JPH0765238B2 - 連続的に移行するバンド上に電解により沈積される金属の量を制御する方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、連続的に移行する金属バンド（帯）上に電解
被覆を沈積（deposit）する技術に関するものであり、
より詳しくはマイクロデータプロセツサによる金属の沈
積（depostion）の制御に関するものである。

バンドに錫めつきを行うためこのバンドを電解液を満た
した複数のタンク中を連続して通過させることは知られ
ている。

錫は、陽極として作用する銅製サポート上に置かれた棒
の形で錫めつきプラントへ供給される。

12の連続するタンクから成る錫めつきプラントが事例に
より説明される。

各タンクにおいて金属バンドの表面につき２個のサポー
ト又はブリツジ（bridge:橋状のもの）が備えられ、全
部で24のブリツジが金属表面に備えられる。

各サポート上の錫の棒の数は、錫めつきされるバンドの
幅の関数である。

実際に消耗できる電極である錫の棒は、導電性の摺動路
に取付けられ、それらが使い古されたとき連続的な方法
において生産ラインを止めることなくそれらを交換する
ことが可能にされる。

各タンク内に下方のゴムローラとクロム被覆の上方ロー
ラが配置され、両ローラの間にバンドが延在する。それ
らは共に対応するタンクの陰極を形成する。

ブリツジは24V（ボルト）の直流を供給され、電流は450
0A（アンペア）に制限される。

沈積される錫の量（rate）は、バンドの幅、バンドの移
行速度及び使用される異なるブリツジの間に分けられる
電流の合計の関数である。

電流値は、フアラデー（Faraday）の法則から導かれる
次の方程式で与えられる。

v:生産ラインの速度、m/分 l:バンド幅、ｍ E:錫めつき量（tinning rate）、g/m²、 n:産出高（yield） 公知のプラントにおいて、運転者は、全電流（TI）に直
接作用することによつて予定された錫めつき量を制御す
る。運転者はまずバンドの幅を示すか入力するかしなけ
ればならない。錫めつき量は、生産ラインの速度につり
合つたある値に電流を制御することによつて、一定に保
たれる。しかしながら、この制御は、中間の状態（速度
の変化、量の変化、ブリツジの切離し又は付加）の間、
過小の錫めつき及び過大の錫めつきを避けることをしな
い。実際において沈積される錫の量は次のとおりであ
る。

ｉはブリツジの配置番号である。

安定状態において、ブリツジ下の通路の速度は全て同一
であるから次式が得られる。

しかしながら、各移行において、この方程式はもはや真
実でない。なぜなら全てのviが異なるからである。それ
故錫の量は、予定の値より20％以上も異なる。

最近において、錫めつき量の測定は次のようになされ
た。

運転者は、表によつて、なされるべき被覆の関数に関連
した電流を入力又は挿入した。測定は破壊検査によつて
なされた。電流は次に再調整された。この測定は数分か
ら45分の間に行なわれ、そしてこのような作業は満足な
結果を得るまでに数回再開されねばならなかつた。

装置の慣性の見地において、短いプログラムにおいては
調整はしばしば作業の終りに得られた。その上、議論を
避けるため錫めつき量は始動から正確を目的とし、それ
は通常の量より高いものであつた。したがつて、錫めつ
き作業は過度に高価であつた。

ごく最近において、連続測定ゲージが設置された。この
ゲージは、スクリーンによつてグラフの形式で測定を複
写することができる。それ故運転者は直ちに誤りを訂正
できる。

このゲージは次の方法で作動する。

測定は、けい光Ｘの原理に基づいている。ゲージは放射
性期間17.6年を有する２個のキユリウム（curium）244
源を使用する。キユリウム源から解放されたエネルギ
は、イオンから生じるけい光の放出を起こす。エネルギ
の一部は錫に吸収される。沈積された錫は、放射線の残
りの量を決定することによつて計算される。

信号は次のように処理される。

セルから放出された指数関数信号の被覆に比例した線形
信号への変換。

測定と設定量との差の計算。

サンプル用のキユリウム源の経年による大体５％くらい
の信号値の修正。

最後に、マイクロコンピユータが信号を記録しそしてそ
れらを錫めつき生産ラインに配置された陰極線スクリー
ンに移す。

ゲージは、およそ30秒毎にスキヤン（scanning:走査）
を行う。同時に、被覆の横断面輪郭、即時に計測された
平均値戦び最後のスキヤンの値、及び錫めつき作業の現
在有効な規格、例えばEVRONORM、によつて許される最小
閾（いき）minimum threshold）が現われる。比較のた
めに、最後に記録された輪郭がスクリーンに残る。

以上の公知技術には、各速度変化に対する錫めつき量に
おける変化の問題がある。

本発明の１つの目的は、それ故、連続的に移行する金属
バンド上への金属被覆の電解沈積（deleclrolytic depo
sition）を制御する方法と装置にして各ブリツジによつ
て沈積される金属の量を勘定に入れることにより及びこ
れらの量に従つて沈積ラインに制御を行なうことにより
これらの欠点を克服する方法と装置を提供することであ
る。

それ故、本発明は、沈積プラントにおいて被覆されるべ
き連続的に移行するバンド上に電解的に沈積される金属
の量を制御する方法を提供する。沈積プラントは、電解
液を満たされた複数のタンクと、各タンクと共同して陰
極を構成する導電性ローラのまわりを通過するバンド
と、及び導電性ブリツジにしてタンク内のバンドの径路
の一部において各タンク内に配置された陽極を形成する
もの、によつて担持された金属棒によつて供給される被
覆金属と、を含んでいる。該方法は、次のプロセスを含
んでいる。

即ち、２個の連続した導電性ブリッジ間のバンドの変位
（バンドの移行距離）毎に、各導電性ブリッジに対する
供給電流の強度とバンドの速度と各導電性ブリッジにお
ける産出高（各ブリッジに担持され陽極を形成する金属
棒から単位時間に単位電流により電解液中に溶出される
金属の量）との関数である各導電性ブリッジにおける金
属沈積量を計算する段階、金属の沈積を連続して累積す
る２個の連続した導電性ブリッジ間の距離に等しいバン
ドの長さを別々に求める段階、金属の沈積を完成するた
め最終の導電性ブリッジの必要電流強度を決定するよう
に、最終の導電性ブリッジにおいて累積する金属沈積量
を確定する段階、最終の導電性ブリッジにおいて所望の
電流強度を得るために必要な合計電流強度を決定する段
階、及びバンド全体の幅の平均測定値の取得により、移
行距離を勘定にいれて、平均測定値と予め設定された設
定値の間の差異を計算し、各導電性ブリッジにおける理
論産出高を修正する係数を決定する段階。

発明の特別な特徴によると、前述の方法は更に次のステ
ツプを含む。即ち、 プラントの各ブリツジの供給電流強度の関数としての産
出高（yield）の実験曲線を決定すること、 ブリツジが作動中であるか否かに関する指標（indicati
ons）を集めること、 各ブリツジに関する電流強度の、及び全ブリツジについ
ての最大電流強度のアナログ値を確立すること、 バンドの移行速度を測定すること、 沈積されるべき金属の量に関する設定値を確立するこ
と、 沈積された金属の合計量を周期的スキヤン（scanning）
を用いるゲージによつて測定すること、 ゲージの各スキヤンによつて測定された金属の量の上方
及び下方の平均を決定すること、及び、 前記のデータから制御モデル（regulationmodel）を確
立すること。

本発明のより良い理解は、添付の図面を引用した次の事
例の説明から得られるであろう。

第１図は、本発明が適用された錫めつき装置の部分構造
をなす錫めつきタンクを示す。

しかしながら、本発明が、また、クロム、銅、その他の
金属のような錫以外の金属を析出させる電解析出プラン
トに適用可能であることは、言及されねばならない。

タンク１は、電解液（図示されない）を収容する。

タンク１の底部にローラ２が回転可能に取付けられる。
錫の被覆が付けられるべきバンド（帯）Ｂがローラ２の
まわりを連続的に通過する。ローラ２は、例えばゴムで
作られる。タンク１の上方に、導電性材料の、例えばク
ロムをかぶせた第２のローラ３が配置される。第２のロ
ーラ３は、バンドＢに張力を与え、バンドＢを図示され
ないタンクからタンク１へ移行させる。図示されないタ
ンクは、同じタイプの他のタンクと共に、タンク１の上
流側及び下流側に配置され、錫メツキプラントの一部分
を構成する。

第２のローラ３は、タンク１と組合わされた陰極の作用
を行なう。

図示されないふき取りローラがバンドＢを第２のローラ
３へ押圧し、電気的アークの形成を避ける。

バンドＢは、銅製棒で作られた２対のサポート4,5の間
（第２図）を通つてタンク１へ入る。サポート4,5上に
垂直に錫棒６が並べて配置され、錫棒の脚部分はＵ字断
面のガイドに係合される。

