JPH0758753B2 - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0758753B2 JPH0758753B2 JP61036997A JP3699786A JPH0758753B2 JP H0758753 B2 JPH0758753 B2 JP H0758753B2 JP 61036997 A JP61036997 A JP 61036997A JP 3699786 A JP3699786 A JP 3699786A JP H0758753 B2 JPH0758753 B2 JP H0758753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- conductive paste
- bonding
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/041—Connecting or disconnecting interconnections to or from leadframes, e.g. connecting bond wires or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームに関し、特に半導体装置に使用
されるリードフレームの構造に関する。
されるリードフレームの構造に関する。
第３図（ａ）は従来のリードフレームを樹脂封止型半導
体装置に使用した一例を示す断面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）におけるリードフレームをフォーミングした一例
を示す断面図である。
体装置に使用した一例を示す断面図、同図（ｂ）は同図
（ａ）におけるリードフレームをフォーミングした一例
を示す断面図である。
従来、この種のリードフレームは、ワイヤーボンディン
グされる内部リード部に電解めっきによって金，銀等の
金属めっきが施されていた。
グされる内部リード部に電解めっきによって金，銀等の
金属めっきが施されていた。
第３図（ａ）に示すように、リードフレーム11に銀めっ
き12が施され、同じく銀めっき12が施されたダイパッド
51上に半導体チップ61とボンディングワイヤ31によって
接続され、全体が封止用樹脂20によって封止されてい
る。この従来例では、封止用樹脂20の外部のリードフレ
ーム11の部分11aまで銀めっき12が施されている。
き12が施され、同じく銀めっき12が施されたダイパッド
51上に半導体チップ61とボンディングワイヤ31によって
接続され、全体が封止用樹脂20によって封止されてい
る。この従来例では、封止用樹脂20の外部のリードフレ
ーム11の部分11aまで銀めっき12が施されている。
また第３図（ｂ）に示すように、同図（ａ）における従
来例のリードフレーム11をフォーミングしてリード13を
形成したとき、銀めっき12の端部12aが剥離してしまっ
ている。
来例のリードフレーム11をフォーミングしてリード13を
形成したとき、銀めっき12の端部12aが剥離してしまっ
ている。
上述した従来のリードフレームは、費用低減の面から、
ワイヤーボンディングに必要な内部リードの先端部及び
ダイパッドのみにめっきを施すようにするために、リー
ドフレームのリード先端部以外及びダイパッド以外の部
分をゴム板等で覆い（以下マスキングと呼ぶ）、マスキ
ングされないダイパッド及び内部リード先端部にめっき
液を吹付けてめっきをするが、このめっきを施そうとす
る部分以外にもマスキングできない部分にめっき液が流
れ込んでめっきされてしまう。たとえば、リード側面な
どにもめっきされてしまうので、めっきに使用する材料
費がかえって高くなってしまうという欠点がある。
ワイヤーボンディングに必要な内部リードの先端部及び
ダイパッドのみにめっきを施すようにするために、リー
ドフレームのリード先端部以外及びダイパッド以外の部
分をゴム板等で覆い（以下マスキングと呼ぶ）、マスキ
ングされないダイパッド及び内部リード先端部にめっき
液を吹付けてめっきをするが、このめっきを施そうとす
る部分以外にもマスキングできない部分にめっき液が流
れ込んでめっきされてしまう。たとえば、リード側面な
どにもめっきされてしまうので、めっきに使用する材料
費がかえって高くなってしまうという欠点がある。
また樹脂封止型半導体装置の場合、樹脂封止外部のリー
ドの側面にもめっきが施された時には、リードフォーミ
ング時にリード側面のめっきが、リードが曲げられるに
従ってリード側面から剥離し、外部リードが互いに短絡
するなどの不具合を生じるという欠点がある。
ドの側面にもめっきが施された時には、リードフォーミ
ング時にリード側面のめっきが、リードが曲げられるに
従ってリード側面から剥離し、外部リードが互いに短絡
するなどの不具合を生じるという欠点がある。
本発明は樹脂封止型半導体装置における半導体チップと
ボンディングワイヤによって接続する半導体装置用のリ
ードフレームにおいて、前記ボンディングワイヤと接続
する部分に塗布した導電性ペーストを備え、前記導電性
ペーストの塗布領域が樹脂封止領域の内部に設けられ、
ワイヤーボンディングする以前に前記導電性ペーストが
熱硬化され、前記ボンディングワイヤと熱硬化された前
記導電性ペーストを熱圧着することによりワイヤーボン
ディングを行なうように構成したものである。
ボンディングワイヤによって接続する半導体装置用のリ
ードフレームにおいて、前記ボンディングワイヤと接続
する部分に塗布した導電性ペーストを備え、前記導電性
ペーストの塗布領域が樹脂封止領域の内部に設けられ、
ワイヤーボンディングする以前に前記導電性ペーストが
熱硬化され、前記ボンディングワイヤと熱硬化された前
記導電性ペーストを熱圧着することによりワイヤーボン
ディングを行なうように構成したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を樹脂封止型半導体装置に使
用した場合の断面図、第２図は本実施例に導電性ペース
トを塗布する状況を示す説明図である。
用した場合の断面図、第２図は本実施例に導電性ペース
トを塗布する状況を示す説明図である。
本実施例はリードフレーム１及び導電性ペーストの一例
である銀ペースト２を有する。ワイヤーボンディングを
可能にするために、本実施例では、熱硬化性の銀ペース
ト２をリードフレーム１に塗布し、リードフレーム１を
加熱することにより銀ペースト２をリードフレーム１に
固着させ、封止用樹脂10によって樹脂封止している。
である銀ペースト２を有する。ワイヤーボンディングを
可能にするために、本実施例では、熱硬化性の銀ペース
ト２をリードフレーム１に塗布し、リードフレーム１を
加熱することにより銀ペースト２をリードフレーム１に
固着させ、封止用樹脂10によって樹脂封止している。
銀ペースト２の塗布方法としては、第２図に示すように
ゴム板８に予め銀ペースト２を塗布しておき、可動部９
を矢印Ａ方向に上下させてゴム板８をリードフレーム１
に接触させ、銀ペースト２をゴム板８からリードフレー
ム１に転写することにより、銀ペースト２をリードフレ
ーム１に塗布するようになっている。塗布面積及び形状
は、ゴム板８の面積及び形状を調整することにより自由
に変えることができる。
ゴム板８に予め銀ペースト２を塗布しておき、可動部９
を矢印Ａ方向に上下させてゴム板８をリードフレーム１
に接触させ、銀ペースト２をゴム板８からリードフレー
ム１に転写することにより、銀ペースト２をリードフレ
ーム１に塗布するようになっている。塗布面積及び形状
は、ゴム板８の面積及び形状を調整することにより自由
に変えることができる。
この塗布方法によって、第１図に示すように、内部リー
ド４の側面には銀ペースト２が付かず、また封止用樹脂
10の外部のリードフレーム１に銀ペースト２が塗布され
ることも容易に防止することができる。
ド４の側面には銀ペースト２が付かず、また封止用樹脂
10の外部のリードフレーム１に銀ペースト２が塗布され
ることも容易に防止することができる。
なお、第１図に示すワイヤーボンディングに使用するボ
ンディングワイヤ３の材質は、金とした。内部リード４
の銀ペースト２の表面にボンディングワイヤ３を連結す
る方法は、熱圧着法を用いた。
ンディングワイヤ３の材質は、金とした。内部リード４
の銀ペースト２の表面にボンディングワイヤ３を連結す
る方法は、熱圧着法を用いた。
また、ダイパッド５と半導体チップ６の接合は、内部リ
ード４に銀ペースト２を固着させた後、同様な熱硬化性
の銀ペースト７によって実施した。
ード４に銀ペースト２を固着させた後、同様な熱硬化性
の銀ペースト７によって実施した。
なお、本実施例においては、導電性ペーストとして銀ペ
ーストを例示したが、これに限らず導電性を有する他の
材質のペーストを使用してもよい。
ーストを例示したが、これに限らず導電性を有する他の
材質のペーストを使用してもよい。
以上説明したように本発明は、リードフレームに導電性
ペーストを塗布することにより、内部リードに電解めっ
きを施さないでよいので、リード側面に漏れためっき金
属がリードフォーミング時に剥離するという不具合等を
防止することができ、また費用の低減ができるという効
果がある。
ペーストを塗布することにより、内部リードに電解めっ
きを施さないでよいので、リード側面に漏れためっき金
属がリードフォーミング時に剥離するという不具合等を
防止することができ、また費用の低減ができるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を樹脂封止型半導体装置に使
用した場合の断面図、第２図は本実施例に導電性ペース
トを塗布する状況を示す説明図、第３図（ａ）は従来の
リードフレームを樹脂封止型半導体装置に使用した一例
を示す断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるリード
フレームをフォーミングした一例を示す断面図である。 1,11…リードフレーム、2,7…銀ペースト、3,31…ボン
ディングワイヤ、４…内部リード、5,51…ダイパッド、
6,61…半導体チップ、８…ゴム板、９…可動部、10,20
…封止用樹脂、12…銀めっき、13…リード。
用した場合の断面図、第２図は本実施例に導電性ペース
トを塗布する状況を示す説明図、第３図（ａ）は従来の
リードフレームを樹脂封止型半導体装置に使用した一例
を示す断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるリード
フレームをフォーミングした一例を示す断面図である。 1,11…リードフレーム、2,7…銀ペースト、3,31…ボン
ディングワイヤ、４…内部リード、5,51…ダイパッド、
6,61…半導体チップ、８…ゴム板、９…可動部、10,20
…封止用樹脂、12…銀めっき、13…リード。
Claims (1)
- 【請求項１】樹脂封止型半導体装置における半導体チッ
プとボンディングワイヤによって接続する半導体装置用
のリードフレームにおいて、前記ボンディングワイヤと
接続する部分に塗布した導電性ペーストを備え、前記導
電性ペーストの塗布領域が樹脂封止領域の内部に設けら
れ、ワイヤーボンディングする以前に前記導電性ペース
トが熱硬化され、前記ボンディングワイヤと熱硬化され
た前記導電性ペーストを熱圧着することによりワイヤー
ボンディングを行なうように構成したことを特徴とする
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036997A JPH0758753B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036997A JPH0758753B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62194654A JPS62194654A (ja) | 1987-08-27 |
| JPH0758753B2 true JPH0758753B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=12485371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036997A Expired - Lifetime JPH0758753B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758753B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0144164B1 (ko) * | 1995-05-12 | 1998-07-01 | 문정환 | 엘오씨 반도체 패키지 및 반도체 장치를 패키징하는 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49119144A (ja) * | 1973-03-22 | 1974-11-14 | ||
| JPS5373361A (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing hyb ic |
| JPS59114849A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-03 | Toshiba Corp | 混成集積回路の製造方法 |
| JPS59204265A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Nec Corp | 混成集積回路の製造方法 |
| JPS6025292A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | ティーディーケイ株式会社 | 電子部品に対する半田付着方法 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61036997A patent/JPH0758753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62194654A (ja) | 1987-08-27 |
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