JPH0754967Y2 - ポテンシオメータ - Google Patents
ポテンシオメータInfo
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- JPH0754967Y2 JPH0754967Y2 JP3430790U JP3430790U JPH0754967Y2 JP H0754967 Y2 JPH0754967 Y2 JP H0754967Y2 JP 3430790 U JP3430790 U JP 3430790U JP 3430790 U JP3430790 U JP 3430790U JP H0754967 Y2 JPH0754967 Y2 JP H0754967Y2
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Landscapes
- Adjustable Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は角度センサ、ストロークセンサ、あるいはスロ
ツトルセンサ等に使用可能なポテンシオメータに関す
る。
ツトルセンサ等に使用可能なポテンシオメータに関す
る。
（従来の技術） ポテンシオメータは、可変抵抗器の一種であつて、機械
的な変位を電気信号の変量に変換するものである。ポテ
ンシオメータの抵抗素子には巻線型もあるが、角度セン
サ、ストロークセンサ等に使用するポテンシオメータ
は、抵抗素子として絶縁体の基板上に導電性合成樹脂か
ら成る抵抗体をスクリーン印刷等の手段で形成し、集電
素子としては金属薄膜を基板上に形成してその上層に導
電性合成樹脂膜を形成して抵抗体パターン及び集電パタ
ーンとしたものである。
的な変位を電気信号の変量に変換するものである。ポテ
ンシオメータの抵抗素子には巻線型もあるが、角度セン
サ、ストロークセンサ等に使用するポテンシオメータ
は、抵抗素子として絶縁体の基板上に導電性合成樹脂か
ら成る抵抗体をスクリーン印刷等の手段で形成し、集電
素子としては金属薄膜を基板上に形成してその上層に導
電性合成樹脂膜を形成して抵抗体パターン及び集電パタ
ーンとしたものである。
第７図は従来の抵抗体パターン及び集電パターンの断面
図、第８図は従来の抵抗体パターンの断面図、さらに第
９図も従来の集電パターンの断面図を示す。
図、第８図は従来の抵抗体パターンの断面図、さらに第
９図も従来の集電パターンの断面図を示す。
従来のポテンシオメータの抵抗体パターン50は基板51上
に炭素粉末を混合した高炭素含有フエノール樹脂で固め
た高炭素導電性合成樹脂膜50aを下層抵抗体とし、耐摩
耗性に優れた低炭素含有フエノール樹脂で形成した低炭
素導電性合成樹脂膜50bを上層抵抗体として、それぞれ
積層したものである。また、集電パターン53は、基板51
面上に形成した金属薄膜54上に銀ペースト55を塗布し
て、その上層部に保護層としての高炭素導電性合成樹脂
膜53aを印刷したものであつた。
に炭素粉末を混合した高炭素含有フエノール樹脂で固め
た高炭素導電性合成樹脂膜50aを下層抵抗体とし、耐摩
耗性に優れた低炭素含有フエノール樹脂で形成した低炭
素導電性合成樹脂膜50bを上層抵抗体として、それぞれ
積層したものである。また、集電パターン53は、基板51
面上に形成した金属薄膜54上に銀ペースト55を塗布し
て、その上層部に保護層としての高炭素導電性合成樹脂
膜53aを印刷したものであつた。
（考案が解決しようとする課題） しかして、前記回転型ポテンシオメータを、例えば、自
動車の車高調整装置に角度センサ、あるいはストローク
センサとして使用した場合、通常の使用状態でのセンサ
としての耐久性、走行中にセンサに加わる振動により生
じる摺動子と抵抗体との摺動による摺動に対して充分に
耐える寿命が要求されている。
動車の車高調整装置に角度センサ、あるいはストローク
センサとして使用した場合、通常の使用状態でのセンサ
としての耐久性、走行中にセンサに加わる振動により生
じる摺動子と抵抗体との摺動による摺動に対して充分に
耐える寿命が要求されている。
従来のポテンシオメータは、集電パターンの保護層とし
て高炭素導電性合成樹脂膜を使用しているので、摺動子
が抵抗体パターンと集電パターンの表面を摺動する際、
低炭素導電性合成樹脂膜を保護層に使用している抵抗体
パターンに比べて保護層の摩耗が早く、集電パターンの
銅箔上に塗布された銀ペーストが露出し易かつた。銀ペ
ーストが露出すると同時に金属薄膜と摺動子の接触を引
き起こし、金属薄膜表面の酸化によつて、接触不良や金
属薄膜の摩耗を招来する。
て高炭素導電性合成樹脂膜を使用しているので、摺動子
が抵抗体パターンと集電パターンの表面を摺動する際、
低炭素導電性合成樹脂膜を保護層に使用している抵抗体
パターンに比べて保護層の摩耗が早く、集電パターンの
銅箔上に塗布された銀ペーストが露出し易かつた。銀ペ
ーストが露出すると同時に金属薄膜と摺動子の接触を引