銅製棒4,5は錫棒６の摺動路を形成すると共に対応した
電流供給棒７へ結合される。

それ故バンドＢは、サポート4,5により担持された錫棒
６によつて形成された２つの通路にして電解液を満たさ
れたタンク１内にバンドＢの下降路及び上昇路を用意す
るもの、を通つて移行する。

サポート（又はブリツジ）4,5及び錫棒６は、装置の陽
極の作用をなす。

このように構成されたタンクは、フレーム10によつて担
持される。フレーム10は、またプラントの他のタンク
（図示されない）も担持する。

絶縁材料の部分11が、フレーム10とサポート4,5の電流
供給棒７への接続部との間に置かれる。

プラントの最後のタンクの下流側に、第３図において示
された方法で配置された２つのセルから成るゲージが配
置される。

プラントの出口端で、バンドＢにしてその両面に錫の被
覆を施されたものが、転向ローラ15のまわりを通過す
る。転向ローラの前部に第１のセル16が配置され、バン
ドＢのループの第１の表面上の錫の被覆を決定する。第
１のセル16は、サポート18上に置かれたキユリウム244
源17を含む。サポート18は、スタンド19に枢軸により取
付けられ、空気ジヤツキ21によりピボツトピン20のまわ
りに動き得る。

バンドＢは次に第２の転向ローラ22のまわりを通る。ロ
ーラ22の前方にセル16に似た第２のセル23が配置され、
バンドＢの反対側の表面上の錫の被覆を測定するように
される。

このセル23もまたサポート25上に置かれたキユリウム24
4源24を含む。サポート25はスタンド26に枢軸により取
付けられ、空気ジヤツキ27により位置を変えられる。

ゲージの２つのセル16及び23の出力（図示されない。）
は、以下に述べる第４図の処理回路に連結される。

第４図の回路は、例えばADAC735型のような、アナログ
−デジタル及びデジタルアナログコンバータ30を含む。
コンバータ30は、12の錫めつきタンクを有する錫めつき
プラントのために、第１図及び第２図のタンクのブリツ
ジのような、すべてのタンクのサポートに供給される電
流の強さに関する48のアナログ入力31を含む。

コンバータ30は、さらにゲージのセル16,23の位置に関
するデータを受けるようにされた２個のアナログ入力32
と、バンドＢの２つの表面上の錫の堆積の平均値に関す
るデータを受けるようにされた２個のアナログ入力33
と、を含む。

コンバータ30は、さらに取扱われるバンドＢの幅に関す
る信号を受けるためのアナログ入力34と、下方及び上方
の最大電流強度に関した２個のアナログ入力35と、装置
のブリツジの間に分けられるべき下方及び上方の全電流
の強度に関する２個のアナログ出力と、を含む。

コンバータ30は、マルチコンダクタバス36に連結され
る。

第４図の回路は、さらにカウンタ37及びインテル（Inte
l）社によつて製造販売されたSBC519型のインターフエ
イス回路38を含む。カウンタ37の入力は、バンドＢ（図
示されない。）の移行に関連したパルスの発生器の出力
につなげられる。カウンタ37はまたバス36にも連結され
る。インターフエイス回路38は、得られるべき錫めつき
量の上方及び下方の設定値に関連した32のデジタル入力
39と、商業的設定値に関連した32のデジタル入力40と、
自動又は手動運転を有効にする入力41と、及び設定値を
有効にする入力42とを有する。インターフエイス回路38
はまたバス36に連結される。

第４図の回路は、例えばインテル8088型のマイクロプロ
セツサ43にしてバス36に連結され受け入れたデータの関
数としてプラントの種々のタンクにおける堆積されるべ
き錫めつき量の変化を制御するもの、を含む。

プラントの運転を、第４図及び第５図から第７図のフロ
ー図を参照して記述する。

プラントの運転の第１のステージ（段階）は、製法の運
転に関るるデータを取得するステージである。

コンバータ30は、プラントの12のタンクのブリツジ4,5
上の電流の強さの測定量を48の入力で受け入れる。

第５図のフロー図のステージ50の経過において、コンバ
ータ30は、ブリツジの各々の電流を読む。これらの電流
の強さのデータはマイクロプロセツサ43に伝達される。
マイクロプロセツサ43は、ステージ１のコースにおい
て、各ブリツジの下方の錫の沈積物の値を計算し、カウ
ンタ37から伝達されたバンドの移行速度と、コンバータ
30から伝達された各ブリツジの産出高及びバンド幅を表
わすゲージ位置とに関する情報を記憶する。

ステージ52のコースにおいて、マイクロプロセツサ43
は、先行した錫沈積に関するデータを積算する。

次に、第６図のフローチヤートに示されるように、最後
のブリツジの錫沈積の決定がある。この演算は、第６図
の“ラピツドループ”に関するフローチヤートのステー
ジ53のコースにおいて実行される。

ゲージのスキヤン（走査）のコースにおける最後のブリ
ツジの錫沈積の情報は、コンバータ30のアナログ入力31
で受け入れられる。

ステージ54のコースにおいて、インターフエイス回路38
の入力39へ運転者によつて挿入された得られるべき錫の
上方及び下方設定量のデータにより、最後のブリツジに
より沈積されるべき錫の量の計算が行なわれる。次に、
ステージ55のコースにおいて、マイクロプロセツサ33
は、最終ブリツジによつて沈積されるべき錫の量のデー
タと、バンド幅、ゲージによつて測定された被覆の値及
びバンドの移行速度のデータと、の関数として要求され
る近似電流強度を計算する。バンドの移行速度は、コン
バータ30及びカウンタ37からバス36を介して受け入れら
れる。

ステージ56のコースにおいて、マイクロプロセツサ43
は、第８図に示された所定の曲線によりステージ55のコ
ースにおいて計算された電流強度によるブリツジの産出
高を計算する。

次に、ステージ57のコースにおいて、マイクロプロセツ
サ43は、ゲージによつて測定された被覆の値及びバンド
の移行速度を計算に入れることによつて、ステージ56の
コースにおいて決定された産出高に対応する要求電流強
度を計算する。

ステージ58のコースにおいて、要求電流強度と最終ブリ
ツジに軸方向に加えられた電流強度との差に関する尋問
がある。

上記の差が小であれば、コンバータ30のアナログ出力に
生じる計算された全部の電流強度に対応した信号が、ス
テージ59のコースへ送られる。この電流強度は、プラン
トの種々のブリツジの間へ分割される。

ステージ60のコースにおいて、バンドは１ステツプ又は
１ピツチだけ前進される。

ステージ58の尋問の答えが否定であれば、下流側に置か
れたブリツジによる錫沈積のデータに基づくステージ56
及び57の計算は、電流強度差が小になるまでくり返され
る。

第７図のフローチヤートは、偏差の訂正を制御する“ス
ローループ”フローチヤートである。

ステージ61でなされる測定の取得は、第３図のゲージの
スキヤンの各端部で第４図のコンバータ30によつてなさ
れた錫沈積の平均値の読み取りである。

ステージ61のあとに、プラントの自動運転の進行に関す
る尋問ステージ62が続く。

応答が否定であれば、生産ラインの始動に関する尋問ス
テージ63へ移行する。

この新しい尋問に対する応答が否定であれば、錫沈積量
の変化に関する、ステージ64のコースにおける第３の尋
問に移行する。

応答が否定の場合、ステージ65のコースにおいてマイク
ロプロセツサ43は、ゲージの産出高の、即ちゲージによ
り測定された錫沈積量と得られるべき沈積量との比の、
計算へ進む。

３つの前記尋問の答えが肯定であれば、ゲージの走査が
実行され、新しい尋問が実行される。

一方、自動運転の径路に関する尋問に対する肯定的応答
は、自動運転を有効にする。

生産ラインの始動に関する尋問への肯定的応答は、図示
されないパルス発生器にして第４図のカウンタ37に連結
されたパルス発生器を作動させる。

ステージ64の尋問に対する肯定の応答は、インターフエ
イス回路38によつて設定値を有効にする。

上述のプロセスは、公知のプロセスに対し次の長所を有
する。

上述のプロセスは、バンドの移行速度における変化やブ
リツジの運転の中止及び開始の如き全ての変化を勘定に
入れることができる。

上述のプロセスは、各ブリツジ下の電解液の産出高を勘
定に入れることができ、そのことは、設定値の各々の変
化による良好な錫めつきの直接的取得において高い精度
を有することを可能にする。

このことは、薄い被覆の場合において又はブリツジの最
大強度が低いときに、とくに重要である。なぜなら、第
１のブリツジ上に極めて低い産出高があるからである。

電流の修正は絶対値において低く、そして運転者の調停
は正確である。

最後に、得られた錫の沈積と設定値との間に小さな差又
は偏差を得させる。

以下に事例によつて、12のタンク及び24のブリツジを有
する錫めつきプラントにおける錫沈積の制御の運転手順
を述べる。

Ａ） 入力データ 生産ラインの速度 バンド幅 設定錫めつき量 ブリツジに分与される電流 Ｂ） 理論的ブリツジの数の計算 最初に、プログラムが完了する各々の時間に、バンドが
約４メートルを通つて移行することが知られねばならな
い。これは１プログラムステツプに対応し、そしてブリ
ツジＮとブリツジＮ＋１との間の距離に対応する。

第１のステツプＮ＝１について及び各ステツプで１がＮ
に加えられる。その結果、各ステツプについて、追加下
流ブリツジを最大可能電流強度におく指示が生じる。

Ｃ） ブリツジ毎の沈積される錫の計算 各ステツプについて、各ブリツジ下で沈積される錫の理
論的量が計算される。

事例を単純化するため、ここでは、１つのブリツジが理
論的に0.5g/m²の錫をメタル上に沈積することを原則と
している。

Ｄ） 最終ブリツジ下で得られる錫めつき量の試験 沈積された錫の計算が果されると、最大電流強度を与え
た最終ブリツジ下で得られた錫めつき量がチエツクされ
る。錫めつき量が意図されたものより高いか低いかによ
つて、２つの可能な処理がある。数字を適用すると、こ
の最大電流強度は、4500Aである。

Ｅ） ブリツジの追加がない場合の設定錫めつき量より
多い錫めつき量の制御 第１の場合、最終ブリツジに加えられる制御電流（IC）
が計算されるであろう。

前述の事例に戻りそして設定錫めつき量（TV）が1.8g/m
²であると仮定すると、計算された錫めつき量（TC＝2g/
m²）は設定された量（TV）より高いことがステツプ４に
おいて知られるであろう。修正値Ｃが次に計算される。

Ｃ＝TC−TV ブリツジ４で1.8g/m²得るために要求された電流ICは、
そこから減少される。

第２の場合、追加ブリツジが付加され、第１のケースに
達する。

Ｆ） 結果の再製 計算がすむと、要求された電流が伝達される。

前述の事例（TV＝1.8g/m²）に合体させた12のタンクを
有する錫めつきプラントにおける錫沈積の制御の表の完
成。

Ｇ） ステツプの変更 電流が伝達されるとき、電流は次のステツプ:P＋１へ通
過する。

Ｈ） 新規データ 新規のデータは勘定に入れられる。

Ｉ） 錫ゲージ測定 この点で、実際に沈積した錫めつきの量の測定（MJ）が
はいり込む。

これは、新規ゲージ産出高（RJ）にして次のステツプの
計算にはいり込むものの決定を許す。

RJ−3/4（１−（MJ/TV）） （係数3/4は、産出高の修正を適度にするためのもので
ある。） 沈積された錫めつきの量の実際の測定は、ゲージの各ス
キヤンのため以外に各ステツプのためにはりい込まな
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による錫めつき装置の部分構造をなす
錫めつきタンクの、一部破断された、斜視図である。 第２図は、第１図のタンクの平面図である。 第３図は、本発明の錫めつき装置におけるめつき量を測
定する計器の配置図である。 第４図は、シートに付けられたコーテイング及び修正係
数の確立に関するデータ処理回路のブロツク図である。 第５図は錫堆積量に関するデータを取得するための演算
操作のフローチヤートである。 第６図は、各ブリツジの沈積量を計算する演算操作の高
速ループ制御のフローチヤートである。 第７図は、計器の帰還を制御するフローチヤートであ
る。 第８図は、異なる供給電流についてのブリツジの産出高
曲線のグループである。 1:タンク、2,3:ローラ、 4,5:ブリツジ（サポート）、 6:錫棒（陽極）、7:電流供給棒、 10:フレーム、15:転向ローラ、 16:第１のセル、17,24:キユリウム源、 19:スタンド、23:第２のセル、 30:アナログ−デジタルコンバータ、 36:バス、37:カウンタ、 38:インターフエイス回路、 43:マイクロプロセツサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャン−クロード・ジティエル フランス共和国 59229 テレゲム，ア レ・デ・エグランティエ ９ (56)参考文献 特開 昭60−46393（ＪＰ，Ａ)

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電解液を満たされた複数のタンク（１）、
   各タンクと共同して陰極を形成する導電性ローラ（２、
   ３）のまわりを通過する被覆されるべきバンド（Ｂ）、
   及び陽極を形成すると共にタンク内においてバンドの経
   路の一部に配置される導電性ブリッジ（４、５）によっ
   て担持される金属棒（６）により供給される被覆金属を
   含んで成る沈積プラントを通って、連続的に移行される
   バンド上に電解的に沈積される金属沈積量を制御する方
   法において、 ２個の連続した導電性ブリッジ間のバンドの変位毎に、
   各導電性ブリッジに対する供給電流の強度とバンドの速
   度と各導電性ブリッジにおける産出高との関数である各
   導電性ブリッジにおける金属沈積量を計算する段階、 金属の沈積を連続して累積する２個の連続した導電性ブ
   リッジ間の距離に等しいバンドの長さを別々に求める段
   階、 金属の沈積を完成するため最終の導電性ブリッジの必要
   電流強度を決定するように、最終の導電性ブリッジにお
   いて累積する金属沈積量を確定する段階、 最終の導電性ブリッジにおいて所望の電流強度を得るた
   めに必要な合計電流強度を決定する段階、及び バンド全体の幅の平均測定値の取得により、移行距離を
   勘定にいれて、平均測定値と予め設定された設定値の間
   の差異を計算し、各導電性ブリッジにおける理論産出高
   を修正する係数を決定する段階を含むことを特徴とする
   方法。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の方法におい
   て、各導電性ブリッジの供給電流強度の関数としての産
   出高の実験曲線を決定する段階、導電性ブリッジが作動
   中であるか否かに関する指標を集める段階、各導電性ブ
   リッジに関する電流強度のアナログ値及び全導電性ブリ
   ッジに関する最大電流強度のアナログ値を確立する段
   階、バンドの移行速度を測定する段階、沈積されるべき
   金属量の設定値を確立する段階、沈積された金属量の合
   計量を周期的スキャンを行うゲージによって測定する段
   階、ゲージの各スキャンによって測定された金属量の上
   方及び下方の平均を決定する段階、及びそれらのデータ
   から制御モデルを確立する段階を含むことを特徴とする
   方法。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
   方法において、沈積量の制御される金属は、錫、クロム
   又は胴であることを特徴とする方法。
4. 【請求項４】特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれ
   か１項に記載の方法において、バンドを被覆する金属の
   沈積がバンドの両面上に生じ、金属の沈積の制御がゲー
   ジから伝達されるデータにより行われ、該ゲージは、プ
   ラントの出口においてバンドの別々の面に各々配置され
   た２個のセルから成ることを特徴とする方法。
5. 【請求項５】電解液を満たされた複数のタンク（１）、
   各タンクと共同して陰極を形成する導電性ローラ（２、
   ３）のまわりを通過する被覆されるべきバンド（Ｂ）、
   及び陽極を形成すると共にタンク内においてバンドの経
   路の一部に配置される導電性ブリッジ（４、５）によっ
   て担持される金属棒（６）により供給される被覆金属を
   含んで成る沈積プラントを通って、連続的に移行される
   バンド上に電解的に沈積される金属沈積量を制御する装
   置において、 導電性ブリッジの供給電流の強度に関するアナログデー
   タ、ゲージにより測定される金属沈積量に関するデー
   タ、ゲージの位置に関するデータ、被覆されるべきバン
   ドの幅に関するデータ、及び導電性ブリッジの供給電流
   の最小及び最大の強度に関するデータを受け入れると共
   に、それらのデータをデジタル形式において、バンドの
   移行速度のカウンタが接続されるマイクロプロセッサへ
   伝達するアナログ−デジタル変換器、並びに金属沈積量
   の上方及び下方設定値に関するデータ及び自動及び手動
   運転の確認に関するデータをマイクロプロセッサへ伝達
   するインターフェイス回路を含み、 前記アナログ−デジタル変換器は、マイクロプロセッサ
   に受入れられたデータの関数として作り出され、導電性
   ブリッジに供給されるべき電流の強度に関する命令を、
   プラントへ伝達されるアナログ出力に変換することを特
   徴とする装置。