロホーメート化合物が好ま
しく使用される。カーボネート前駆体は、気体、液体、
固体のいずれの状態で使用してもよい。ハロゲン化カル
ボニル化合物を使用する場合には、気体状態あるいは有
機溶媒に溶解させて有機溶媒溶液として使用することが
好ましく、ハロホーメート化合物を使用する場合には、
固体状態あるいは有機溶媒に溶解させて有機溶媒溶液と
して使用することが好ましい。

【００３１】本発明の芳香族ポリカーボネートを、界面
重合法により製造する場合には、公知の方法を用いるこ
とができる。すなわち、例えば、少なくとも１種の芳香
族ジヒドロキシ化合物とアルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属塩基、水および水と実質的に不溶性の有機溶媒
の２相混合溶媒中で、ハロゲン化カルボニル化合物また
は／およびハロホーメート化合物を一般式（１−Ａ）で
表される化合物の存在下で作用させて、芳香族ポリカー
ボネートを製造する方法であり、より好ましくは、ポリ
カーボネート生成触媒の存在下で製造する方法である。
本発明の芳香族ポリカーボネートを、界面重合法により
製造するに際し、カーボネート前駆体として、例えば、
ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場合、その使用
量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対し、約１．０
〜約１．３倍モル使用するのが好ましい。

【００３２】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ反応に対して不活性であり、芳香族ポリカー
ボネートを溶解するものであれば、任意に使用可能であ
る。好ましい有機溶媒としては、例えば、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，２−
ジクロロエチレン、トリクロロエタン、テトラクロロエ
タン、ジクロロプロパン等の脂肪族塩素化炭化水素系溶
媒、あるいは、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の
芳香族塩素化炭化水素系溶媒等の塩素化炭化水素系溶媒
またはこれらの混合溶媒が挙げられる。さらには、これ
らの塩素化炭化水素系溶媒と、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、あるいはヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系
溶媒との混合溶媒が挙げられる。特に好ましい有機溶媒
はジクロロメタンである。有機溶媒の使用量は、通常、
重合終了時の芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶
媒溶液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が約５〜約３
５重量％になるように有機溶媒を使用するのが好まし
い。

【００３３】また、反応に使用する有機溶媒と水の使用
量は、反応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持する
に必要な量であれば良く、通常、水相対有機相の容量比
は、約０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。本発
明の芳香族ポリカーボネートを製造する際に使用するア
ルカリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基（以下、塩基
と略記する）としては、例えば、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化カルシウムを挙げることができ
る。塩基は、通常、水溶液の状態で用いられ、更にこの
水溶液に芳香族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に
使用することが好ましい。この場合、酸化防止剤とし
て、亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサルファイト
あるいはソジウムボロハイドライド等の還元剤を添加し
て、芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶液を調製し
てもよい。

【００３４】界面重合法において、所望により使用する
ポリカーボネート生成触媒（重合触媒とも呼ばれてい
る）としては、３級アミン、４級アンモニウム塩、３級
ホスフィン、４級ホスホニウム塩、あるいは含窒素複素
環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミ
ド基を有する化合物等が挙げられる。好ましくは、３級
アミンであり、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−
プロピルアミン、ジエチル−ｎ−プロピルアミン、トリ
−ｎ−ブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−
エチルピペリジン等が挙げられる。これらのポリカーボ
ネート生成触媒は、単独あるいは複数併用することがで
きる。ポリカーボネート生成触媒の使用量は、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物のモル数に対して、約０．０００５〜
約１．５モル％が好ましい。ポリカーボネート生成触媒
の添加時期は、本発明の芳香族ポリカーボネートを製造
する際、反応前あるいは反応中に加えることができる。
界面重合法においては、反応温度は、約１０℃〜反応に
使用する有機溶媒の沸点温度で本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造することが好ましい。反応は、通常、大
気圧下で実施するが、所望により、加圧下または減圧下
で実施してもよい。

【００３５】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、公知の溶液重合法を利用することもで
きる。例えば、ピリジン溶液中で、芳香族ジヒドロキシ
化合物、ハロゲン化カルボニル化合物または／およびハ
ロホーメート化合物および一般式（１−Ａ）で表される
化合物を、約０〜約５０℃で作用させて製造することが
できる。カーボネート前駆体として、ジアルキルカーボ
ネート化合物、アルキルアリールカーボネート化合物ま
たは／およびジアリールカーボネート化合物を用いて、
本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する場合には、
ジアルキルカーボネート化合物、アルキルアリールカー
ボネート化合物または／およびジアリールカーボネート
化合物、芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（１−Ａ）
で表される化合物との混合物を、約６０〜約３００℃の
温度で、常圧下、加圧下または減圧下で、必要に応じ
て、エステル交換触媒（例えば、金属酸化物、金属水酸
化物、金属炭酸塩等）の存在下で、公知のエステル交換
法により製造することができる。

【００３６】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、製造時に分岐化剤を添加することにより、
分岐化された芳香族ポリカーボネートとすることができ
る。分岐化剤としては、３つ以上のフェノール性ヒドロ
キシル基、ハロホーメート基、カルボキシル基、カルボ
ニルハライド基、活性なハロゲン原子を有する化合物が
挙げられる。分岐化剤の具体例としては、フロログルシ
ノール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、４，６−ジメ
チル−２，４，６−トリス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキシ
フェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４’−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’−トリス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソ
プロピルベンゼン、２，４−ビス〔α−メチル−α−
（4'−ヒドロキシフェニル）エチル〕フェノール、２−
（４’−ヒドロキシフェニル）−２−（２”，４”−ジ
ヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）ホスフィン、１，１，４，４−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２
−ビス〔４’，４’−ビス（４”−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキシル〕プロパン、

【００３７】α，α，α’，α’−テトラキス（４’−
ヒドロキシフェニル）−１，４−ジエチルベンゼン、
２，２，５，５−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（４’，
４”−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、
３，３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエー
テル、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ビス
（クロロカルボニルオキシ）安息香酸、４−ヒドロキシ
イソフタル酸、４−クロロカルボニルオキシイソフタル
酸、５−ヒドロキシフタル酸、５−クロロカルボニルオ
キシフタル酸、トリメシン酸トリクロライド、シアヌル
酸クロライド、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール、３，
３−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−メチルフェニル）
−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール等を挙げる
ことができる。これらの分岐化剤は単独あるいは複数併
用することができる。分岐化剤の使用量は、目的とする
分岐化した芳香族ポリカーボネートの分岐度にあわせて
変化させることができ、通常、芳香族ジヒドロキシ化合
物に対して０．０５〜２．０モル％程度用いるのが好ま
しい。

【００３８】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（２）または一般式（３）で表される
化合物〕、カーボネート前駆体（例えば、ホスゲン）、
芳香族または脂肪族の２価のカルボン酸または該化合物
のハライド誘導体（例えば、米国特許第３１６９１２１
号に記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸
ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド、アジピン
酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸）および一般式（１−Ａ）で表される化合物を用い、
公知の方法（例えば、米国特許第３１６９１２１号、米
国特許４１５６０６９号、英国特許８９７６４０号に記
載の方法）により芳香族ポリエステルカーボネートを製
造することができる。この際、芳香族または脂肪族の２
価のカルボン酸またはカルボン酸ハライドの使用量は、
芳香族ジヒドロキシ化合物に対し、３０〜８０モル％程
度用いるのが好ましい。

【００３９】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常、該
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層
と分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くな
るまで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法によ
り有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネー
トを得ることができる。また、エステル交換法により製
造する場合、製造条件下で溶融した芳香族ポリカーボネ
ートを、直接ペレット化あるいは成形物へと加工するこ
とも可能である。

【００４０】本発明の芳香族ポリカーボネートは、他の
芳香族ポリカーボネート、あるいは他のポリマーと混合
して成形材料として使用することが可能である。他のポ
リマーとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ
トリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリブチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
アミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
イミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、パラオ
キシベンゾイル系ポリエステル、ポリアリレート、ポリ
スルフィド等が挙げられる。

【００４１】また、本発明の芳香族ポリカーボネートに
は、芳香族ポリカーボネートの製造時または製造後に、
公知の方法で、染料、顔料、熱安定剤、酸化防止剤、加
水分解安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、有機ハロゲン化
合物、アルカリ金属スルホン酸塩、ガラス繊維、炭素繊
維、ガラスビーズ、硫酸バリウム、ＴｉＯ₂ 等の各種添
加剤を１種以上添加しても良い。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネートは、単独
もしくは他のポリマーと混合して、所望により、各種添
加剤を添加し、電気機器等のシャーシーやハウジング
材、電子部品、自動車部品、コンパクトディスク等の情
報記録媒体の基板、カメラや眼鏡のレンズ等の光学材
料、ガラス代替の建材等に成形加工することができる。
本発明の芳香族ポリカーボネートは、熱可塑性であり、
射出成形、押し出し成形、ブロー成形、フィラー等への
含浸等が可能であり、公知の方法により容易に成形加工
することができる。また、本発明の芳香族ポリカーボネ
ートは、特定の有機溶媒（例えば、ジクロロメタン等の
ハロゲン化炭化水素系溶媒）に可溶であり、該有機溶媒
溶液よりキャストし、フィルム等に成形加工できる。

【００４３】

【実施例】以下、実施例により、本発明を更に詳しく説
明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。尚、各実施例および比較例で製造した各芳香族ポ
リカーボネートについて、その分子量は、ＧＰＣ〔ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー、昭和電工（株）
社製、ＧＰＣシステム−１１〕で測定した。ガラス転移
点（Ｔｇ、℃）は、ＤＳＣ〔マックサイエンス（株）社
製、ＤＳＣ−３１００〕を用い、昇温速度は１６℃／分
の条件で測定した。耐熱加水分解性を調べるために、各
芳香族ポリカーボネートのキャストフィルム（厚さ３０
μｍ）を、８０℃の熱水中に１２０時間浸漬した後、そ
の重量平均分子量（Ｍｗ）を測定し、試験前（浸漬前）
の重量平均分子量からの減少率（％）を下記式より求め
た。数値が小さい程、耐熱加水分解性に優れていること
を示している。

【００４４】実施例１ 例示番号１の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 １０ｌのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の攪拌機
および還流冷却管を取り付けた。このフラスコに、ビス
フェノールＡ９１２ｇ（４．０モル）、４−（トリフェ
ニルメチル）フェノール４５．７ｇ（０．１３６モル，
ビスフェノールＡに対して３．４モル％）、ジクロロメ
タン４ｌ及び脱イオン水４ｌを入れ、懸濁液とし、フラ
スコ内の酸素を除去する為に窒素パージを行った。次
に、上記懸濁液に、ソジウムハイドロサルファイト１．
２ｇおよび水酸化ナトリウム４３２ｇ（１０．８モル）
を溶解した水溶液２．２ｌを供給し、１５℃でビスフェ
ノールＡを溶解した。この溶液に、ホスゲン４９５ｇ
（５．０モル）を６０分で供給した。反応温度は上昇
し、ジクロロメタンの還流が確認された。ホスゲンの供
給が完了した後、トリエチルアミン０．６４ｇを添加し
て、反応液をさらに９０分間攪拌し、重合反応を行っ
た。その後、反応液を静置し、有機層を分液し、塩酸に
より中和し、電解質が無くなるまで脱イオン水で洗浄し
た。得られた芳香族ポリカーボネートのジクロロメタン
溶液にトルエン２ｌと水５ｌを加え、９８℃まで加熱す
ることによりジクロロメタン及びトルエンを留去して、
芳香族ポリカーボネートの粉体を得た。得られた芳香族
ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、重量平
均分子量は５１２００であった。Ｔｇは１４４℃であっ
た。Ｍｗの減少率は０．６％であった。

【００４５】実施例２ 例示番号２の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、４−（トリフェニルメチル）フェノ
ールを用いる代わりに、４−（トリフェニルメチル）−
２−メチルフェニルクロロホーメート５６．１ｇ（ビス
フェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、
実施例１と同様にして、芳香族ポリカーボネートを製造
した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量
は２０８００、重量平均分子量は５１０００であった。
Ｔｇは１４４℃であった。Ｍｗの減少率は０．５％であ
った。

【００４６】実施例３ 例示番号６の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、４−（トリフェニルメチル）フェノ
ールを用いる代わりに、４−〔フェニルビス（４’−te
rt−ブチルフェニル）メチル〕フェノール６０．９ｇ
（ビスフェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以
外は、実施例１と同様にして、芳香族ポリカーボネート
を製造した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均
分子量は２０８００、重量平均分子量は５１０００であ
った。Ｔｇは１４３℃であった。Ｍｗの減少率は０．６
％であった。

【００４７】実施例４ 例示番号１０の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、４−（トリフェニルメチル）フェノ
ールを用いる代わりに、４−〔トリス（４’−tert−ブ
チルフェニル）メチル〕フェノール６８．５ｇ（ビスフ
ェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実
施例１と同様にして、芳香族ポリカーボネートを製造し
た。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は
２１９００、重量平均分子量は５３４００であった。Ｔ
ｇは１４２℃であった。Ｍｗの減少率は０．５％であっ
た。

【００４８】比較例１ 比較のため、実施例１において、４−（トリフェニルメ
チル）フェノールを用いる代わりに、ｐ−tert−ブチル
フェノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡに対して３．
４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、芳
香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリ
カーボネートの数平均分子量は２１０００、重量平均分
子量は５１０００であった。Ｔｇは１４８℃であった。
Ｍｗの減少率は４．７％であった。

【００４９】比較例２ 比較のため、実施例１において、４−（トリフェニルメ
チル）フェノールを用いる代わりに、ｐ−ｎ−ヘキシル
オキシフェノール２６．４ｇ（ビスフェノールＡに対し
て３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て、芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香
族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、重量
平均分子量は５１３００であった。Ｔｇは１３６℃であ
った。Ｍｗの減少率は４．５％であった。実施例および
比較例より、本発明の芳香族ポリカーボネートは、公知
の末端封止剤を用いて製造される芳香族ポリカーボネー
トに比較して、耐熱加水分解性に優れていることが判っ
た。

【００５０】

【発明の効果】本発明により、耐熱加水分解性に優れた
芳香族ポリカーボネートを提供することが可能になっ
た。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 友倫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）（化１）で表される基である芳香族ポリカーボネ
   ート。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ はアリール基を表し、Ｘ
   ₁ およびＸ₂ は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
   たはハロゲン原子を表す）