き起こし、金属薄膜表面の酸化によつて、接触不良や金
属薄膜の摩耗を招来する。
本考案は前述した事情に鑑みてなされたもので、集電パ
ターンの保護層も二層構造として、集電パターンの寿命
が長くなるようにしたポテンシオメータを提供すること
を目的とする。
ターンの保護層も二層構造として、集電パターンの寿命
が長くなるようにしたポテンシオメータを提供すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段） このような目的を達成するために用いた技術的手段は、
ハウジング；該ハウジングに軸受を介して回動自在に軸
支された回転軸；該回転軸に固定された一対の摺動子；
および、前記ハウジングに固定されて前記摺動子が摺動
する抵抗体パターン、および集電パターンが形成された
基板；を有するポテンシオメータにおいて、前記抵抗体
パターンは基板面に下層抵抗体および上層抵抗体を順次
積層形成して、前記集電パターンは基板面上に形成され
た金属薄膜上に下層抵抗体および上層抵抗体を順次積層
形成した、ことである。
ハウジング；該ハウジングに軸受を介して回動自在に軸
支された回転軸；該回転軸に固定された一対の摺動子；
および、前記ハウジングに固定されて前記摺動子が摺動
する抵抗体パターン、および集電パターンが形成された
基板；を有するポテンシオメータにおいて、前記抵抗体
パターンは基板面に下層抵抗体および上層抵抗体を順次
積層形成して、前記集電パターンは基板面上に形成され
た金属薄膜上に下層抵抗体および上層抵抗体を順次積層
形成した、ことである。
（作用） 集電パターンの保護膜を二層とし、上層に耐摩耗性に優
れた導電性合成樹脂膜を積層したので、摺動子による集
電パターンの耐摩耗性を向上することができる。
れた導電性合成樹脂膜を積層したので、摺動子による集
電パターンの耐摩耗性を向上することができる。
（実施例） 以下、図面を参照して本考案の一実施例について説明す
る。第１図は回転型ポテンシオメータの正面図、第２図
は第１図のA-A′線に沿う断面図、第３図はポテンシオ
メータの基板表面のパターンを示す正面図、第４図は第
３図のB-B′線に沿う断面図、第５図は第３図のC-C′線
に沿う抵抗体パターンの断面図、第６図はD-D′線に沿
う集電パターンの断面図である。
る。第１図は回転型ポテンシオメータの正面図、第２図
は第１図のA-A′線に沿う断面図、第３図はポテンシオ
メータの基板表面のパターンを示す正面図、第４図は第
３図のB-B′線に沿う断面図、第５図は第３図のC-C′線
に沿う抵抗体パターンの断面図、第６図はD-D′線に沿
う集電パターンの断面図である。
円筒形状のハウジング１には、回転軸２が軸受3a,3bを
介して回動自在に軸支されている。軸受3a,3bは回転軸
２の軸線方向に沿つて２つ連接して配設されている。ハ
ウジング１の内部には、基板４がネジ5a,5bによつて固
定されている。そして、回転軸２には固定部材６を介し
て回転板７が固定されている。そして、この回転板７に
は一対の摺動子8aおよび8bが固定されている。摺動子8
a,8bは、回転板７にと共に回転軸２の回りを回転する。
そして、摺動子8a,8bの先端部は基板４に接触して、回
転軸２の回転とともに基板４上を摺動する。回転軸２は
角度センサ、ストロークセンサ、あるいはスロツトルセ
ンサ等のセンサの出力軸に連結して、センサの出力と同
期して回転できるようになつている。第３図はハウジン
グ１に収容された基板４の正面図である。基板４上には
アーチ形状の抵抗体パターン９、および、同じくアーチ
形状の集電パターン10が抵抗体パターン９の内方に形成
されている。抵抗体パターン９の両端の電源端子11とGN
D端子12との間には電圧が印加されている。回転軸２に
連結された摺動子8a,8bが抵抗体パターン９と集電パタ
ーン10の表面を摺動して、摺動子8a,8bと抵抗体パター
ン９との接触位置が変化する。摺動子8a,8bと抵抗体パ
ターン９の接触位置での電圧を集電パターン10を通して
信号端子13から出力信号として得ることにより、回転軸
２の回転角度を求めることができる。
介して回動自在に軸支されている。軸受3a,3bは回転軸
２の軸線方向に沿つて２つ連接して配設されている。ハ
ウジング１の内部には、基板４がネジ5a,5bによつて固
定されている。そして、回転軸２には固定部材６を介し
て回転板７が固定されている。そして、この回転板７に
は一対の摺動子8aおよび8bが固定されている。摺動子8
a,8bは、回転板７にと共に回転軸２の回りを回転する。
そして、摺動子8a,8bの先端部は基板４に接触して、回
転軸２の回転とともに基板４上を摺動する。回転軸２は
角度センサ、ストロークセンサ、あるいはスロツトルセ
ンサ等のセンサの出力軸に連結して、センサの出力と同
期して回転できるようになつている。第３図はハウジン
グ１に収容された基板４の正面図である。基板４上には
アーチ形状の抵抗体パターン９、および、同じくアーチ
形状の集電パターン10が抵抗体パターン９の内方に形成
されている。抵抗体パターン９の両端の電源端子11とGN
D端子12との間には電圧が印加されている。回転軸２に
連結された摺動子8a,8bが抵抗体パターン９と集電パタ
ーン10の表面を摺動して、摺動子8a,8bと抵抗体パター
ン９との接触位置が変化する。摺動子8a,8bと抵抗体パ
ターン９の接触位置での電圧を集電パターン10を通して
信号端子13から出力信号として得ることにより、回転軸
２の回転角度を求めることができる。
次に本考案の抵抗体パターン９と集電パターン10につい
て説明する。本考案のポテンシオメータの抵抗体パター
ン９は、従来の抵抗体パターンと同一であり、第５図に
示すように、絶縁体の基板８の表面に炭素を含有するフ
エノール樹脂で固めた高炭素導電性合成樹脂から成る下
層抵抗体9aがスクリーン印刷され、その上層には下層抵
抗体9aが含有する炭素量よりも少ない炭素を含有するフ
エノール樹脂で固めた低炭素導電性合成樹脂から成る上
層抵抗体9bが積層形成されている。電源端子11とGND端
子13間の全抵抗は下層抵抗体9aとほぼ等しくなる。さら
に、抵抗体パターン９の端部の構成とともに抵抗体パタ
ーン９について説明する。抵抗体パターン９の端部14の
構造は、第５図に示す通りで、基板４の表面にエツチン
グ形成された金属薄膜15（銅箔）の端部に銀ペーストが
塗布されている。電源端子11側の銀ペースト16aとGND端
子13側の銀ペースト16bで規定した範囲の基板４表面に
は高炭素導電性合成樹脂から成る下層抵抗体9aが形成さ
れている。この銀ペースト16a、および16bで規定した範
囲は抵抗体パターン９上を摺動する摺動子8bが摺動する
範囲となる。また、前述したように金属薄膜15銀ペース
ト10,下層抵抗体9aの上層には低炭素導電性合成樹脂か
ら成る上層抵抗体9bが形成されている。
て説明する。本考案のポテンシオメータの抵抗体パター
ン９は、従来の抵抗体パターンと同一であり、第５図に
示すように、絶縁体の基板８の表面に炭素を含有するフ
エノール樹脂で固めた高炭素導電性合成樹脂から成る下
層抵抗体9aがスクリーン印刷され、その上層には下層抵
抗体9aが含有する炭素量よりも少ない炭素を含有するフ
エノール樹脂で固めた低炭素導電性合成樹脂から成る上
層抵抗体9bが積層形成されている。電源端子11とGND端
子13間の全抵抗は下層抵抗体9aとほぼ等しくなる。さら
に、抵抗体パターン９の端部の構成とともに抵抗体パタ
ーン９について説明する。抵抗体パターン９の端部14の
構造は、第５図に示す通りで、基板４の表面にエツチン
グ形成された金属薄膜15（銅箔）の端部に銀ペーストが
塗布されている。電源端子11側の銀ペースト16aとGND端
子13側の銀ペースト16bで規定した範囲の基板４表面に
は高炭素導電性合成樹脂から成る下層抵抗体9aが形成さ
れている。この銀ペースト16a、および16bで規定した範
囲は抵抗体パターン９上を摺動する摺動子8bが摺動する
範囲となる。また、前述したように金属薄膜15銀ペース
ト10,下層抵抗体9aの上層には低炭素導電性合成樹脂か
ら成る上層抵抗体9bが形成されている。
本考案の特徴は、集電パターン10の構成にあり、第６図
に示すように、絶縁体の基板８表面に、アーチ状に金属
薄膜15がエツチングされ、この表面に銀ペースト17を塗
布している。この銀ペースト17は金属薄膜15の酸化防止
と、金属薄膜と後述する抵抗体の接着性を高めるための
ものである。銀ペースト17上には、抵抗体パターン９の
下層抵抗体9aと同一材料から成る集電パターン10の下層
抵抗体10aが形成されている。また、基板４上に形成さ
れた金属薄膜15と、前述した下層抵抗体10aの上層に
は、抵抗体パターン９の上層抵抗体9bと同一材料からな
る上層抵抗体10bが配設されている。耐摩耗性に優れた
低炭素導電性合成樹脂材料から成る上層抵抗体9a,10aが
摺動子8a,8bと摺接する基板表面に形成されているため
耐摩耗性に優れ、かつ滑らかな摺動特性をもつたポテン
シオメータとすることができる。
に示すように、絶縁体の基板８表面に、アーチ状に金属
薄膜15がエツチングされ、この表面に銀ペースト17を塗
布している。この銀ペースト17は金属薄膜15の酸化防止
と、金属薄膜と後述する抵抗体の接着性を高めるための
ものである。銀ペースト17上には、抵抗体パターン９の
下層抵抗体9aと同一材料から成る集電パターン10の下層
抵抗体10aが形成されている。また、基板４上に形成さ
れた金属薄膜15と、前述した下層抵抗体10aの上層に
は、抵抗体パターン９の上層抵抗体9bと同一材料からな
る上層抵抗体10bが配設されている。耐摩耗性に優れた
低炭素導電性合成樹脂材料から成る上層抵抗体9a,10aが
摺動子8a,8bと摺接する基板表面に形成されているため
耐摩耗性に優れ、かつ滑らかな摺動特性をもつたポテン
シオメータとすることができる。
本考案の技術的手段を講じたことによつて、集電パター
ンの最表面に低炭素導電性合成樹脂から成る抵抗体層を
形成したため、摺動子との耐摩耗性が向上してポテンシ
オメータの耐久性能を向上することができるようになつ
た。
ンの最表面に低炭素導電性合成樹脂から成る抵抗体層を
形成したため、摺動子との耐摩耗性が向上してポテンシ
オメータの耐久性能を向上することができるようになつ
た。
第１図は回転型ポテンシオメータの正面図、第２図は第
１図のA-A′線に沿う断面図、第３図はポテンシオメー
タの基板表面のパターンを示す正面図、第４図は第３図
のB-B′線に沿う断面図、第５図は第３図のC-C′線に沿
う抵抗体パターンの断面図、第６図は第３図のD-D′線
に沿う集電パターンの断面図、第７図は従来の抵抗体パ
ターン及び集電パターンの断面図、第８図は従来の抵抗
体パターンの断面図、さらに第９図も従来の集電パター
ンの断面図を示す。 １……ハウジング、２……回転軸、8a,8b……摺動子、
９……抵抗体パターン、10……集電パターン、４……基
板、9a,10a……下層抵抗体、9b,10b……上層抵抗体。
１図のA-A′線に沿う断面図、第３図はポテンシオメー
タの基板表面のパターンを示す正面図、第４図は第３図
のB-B′線に沿う断面図、第５図は第３図のC-C′線に沿
う抵抗体パターンの断面図、第６図は第３図のD-D′線
に沿う集電パターンの断面図、第７図は従来の抵抗体パ
ターン及び集電パターンの断面図、第８図は従来の抵抗
体パターンの断面図、さらに第９図も従来の集電パター
ンの断面図を示す。 １……ハウジング、２……回転軸、8a,8b……摺動子、
９……抵抗体パターン、10……集電パターン、４……基
板、9a,10a……下層抵抗体、9b,10b……上層抵抗体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 都築 位兆 愛知県刈谷市朝日町２丁目１番地 アイシ ン精機株式会社内 審査官 下野 和行
Claims (1)
- 【請求項１】ハウジング； 該ハウジングに軸受を介して回動自在に軸支された回転
軸； 該回転軸に固定された一対の摺動子；および、 前記ハウジングに固定されて前記摺動子が摺動する抵抗
体パターン、および集電パターンが形成された基板； を有するポテンシオメータにおいて、 前記抵抗体パターンは基板面に下層抵抗体および上層抵
抗体を順次積層形成して、前記集電パターンは基板面上
に形成された金属薄膜上に下層抵抗体および上層抵抗体
を順次積層形成したことを特徴とするポテンシオメー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3430790U JPH0754967Y2 (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | ポテンシオメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3430790U JPH0754967Y2 (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | ポテンシオメータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03126004U JPH03126004U (ja) | 1991-12-19 |
| JPH0754967Y2 true JPH0754967Y2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=31538662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3430790U Expired - Fee Related JPH0754967Y2 (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | ポテンシオメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754967Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7352791B2 (ja) * | 2019-05-15 | 2023-09-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 回転型電子部品、及び回転型電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-31 JP JP3430790U patent/JPH0754967Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03126004U (ja) | 1991-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |