JPH0761894A - 単結晶絞り部育成制御方法 - Google Patents
単結晶絞り部育成制御方法Info
- Publication number
- JPH0761894A JPH0761894A JP20628593A JP20628593A JPH0761894A JP H0761894 A JPH0761894 A JP H0761894A JP 20628593 A JP20628593 A JP 20628593A JP 20628593 A JP20628593 A JP 20628593A JP H0761894 A JPH0761894 A JP H0761894A
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- JP
- Japan
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- diameter
- crucible
- pulling
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶絞り部の直径制御性を高めることがで
きる単結晶絞り部育成制御方法を提供すること。 【構成】 所定速度ＣＲで回転する石英ルツボ２内の原
料融液（メルト）１２に、ワイヤー７の下端に取り付け
られた種結晶９を浸漬せしめ、該ワイヤー７を回転させ
ながらこれを所定の速度ＳＥで引き上げることによっ
て、前記種結晶９の先に単結晶１３を育成させるＣＺ法
における単結晶絞り工程において、少なくとも単結晶引
上げ速度ＳＥとルツボ回転速度ＣＲをパラメータとして
単結晶絞り部の直径を制御する。本発明によれば、単結
晶絞り部の直径制御パラメータとして、従来のヒーター
温度に代えて、制御応答性の高いルツボ回転速度ＣＲを
用いるため、単結晶絞り部の直径制御性が高められて単
結晶育成の成功率向上が図られる。
きる単結晶絞り部育成制御方法を提供すること。 【構成】 所定速度ＣＲで回転する石英ルツボ２内の原
料融液（メルト）１２に、ワイヤー７の下端に取り付け
られた種結晶９を浸漬せしめ、該ワイヤー７を回転させ
ながらこれを所定の速度ＳＥで引き上げることによっ
て、前記種結晶９の先に単結晶１３を育成させるＣＺ法
における単結晶絞り工程において、少なくとも単結晶引
上げ速度ＳＥとルツボ回転速度ＣＲをパラメータとして
単結晶絞り部の直径を制御する。本発明によれば、単結
晶絞り部の直径制御パラメータとして、従来のヒーター
温度に代えて、制御応答性の高いルツボ回転速度ＣＲを
用いるため、単結晶絞り部の直径制御性が高められて単
結晶育成の成功率向上が図られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＺ法（ Czochralski法
)による単結晶育成における単結晶絞り部育成制御方法
に関する。
)による単結晶育成における単結晶絞り部育成制御方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法を採用する単結晶育成装置におい
ては、石英ルツボに供給させた多結晶シリコン等の原料
がヒーターによって加熱されて溶融され、この溶融した
融液（以下、メルトと称す）にワイヤー等の引上げ軸の
下端に取り付けられた種結晶が浸漬され、該引上げ軸を
回転させながらこれを所定の速度で引き上げることによ
って、種結晶の先に単結晶が育成される。
ては、石英ルツボに供給させた多結晶シリコン等の原料
がヒーターによって加熱されて溶融され、この溶融した
融液（以下、メルトと称す）にワイヤー等の引上げ軸の
下端に取り付けられた種結晶が浸漬され、該引上げ軸を
回転させながらこれを所定の速度で引き上げることによ
って、種結晶の先に単結晶が育成される。
【０００３】ところで、ＣＺ法では、種結晶をメルトに
浸けて単結晶の育成を開始してからの結晶の無転位化を
図るため、直径を２〜５ｍｍ程度に細く絞って絞り部を
形成する絞り工程が不可欠である。尚、絞り工程の後に
は、育成単結晶を規定直径まで徐々に広げるコーン工程
と、規定直径のまま単結晶を育成させる直胴工程と、単
結晶を切り離すときの熱応力によって単結晶にスリップ
が入るのを防ぐために単結晶の直径を徐々に細くしてい
くテール工程が実施される。
浸けて単結晶の育成を開始してからの結晶の無転位化を
図るため、直径を２〜５ｍｍ程度に細く絞って絞り部を
形成する絞り工程が不可欠である。尚、絞り工程の後に
は、育成単結晶を規定直径まで徐々に広げるコーン工程
と、規定直径のまま単結晶を育成させる直胴工程と、単
結晶を切り離すときの熱応力によって単結晶にスリップ
が入るのを防ぐために単結晶の直径を徐々に細くしてい
くテール工程が実施される。
【０００４】而して、前記絞り工程では、単結晶絞り部
の直径は偏差０．５ｍｍ程度以下の精度で制御される必
要があり、直径を絞り過ぎると、育成単結晶がメルトか
ら切れて単結晶の育成が不可能となったり、絞り部の強
度不足のためにその後に育成される直胴部を支持できな
くなり、逆に直径が大き過ぎると、絞り部で結晶の無転
位化が十分に行なわれず、コーン部又はこれに続く直胴
部において結晶が有転位化し、単結晶の品質が低下す
る。
の直径は偏差０．５ｍｍ程度以下の精度で制御される必
要があり、直径を絞り過ぎると、育成単結晶がメルトか
ら切れて単結晶の育成が不可能となったり、絞り部の強
度不足のためにその後に育成される直胴部を支持できな
くなり、逆に直径が大き過ぎると、絞り部で結晶の無転
位化が十分に行なわれず、コーン部又はこれに続く直胴
部において結晶が有転位化し、単結晶の品質が低下す
る。
【０００５】従って、単結晶絞り部の直径は高精度に制
御されねばならず、従来は結晶引上げ速度とヒーター温
度によって単結晶絞り部の直径制御がなされていた。具
体的には、単結晶の種類によって異なるが、例えば上限
値２〜３ｍｍ／ｍｉｎ以上の速度で単結晶を引き上げる
と、単結晶に突起が生じて結晶欠陥の原因となるため、
結晶引上げ速度は２〜３ｍｍ／ｍｉｎ以下の範囲で制御
されるが、この範囲で制御し切れない場合には、ヒータ
ー温度によっても制御していた。
御されねばならず、従来は結晶引上げ速度とヒーター温
度によって単結晶絞り部の直径制御がなされていた。具
体的には、単結晶の種類によって異なるが、例えば上限
値２〜３ｍｍ／ｍｉｎ以上の速度で単結晶を引き上げる
と、単結晶に突起が生じて結晶欠陥の原因となるため、
結晶引上げ速度は２〜３ｍｍ／ｍｉｎ以下の範囲で制御
されるが、この範囲で制御し切れない場合には、ヒータ
ー温度によっても制御していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヒータ
ー温度の制御では、メルトの表面温度が安定するまでに
１０〜３０ｍｉｎの時間を要するために制御応答性が悪
く、単結晶絞り部の直径制御性も悪くなるという問題が
あった。
ー温度の制御では、メルトの表面温度が安定するまでに
１０〜３０ｍｉｎの時間を要するために制御応答性が悪
く、単結晶絞り部の直径制御性も悪くなるという問題が
あった。
【０００７】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、単結晶絞り部の直径制御性を
高めることができる単結晶絞り部育成制御方法を提供す
ることにある。
で、その目的とする処は、単結晶絞り部の直径制御性を
高めることができる単結晶絞り部育成制御方法を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、所定速度ＣＲで回転するルツボ内の原料融液
に、引上げ軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬せし
め、該引上げ軸を回転させながらこれを所定の速度ＳＥ
で引上げることによって単結晶を育成させるＣＺ法にお
ける単結晶絞り工程において、少なくとも前記単結晶引
上げ速度ＳＥと前記ルツボ回転速度ＣＲをパラメータと
して単結晶絞り部の直径を制御することを特徴とする。
発明は、所定速度ＣＲで回転するルツボ内の原料融液
に、引上げ軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬せし
め、該引上げ軸を回転させながらこれを所定の速度ＳＥ
で引上げることによって単結晶を育成させるＣＺ法にお
ける単結晶絞り工程において、少なくとも前記単結晶引
上げ速度ＳＥと前記ルツボ回転速度ＣＲをパラメータと
して単結晶絞り部の直径を制御することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、単結晶絞り部の直径制御パラ
