JPH0758530B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0758530B2 JPH0758530B2 JP62297801A JP29780187A JPH0758530B2 JP H0758530 B2 JPH0758530 B2 JP H0758530B2 JP 62297801 A JP62297801 A JP 62297801A JP 29780187 A JP29780187 A JP 29780187A JP H0758530 B2 JPH0758530 B2 JP H0758530B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- film
- films
- tape
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオテープレコーダ（VTR）などに用いて
好適な磁気ヘツドに関する。
好適な磁気ヘツドに関する。
近年、磁路を形成する磁性膜として金属系の磁性材料を
用いた磁気ヘツドが普及している。
用いた磁気ヘツドが普及している。
第５図はその一例のテープ摺動面を示すものである。か
かる磁気ヘツドにおいては、非磁性基板１上で２つの磁
性膜2,4が非磁性膜（図示せず）を介して突き合わさ
れ、この突き合わせ部分をヘツドギヤツプ３とするとと
もに、これら磁性膜2,4上に非磁性保護板７が設けられ
ている。すなわち、磁性膜2,4は非磁性基板１と非磁性
保護板７とで挟まれている。非磁性基板１、磁性膜2,
4、および非磁性保護板７の表面によつてテープ摺動面
が形成されている。非磁性基板１の表面８が基準面をな
しており、矢印で示すテープ摺動方向（磁気ヘツド磁気
テープを摺動する方向）はこの基準面８に平行であつ
て、磁性膜2,4の露出面もこの基準面８に平行であり、
ヘツドギヤツプ３はこの基準面８に対して角度θ（０゜
＜θ＜90゜）だけ傾斜している。
かる磁気ヘツドにおいては、非磁性基板１上で２つの磁
性膜2,4が非磁性膜（図示せず）を介して突き合わさ
れ、この突き合わせ部分をヘツドギヤツプ３とするとと
もに、これら磁性膜2,4上に非磁性保護板７が設けられ
ている。すなわち、磁性膜2,4は非磁性基板１と非磁性
保護板７とで挟まれている。非磁性基板１、磁性膜2,
4、および非磁性保護板７の表面によつてテープ摺動面
が形成されている。非磁性基板１の表面８が基準面をな
しており、矢印で示すテープ摺動方向（磁気ヘツド磁気
テープを摺動する方向）はこの基準面８に平行であつ
て、磁性膜2,4の露出面もこの基準面８に平行であり、
ヘツドギヤツプ３はこの基準面８に対して角度θ（０゜
＜θ＜90゜）だけ傾斜している。
磁性膜2,4としては金属系の磁性材料が用いられ、比較
的軟らかいが、非磁性基板１および非磁性保護板７には
ガラス，セラミツクスなどの硬い材料が用いられる。
的軟らかいが、非磁性基板１および非磁性保護板７には
ガラス，セラミツクスなどの硬い材料が用いられる。
第６図は従来の磁気ヘツドの他の例のテープ摺動面を示
すものである。これはコンピユータ用の薄膜磁気ヘツド
であり、一方の非磁性基板１の表面に溝を設けて磁性膜
２を形成し、また、非磁性保護板５の表面にも溝を設け
て磁性膜４を形成し、これらを非磁性膜（図示せず）を
介し、磁性膜2,4が対向するようにして突き合わせたも
のである。これら磁性膜2,4の突き合わせ部分がヘツド
ギヤツプ３となる。ヘツドギヤツプ３は非磁性基板１の
表面である基準面８に平行となる。
すものである。これはコンピユータ用の薄膜磁気ヘツド
であり、一方の非磁性基板１の表面に溝を設けて磁性膜
２を形成し、また、非磁性保護板５の表面にも溝を設け
て磁性膜４を形成し、これらを非磁性膜（図示せず）を
介し、磁性膜2,4が対向するようにして突き合わせたも
のである。これら磁性膜2,4の突き合わせ部分がヘツド
ギヤツプ３となる。ヘツドギヤツプ３は非磁性基板１の
表面である基準面８に平行となる。
かかる磁気ヘツドをアジマス記録方式のVTRに用いる場
合には、テープ摺動方向（矢印）に対してヘツドギヤツ
プ３が所望の角度θだけ傾くように、磁気ヘツドを配置
する必要がある。その配置例を第７図に示す。同図にお
いて、非磁性基板１は断面が台形状をなし、その傾斜し
た一表面に磁性膜2,4、ヘツドギヤツプ３などが形成さ
れている。かかる磁気ヘツドは、非磁性基板１の底面が
下方となるように、基体19の表面に載置される。このと
き、基準面８は基体19の表面に対して傾斜しており、ま
た、テープ摺動方向（矢印）に対してヘツドギヤツプ３
が角度θだけ傾くようにしている。
合には、テープ摺動方向（矢印）に対してヘツドギヤツ
プ３が所望の角度θだけ傾くように、磁気ヘツドを配置
する必要がある。その配置例を第７図に示す。同図にお
いて、非磁性基板１は断面が台形状をなし、その傾斜し
た一表面に磁性膜2,4、ヘツドギヤツプ３などが形成さ
れている。かかる磁気ヘツドは、非磁性基板１の底面が
下方となるように、基体19の表面に載置される。このと
き、基準面８は基体19の表面に対して傾斜しており、ま
た、テープ摺動方向（矢印）に対してヘツドギヤツプ３
が角度θだけ傾くようにしている。
非磁性基板１の表面には薄膜コイル12とその端子である
ボンデイングパツド14が設けられ、基体19の表面には端
子板15が設けられている。これらボンデイングパツド14
と端子板15とは、ワイヤ16によつて接続されている。
ボンデイングパツド14が設けられ、基体19の表面には端
子板15が設けられている。これらボンデイングパツド14
と端子板15とは、ワイヤ16によつて接続されている。
第８図は従来の磁気ヘツドのさらに他の例（例えば、特
開昭60−243810公報，特開昭61−3313号公報）のテープ
摺動面を示すものである。この磁気ヘツドでは、基板17
に磁性酸化物を用いたものであり、基板17の表面である
基準面８はテープ摺動方向（矢印）に平行である。金属
系の磁性材料による磁性膜2,4は基準面に対して傾斜し
ており、これら磁性膜2,4の突き合わせ部でのヘツドギ
ヤツプ３も、テープ摺動方向に対して所定角θ′だけ傾
斜している。また、ヘツドギヤツプ３の部分での磁路を
狭くするために、磁性膜2,4の表面と基板17との間に非
磁性材18c,18d,18b,18aが充填されている。かかる構成
により、テープ摺動面は磁性膜2,4、基板17および非磁
性材18a〜18dの露出面からなつている。
開昭60−243810公報，特開昭61−3313号公報）のテープ
摺動面を示すものである。この磁気ヘツドでは、基板17
に磁性酸化物を用いたものであり、基板17の表面である
基準面８はテープ摺動方向（矢印）に平行である。金属
系の磁性材料による磁性膜2,4は基準面に対して傾斜し
ており、これら磁性膜2,4の突き合わせ部でのヘツドギ
ヤツプ３も、テープ摺動方向に対して所定角θ′だけ傾
斜している。また、ヘツドギヤツプ３の部分での磁路を
狭くするために、磁性膜2,4の表面と基板17との間に非
磁性材18c,18d,18b,18aが充填されている。かかる構成
により、テープ摺動面は磁性膜2,4、基板17および非磁
性材18a〜18dの露出面からなつている。
ところで、第５図に示した磁気ヘツドは、磁性膜2,4が
テープ摺動方向に磁気ヘツドの端まで伸延しており、し
かも、それらの両側に硬い材質の非磁性基板1,非磁性保
護板７が設けられていることから、VTRのように磁気ヘ
ツドが磁気テープを高速摺動すると、軟らかい金属系磁
性材料からなる磁性膜2,4の摩耗が進み、あるいは傷が
ついて非磁性基板１や非磁性保護板７に対して段差が生
じやすく、スペーシング損失が増大し、また、テープ摺
動性が劣化するという問題があつた。
テープ摺動方向に磁気ヘツドの端まで伸延しており、し
かも、それらの両側に硬い材質の非磁性基板1,非磁性保
護板７が設けられていることから、VTRのように磁気ヘ
ツドが磁気テープを高速摺動すると、軟らかい金属系磁
性材料からなる磁性膜2,4の摩耗が進み、あるいは傷が
ついて非磁性基板１や非磁性保護板７に対して段差が生
じやすく、スペーシング損失が増大し、また、テープ摺
動性が劣化するという問題があつた。
これに対し、第６図に示した磁気ヘツドでは、磁性膜2,
4が硬い材質の非磁性基板１や非磁性保護板５によつて
まわりが囲まれるから、磁性膜2,4の摩耗や傷は低減で
きる。しかし、一般に、蒸着あるいはスパッタリングな
どの薄膜作成プロセスで形成された膜は、その膜質がバ
ルクに比べてどうしても緻密さにかける。従って、テー
プ摺動面には緻密なバルク材の部分が多い方が、テープ
摺動面の傷付きやごみ付着が少くない。しかし、ヘツド
再生効率を向上させる目的のパターニングコイル薄膜ヘ
ツドの製造プロセスでは、その製造プロセスの利点を活
かすために、保護膜あるいは非磁性材と称した非磁性膜
を磁性膜上に形成し、この保護膜を含めてテープ摺動面
を構成していた。さらに、第６図に示した磁気ヘツドで
アジマス記録させるには、第７図に示したように、ボン
デイングパツド14と端子15とをワイヤボンデイングによ
つて接合した場合、ボンデイングパツド14が基体19の表
面に対して傾いているために、ワイヤ16をボンデイング
パツド14に接合することが難しく、ヘツドアセンブリに
難点があつた。
4が硬い材質の非磁性基板１や非磁性保護板５によつて
まわりが囲まれるから、磁性膜2,4の摩耗や傷は低減で
きる。しかし、一般に、蒸着あるいはスパッタリングな
どの薄膜作成プロセスで形成された膜は、その膜質がバ
ルクに比べてどうしても緻密さにかける。従って、テー
プ摺動面には緻密なバルク材の部分が多い方が、テープ
摺動面の傷付きやごみ付着が少くない。しかし、ヘツド
再生効率を向上させる目的のパターニングコイル薄膜ヘ
ツドの製造プロセスでは、その製造プロセスの利点を活
かすために、保護膜あるいは非磁性材と称した非磁性膜
を磁性膜上に形成し、この保護膜を含めてテープ摺動面
を構成していた。さらに、第６図に示した磁気ヘツドで
アジマス記録させるには、第７図に示したように、ボン
デイングパツド14と端子15とをワイヤボンデイングによ
つて接合した場合、ボンデイングパツド14が基体19の表
面に対して傾いているために、ワイヤ16をボンデイング
パツド14に接合することが難しく、ヘツドアセンブリに
難点があつた。
第８図に示した磁気ヘツドは、基板17の表面に対してヘ
ツドギヤツプ３が所定角θ′だけ傾き、かつ磁性膜2,4
も同様に傾いてテープ摺動方向側に硬い材質の基板17や
非磁性材18a〜18dが設けられているから、上記夫々の磁
気ヘツドが有する問題点は解消できるが、テープ摺動面
に多種類の材料の部分が露出しているために、偏摩耗が
生じ、テープ摺動面の平坦性が損なわれる。
ツドギヤツプ３が所定角θ′だけ傾き、かつ磁性膜2,4
も同様に傾いてテープ摺動方向側に硬い材質の基板17や
非磁性材18a〜18dが設けられているから、上記夫々の磁
気ヘツドが有する問題点は解消できるが、テープ摺動面
に多種類の材料の部分が露出しているために、偏摩耗が
生じ、テープ摺動面の平坦性が損なわれる。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、優れた性能を
維持し、アセンブリが容易な磁気ヘツドを提供すること
にある。
維持し、アセンブリが容易な磁気ヘツドを提供すること
にある。
上記目的を達成するために、本発明は、非磁性基板がヘ
ツドギヤツプを形成する角度と同じ方向に傾斜した側面
をもつ段差部を有し、該段差部に第１の磁性膜が形成さ
れ、かつ、テープ摺動面側からみて第1,第２の磁性膜が
該非磁性基板および非磁性保護膜によって囲まれた構成
とする。さらに、該第1,第２の磁性膜によるヘツドギヤ
ツプを基準面となる該非磁性基板の表面に対して所定の
角度θ（但し、０゜＜θ＜90゜）だけ傾けるようにす
る。
ツドギヤツプを形成する角度と同じ方向に傾斜した側面
をもつ段差部を有し、該段差部に第１の磁性膜が形成さ
れ、かつ、テープ摺動面側からみて第1,第２の磁性膜が
該非磁性基板および非磁性保護膜によって囲まれた構成
とする。さらに、該第1,第２の磁性膜によるヘツドギヤ
ツプを基準面となる該非磁性基板の表面に対して所定の
角度θ（但し、０゜＜θ＜90゜）だけ傾けるようにす
る。
非磁性基板がヘツドギヤツプを形成する角度と同じ方向
に傾斜した側面をもつ段差部を有し、該段差部に第１の
磁性膜が形成され、かつ、テープ摺動面側からみて第
１、第２の磁性膜が非磁性基板および非磁性保護膜によ
って囲まれた構成とすることにより、テープ摺動面で
は、バルクである非磁性基板の比率が高まり、結果的
に、テープ摺動面の傷付きやごみ付着などのテープ摺動
性の劣化が防止され、このことと、非磁性基板と非磁性
保護膜とに同一組成の材料を用いることができることに
よつて偏摩耗が防止できることから、テープ摺動面の平
坦性が維持できて、テープ摺動性が改善されるし、ヘツ
ドギヤツプが基準面に対して所定角度θだけ傾いている
ことから、本発明の磁気ヘツドを基体などに取りつけた
場合、基準面を該基体に平行としてなおかつヘツドギヤ
ツプを所望のアジマス角に設定でき、コイルの結線など
が容易となつてアセンブリが改善される。
に傾斜した側面をもつ段差部を有し、該段差部に第１の
磁性膜が形成され、かつ、テープ摺動面側からみて第
１、第２の磁性膜が非磁性基板および非磁性保護膜によ
って囲まれた構成とすることにより、テープ摺動面で
は、バルクである非磁性基板の比率が高まり、結果的
に、テープ摺動面の傷付きやごみ付着などのテープ摺動
性の劣化が防止され、このことと、非磁性基板と非磁性
保護膜とに同一組成の材料を用いることができることに
よつて偏摩耗が防止できることから、テープ摺動面の平
坦性が維持できて、テープ摺動性が改善されるし、ヘツ
ドギヤツプが基準面に対して所定角度θだけ傾いている
ことから、本発明の磁気ヘツドを基体などに取りつけた
場合、基準面を該基体に平行としてなおかつヘツドギヤ
ツプを所望のアジマス角に設定でき、コイルの結線など
が容易となつてアセンブリが改善される。
以下、本発明の実施例を図面によつて説明する。
第１図は本発明による磁気ヘツドの一実施例を示す斜視
図であつて、１は非磁性基板、２は磁性膜、３はヘツド
ギヤツプ、４は磁性膜、5,6は非磁性保護膜、８は基準
面である。
図であつて、１は非磁性基板、２は磁性膜、３はヘツド
ギヤツプ、４は磁性膜、5,6は非磁性保護膜、８は基準
面である。
同図において、テープ摺動面（図示の前面）では、非磁
性基板１の上面のほぼ半分の部分が削り取られ、この削
り取られた部分に磁性膜2,4および非磁性保護膜５が設
けられている。磁性膜2,4は非磁性基板１の削り取られ
ない残りの部分と非磁性保護膜５とで挟まれたようにな
つており、磁性膜2,4間に非磁性材が設けられてヘツド
ギヤツプ３を形成している。ヘツドギヤツプ３は、非磁
性基板１の下面である基準面８に垂直な面に対し、所定
の角度だけ傾いている。非磁性基板１の削り取られない
上面、磁性膜2,4の上面および非磁性保護膜５の上面は
基準面８に平行な１つの平面内にあり、これらの上に非
磁性保護膜６が設けられている。
性基板１の上面のほぼ半分の部分が削り取られ、この削
り取られた部分に磁性膜2,4および非磁性保護膜５が設
けられている。磁性膜2,4は非磁性基板１の削り取られ
ない残りの部分と非磁性保護膜５とで挟まれたようにな
つており、磁性膜2,4間に非磁性材が設けられてヘツド
ギヤツプ３を形成している。ヘツドギヤツプ３は、非磁
性基板１の下面である基準面８に垂直な面に対し、所定
の角度だけ傾いている。非磁性基板１の削り取られない
上面、磁性膜2,4の上面および非磁性保護膜５の上面は
基準面８に平行な１つの平面内にあり、これらの上に非
磁性保護膜６が設けられている。
これにより、テープ摺動面では、磁性膜2,4は非磁性基
板１および非磁性保護膜5,6によつてまわりが囲まれて
おリ、ヘツドギヤツプ３はこのテープ摺動面の中央部に
位置するようにする。
板１および非磁性保護膜5,6によつてまわりが囲まれて
おリ、ヘツドギヤツプ３はこのテープ摺動面の中央部に
位置するようにする。
磁性膜2,4としては、アモルフアス，センダストなどの
金属系磁性材料が用いられる。また、非磁性基板1,ヘツ
ドギヤツプ３の非磁性材料，非磁性保護膜5,6は同一組
成で硬く、かつ、熱膨張係数αが磁性膜2,4とほぼ等し
い80×10-7〜140×10-7/゜Ｃ程度の材料が望ましく、た
とえば、チタン酸カルシウムやAl2O3−TiC系、ZrO2系、
MgO系などのセラミツクス材あるいはガラス材などを用
いる。
金属系磁性材料が用いられる。また、非磁性基板1,ヘツ
ドギヤツプ３の非磁性材料，非磁性保護膜5,6は同一組
成で硬く、かつ、熱膨張係数αが磁性膜2,4とほぼ等し
い80×10-7〜140×10-7/゜Ｃ程度の材料が望ましく、た
とえば、チタン酸カルシウムやAl2O3−TiC系、ZrO2系、
MgO系などのセラミツクス材あるいはガラス材などを用
いる。
このように、磁性膜2,4はまわりが硬い材料でかこまれ
ているから、テープ摺動性に優れ、かつこれらの磁気テ
ープ摺動による摩耗や傷つきを大幅に低減でき、これら
と非磁性基板1,非磁性保護膜5,6との段差が生ぜずにス
ペーシング損失を防止できる。また、ヘツドギヤツプ３
については、基準面８に対して所定のアジマス角を設定
されるので、基体（せず）に載置した場合には、コイル
の端子をこの基体の表面と平行とすることができ、ワイ
ヤボンデイングが極めて簡単に行なえる。さらに、非磁
性基板1,非磁性保護膜5,6を同一組成の材料とすること
により、テープ摺動面は偏摩耗が防止できて平坦性が保
たれる。したがつて、磁性膜2,4の摩耗が防止できるこ
とから、テープ摺動性も向上する。
ているから、テープ摺動性に優れ、かつこれらの磁気テ
ープ摺動による摩耗や傷つきを大幅に低減でき、これら
と非磁性基板1,非磁性保護膜5,6との段差が生ぜずにス
ペーシング損失を防止できる。また、ヘツドギヤツプ３
については、基準面８に対して所定のアジマス角を設定
されるので、基体（せず）に載置した場合には、コイル
の端子をこの基体の表面と平行とすることができ、ワイ
ヤボンデイングが極めて簡単に行なえる。さらに、非磁
性基板1,非磁性保護膜5,6を同一組成の材料とすること
により、テープ摺動面は偏摩耗が防止できて平坦性が保
たれる。したがつて、磁性膜2,4の摩耗が防止できるこ
とから、テープ摺動性も向上する。
なお、磁性膜2,4は単層であつてもよいが、たとえばSiO
2などを層間絶縁膜として多層構造としてもよい。
2などを層間絶縁膜として多層構造としてもよい。
次に、第２図により、この磁気ヘツドの製造方法の一具
体例を説明する。
体例を説明する。
まず、上面と下面が互いに平行な非磁性基板１を作成し
（第２図（ａ））、その上面を半分以上の部分にわた
り、パターニングやイオンミリングにより削り取る。こ
の場合、非磁性基板１の図示上前面がテープ摺動面をな
すが、この前面からギヤツプ深さを決める幅Ｄまでの部
分よりもそれ以外の部分でより多く削り取る。削り取ら
れた部分の表面９は非磁性基板１の下面に平行である
（第２図（ｂ））。そして、この非磁性基板１上に、ス
パツタリング，蒸着などにより、磁性膜２を形成し（第
２図（ｃ））、さらに、その上にSiO2,フオルステライ
トなどの絶縁膜10を形成する（第２図（ｄ））。ここ
で、磁性膜２の厚さは、第２図（ｂ）における非磁性膜
１の削り取りの深さよりも薄くなる。
（第２図（ａ））、その上面を半分以上の部分にわた
り、パターニングやイオンミリングにより削り取る。こ
の場合、非磁性基板１の図示上前面がテープ摺動面をな
すが、この前面からギヤツプ深さを決める幅Ｄまでの部
分よりもそれ以外の部分でより多く削り取る。削り取ら
れた部分の表面９は非磁性基板１の下面に平行である
（第２図（ｂ））。そして、この非磁性基板１上に、ス
パツタリング，蒸着などにより、磁性膜２を形成し（第
２図（ｃ））、さらに、その上にSiO2,フオルステライ
トなどの絶縁膜10を形成する（第２図（ｄ））。ここ
で、磁性膜２の厚さは、第２図（ｂ）における非磁性膜
１の削り取りの深さよりも薄くなる。
次に、少なくとも非磁性基板１の削り取られていない上
面の磁性層２が除かれるまでラツプし、表面を平坦化す
る（第２図（ｅ））。そして、その上面を、テープ摺動
面（図示の前面）に磁性膜２が残り、かつ図面上奥部に
絶縁膜10が残るように、非磁性基板１の表面９まで削り
取る。この場合、この削り取りによつて生じた段部の面
11はギヤツプ面をなし、このギヤツプ面は非磁性基板１
の下面に対して所望のアジマス角が得られるように傾斜
している（第２図（ｆ））。次いで、スパツタリングな
どにより、少なくともギヤツプ面11上にギヤツプ材を形
成し、ギヤツプ面11を中心とした部分にマスクパツタリ
ングなどによつて磁性膜４を形成した後、この磁性膜4,
非磁性基板１の表面全体に非磁性保護膜５を形成する。
（第２図（ｇ））。この場合、非磁性保護膜５はギヤツ
プ面11による段部（第２図（ｆ））よりも厚くする。し
かる後、非磁性基板１の第２図（ｂ）で削り取られなか
つた上面まで磁性膜4,非磁性保護膜５をラツプなどによ
つて削り取り、表面を平坦化する（第２図（ｈ））。こ
こで、ヘツドギヤツプ３のトラツク幅TWはこの平坦化に
よつて規制される。また、ギヤツプ深さＤのヘツドギヤ
ツプ３の部分では、磁性膜2,4は近接しているが、これ
より奥の部分では、磁性膜2,4は絶縁膜10によつて隔離
されている。
面の磁性層２が除かれるまでラツプし、表面を平坦化す
る（第２図（ｅ））。そして、その上面を、テープ摺動
面（図示の前面）に磁性膜２が残り、かつ図面上奥部に
絶縁膜10が残るように、非磁性基板１の表面９まで削り
取る。この場合、この削り取りによつて生じた段部の面
11はギヤツプ面をなし、このギヤツプ面は非磁性基板１
の下面に対して所望のアジマス角が得られるように傾斜
している（第２図（ｆ））。次いで、スパツタリングな
どにより、少なくともギヤツプ面11上にギヤツプ材を形
成し、ギヤツプ面11を中心とした部分にマスクパツタリ
ングなどによつて磁性膜４を形成した後、この磁性膜4,
非磁性基板１の表面全体に非磁性保護膜５を形成する。
（第２図（ｇ））。この場合、非磁性保護膜５はギヤツ
プ面11による段部（第２図（ｆ））よりも厚くする。し
かる後、非磁性基板１の第２図（ｂ）で削り取られなか
つた上面まで磁性膜4,非磁性保護膜５をラツプなどによ
つて削り取り、表面を平坦化する（第２図（ｈ））。こ
こで、ヘツドギヤツプ３のトラツク幅TWはこの平坦化に
よつて規制される。また、ギヤツプ深さＤのヘツドギヤ
ツプ３の部分では、磁性膜2,4は近接しているが、これ
より奥の部分では、磁性膜2,4は絶縁膜10によつて隔離
されている。
次に、磁性膜2,4の絶縁膜10によつて隔離されている部
分に、夫々、Cuなどの導電材を蒸着し、これらをパター
ニングすることによつてコイル12を形成する（第２図
（ｉ））。そして、これらコイル12の部分で磁性膜2,4
を結合するように、磁性膜13を形成する。これにより、
磁性膜2,13,4からなる磁路が形成される（第２図
（ｊ））。しかる後、全面に非磁性保護膜を形成して第
１図に示した磁気ヘツドが得られる。
分に、夫々、Cuなどの導電材を蒸着し、これらをパター
ニングすることによつてコイル12を形成する（第２図
（ｉ））。そして、これらコイル12の部分で磁性膜2,4
を結合するように、磁性膜13を形成する。これにより、
磁性膜2,13,4からなる磁路が形成される（第２図
（ｊ））。しかる後、全面に非磁性保護膜を形成して第
１図に示した磁気ヘツドが得られる。
ところで、一般に、蒸着あるいはスパッタリングなどの
薄膜作成プロセスで形成された膜は、その膜質がバルク
に比べて緻密性にかける。バルクである非磁性基板１は
材質が緻密であって、テープ摺動面を形成するその表面
は滑らかであるが、上記のように製造プロセスで形成さ
れた非磁性保護膜5,6のテープ摺動面での表面は粗くな
って傷がつきやすいし、ごみが付着しやすい。しかし、
この実施例では、非磁性基板１で上記削り取りによって
得られる傾斜した側面を含む段差部もヘッドギャップ３
を挾む磁性膜2,4を囲むことになるから、テープ摺動面
では、非磁性基板１の材質が緻密で滑らかな表面の部分
が多くなり、テープ摺動面の傷付きやごみ付着が少くな
くなる。
薄膜作成プロセスで形成された膜は、その膜質がバルク
に比べて緻密性にかける。バルクである非磁性基板１は
材質が緻密であって、テープ摺動面を形成するその表面
は滑らかであるが、上記のように製造プロセスで形成さ
れた非磁性保護膜5,6のテープ摺動面での表面は粗くな
って傷がつきやすいし、ごみが付着しやすい。しかし、
この実施例では、非磁性基板１で上記削り取りによって
得られる傾斜した側面を含む段差部もヘッドギャップ３
を挾む磁性膜2,4を囲むことになるから、テープ摺動面
では、非磁性基板１の材質が緻密で滑らかな表面の部分
が多くなり、テープ摺動面の傷付きやごみ付着が少くな
くなる。
なお、この具体例では、１チツプのみについて説明した
が、これに限るものではなく、ICの工程と同様、ウエフ
アー工程で作成してもよい。また、第３図に示すよう
に、１チツプに複数のヘツドギヤツプを有するダブルア
ジマス構成とすることもでき、そのウエフアー工程の例
を第４図に示す。
が、これに限るものではなく、ICの工程と同様、ウエフ
アー工程で作成してもよい。また、第３図に示すよう
に、１チツプに複数のヘツドギヤツプを有するダブルア
ジマス構成とすることもでき、そのウエフアー工程の例
を第４図に示す。
以上説明したように、本発明によれば、磁性層の摩耗や
テープ摺動面の偏摩耗も防止でき、スペーシング損失の
発生が防止できるし、テープ摺動面の傷付きやごみの付
着も防止できてテープの摺動性も改善され、しかも高精
度のアセンブリが容易になるという優れた効果が得られ
る。
テープ摺動面の偏摩耗も防止でき、スペーシング損失の
発生が防止できるし、テープ摺動面の傷付きやごみの付
着も防止できてテープの摺動性も改善され、しかも高精
度のアセンブリが容易になるという優れた効果が得られ
る。
第１図は本発明による磁気ヘツドの一実施例を示す斜視
図、第２図は第１図に示した磁気ヘツドの製造方法の一
具体例を示す工程図、第３図は本発明による磁気ヘツド
の他の実施例を示す斜視図、第４図はその製造工程の一
部を示す斜視図、第５図および第６図は夫々従来の磁気
ヘツドのテープ摺動面を示す部分平面図、第７図は第６
図に示した磁気ヘツドの取り付け状態を示す図、第８図
は従来の磁気ヘツドの他の例のテープ摺動面を示す部分
平面図である。 １……非磁性基板、２……磁性膜、３……ヘツドギヤツ
プ、４……磁性膜、5,6……非磁性保護膜。
図、第２図は第１図に示した磁気ヘツドの製造方法の一
具体例を示す工程図、第３図は本発明による磁気ヘツド
の他の実施例を示す斜視図、第４図はその製造工程の一
部を示す斜視図、第５図および第６図は夫々従来の磁気
ヘツドのテープ摺動面を示す部分平面図、第７図は第６
図に示した磁気ヘツドの取り付け状態を示す図、第８図
は従来の磁気ヘツドの他の例のテープ摺動面を示す部分
平面図である。 １……非磁性基板、２……磁性膜、３……ヘツドギヤツ
プ、４……磁性膜、5,6……非磁性保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−145716（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−287023（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−256210（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−33709（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】テープ摺動面が第1,第２の磁性膜、非磁性
基板および非磁性保護膜の露出面からなる磁気ヘツドに
おいて、 該非磁性基板がヘツドギヤツプを形成する角度と同じ方
向に傾斜した側面をもつ段差部を有して、該傾斜した側
面を含む該段差部に該第１の磁性膜が形成されており、
該テープ摺動面で該第1,第２の磁性膜が該非磁性基板お
よび該非磁性保護膜によってかこまれ、かつ、基準面を
なす該非磁性基板の表面に対し、該第1,第２の磁性膜間
ヘツドギヤツプは所定の角度θ（但し、０゜＜θ＜90
゜）だけ傾いていることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297801A JPH0758530B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297801A JPH0758530B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140411A JPH01140411A (ja) | 1989-06-01 |
| JPH0758530B2 true JPH0758530B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17851346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297801A Expired - Lifetime JPH0758530B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758530B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145716A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61287023A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS62256210A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Tdk Corp | 薄膜多チヤンネル磁気ヘツド |
| JPS6433709A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Sharp Kk | Magnetic head |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62297801A patent/JPH0758530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01140411A (ja) | 1989-06-01 |
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