JPH0760797B2 - 非晶質薄膜形成装置 - Google Patents
非晶質薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0760797B2 JPH0760797B2 JP61105109A JP10510986A JPH0760797B2 JP H0760797 B2 JPH0760797 B2 JP H0760797B2 JP 61105109 A JP61105109 A JP 61105109A JP 10510986 A JP10510986 A JP 10510986A JP H0760797 B2 JPH0760797 B2 JP H0760797B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- electrodes
- amorphous thin
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は，太陽電池，薄膜半導体，電子写真感光体や
光センサなどの，各種電子デバイスに使用される非晶質
薄膜の製造装置に関するものである。
光センサなどの，各種電子デバイスに使用される非晶質
薄膜の製造装置に関するものである。
〔従来の技術〕 第２図には，従来より用いられている半導体薄膜の製造
装置を示してある。
装置を示してある。
図において，気密の反応容器01内に放電空間を形成する
ための電極02,03が上下方向に設けてあり，この電極02,
03は高周波電源04に電気的に接続されている。上記反応
容器01の外周には，上記放電空間内の電界方向と平行な
磁界を発生させるためのコイル05が水平に配置されてお
り，交流電源06と電気的に接続されている。排気孔07は
図示しない真空ポンプに連通しており，反応ガス導入管
08は，モノシランと水素ガスのボンベにそれぞれ連通し
ている。なお,09はヒータで，基板010を加熱するもので
ある。
ための電極02,03が上下方向に設けてあり，この電極02,
03は高周波電源04に電気的に接続されている。上記反応
容器01の外周には，上記放電空間内の電界方向と平行な
磁界を発生させるためのコイル05が水平に配置されてお
り，交流電源06と電気的に接続されている。排気孔07は
図示しない真空ポンプに連通しており，反応ガス導入管
08は，モノシランと水素ガスのボンベにそれぞれ連通し
ている。なお,09はヒータで，基板010を加熱するもので
ある。
さて，電極03上に基板010を載せ，反応容器01内を1mmHg
程度に減圧した後，モノシランと水素ガスとの混合ガス
を反応ガス導入管08より供給しつつ，電極02,03間に13.
5MHzの高周波電圧を印加する。
程度に減圧した後，モノシランと水素ガスとの混合ガス
を反応ガス導入管08より供給しつつ，電極02,03間に13.
5MHzの高周波電圧を印加する。
一方，コイル05には,50あるいは60Hzの商業用交流電圧
を印加し，電極02,03間に約100ガウスの磁界を発生させ
る。なお、基板010は，ヒータ09により300℃程度に加熱
しておく。
を印加し，電極02,03間に約100ガウスの磁界を発生させ
る。なお、基板010は，ヒータ09により300℃程度に加熱
しておく。
反応ガス導入管08より導入されたモノシラン等のガス
は，電極02,03間の放電空間で分解され，コイル05によ
り発生された磁界により撹拌されつつ基板010の表面に
付着し，非晶質薄膜を形成する。
は，電極02,03間の放電空間で分解され，コイル05によ
り発生された磁界により撹拌されつつ基板010の表面に
付着し，非晶質薄膜を形成する。
上記した従来の装置では,2枚の電極02,03間に発生する
電界の方向と平行にコイル05で磁界を印加するので，電
極02,03間の放電空間に存在するシリコン等のイオンが
撹拌され，基板010上に比較的均一な非晶質薄膜が形成
される。
電界の方向と平行にコイル05で磁界を印加するので，電
極02,03間の放電空間に存在するシリコン等のイオンが
撹拌され，基板010上に比較的均一な非晶質薄膜が形成
される。
しかし， 基板010が置かれる場所は，電極03の上であり，電
極02,03間の放電空間内に位置することになる。このた
め，基本的に高エネルギーをもつイオンの直撃を受ける
ことになる。
極02,03間の放電空間内に位置することになる。このた
め，基本的に高エネルギーをもつイオンの直撃を受ける
ことになる。
すなわち，電極間の電界により電荷ｑのイオンにはク
ーロン力１＝ｑが働き，イオン粒子が基板を直撃し
て形成されつつある非晶質薄膜に損傷を与えることにな
る。
ーロン力１＝ｑが働き，イオン粒子が基板を直撃し
て形成されつつある非晶質薄膜に損傷を与えることにな
る。
基板が一方の電極の上に載せられるので，一度に処
理させる基板の大きさも限定されることになり，電極よ
り面積の大きな基板に非晶質薄膜を形成することができ
ない。
理させる基板の大きさも限定されることになり，電極よ
り面積の大きな基板に非晶質薄膜を形成することができ
ない。
この発明の装置は，グロー筒状の反応容器と，同反応容
器内へ軸芯と平行に相対して収納された長尺な放電用電
極と，同放電用電極にグロー放電用電圧を供給する交流
電源と，上記反応容器を囲繞し軸芯方向に磁界を発生さ
せるコイルと，同コイルに磁界発生用の電流を供給する
電源とを有し，上記放電用電極間空間外に同放電用電極
と直角に置かれた基板へ非晶質薄膜を形成するものであ
る。
器内へ軸芯と平行に相対して収納された長尺な放電用電
極と，同放電用電極にグロー放電用電圧を供給する交流
電源と，上記反応容器を囲繞し軸芯方向に磁界を発生さ
せるコイルと，同コイルに磁界発生用の電流を供給する
電源とを有し，上記放電用電極間空間外に同放電用電極
と直角に置かれた基板へ非晶質薄膜を形成するものであ
る。
この発明では，グロー放電プラズマを発生させる電極間
の放電用電界と直交する方向に磁界を発生させた。
の放電用電界と直交する方向に磁界を発生させた。
荷電粒子は放電電界より与えられたクーロン力と，磁界
により与えられたローレンツ力に初速を与えられた形で
電界と直交する方向にドリフトするが，電界空間を出た
ところでクーロン力が弱まりローレンツ力によるサイク
ロトロン運動によりLarmor軌道を描いて飛んでいく。
により与えられたローレンツ力に初速を与えられた形で
電界と直交する方向にドリフトするが，電界空間を出た
ところでクーロン力が弱まりローレンツ力によるサイク
ロトロン運動によりLarmor軌道を描いて飛んでいく。
一方，電気的に中性であるラジカル粒子は荷電粒子群の
軌道からそれて直進しようとする。
軌道からそれて直進しようとする。
従って，放電電界空間外へ該電界と平行に基板を支持す
れば，基板の表面に荷電粒子のダメージの無い非晶質薄
膜が形成されることになる。
れば，基板の表面に荷電粒子のダメージの無い非晶質薄
膜が形成されることになる。
また，電極は長尺であって，筒状の反応容器内に軸芯と
平行に配置されているので，長尺な基板にも非晶質薄膜
を形成することができる。
平行に配置されているので，長尺な基板にも非晶質薄膜
を形成することができる。
以下，この発明を第１図に示す一実施例の装置に基づき
説明する。
説明する。
１は筒状の反応容器で，その中にグロー放電プラズマを
発生させるための長尺な電極２・３が軸芯と平行に対向
して配置されている。４は交流電源で，上記電極２・３
に接続されている。コイル５は，上記反応容器１を囲繞
するもので，電源６に接続されている。７は反応ガス導
入管で，図示しないボンベに連通し，モノシランとアル
ゴンの混合ガスを上記反応容器１に供給するものであ
る。排気孔８は，真空ポンプ９に連通しており，反応容
器１内のガスを排気するものである。
発生させるための長尺な電極２・３が軸芯と平行に対向
して配置されている。４は交流電源で，上記電極２・３
に接続されている。コイル５は，上記反応容器１を囲繞
するもので，電源６に接続されている。７は反応ガス導
入管で，図示しないボンベに連通し，モノシランとアル
ゴンの混合ガスを上記反応容器１に供給するものであ
る。排気孔８は，真空ポンプ９に連通しており，反応容
器１内のガスを排気するものである。
さて，基板10を図示のように電極２・３の面と直交する
方向で，かつ，電極２・３が形成する放電空間の外側に
適宜手段で支持する。真空ポンプ９を駆動して反応容器
１内を排気した後，反応ガス導入管７からモノシランと
アルゴンの混合ガスを供給する。上記混合ガスを反応容
器１内に充満させて圧力を0.05ないし0.5Torrに保ち，
低周波電源４から電極２・３に電圧を印加するとグロー
放電プラズマが電極２・３間に発生する。
方向で，かつ，電極２・３が形成する放電空間の外側に
適宜手段で支持する。真空ポンプ９を駆動して反応容器
１内を排気した後，反応ガス導入管７からモノシランと
アルゴンの混合ガスを供給する。上記混合ガスを反応容
器１内に充満させて圧力を0.05ないし0.5Torrに保ち，
低周波電源４から電極２・３に電圧を印加するとグロー
放電プラズマが電極２・３間に発生する。
一方，コイル５は，電極２・３間に発生する電界と直
交する方向の磁界を発生させる。なお，その磁束密度
は10ガウス程度で良い。
交する方向の磁界を発生させる。なお，その磁束密度
は10ガウス程度で良い。
反応ガス導入管７から供給されたガスのうちモノシラン
ガスは，電極２・３の間に生じるグロー放電プラズマで
ラジカルSiに分解され，基板10の表面に付着し薄膜を形
成する。
ガスは，電極２・３の間に生じるグロー放電プラズマで
ラジカルSiに分解され，基板10の表面に付着し薄膜を形
成する。
このとき，アルゴンイオン等の荷電粒子は，電極２・３
間で電界Ｅによるクーロン力１＝ｑとローレンツ力
２＝ｑ（×）によっていわゆる×ドリフトの
運動を起こす。
間で電界Ｅによるクーロン力１＝ｑとローレンツ力
２＝ｑ（×）によっていわゆる×ドリフトの
運動を起こす。
なお，は荷電粒子の速度である。
すなわち，×ドリフトにより初速を与えられた形
で，電極２・３と直交する方向に飛び出し，基板10に向
けて飛んでいく。しかし，電極２・３間に生じる電界の
影響が小さい放電空間の外側では，コイル５により生じ
た磁界によるサイクロトロン運動によりLarmor軌道を
描いて飛んでいく。
で，電極２・３と直交する方向に飛び出し，基板10に向
けて飛んでいく。しかし，電極２・３間に生じる電界の
影響が小さい放電空間の外側では，コイル５により生じ
た磁界によるサイクロトロン運動によりLarmor軌道を
描いて飛んでいく。
従って，アルゴンイオン等の荷電粒子が基板10を直撃す
ることはなくなる。
ることはなくなる。
一方，電気的に中性であるラジカルSiは磁界の影響を
受けず，上記荷電粒子群の軌道よりそれで基板10に至
り，その表面に非晶質薄膜を形成する。
受けず，上記荷電粒子群の軌道よりそれで基板10に至
り，その表面に非晶質薄膜を形成する。
この発明によれば，太陽電池・電子写真感光体などの各
種ディバイスの製造において，大面積の非晶質薄膜が形
成されることになるので，産業上きわめて価値がある。
種ディバイスの製造において，大面積の非晶質薄膜が形
成されることになるので，産業上きわめて価値がある。
第１図は本発明の一実施例を示す装置の横断面図， 第２図は従来装置の側断面図である。 １……反応容器,2,3……電極， ４……交流電源,5……コイル,6……電源， ７……反応ガス導入管,8……排気孔， ９……真空ポンプ,10……基板。
Claims (1)
- 【請求項１】筒状の反応容器と，同反応容器内へ軸芯と
平行に相対して収納された長尺な放電用電極と，同放電
用電極にグロー放電用電圧を供給する交流電源と，上記
反応容器を囲繞し軸芯方向に磁界を発生させるコイル
と，同コイルに磁界発生用の電流を供給する電源とを有
し，上記放電用電極間空間外に同放電用電極と直角に置
かれた基板へ非晶質薄膜を形成することを特徴とする非
晶質薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105109A JPH0760797B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 非晶質薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105109A JPH0760797B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 非晶質薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261121A JPS62261121A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH0760797B2 true JPH0760797B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=14398677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105109A Expired - Fee Related JPH0760797B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 非晶質薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760797B2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105109A patent/JPH0760797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62261121A (ja) | 1987-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0574100B1 (en) | Plasma CVD method and apparatus therefor | |
| KR930001351A (ko) | 전자기 rf 연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법 | |
| KR950000310B1 (ko) | 플라즈마 cvd장치 | |
| KR910002819B1 (ko) | 비정질박막의 형성방법 및 장치 | |
| JPH0760797B2 (ja) | 非晶質薄膜形成装置 | |
| JPH0760798B2 (ja) | 非晶質薄膜形成方法および装置 | |
| US5424905A (en) | Plasma generating method and apparatus | |
| JPH0697657B2 (ja) | 非晶質薄膜形成装置 | |
| JPH0766138A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0670978B2 (ja) | 非晶質薄膜形成装置 | |
| JPH0576549B2 (ja) | ||
| JPH10172793A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP2689419B2 (ja) | イオンドーピング装置 | |
| JPH0573051B2 (ja) | ||
| JPH01181513A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62260837A (ja) | 非晶質薄膜形成方法 | |
| JPH04120277A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR101094741B1 (ko) | 분말/캡슐 표면 플라즈마 처리장치 | |
| JPH0745540A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH01144618A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0394064A (ja) | シリコンナイトライド膜の製造方法および製造装置 | |
| JPS6323826B2 (ja) | ||
| JPH05299680A (ja) | プラズマｃｖｄ法およびその装置 | |
| JPS6396282A (ja) | マイクロ波プラズマ発生装置 | |
| JPS63241190A (ja) | 枚葉式プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |