JPS62260099A - 連続的に移行するバンド上に電解により沈積される金属の量を制御する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、連続的に移行する金属バンド（帯）上に電解
液長を沈積（ｄｅｐｏｓｉｔ）　　する技術に関するも
のであり、より詳しくはマイクロデータプロセッサによ
る金属の沈Ｍ　（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）　　の制御に
関するものである。

バンドに錫めっきを行うためこのバンドを電解液を満た
した複数のタンク中を連続して通過させることは知られ
ている。

錫は、陽極として作用する銅製サポート上に置かれた棒
の形で錫めっきプラントへ供給される。

１２の連続するタンクから成る錫めっきプラントが挙例
により説明される。

各タンクにおいて金属バンドの表面につき２個のサポー
ト又はブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ：橋状のもの）が備えら
れ、全部で２４のブリッジが金属表面に備えられる。

各サポート上の錫の棒の数は、錫めっきされるバンドの
幅の関数である。

実際に消耗できる電極である錫の棒は、導電性の摺動路
に取付けら几、それらが使い古されたとき連続的な方法
において生産ラインを止めることなくそれらを又換する
ことが可能にされる。

各タンク内に下方のゴムローラとクロム被＆の上方ロー
ラが配置され、画ローラの間にバンドが延在する。それ
らは共に対応するタンクの陰極を形成する。

ブリッジは２４Ｖ（ボルト）の直流を供給され、電流は
４５００Ａ（アンペア）に制限される。

沈積される錫のｔｉｔ（ｒａｔｅ）は、バンドの幅、バ
ンドの移行速度及び使用される異なるブリッジの間に分
げら引２る電流の合計の関数である。

電流値は、ファラデー（Ｆａｒａｄユｙ）の法則から導
かれる次の方程式で与えられる。

Ｖ：生産ラインの速度、ｖＬＺ分、 ｌ：バンド幅、ｍ、 Ｅ：錫めっきｉ（ｔｉｎｎｉｎｇ　ｒａｔｅ）、＆／ｍ
。

ｎ：産出高（ｙｉｅｌｄ） 公知Ｑ）プラントにおいて、運転者は、全電流（ＴＩ　
）に直接作用することによって予定された錫めっき量を
制御する。運転者はまずバンドの幅を示すか入力するか
しなければならない。錫めっき量は、生産ラインの速度
につり合ったある値た電流を制御することによって、一
定に保たれる。

しかしながら、この制御は、中間の状態（速度の変化、
量の変化、ブリッジの切離し又は付加辺間、過小の錫め
っき及び過大の錫めっきを避けることなしない。実際に
おいて沈積される錫の量は次のとおりである。

ｔはブリッジの配置番号である。

安定状態において、ブリッジ下の通路の速度は全て同一
であるから次式が得られる。

しかしながら、各移行において、この方程式はもはや真
実でない。なぜなら全てのυ器が異なるからである。そ
れ故錫の量は、予定の値より２０チ以上も異なる。

最近において、錫めつき被の測定は次のようになされた
。

運転者は、表によって、なされるべき被覆の関数に関連
した電流を入力又は挿入した。測定は破壊検査によって
なされた。電流は次に再調整された。この測定は数分か
ら４５分の間に行なわれ、そしてこのような作業は満足
な結果を得るまでに数回再開されねばならなかった。

装置の慣性の見地において、短いプログラムにおいては
調整はしばしば作業の終りに得られた。

その上、議論を避けるため錫めっき量は始動から正確を
目的とし、それは通常の童より高いものであった。した
がって、錫めっき作業は過度に高価であった。

ごく最近において、連続測定ケージが設置された。この
ゲージは、スクリーンによってグラフの形式で測定を複
写することができる。それ故運転者は直ちに誤りを訂正
できる。

このゲージは次の方法で作動する。

測定は、けい光Ｘの原理に基づいている。ゲージは放射
性期間１７．６年を有する２個のキュリウム（ｃｕｒｉ
ｕｍ）　２４　ｄ源を使用する。キュリウム源から解放
されたエネルギは、イオンから生じる叶い光の放出を起
こす。エネルギの一部は錫に吸収される。沈積された錫
は、放射線の残りの危を決定することによって計算され
る。

信号は次のように処理される。

セルから放出された指数関数信号の被覆に比例した線形
信号への変換。

測定と設定量との差の計算。

サンプル用のキュリウム源の経年による大体５チくらい
の信号値の修正。

ｉ後Ｋ、マイクロコンピュータが信号を記録しそしてそ
れらを錫めっき生産ラインに配置された陰極縁スクリー
ンに移す。

ゲージは、およそ６０秒毎にスキャン（ｓｃａｎ−ｎｉ
ｎｇ：走査）を行う。同時に、被覆の横断面輪郭、即時
に計測された平均値及び最後のスキャンの値、及び錫め
っき作業の現在有効な規格、例えばＥＶＲＯＮＯＲＭ、
によって許される最小量（いき）　（ｍｉｎｉｍｕｍ　
ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）が現われる。比較のために、最後
に記録された輪郭がスクリーンに残る。

以上の公知技術には、各速度変化に対する錫めつき水に
おける変化の問題がある。

本発明の１つの目的は、それ故、連続的に移行する金属
バンド上への金属′４覆の電解沈積（・ｅｌｅ−ｃｌｒ
ｏｌｙｔｉｃ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を制御する方法
と装置にして各ブリッジによって沈積される金属の童を
勘定に入れることにより及びこれらの量に従って沈積ラ
インに制御を行なうことによりこれらの欠点を克服する
方法と装置を提供することである。

それ故、本発明は、沈積プラントにおいて被覆されるべ
き連続的に移行するバンド上に電解的に沈積される金属
の量を制御する方法を提供する。

沈積プラントは、電解液を満たされた複数のタンクと、
各タンクと共同して陰極を構成する導電性ローラのまわ
りを通過するバンドと、及び導電性ブリッジにしてタン
ク内のバンドの径路の一部において各タンク内に配置さ
れた陽極を形成するもの、によって担持された金属棒に
よって供給される被覆金属と、を含んでいる。該方法は
、次のプロセスを含んでいる。

即ち、２個の連続したブリッジの間のバンドの各変位（
ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）から、各ブリッジの金属の
沈ｔＪ　ｆｉ　（ｄｅｐｏｓｉｔ）にしてそのブリッジ
に対して供給された電流の関数であるものと、バンドの
速度と、及びブリッジの産出高（ｙｉｅｌｄ）とを計算
すること、 連続する金属の沈積蓋を累＆　（ｃｕｍｕｌａｔｅ）す
ることにより、２個の連続するブリッジの間の距離に等
しい各バンドの長さを別々に求める（　ｆ　ｏ　１１　
ｏｗ）こと、 最終ブリッジの供給電流のもとにおける沈ａ：ｆｔの合
計量を確定して金属の沈積を完了するために最終ブリッ
ジ下で要求される電流強度を決定するようにすること、 最終ブリッジ下の望ましい電流強度を得るために要求さ
れる合計電流強度を決定すること、及び、バンドの全幅
の平均測定量（ｍｅａｎ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）を
取得することにもとづき、各ブリッジ下の金属沈ｆＪｉ
Ｉｉｔの理論的産出高を修正する係数を決定すると共に
、移行距離を勘定に入れることにより該平均測定量と所
定の設定値との差を計算すること。

発明の特別な特徴によると、前述の方法は更に次のステ
ップを含む、即ち、 プラントの各ブリッジの供給電流強度の関数としての産
出高（ｙｉｅｌｄ）の実験曲線を決定すること、ブリッ
ジが作動中であるか否かに関する指標（ｉｎｄｉｃａｔ
ｉｏｎｓ）を集めること、各ブリッジに関する電流強度
の、及び全ブリッジについての最大電流強度のアナログ
値を確立すること、 バンドの移行速度を測定すること、 沈積されるべき金属の九に関する設定値を確立すること
、 沈積された金属の合計量を周期的スキャン（ｓｃａｎ−
ｎｉｎｇ）を用いるゲージによって測定すること、ゲー
ジの各スキャンによって測定された金属の量の上方及び
下方の平均を決定すること、及び、前記力データから制
御モデル（ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎｍｏｄｅｌ）を確立す
ること。

本発明のより良い理解は、添付の図面を引用した次の事
例の説明から得られるであろう。

第１図は、本発明が適用された錫めっき装置の部分構造
をなす錫めっきタンクを示す。

しかしながら、本発明が、また、クロム、銅、その他の
金属のような錫以外の金属を析出させる電解析出プラン
トに適用可能であることは、言及されねばならない。

タンク１は、電解液（図示されない）を収容する、 タンク１の底部にローラ２が回転可能に取付けられる。

錫の被覆が付けられるべきバンド（帯）Ｂがローラ２の
まわりを連続的に通過する。ローラ２は、例えばゴムで
作られる。タンク１の上方に、導電性材料の、例えばク
ロムをかぶせた第２のローラ３が配置される。第２のロ
ーラ３は、バンドＢに張力を与え、バンドＢを図示され
ないタンクからタンク１へ移行させる。図示されな〜・
タンクは、同じタイプの他のタンクと共に、タンク１の
上流側及び下流側に配置され、錫メツキプラントの一部
分を構成する。

第２のローラ３は、タンク１と組合わされた陰極の作用
を行なう。

図示されないふき取りローラがバンドＢを第２のローラ
３へ押圧し、電気的アークの形成を避ける。

バンドＢは、銅ＪＡ棒で作られた２対のサポート４．５
の間（第２図）を通ってタンク】へ入る。

サポート４．５上に垂直に錫俸６が並べて配置され、錫
棒の脚部分はＵ字断面のガイドに係合される。

銅製棒４．５は錫棒６の摺動路を形成すると共に対応し
た電流供給棒７へ結合される。

それ故バンドＢは、サポート４．５により担持された錫
棒６によって形成された２つの通路にして電解液を満た
されたタンク１内にバンドＢの下降路及び上昇路を用意
するも９、を通って移行する。

サポート（又はブリッジ）４．５及び錫棒６は、装置の
陽極の作用をなす。

このように構成されたタンクは、フレーム１０によって
担持される。フレーム１０は、またプラントの他のタン
ク（図示されない）も担持する。

絶縁材料の部材】１が、フレーム１０とサポート４．５
の電流供給棒７への接続部との間に置かれる。

プラントの最後のタンクの下流側に、第３図において示
された方法で配置された２つのセルから成るゲージが配
置される、 プラントの出口端で、バンドＢにしてその両面に錫の被
覆を飾されたものが、転向ローラ１５のまわりを通過す
る。転向ローラの前部に第１のセル】６が配置され、バ
ンドＢのループの第１の表面上の錫の被核を測定する、
第１のセル１６は、サポート１８上に置かれたキュリウ
ム２４４源１７を含む。サポート１８は、スタンド１９
に枢軸により取付けられ、空気ジヤツキ２１によりピボ
ットピン２０のまわりに動き得る。

バンドＢは次に第２の転向ローラ２２のまわりを通る。

ローラ２２の前方にセル１６に似た第２のセル２３が配
置され、バンドＢの反対側の表面上の錫の被徨を測定す
るようにされる。

このセル２３もまたサポート２５上に置かれたキュリウ
ム２４４源２４を含む。サポート２５はスタンド２Ｃに
枢軸により取付けられ、空気ジヤツキ２７により位置を
変えられる。

ゲージの２つのセル】６及び２３の出力（図示されない
。）は、以下に述べる第４図の処理回路に連結される。

第４図の回路は、例えばＡＤＡＣ７３５型のような、ア
ナログ−デジタル及びデジタルアナログコンバータ３０
ヲ含ｆＪ’。コンバータ３０は、１２の錫めっきタンク
を有する錫めっきプラントのために、第１図及び第２図
のタンクのブリッジのような、すべてのタンクのサポー
トに供給される電流の強さに関する４８のアナログ人力
３１を含む。

コンバータ３０は、さらにゲージのセル１６゜２３の位
置に関するデータを受けるようにされた２個のアナログ
人力３２と、バンドＢの２つの表面上の錫の堆積の平均
値に関するデータを受けるようにされた２個のアナログ
人力３３と、を含む。

コンバータ３０は、さらに取扱われるバンドＢの幅に関
する信号を受けるためのアナログ人力３４と、下方及び
上方の最大電流強度に関した２個のアナログ人力３５と
、装置のブリッジの間に分けられるべき下方及び上方の
全電流の強度に関する２個のアナログ出力と、を含む。

コンバータ３０は、マルチコンダクタバス３６に連結さ
れる。

第４図の回路は、さらにカウンタ３７及びインテル（Ｉ
ｎｔｅｌ）社によって製造販売されたＳＢＣ５１９型の
インターフェイス回路３８を含む。カウンタ３７の入力
は、バンドＢ（図示されない、、）の移行に関連したパ
ルスの発生器の出力につなげられる。カウンタ３７はま
たバス３６にも連結される。

インターフェイス回路３８は、得られるべき錫めっき量
の上方及び下方の設定値に関連した３２のデジタル人力
３９と、商業的設定値に関連した３２のデジタル入力４
０と、自動又は手動運転を有効にする入力４１と、及び
設定値を有効にする入力４２とを有する。インターフェ
イス回路３８はまたバス３６に連結される。

第４図の回路は、例えばインテル８０８８型のマイクロ
プロセッサ４３にしてバス３６に連結され受は入れたデ
ータの関数としてプラントの鴎々のタンクにおける堆積
されるべき錫めっき量の変化を制御するもの、を宮む。

プラントの運転を、第４図及び第５図から第７図のフロ
ー図を参照して記述する。

プラントの運転の第１のステージ（段階）は、製法の運
転に関するデータを取″４−ｉるステージである。

コンバータ３０は、プラントの１２のタンクのブリッジ
４．５上の電流の強さの測定量を４８の入力で受は入れ
る。

第５Ｍのフロー図のステージ５０の経過において、コン
バータ３０ば、ブリッジの各々の電流を読む。これらの
電流の強さのデータはマイクロプロセッサ４３に伝達さ
れる。マイクロプロセッサ４３は、ステージ１のコース
において、各ブリッジの下方の錫の沈積物の値を計算し
、カウンタ３７から伝達されたバンドの移行速度と、コ
ンバータ３０から伝達された各ブリッジの産出高及びバ
ンド幅を表わすゲージ位置とに関する情報を記憶する。

ステージ５２のコースにおいて、マイクロプロセッサ４
３は、先行した錫沈積に関するデータを積算する。

次に、第６図のフローチャートに示されるように、最後
のブリッジの錫沈積の決定がある。この演算は、第６図
の１ラビツドルーグ′に関するフローチャートのステー
ジ５３のコースにおいて実行される。

ゲージのスキャン（走査）のコースにおける最後のブリ
ッジの錫沈積の情報は、コンバータ３０のアナログ人力
３１で受は入れられる。

ステージ５４のコースにおいて、インターフェイス回路
３８の入力３９へ運転者によって挿入された得られるべ
き懇の上方及び下方設定蓋のデータにより、最後のブリ
ッジにより沈積されるべき錫の量の計算が行なわれる。

次に、ステージ５５のコースにおいて、マイクロプロセ
ッサ３３は、最終ブリッジによって沈積されるべき錫の
量のデータと、バンド幅、ゲージによって測定された被
覆の値及びバンドの移行速度のデータと、の関数として
要求される近似電流強度を計算する。バンドの移置速度
は、コンバータ３０及びカウンタ３７からバス３Ｇを介
して受は入れられる。

ステージ５６のコースにおいて、マイクロプロセッサ４
３は、第８図に示された所定の曲線によリスゲージ５５
のコースにおいて計算された電流強度によるブリッジの
産出高を計算する。

