JPH0764116A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 一方の基板11の対向面に配線部13、液晶駆動
用透明電極14および２つの非線形抵抗素子18a,18b から
なる非線形抵抗素子部12が形成され、その各非線形抵抗
素子が第１導体19を共通の導体として第１導体／第１導
体の酸化膜からなる非線形抵抗膜／第２導体の積層構造
に形成されてなる液晶表示装置において、配線部を第１
導体／第１導体の酸化膜／第２導体の積層構造に形成
し、この配線部の第１導体と第２導体およびこの配線部
と一方の非線形抵抗素子の第２導体を液晶駆動用透明電
極と同じ透明導電膜22により接続し、他方の非線形抵抗
素子の第２導体と液晶駆動用透明電極を同じく液晶駆動
用透明電極と同じ透明導電膜により接続した。 【効果】 フリッカーや焼付きなどのない高品位液晶表
示装置を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置および
その製造方法に係り、スイッチング素子として、ＭＩＭ
からなる非線形抵抗素子を有するマトリックス型液晶表
示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示器を用いた表示装置が、
パーソナル・コンピューター、ワードプロセッサー、さ
らにはＯＡ機器の端末機器、ＴＶ用画像表示装置などの
大用量情報の表示用として使用されるようになり、それ
にともなって、より高画質の画像表示が要求されてい
る。

【０００３】これら大用量情報の表示には、所定配列の
複数個のスイッチング素子からなるスイッチングアレイ
の形成されたマトリックス型液晶表示装置が用いられ
る。そのスイッチング素子としては、既に各種構成のも
のが知られているが、構造が簡単でありかつ製造が容易
な２端子の非線形抵抗素子として、なかでもＭＩＭ（導
体／非線形抵抗膜／導体）素子が実用化されている。

【０００４】このＭＩＭ素子は、図３にマトリックス型
液晶表示装置の１画素分について示すように、液晶（図
示せず）を挟んで対向する一方のガラス基板１の対向面
に形成されたＴａ薄膜からなる第１導体２、この第１導
体２の表面を覆うＴａの酸化膜からなる非線形抵抗膜
３、この非線形抵抗膜３と一部が重なるように基板１の
対向面に設けられたＣｒ薄膜からなる第２導体４からな
り、その第２導体４と一部が重なり合うように、ガラス
基板１の対向面に液晶駆動用透明導電膜５（画素電極）
が形成されている。

【０００５】この複数個のＭＩＭ素子を有するアレイ基
板の製造方法は、スパッタリング法や真空蒸着法などの
薄膜形成法によりガラス基板１の対向面にＴａ薄膜を形
成し、フォトエッチング法によりパターニングして、配
線とともにＭＩＭ素子の一方の電極である第１導体２を
形成する。つぎにたとえばクエン酸水溶液を用いた陽極
酸化により上記Ｔａ薄膜の表面部を酸化して、上記第１
導体２上にＴａの酸化膜からなる非線形抵抗膜３を形成
する。さらにこの非線形抵抗膜３上に薄膜形成・加工法
により、Ｃｒ薄膜からなるＭＩＭ素子の他方の電極であ
る第２導体４を形成する。その後、スパッタリング法お
よびフォトエッチング法により、その第２導体４と一部
が重なり合うようにガラス基板１の対向面に液晶駆動用
透明導電膜５を形成することにより製造される。

【０００６】このＭＩＭ素子の基本的な製造技術は、特
公昭５５−１６１２７３号公報に開示されており、また
その改良技術が、特開昭５８−１７８３２０号公報など
に開示されている。

【０００７】ところで、上記のように形成されたＭＩＭ
素子を有するマトリックス型液晶表示装置は、ＭＩＭ素
子の電流−電圧特性の非対称性のために、フリッカーや
焼付きなどが発生し、画質が劣化するという問題があ
る。

【０００８】すなわち、マトリックス型液晶表示装置
は、一般に信頼性の点で交流駆動、つまり正負対称な交
流電圧によって駆動され、ＭＩＭ素子に極性の異なる電
圧が周期的に印加される。この場合、ＭＩＭ素子の非線
形抵抗性は、第１、第２導体２，４の材料の相違、第
１、第２導体２，４と非線形抵抗膜３との界面状態の相
違などにより、正負対称にならない場合が生ずる。すな
わち、正負対称の駆動電圧を印加しても、液晶に印加さ
れる電圧は正負非対称となり、液晶にオフセット電圧
（ＤＣ成分）が残り、フリッカーや焼付きなどが発生す
る。

【０００９】この原因は、必ずしも明確ではないが、電
流の発生機構が酸化膜（非線形抵抗膜３）のバルクの物
性に依存しており、酸化膜の膜質の不均一や経時変化な
どによるものと考えられる。

【００１０】上記ＭＩＭ素子の問題を回避する手段とし
て、たとえば特開昭５７−１４４５８４号公報には、２
個のＭＩＭ素子を逆極性に直列接続して、スイッチング
素子とするとよいことが示されている。このスイッチン
グ素子は、図４に示すように、一方のガラス基板１の対
向面に形成されたＴａまたは窒素をドープしたＴａ薄膜
からなる所定パターンに形成された第１導体２と、この
第１導体２上に被着形成されたＴａ酸化膜または窒素を
ドープしたＴａ酸化膜からなる非直線抵抗膜３と、この
非直線抵抗膜３の両側部上に形成されたＣｕ、Ａｌなど
からなる２個の第２導体４a ，４b とからなり、その第
２導体４b と一部が重なり合うように、一方の基板１の
対向面にＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ などからなる液晶駆動用
透明電極５が形成されている。

【００１１】このようにＭＩＭ素子を逆極性に直列接続
してスイッチング素子とすると、必要な駆動電圧が倍に
なり、その駆動電圧の上昇により電流−電圧特性の対称
性が向上し、フリッカーや焼付きなどを軽減できる。

【００１２】しかしこのＭＩＭ素子を逆極性に直列接続
してスイッチング素子とする液晶表示装置は、製造に当
り、第１導体２のパターニング、非直線抵抗膜３のパタ
ーニング、第２導体４a ，４b のパターニング、液晶駆
動用透明電極５のパターニングと４回の薄膜形成、エッ
チングが必要であり、製造工程が複雑である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＭＩＭ
素子をスイッチング素子とする液晶表示装置は、正負対
称な交流電圧を印加しても、ＭＩＭ素子の第１、第２導
体の材料の相違や第１、第２導体と非線形抵抗膜との界
面状態の相違などにより、正負対称にならない場合が生
じ、フリッカーや焼付きなどか発生し、画質が劣化する
という問題がある。

【００１４】このＭＩＭ素子の問題を回避する手段とし
て、２個のＭＩＭ素子を逆極性に直列接続してスイッチ
ング素子とするとよいことが知られている。しかしこの
液晶表示装置は、製造に当り、第１導体のパターニン
グ、非直線抵抗膜のパターニング、第２導体のパターニ
ング、液晶駆動用透明電極のパターニングと４回の薄膜
形成、エッチングが必要であり、製造工程が複雑である
という問題がある。

【００１５】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、フリッカーや焼付きなどのない液晶表示装
置を簡単な工程で容易に製造し得るようにすることを目
的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】液晶を挟んで対向する一
方の基板の対向面に配線部、液晶駆動用透明電極および
２つの非線形抵抗素子からなる非線形抵抗素子部が形成
され、その各非線形抵抗素子が第１導体を共通の導体と
して第１導体／第１導体の酸化膜からなる非線形抵抗膜
／第２導体の積層構造に形成され、一方の非線形抵抗素
子の第２導体が配線部に接続され、他方の非線形抵抗素
子の第２導体が液晶駆動用透明電極に接続されてなる液
晶表示装置において、配線部を第１導体／第１導体の酸
化膜／第２導体の積層構造に形成し、この配線部の第１
導体と第２導体およびこの配線部と一方の非線形抵抗素
子の第２導体が液晶駆動用透明電極を構成する透明導電
膜と同じ透明導電膜により接続し、他方の非線形抵抗素
子の第２導体と液晶駆動用透明電極が同じく液晶駆動用
透明電極を構成する透明導電膜と同じ透明導電膜により
接続した。

【００１７】またその液晶表示装置の製造方法として、
一方の基板の対向面に第１導体／第１導体の酸化膜／第
２導体の積層構造層を形成する工程と、その積層構造層
を所定パターンに形成する工程と、その所定パターンの
積層構造層の第１導体の側面部を酸化してこの側面部に
第１導体の酸化膜を形成する工程と、その第１導体の側
面部に酸化膜の形成された所定パターンの積層構造層を
第１導体／第１導体の酸化膜からなる非線形抵抗膜／第
２導体の積層構造からなる素子部と第１導体／第１導体
の酸化膜／第２導体の積層構造からなる配線部とに分断
する工程と、透明導電膜を形成して、配線部の第１導体
と第２導体およびこの配線部と素子部の分割された一方
の第２導体を接続すると同時に、透明導電膜により透明
電極を形成し、かつこの透明電極と素子部の分割された
他方の第２導体を接続する工程と、素子部の第２導体を
２分割して２個の第２導体を形成する工程とにより配線
部、液晶駆動用透明電極および非線形抵抗素子部を形成
するようにした。

【００１８】

【作用】上記のように、液晶表示装置を構成すると、従
来の２個のＭＩＭ素子を逆極性に直列接続してスイッチ
ング素子とする液晶表示装置の製造にくらべて、薄膜形
成、エッチングの回数を減らすことができ、フリッカー
や焼付きなどのない高品位液晶表示装置とすることがで
きる。また導電層間の接続が良好になり、配線抵抗を小
さくでき、大型高精細液晶表示装置の実用化に有効であ
る。

【００１９】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。

【００２０】図１（ａ）にこの発明の一実施例に係るマ
トリックス型液晶表示装置の一方の基板に形成される１
画素の平面構造を、同（ｂ）にそのＢ−Ｂ断面を、同
（ｃ）にＣ−Ｃ断面を示す。この液晶表示装置は、液晶
１０を挟んで対向する一方のガラス基板１１の対向面
に、非線形抵抗素子部１２、配線部１３および液晶駆動
用透明電極１４（画素電極）が、さらにその上に配向膜
（図示せず）が設けられ、他方のガラス基板１５の対向
面にも、透明電極１６およびその上に配向膜（図示せ
ず）が設けられた構造に形成されている。

【００２１】上記非線形抵抗素子部１２は、２個のＭＩ
Ｍ素子１８a 、１８b により構成されている。その各Ｍ
ＩＭ素子１８a 、１８b は、一方の基板１１の対向面に
形成されたＴａ薄膜からなる第１導体１９を共通の導体
とし、この第１導体１９の表面を覆うＴａ酸化膜からな
る非線形抵抗膜２０、およびこの非線形抵抗膜２０上に
分離形成されたＴｉ薄膜からなる２つの第２導体２１a
、２１b により構成されている。また配線部１３は、
上記ＭＩＭ素子１８a 、１８b と同様にＴａ薄膜からな
る第１導体、この第１導体の表面を覆うＴａ酸化膜およ
びこのＴａ酸化膜上に形成されたＴｉ薄膜からなる第２
導体により構成されている。また液晶駆動用透明電極１
４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜
により構成されている。

【００２２】そしてこの液晶表示装置においては、上記
配線部１３の第１導体と第２導体、および一方のＭＩＭ
素子１８a の第２導体２１a と配線部１３とが、液晶駆
動用透明電極１４を構成する透明導電膜と同じ透明導電
膜２２により接続され、また他方のＭＩＭ素子１８b の
第２導体２１b と液晶駆動用透明電極１４とが、この液
晶駆動用透明電極１４を構成する透明導電膜２２により
接続されている。

【００２３】したがって上記非線形抵抗素子部１２を有
する液晶表示装置は、逆極性に直列接続された２個のＭ
ＩＭ素子１８a 、１８b を介して配線部１３から透明電
極１４に駆動電圧が供給される。

【００２４】つぎに、この液晶表示装置の製造方法を、
図２（ａ）ないし（ｆ）により説明する。この図２の
（ａ）ないし（ｃ）および（ｆ）は、それぞれ図１
（ａ）のＢ−Ｂ線断で示した図であり、（ｄ）および
（ｅ）は、それぞれ同部近傍の平面図である。

【００２５】まず、図１（ａ）に示すように、板厚０．
７mmの一方のガラス基板１１の対向面にたとえばＳｉＯ
₂ からなるアルカリ防御膜（図示せず）を形成し、この
アルカリ防御膜上に、スパッタリング法により、膜厚３
０００オングストロームのＴａ薄膜２３を形成する。つ
ぎにこのＴａ薄膜２３の全面を酸化して、その表面部に
均一なＴａ酸化膜２４を形成する。このＴａ酸化膜２４
の形成は、Ｔａ薄膜２３を陽極とし、Ｐｔめっきを施し
たＴｉメッシュを陰極とし、１重量％ほう酸アンモニウ
ム水溶液を電解液とする陽極酸化により形成することが
できる。一例として、上記陰陽両極間に２４Ｖの電圧を
印加して、膜厚４００オングストロームの均一なＴａ酸
化膜２４を形成することができる。この場合、Ｔａ薄膜
２３の表面部の１６０オングストロームの厚さの部分が
４００オングストロームの厚さのＴａ酸化膜２４にな
る。つぎにスパッタリング法により、このＴａ酸化膜２
４の全面に膜厚１２００オングストロームのＴｉ薄膜２
５を形成する。

【００２６】つぎに上記Ｔｉ薄膜２５の全面に、たとえ
ばポジタイプの感光剤を塗布し、所定パターンの形成さ
れたフォトマスクを用いて露光し現像して、同（ｂ）に
示すように、所定パターンのレジスト膜２７を形成す
る。その後、ウエットエッチングによりレジスト膜２７
の形成されていない部分のＴｉ薄膜を除去し、つづいて
ケミカルドライエッチングによりＴａ酸化膜２４および
Ｔａ薄膜２３のレジスト膜２７の形成されていない部分
を除去する。そのウエットエッチングは、ＥＤＴＡ（エ
チレンジアミン−テトラアセティックアシド）９ｇ、水
４００cc、アンモニア水３mlの割合いで混合したエッチ
ング液を室温に保っておこなわれる。またケミカルドラ
イエッチングは、ＣＦ₄ とＯ₂ との等量混合ガスを用い
たプラズマエッチングでおこなわれる。

【００２７】つぎに同（ｃ）に示すように、レジスト膜
２７の残存した状態で、上記エッチングにより形成され
たＴａ薄膜２３の側面を酸化してＴａ酸化膜２４ａを形
成する。このＴａ酸化膜２４ａの形成は、前記Ｔａ薄膜
の表面部全面にＴａ酸化膜を形成する場合と同様に、Ｔ
ａ薄膜２３を陽極とし、Ｐｔめっきを施したＴｉメッシ
ュを陰極とし、１重量％ほう酸アンモニウム水溶液を電
解液とする陽極酸化によりおこなわれる。特にこの場
合、前記Ｔａ薄膜の表面部全面にＴａ酸化膜を形成する
場合にくらべ陰陽両極間に印加する電圧を高くして、Ｔ
ａ酸化膜の膜厚を厚く形成する。具体的には、陰陽両極
間に１００Ｖの電圧を印加して、膜厚１６００オングス
トロームのＴａ酸化膜２４ａを形成する。

【００２８】その後、上記レジスト膜２７を除去して、
同（ｄ）に示すように、配線部１３と素子部２９とが繋
がったパターン（平面形状）にしたのち、このパターン
の形成されたガラス基板の全面に、たとえばポジタイプ
の感光剤を塗布し、フォトマスクを用いて露光し現像し
て、所定パターンのレジスト膜を形成する。そして前記
Ｔｉ薄膜、Ｔａ酸化膜、Ｔａ薄膜のエッチングと同様
に、ウエットエッチングによりＴｉ薄膜をエッチング
し、つづいてケミカルドライエッチングによりＴａ酸化
膜およびＴａ薄膜エッチングして、同（ｅ）に示すよう
に、Ｔａ薄膜からなる第１導体およびＴａ酸化膜からな
る非線形抵抗膜をもつ素子部２９と、Ｔａ薄膜およびＴ
ａ酸化膜からなる配線部３０とに分断する。この場合、
その分断部分にＴａ薄膜およびＴｉ薄膜の側面３０が露
出する。

【００２９】つぎに上記素子部２９と配線部１３とが形
成されたガラス基板の全面に、スパッターリング法によ
り、膜厚１０００オングストロームのＩＴＯからなる透
明導電膜を形成する。さらにこの透明導電膜上に、たと
えばポジタイプの感光剤を塗布し、フォトマスクを用い
て露光し現像して、所定パターンのレジスト膜を形成す
る。ついで塩酸、硝酸、水を１：０．１：１の容量比で
混合したエッチング液を３０℃に加熱してエッチング
し、レジスト膜の形成されていない部分の透明導電膜を
除去して、同（ｆ）に示すように、透明電極１４、配線
部１３と素子部２９のＴａ薄膜からなる一方の２導体形
成部分とを接続する所定パターンの透明導電膜２２、お
よび透明電極１４と素子部２９のＴｉ薄膜からなる他方
の第２導体形成部分とを接続する所定パターンの透明導
電膜２２を形成する。この配線部１３と素子部２９とを
接続する透明導電膜２２は、配線部１３のＴａ薄膜２３
とＴｉ薄膜２５の露出側面上にも形成され、配線部１３
のＴａ薄膜２３とＴｉ薄膜２５とは、この露出側面上に
形成された透明導電膜２２により接続される。

【００３０】つぎに上記透明導電膜２２をレジストパタ
ーンとして、上記素子部２９の２つの第２導体形成部分
間の露出部分を、前記Ｔｉ薄膜のエッチングと同様のウ
エットエッチングにより除去し、素子部２９に２つの第
２導体２１a ，２１b を形成して非線形抵抗素子部とす
る。

【００３１】液晶表示装置の製造は、その後、上記のよ
うに形成されたアレイ基板の非線形抵抗素子部、配線部
１３および透明電極１４の形成された面（一方のガラス
基板の対向面）にポリイミド樹脂を塗布し焼成して配向
膜を形成する。そして液晶の配向方向を規制するラビィ
ングをおこなう。一方、他方のガラス基板１５の対向面
にも、上記一方のガラス基板の透明電極の形成方法と同
様の方法により透明電極１６を形成し、さらにポリイミ
ド樹脂を塗布し焼成して配向膜を形成する。そして上記
アレイ基板に対して、約９０°捩じった方向にラビィン
グする。つぎに液晶分子の長軸方向が上記２種類の基板
間で約９０°捩れるように、両基板を５〜１０μm の間
隔を保って接合し、両基板間に液晶を注入して液晶セル
を形成する。その後、この液晶セルの外面に、偏光軸を
約９０°捩った形で偏光板を配置して液晶表示装置とす
る。

【００３２】ところで、上記のように液晶表示装置を構
成すると、従来の２個のＭＩＭ素子を逆極性に直列接続
してスイッチング素子とする液晶表示装置の製造にくら
べて、薄膜形成、エッチングの回数を１回少なくして、
３回の薄膜形成、エッチングにより液晶表示装置を製造
することができ、容易にフリッカーや焼付きなどのない
高品位液晶表示装置とすることができる。また導電層間
の接続が良好となり、配線抵抗を小さくできるため、大
型高精細液晶表示装置の実用化に有効であるなどの効果
が得られる。

【００３３】

【発明の効果】一方の基板の対向面に配線部、液晶駆動
用透明電極および２つの非線形抵抗素子からなる非線形
抵抗素子部が形成され、その各非線形抵抗素子が第１導
体を共通の導体として第１導体／第１導体の酸化膜から
なる非線形抵抗膜／第２導体の積層構造に形成され、一
方の非線形抵抗素子の第２導体が配線部に接続され、他
方の非線形抵抗素子の第２導体が液晶駆動用透明電極に
接続されてなる液晶表示装置において、配線部を第１導
体／第１導体の酸化膜／第２導体の積層構造に形成し、
この配線部の第１導体と第２導体およびこの配線部と一
方の非線形抵抗素子の第２導体が液晶駆動用透明電極を
構成する透明導電膜と同じ透明導電膜により接続し、他
方の非線形抵抗素子の第２導体と液晶駆動用透明電極が
同じく液晶駆動用透明電極を構成する透明導電膜と同じ
透明導電膜により接続すると、従来の２個のＭＩＭ素子
を逆極性に直列接続してスイッチング素子とする液晶表
示装置の製造にくらべて、薄膜形成、エッチングの回数
を少なくして液晶表示装置を製造することができ、容易
にフリッカーや焼付きなどのない高品位液晶表示装置と
することができる。また導電層間の接続が良好となり、
配線抵抗を小さくできるため、大型高精細液晶表示装置
の実用化に有効であるなどの効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）はこの発明の一実施例に係るマトリ
ックス型液晶表示装置の一方の基板に形成される１画素
分の平面構造を示す図、図１（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面
図、図１（ｃ）はそのＣ−Ｃ断面図である。

【図２】図２（ａ）ないし（ｆ）はそれぞれこの発明の
一実施例であるマトリックス型液晶表示装置の製造方法
を説明するための図である。

【図３】従来のマトリックス型液晶表示装置の要部構成
を示す図である。

【図４】従来の２個のＭＩＭ素子を逆極性に直列接続し
たマトリックス型液晶表示装置の要部構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１１…一方のガラス基板 １２…非直線抵抗素子部 １３…配線部 １４…液晶駆動用透明電極 １５…他方のガラス基板 １６…透明電極 １８a ，１８b …ＭＩＭ素子 １９…第１導体 ２０…非直線抵抗膜 ２１a ，２１b …第２導体 ２２…透明導電膜 ２３…Ｔａ薄膜 ２４…Ｔａ酸化膜 ２５…Ｔｉ薄膜 ２７…レジスト膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を挟んで対向する一方の基板の対向
   面に配線部、液晶駆動用透明電極および２つの非線形抵
   抗素子からなる非線形抵抗素子部が形成され、上記各非
   線形抵抗素子が第１導体を共通の導体として第１導体／
   第１導体の酸化膜からなる非線形抵抗膜／第２導体の積
   層構造に形成され、一方の非線形抵抗素子の第２導体が
   上記配線部に接続され、他方の非線形抵抗素子の第２導
   体が上記液晶駆動用透明電極に接続されてなる液晶表示
   装置において、 上記配線部が第１導体／第１導体の酸化膜／第２導体の
   積層構造に形成され、この配線部の第１導体と第２導体
   およびこの配線部と上記一方の非線形抵抗素子の第２導
   体が上記液晶駆動用透明電極を構成する透明導電膜と同
   じ透明導電膜により接続され、上記他方の非線形抵抗素
   子の第２導体と上記液晶駆動用透明電極が同じく上記液
   晶駆動用透明電極を構成する透明導電膜と同じ透明導電
   膜により接続されていることを特徴とする液晶表示装
   置。
2. 【請求項２】 液晶を挟んで対向する一方の基板の対向
   面に配線部、液晶駆動用透明電極および２つの非線形抵
   抗素子からなる非線形抵抗素子部が形成され、上記各非
   線形抵抗素子が第１導体を共通の導体として第１導体／
   第１導体の酸化膜からなる非線形抵抗膜／第２導体の積
   層構造に形成され、一方の非線形抵抗素子の第２導体が
   上記配線部に接続され、他方の非線形抵抗素子の第２導
   体が上記液晶駆動用透明電極に接続されてなる液晶表示
   装置の製造方法において、 上記一方の基板の対向面に第１導体／第１導体の酸化膜
   ／第２導体の積層構造層を形成する工程と、上記積層構
   造層を所定パターンに形成する工程と、上記所定パター
   ンの積層構造層の第１導体の側面部を酸化してこの側面
   部に第１導体の酸化膜を形成する工程と、上記第１導体
   の側面部に酸化膜の形成された所定パターンの積層構造
   層を第１導体／第１導体の酸化膜からなる非線形抵抗膜
   ／第２導体の積層構造からなる素子部と第１導体／第１
   導体の酸化膜／第２導体の積層構造からなる配線部とに
   分断する工程と、透明導電膜を形成して、上記配線部の
   第１導体と第２導体およびこの配線部と上記素子部の分
   割された一方の第２導体を接続すると同時に、上記透明
   導電膜により透明電極を形成し、かつこの透明電極と上
   記素子部の分割された他方の第２導体を接続する工程
   と、上記素子部の第２導体を２分割して２個の第２導体
   を形成する工程とにより上記配線部、液晶駆動用透明電
   極および非線形抵抗素子部を形成することを特徴とする
   液晶表示装置の製造方法。