メータとして、従来のヒーター温度に代えて、制御応答
性の高いルツボ回転速度ＣＲを用いるため、単結晶絞り
部の直径制御性が高められて単結晶育成の成功率向上が
図られる。
メータとして、従来のヒーター温度に代えて、制御応答
性の高いルツボ回転速度ＣＲを用いるため、単結晶絞り
部の直径制御性が高められて単結晶育成の成功率向上が
図られる。
【００１０】因に、ルツボ回転速度ＣＲを上げると、メ
ルト中心温度が下がるために単結晶絞り部の直径は大き
くなり、逆にルツボ回転速度ＣＲを下げると、メルト中
心温度が上がるために単結晶絞り部の直径は小さくな
る。
ルト中心温度が下がるために単結晶絞り部の直径は大き
くなり、逆にルツボ回転速度ＣＲを下げると、メルト中
心温度が上がるために単結晶絞り部の直径は小さくな
る。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は本発明方法を実施するための単結晶
育成装置の概略断面図であり、図中、１はステンレス製
のチャンバーであって、該チャンバー１の内部には石英
ルツボ２がシャフト３上に取り付けられて収納されてい
る。尚、シャフト３及び石英ルツボ２は、不図示の駆動
手段によってその中心軸周りに速度ＣＲで回転駆動され
る。
育成装置の概略断面図であり、図中、１はステンレス製
のチャンバーであって、該チャンバー１の内部には石英
ルツボ２がシャフト３上に取り付けられて収納されてい
る。尚、シャフト３及び石英ルツボ２は、不図示の駆動
手段によってその中心軸周りに速度ＣＲで回転駆動され
る。
【００１３】又、上記チャンバー１内の前記石英ルツボ
２の周囲にはカーボン製のヒーター４が配され、該ヒー
ター４と前記石英ルツボ２はその周囲を同じくカーボン
製の円筒状断熱部材５によって囲繞されている。
２の周囲にはカーボン製のヒーター４が配され、該ヒー
ター４と前記石英ルツボ２はその周囲を同じくカーボン
製の円筒状断熱部材５によって囲繞されている。
【００１４】一方、チャンバー１内には、モーター６に
よって昇降される引上げ軸であるワイヤー７が垂下して
おり、該ワイヤー７の下端には保持具８を介して種結晶
９が保持されている。
よって昇降される引上げ軸であるワイヤー７が垂下して
おり、該ワイヤー７の下端には保持具８を介して種結晶
９が保持されている。
【００１５】又、チャンバー１の肩部に設けられた窓１
０の近傍には、育成中の単結晶の直径を光学的に測定す
るためのＣＣＤカメラ１１が設置されている。
０の近傍には、育成中の単結晶の直径を光学的に測定す
るためのＣＣＤカメラ１１が設置されている。
【００１６】次に、本単結晶育成装置の作用を説明す
る。
る。
【００１７】例えば、シリコン単結晶のＣＺ法による育
成に際しては、チャンバー１内がＡｒガス雰囲気の減圧
状態（例えば、内圧３０ｍｂａｒ）に保たれ、石英ルツ
ボ２内に供給された多結晶シリコンがヒーター４によっ
て加熱されて溶融され、従って、石英ルツボ２内には多
結晶シリコンの融液（メルト）１２が収容される。
成に際しては、チャンバー１内がＡｒガス雰囲気の減圧
状態（例えば、内圧３０ｍｂａｒ）に保たれ、石英ルツ
ボ２内に供給された多結晶シリコンがヒーター４によっ
て加熱されて溶融され、従って、石英ルツボ２内には多
結晶シリコンの融液（メルト）１２が収容される。
【００１８】次に、モーター６が駆動されてワイヤー７
が下げられると、該ワイヤー７の下端に保持された種結
晶９が石英ルツボ２内のメルト１２に浸漬され、石英ル
ツボ２がシャフト３と共に図示矢印方向（時計方向）に
速度ＣＲで回転駆動されると同時に、種結晶９も図示矢
印方向（反時計方向）に速度ＳＲで回転されながら所定
の速度ＳＥで引き上げられると、種結晶９の先には図示
のように単結晶１３が成長する。
が下げられると、該ワイヤー７の下端に保持された種結
晶９が石英ルツボ２内のメルト１２に浸漬され、石英ル
ツボ２がシャフト３と共に図示矢印方向（時計方向）に
速度ＣＲで回転駆動されると同時に、種結晶９も図示矢
印方向（反時計方向）に速度ＳＲで回転されながら所定
の速度ＳＥで引き上げられると、種結晶９の先には図示
のように単結晶１３が成長する。
【００１９】ところで、ＣＺ法においては、種結晶９を
メルト１２に浸けて単結晶１３の育成を開始してからの
該単結晶１３の無転位化を図るため、直径を２〜５ｍｍ
程度に細く絞って絞り部を形成する絞り工程が不可欠で
あり、前述のように絞り部の直径は高精度に制御される
必要がある。
メルト１２に浸けて単結晶１３の育成を開始してからの
該単結晶１３の無転位化を図るため、直径を２〜５ｍｍ
程度に細く絞って絞り部を形成する絞り工程が不可欠で
あり、前述のように絞り部の直径は高精度に制御される
必要がある。
【００２０】ここで、本発明に係る単結晶絞り部の直径
制御方法を図２乃至図４に基づいて説明する。尚、図２
は単結晶絞り部の直径制御手順を示すフローチャート、
図３及び図４は結晶引上げ速度ＳＥとルツボ回転速度Ｃ
Ｒの経時変化を示す図である。
制御方法を図２乃至図４に基づいて説明する。尚、図２
は単結晶絞り部の直径制御手順を示すフローチャート、
図３及び図４は結晶引上げ速度ＳＥとルツボ回転速度Ｃ
Ｒの経時変化を示す図である。
【００２１】本実施例では、直径制御パラメータとし
て、結晶引上げ速度ＳＥ、ルツボ回転速度ＣＲ及び時間
を用いており、ヒーター４の温度は一定に保たれてい
る。
て、結晶引上げ速度ＳＥ、ルツボ回転速度ＣＲ及び時間
を用いており、ヒーター４の温度は一定に保たれてい
る。
【００２２】絞り工程が開始されると（図２のSTEP
１）、ルツボ回転速度ＣＲは初期値（ＣＲ）O ＝１４ｒ
ｐｍに設定され、前記ＣＣＤカメラ１１によって測定さ
れる単結晶絞り部の直径に応じて結晶引上げ速度ＳＥが
０．２５〜２ｍｍ／ｍｉｎの範囲で制御される（図２の
STEP２）。即ち、単結晶絞り部の直径が設定値よりも大
きくなれば、引上げ速度ＳＥが上げられ、逆に単結晶絞
り部の直径が設定値よりも小さくなれば、引上げ速度Ｓ
Ｅが下げられる。
１）、ルツボ回転速度ＣＲは初期値（ＣＲ）O ＝１４ｒ
ｐｍに設定され、前記ＣＣＤカメラ１１によって測定さ
れる単結晶絞り部の直径に応じて結晶引上げ速度ＳＥが
０．２５〜２ｍｍ／ｍｉｎの範囲で制御される（図２の
STEP２）。即ち、単結晶絞り部の直径が設定値よりも大
きくなれば、引上げ速度ＳＥが上げられ、逆に単結晶絞
り部の直径が設定値よりも小さくなれば、引上げ速度Ｓ
Ｅが下げられる。
【００２３】而して、本実施例では、結晶引上げ速度Ｓ
Ｅの下限設定値（ＳＥ）MIN として０．４ｍｍ／ｍｉ
ｎ、上限設定値（ＳＥ）MAX として１．９ｍｍ／ｍｉｎ
が設定されており、引上げ速度ＳＥが（ＳＥ）MIN 〜
（ＳＥ）MAX （０．４〜１．９ｍｍ／ｍｉｎ）の範囲を
逸脱した状態が所定時間継続する毎にルツボ回転速度Ｃ
Ｒを１ｒｐｍずつ増減する制御がなされる。
Ｅの下限設定値（ＳＥ）MIN として０．４ｍｍ／ｍｉ
ｎ、上限設定値（ＳＥ）MAX として１．９ｍｍ／ｍｉｎ
が設定されており、引上げ速度ＳＥが（ＳＥ）MIN 〜
（ＳＥ）MAX （０．４〜１．９ｍｍ／ｍｉｎ）の範囲を
逸脱した状態が所定時間継続する毎にルツボ回転速度Ｃ
Ｒを１ｒｐｍずつ増減する制御がなされる。
【００２４】即ち、単結晶絞り部の長さが設定長さ（絞
り部直径の１０倍以上の長さ）に達しない間（図２のST
EP３）に、メルト１２の温度が高いために絞り部の直径
が小さくなり、そのために単結晶引上げ速度ＳＥが下限
設定値（ＳＥ）MIN （＝０．４ｍｍ／ｍｉｎ）以下とな
る状態（ＳＥ≦（ＳＥ）MIN ）が４０ｓｅｃ間継続する
と、図３に示すように、その時点でルツボ回転速度ＣＲ
が１ｒｐｍ上げられ（図２のSTEPＰ４，５）、例えばＣ
Ｒ＝１５ｒｐｍに設定され、その状態が更に１２０ｓｅ
ｃ間継続すれば、その時点でルツボ回転速度ＣＲが更に
１ｒｐｍ上げられ（図２のSTEP６，７）、例えばＣＲ＝
１６ｒｐｍに設定される。このようにルツボ回転速度Ｃ
Ｒが上げられると、メルト１２の中心温度が下がり、絞
り部の直径は大きくなる側に制御される。
り部直径の１０倍以上の長さ）に達しない間（図２のST
EP３）に、メルト１２の温度が高いために絞り部の直径
が小さくなり、そのために単結晶引上げ速度ＳＥが下限
設定値（ＳＥ）MIN （＝０．４ｍｍ／ｍｉｎ）以下とな
る状態（ＳＥ≦（ＳＥ）MIN ）が４０ｓｅｃ間継続する
と、図３に示すように、その時点でルツボ回転速度ＣＲ
が１ｒｐｍ上げられ（図２のSTEPＰ４，５）、例えばＣ
Ｒ＝１５ｒｐｍに設定され、その状態が更に１２０ｓｅ
ｃ間継続すれば、その時点でルツボ回転速度ＣＲが更に
１ｒｐｍ上げられ（図２のSTEP６，７）、例えばＣＲ＝
１６ｒｐｍに設定される。このようにルツボ回転速度Ｃ
Ｒが上げられると、メルト１２の中心温度が下がり、絞
り部の直径は大きくなる側に制御される。
【００２５】又、逆にメルト１２の温度が低いために絞
り部の直径が大きくなり、そのために単結晶引上げ速度
ＳＥが上限設定値（ＳＥ）MAX （＝１．９ｍｍ／ｍｉ
ｎ）以上となる状態（ＳＥ≧（ＳＥ）MAX ）が２１０ｓ
ｅｃ間継続すれば、図４に示すように、その時点でルツ
ボ回転速度ＣＲが１ｒｐｍ下げられ（図２のSTEP８，
９）、例えばＣＲ＝１３ｒｐｍ（図２のSTEP４，６での
判断結果が何れもＮＯである場合）に設定され、その状
態が更に４２０ｓｅｃ間継続すれば、その時点でルツボ
回転速度ＣＲが更に１ｒｐｍ下げられ（図２のSTEP１
０，１１）、例えばＣＲ＝１２ｒｐｍ（図２のSTEP４，
６での判断結果が何れもＮＯである場合）に設定され
る。このようにルツボ回転速度ＣＲが下げられると、メ
ルト１２の中心温度が上がり、絞り部の直径は小さくな
る側に制御される。尚、図２のSTEP４，６及びSTEP８，
１０の判断結果（ＹＥＳ又はＮＯ）の組み合せにより、
ルツボ回転速度ＣＲは、初期値（ＣＲ）O ±２ｒｐｍ
（１２〜１６ｒｐｍ）の範囲で増減される。
り部の直径が大きくなり、そのために単結晶引上げ速度
ＳＥが上限設定値（ＳＥ）MAX （＝１．９ｍｍ／ｍｉ
ｎ）以上となる状態（ＳＥ≧（ＳＥ）MAX ）が２１０ｓ
ｅｃ間継続すれば、図４に示すように、その時点でルツ
ボ回転速度ＣＲが１ｒｐｍ下げられ（図２のSTEP８，
９）、例えばＣＲ＝１３ｒｐｍ（図２のSTEP４，６での
判断結果が何れもＮＯである場合）に設定され、その状
態が更に４２０ｓｅｃ間継続すれば、その時点でルツボ
回転速度ＣＲが更に１ｒｐｍ下げられ（図２のSTEP１
０，１１）、例えばＣＲ＝１２ｒｐｍ（図２のSTEP４，
６での判断結果が何れもＮＯである場合）に設定され
る。このようにルツボ回転速度ＣＲが下げられると、メ
ルト１２の中心温度が上がり、絞り部の直径は小さくな
る側に制御される。尚、図２のSTEP４，６及びSTEP８，
１０の判断結果（ＹＥＳ又はＮＯ）の組み合せにより、
ルツボ回転速度ＣＲは、初期値（ＣＲ）O ±２ｒｐｍ
（１２〜１６ｒｐｍ）の範囲で増減される。
【００２６】以上のように、本実施例においては、単結
晶絞り部の直径制御パラメータとして、従来のヒーター
温度に代えて、制御応答性の高いルツボ回転速度ＣＲを
用いるため、単結晶絞り部の直径制御性が高められて単
結晶育成の成功率向上が図られる。
晶絞り部の直径制御パラメータとして、従来のヒーター
温度に代えて、制御応答性の高いルツボ回転速度ＣＲを
用いるため、単結晶絞り部の直径制御性が高められて単
結晶育成の成功率向上が図られる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、所定速度ＣＲで回転するルツボ内の原料融液に、
引上げ軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬せしめ、
該引上げ軸を回転させながらこれを所定の速度ＳＥで引
上げることによって単結晶を育成させるＣＺ法における
単結晶絞り工程において、少なくとも前記単結晶引上げ
速度ＳＥと前記ルツボ回転速度ＣＲをパラメータとして
単結晶絞り部の直径を制御するようにしたため、単結晶
絞り部の直径制御性を高めることができるという効果が
得られる。
れば、所定速度ＣＲで回転するルツボ内の原料融液に、
引上げ軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬せしめ、
該引上げ軸を回転させながらこれを所定の速度ＳＥで引
上げることによって単結晶を育成させるＣＺ法における
単結晶絞り工程において、少なくとも前記単結晶引上げ
速度ＳＥと前記ルツボ回転速度ＣＲをパラメータとして
単結晶絞り部の直径を制御するようにしたため、単結晶
絞り部の直径制御性を高めることができるという効果が
得られる。
【図１】本発明方法を実施するための単結晶育成装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】単結晶絞り部の直径制御手順を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図３】結晶引上げ速度ＳＥとルツボ回転速度ＣＲの経
時変化を示す図である。
時変化を示す図である。
【図４】結晶引上げ速度ＳＥとルツボ回転速度ＣＲの経
時変化を示す図である。
時変化を示す図である。
２ 石英ルツボ（ルツボ） ７ ワイヤー（引上げ軸） ９ 種結晶 １２ メルト（原料融液） １３ 単結晶 ＣＲ ルツボ回転速度 ＳＥ 単結晶引上げ速度 （ＳＥ）MAX 結晶引上げ速度の上限設定値 （ＳＥ）MIN 結晶引上げ速度の下限設定値
フロントページの続き (72)発明者 吉田 道明 群馬県安中市磯部２丁目13番１号信越半導 体株式会社磯部工場内 (72)発明者 茂木 公夫 群馬県安中市磯部２丁目13番１号信越半導 体株式会社磯部工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 所定速度ＣＲで回転するルツボ内の原料
融液に、引上げ軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬
せしめ、該引上げ軸を回転させながらこれを所定の速度
ＳＥで引上げることによって単結晶を育成させるＣＺ法
における単結晶絞り工程において、少なくとも前記単結
晶引上げ速度ＳＥと前記ルツボ回転速度ＣＲをパラメー
タとして単結晶絞り部の直径を制御することを特徴とす
る単結晶絞り部育成制御方法 - 【請求項２】 前記単結晶引上げ速度ＳＥが所定の下限
設定値（ＳＥ）MIN以下の状態が所定時間継続する毎に
前記ルツボ回転速度ＣＲを上げ、同単結晶引上げ速度Ｓ
Ｅが所定の上限設定値（ＳＥ）MAX 以上の状態が所定時
間継続する毎にルツボ回転速度ＣＲを下げることを特徴
とする請求項１記載の単結晶絞り部育成制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20628593A JPH0761894A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 単結晶絞り部育成制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20628593A JPH0761894A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 単結晶絞り部育成制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0761894A true JPH0761894A (ja) | 1995-03-07 |
Family
ID=16520783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20628593A Pending JPH0761894A (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 単結晶絞り部育成制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0761894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102409397A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-04-11 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种单晶硅棒拉制工艺 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP20628593A patent/JPH0761894A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102409397A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-04-11 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种单晶硅棒拉制工艺 |
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