次に、ステージ５７のコースにおいて、マイクロプロセ
ッサ４３は、ゲージによって測定された被覆の値及びバ
ンドの移行速度を計算に入れることによって、ステージ
５６のコースにおいて決定された産出高に対応する要求
電流強度を計算する。

ステージ５８のコースにおいて、要求電流強度と最終ブ
リッジに軸方向に加えられた電流強度との差に関する尋
問がある。

上記の差が小であれば、コンバータ３０のアナログ出力
に生じる計算された全部の電流強度に対応した信号が、
ステージ５９のコースへ送られる。

この電流強度は、プラントの種々のブリッジの間へ分割
される。

ステージ６０のコースにおいて、バンドは１ステツプ又
は１ピツチだけ前進される。

ステージ５８の尋問の答えが否定であれば、下流側に置
かれたブリッジによる錫沈積のデータに基づくステージ
５６及び５７の計算は、電流強度差が小になるまでくり
返される。

第７図のフローチャートは、偏差の訂正を制御するゝス
ローループ”フローチャートである、ステージ６１でな
される測定の取得は、第３図のゲージのスキャンの各端
部で第４図のコンバータ３０によってなされた錫沈積の
平均値の読み取りである。

ステージ６１のあとに、プラントの自動運転の進行に関
する尋問ステージ６２が続く。

応答が否定であれば、生産ラインの始動に関する尋問ス
テージ６３へ移行する。

この新しい尋問に対する応答が否定であれば、侶沈積螢
の変化に関する、ステージ６４のコースにおける第３の
尋問に移行する。

応答が否定の場合、ステージ６５のコースにおいてマイ
クロプロセッサ４３は、ゲージの産出高の、即ちゲージ
により測定された錫沈積蓋と得られるべき沈積室との比
の、計算へ進む。

３つの前記尋問の答えが肯定であれば、ゲージの走査が
実行され、新しい尋問が実行される。

一方、自動運転の径路に関する尋問に対する肯定的応答
は、自動運転を有効にする。

生産ラインの始動に関する尋問への肯定的応答は、図示
されないパルス発生器にして第４図のカウンタ３７に連
結されたパルス発生器を作動させる。

ステージ６４の尋問に対する肯定の応答は、インターフ
ェイス回路３８によって設定値を有効にする。

上述のプロセスは、公知のプロセスに対し次の長所を有
する。

上述のプロセスは、バンドの移行速度における変化やブ
リッジの運転の中止及び開始の如き全ての変化を勘定に
入れることができる。

上述のプロセスは、各ブリッジ下の電解液の産出高を勘
定に入れることができ、そのことは、設定値の各々の変
化による良好な錫めっきの直接的取得において高い精度
を有することを可能にする。

このことは、薄い被覆の場合において又はブリッジの最
大強圧が低いときに、とくに重要である。

なぜなら、第１のブリッジ上に極めて低い産出高がある
からである、 電流の修正は絶対値において低く、そして運転者の調停
は正確である。

最後に、得られた錫の沈積と設定値との間に小さな差又
は偏差を得させる。

以下に事例によって、１２のタンク及び２４のブリッジ
を有する錫めっきプラントにおける錫沈積の制御の運転
手順を述べる。

Ａ）入力データ 生産ラインの速度 バンド幅 設定錫めっき量 ブリッジに分与される電流 最初に、プログラムが完了する各々の時間に、バンドが
約４メートルを通って移行することが知られねばならな
い。これは１プログラムステツプに対応し、そしてブリ
ッジＮとブリッジＮ＋１との間の距離に対応する。

第１のステップＮ＝１について及び各ステップで１がＮ
に加えられる。その結果、各ステップについて、追加下
流ブリッジを最大可能電流強度におく指示が生じる。

各ステップについて、各ブリッジ下で沈積される錫の理
論凶相が計算される、 事例を単純化するため、ここでは、１つのブリッジが理
論的に０．５　＆　／　ｍ”の錫をメタル上に沈積する
ことを原則としている。

験 沈積された錫の計算が果されると、最大電流強度を与え
た最終ブリッジ下で得られた錫めっき蓋がチェックされ
る。錫めっき賞が意図されたものより高いか低いかによ
って、２つの可能な処理がある。数字を適用すると、こ
の最大電流強度は、４５００　Ａである、 第１の場合、最終ブリッジに加えられる制御電流（ＩＣ
）が計算されるであろう、 前述の事例に戻りそして設定錫めつきｋ（ＴＶ）が１．
８＝ｉｌ’／ｍ″　であると仮定すると、計算された錫
めっき蓋（ＴＣ＝２．９／ｍ：）は設定された鼠（ＴＶ
）より高いことがステップ４において知られるであろう
。修正値Ｃが次に計算される。

Ｃ＝ＴＣ−ＴＶ ブリッジ４で１．８９／ｒｒｒ：得るためＫＷ求された
電流ＩＣは、そこから減少される、 第２の場合、追加ブリッジが付加され、第１のケースに
達する。

Ｆ’）給茶の再製 計算がすむと、要求された電流が伝達される。

前述の事例（ＴＶ＝１．８　＆／ｍ：）に合体させた１
２のタンクを有する錫めっきプラントにおける錫沈積の
制御の表の完成。

Ｇ）ステップの変更 電流が伝達されるとき、゛電流は次のステップ二Ｐ＋１
へ通過する。

Ｈ）新規データ 新規のデータは勘定に入れられる。

この点で、実際に沈積した錫めっきの倉の測定（ＭＪ）
がはいり込む。

これは、新規ゲージ産出高（ＲＪ）にして次のステップ
の計算にはいり込むものの決定を許す。

ＲＪ−３／４　　（１−（ＭＪ／ＴＶ））（係数６／４
は、産出高の修正を適度にするためのものである。） 沈積された錫めっきの量の実際の測定は、ゲージの各ス
キャンのため以外に各ステップのためにはいり込まない
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による錫めっき装置の部分構造をなす
錫めっきタンクの、一部破断された、斜視図である。 第２図は、第１図のタンクの平面図である。 第３図は、本発明の錫めつぎＶ：：ｔＲにおけるめっき
量を測定する計器の配置図である。 第４図は、シートに付けられたコーティング及び修正係
数の確立に関するデータ処理回路のブロック図である。 第５図は錫堆積重に関するデータを取得するだめの演算
操作のフローチャートである。 第６図は、各ブリッジの沈撰量を計算する演算操作の高
速ループ制御のフローチャートである。 第７図は、計器の帰還を制御するフローチャートである
、 第８図は、異なる供り’＝流についてのブリッジの産出
高曲線のグループである。 １：タンク、　　　　　　　２．３二ローラ、４．５ニ
ブリッジ（サポート）、 ６：錫棒（陽極）、　　　７二電流供給棒、１０：フレ
ーム、　　　　　１５：転向ローラ、】６：第１のセル
、　　　　１７．２４：キュリウム源、１９：スタンド
、　　　　　２３：第２のセル、３０：アナログーテジ
タルコンバータ、３６：バス、　　　　　　　３７：カ
ウンタ、３８：インターフェイス回路、 ４３：マイクロプロセッサ。 （外５名） 手続補正書 昭和６２年　１月２ｚ日 ２）発明の名称 ま５・・ちｈすｌ：朱ｌイテ　すコへ−ン１−上ｌ；電
Ｆ４ｐｔ　、＃Ｈハ・之ｆ責！、１、ＺｉＡ＊ｔｔ４）
すｉ’ｓｒ　Ｔ、３　之：ｉ、　Ｑ　ｘ−’Ｌ　：Ｊ３
、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所 名称　ユリ°ノル・アンニ ４、代理人

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）電解液を満たされた複数のタンクと、導電性ロー
   ラにして各タンクと共同して陰極を形成するもの、の回
   りを通過する被覆されるべきバンドと、及び 導電性ブリッジ（４、５）にして陽極を形成すると共に
   該タンク内において該バンドの径路の一部に配置された
   もの、によって担持された金属の棒（６）により供給さ
   れる被覆金属と、 から成る沈積プラント、を通って、連続的に移行される
   バンド上に電解的に沈積される金属の量を制御する方法
   にして、 ２個の連続したブリッジの間の各バンドの変位から、各
   ブリッジに対する供給電流の強度の関数である各ブリッ
   ジの金属沈積量、該バンドの速度、及び該ブリッジの産
   出高を計算することと、２個の連続するブリッジの間の
   距離に等しい各バンドの長さを別々に求めることと、 最終ブリッジの供給電流のもとにおける累積した沈積量
   を確定して金属の沈積を完了するために最終ブリッジ下
   の要求電流強度を決定することと、該最終ブリッジ下の
   望ましい電流強度を得るために要求される合計電流強度
   を決定することと、該バンドの幅全体にわたる各平均測
   定量の取得により、移行距離を勘定に入れ乍ら、各ブリ
   ッジ下の金属沈積の理論的産出高を修正する係数を決定
   することと共に、該平均値と所定の設定値との差を計算
   することと、 から成る方法。
2. （２）特許請求の範囲第１項に記載の方法にして、更に
   次のステップを含む方法、 プラントの各ブリッジの供給電流強度の関数としての産
   出高の実験曲線を決定すること、 ブリッジが作動中であるか否かに関する指標を集めるこ
   と、 各ブリッジに関する電流強度の、及び全ブリッジに関す
   る最大電流強度のアナログ値を確立すること、 バンドの移行速度を測定すること、 沈積されるべき金属の量に関する設定値を確立すること
   、 沈積された金属の合計量を周期的スキャンを行うゲージ
   によって測定すること、 ゲージの各スキャンによって測定された金属の量の上方
   及び下方の平均を決定すること、及び前記のデータから
   制御モデルを確立すること。
3. （３）特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の方法に
   して、金属の電気沈積量の制御される該金属が、錫、ク
   ロム又は銅である方法。
4. （４）特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記
   載の方法にして、 該バンドの被覆の電解沈積が該バンドの両面上に生じる
   と共に、該電解沈積の制御がゲージから伝達されたデー
   タにより行なわれ、該ゲージが、２個のセルにして各々
   が該バンドの別々の面に該電解沈積プラントの出口で配
   置されたもの、から成る方法。
5. （５）電解液を満たされた複数のタンクと、導電性ロー
   ラにして各タンクと共同して陰極を形成するもの、の回
   りを通過する被覆されるべきバンドと、及び、 導電性ブリッジ（４、５）にして陽極を形成すると共に
   該タンク内において該バンドの径路の一部に配置された
   もの、によって担持された金属の棒（６）により供給さ
   れる被覆金属と、 から成る沈積プラント、を通って、連続的に移行される
   バンド上に電解的に沈積される金属の量を制御する装置
   にして、 該ブリッジの供給電流の強度に関するアナログデータと
   、ゲージによって測定された金属沈積量に関するデータ
   と、ゲージの位置に関するデータと、被覆されるべきバ
   ンドの幅に関するデータと、及び該ブリッジの供給電流
   の最小及び最大の強度に関するデータと、を受入れると
   共に該データをデジタル形式において、マイクロプロセ
   ッサにして該バンドの移行速度のカウンタが接続された
   もの、へ伝達するアナログ−デジタル変換器と、金属沈
   積量の上方及び下方設定値に関するデータと、自動及び
   手動運転の確認に関するデータと、及び設定値の確認に
   関するデータと、を該マイクロプロセッサへ伝達するイ
   ンターフェイス回路と、及び、 該ブリッジに供給されるべき電流の強度に関する命令に
   して該マイクロプロセッサにより受入れたデータの関数
   として作り出されたもの、を該プラントへ伝達するアナ
   ログ出力をさらに含む該アナログ−デジタルコンバータ
   と、 から成る制御装置。