JPH0765760A - 交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置 - Google Patents

交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置

Info

Publication number
JPH0765760A
JPH0765760A JP5209175A JP20917593A JPH0765760A JP H0765760 A JPH0765760 A JP H0765760A JP 5209175 A JP5209175 A JP 5209175A JP 20917593 A JP20917593 A JP 20917593A JP H0765760 A JPH0765760 A JP H0765760A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
magnetic field
vibration
alternating magnetic
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5209175A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Okumura
正秀 奥村
Hirozumi Ando
宏純 安藤
Toshiyuki Morimura
利幸 森村
Masaaki Ando
公明 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5209175A priority Critical patent/JPH0765760A/ja
Publication of JPH0765760A publication Critical patent/JPH0765760A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子ビーム描画装置などの電子ビーム装置に
おいて、外部擾乱である交流磁場による電子ビームの位
置の変動(振動)を除去する。 【構成】 電子ビーム82でステージ上のマーク85の
境界部を求め、適正なサイズの面積ビームを設定して照
射し、上記境界部から発生する反射電子を検出器70で
検出し、雑音を除去して補正信号部40に記憶し、読み
出して偏向器84に電子ビーム82の振動が最小になる
偏向信号を与える。また、交流磁場処理部60により、
鏡体80の周辺部の交流磁場を検知し、所定値を超えた
場合には装置の動作を一時中断し、上記補正処理を再実
施する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
などに用いられる電子ビーム描画装置をはじめとする電
子ビーム装置に係り、特に、交流磁場による電子ビーム
の振動を除去する方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子ビームはその性質上、外乱磁場の影
響を受けやすい。例えば、電子ビームの通路を横切る向
きの交流磁場があると、電子ビームは偏向作用を受けて
位置変動を生じ、描画精度を低下させてしまう。交流磁
場は、建物内に配置された電気ケーブルや電気装置等に
より発生するものである。このため、従来装置の殆ど
は、電子ビーム通路をパーマロイなどの強磁性体で作製
し、交流磁場の影響を受け難いようにしているが、その
影響を完全に取り除くことは困難であった。この理由に
より、電子ビーム装置の設置に際しては、交流磁場を小
さくするための環境整備が必要であった。
【0003】しかし装置周辺の交流磁場が大きくても、
鏡体周辺で小さければ良い訳であるから、このような観
点から、鏡体周辺の交流磁場を小さくする方法が、特開
昭60−91541号公報や、特開昭58−21425
6号公報に開示されている。また、交流磁場を検出し
て、電子ビームを振動がなくなるように偏向する方法が
特開昭57−103253号、特開昭59−12735
1号、特開昭59−146144号、及び、特開昭62
−12044号の各公報に開示されている。さらに、電
子ビームの振動を直接検出し、検出された波形信号に基
づいて電子ビームを偏向して補正するという方法も、特
開昭59−127352号公報に開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術においては、交流磁場による電子ビームの振動の大き
さを求めるときの電子ビームのサイズについては全く触
れられていない。電子ビームの振動量を正確に検出する
ためには、用いる電子ビームのサイズは重要な要素であ
り、無視できない。また、高いコントラストを有するマ
ークの境界部に電子ビームを正確に止めて照射するため
の操作性に対する記載もなく、さらには、周辺交流磁場
が変動した場合の検知法と対策についても、一切、触れ
られていなかった。
【0005】本発明はこれらの課題を解決するためにな
されたもので、外部からの擾乱交流磁場による電子ビー
ムの振動を適確に検出して補正を行ない、上記交流磁場
による電子ビームの振動を除去する方法及び装置を提供
することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明においては、まず、マークを照射する電子ビ
ームのサイズを交流磁場による電子ビームの振動幅より
も大きく設定し、該電子ビームによりマーク上を走査し
てコントラストの高いマーク境界部に電子ビームを自動
的に止めて照射し、発生する信号波形に基づいて電子ビ
ームの偏向を補正制御して、電子ビームの振動を除去す
る。このとき、得られた信号波形に含まれる雑音を除去
し、整形された信号波形に基づいて電子ビームの偏向器
に振動を除去する補正制御信号を重畳させる。
【0007】また、電子ビーム装置の周辺に交流磁場検
知器を設け、常時、周辺における交流磁場の強さを計測
し、その変動量が前回補正時の値よりも或る一定値以上
に大きくなった場合には、電子ビーム装置の動作を一時
中断し、上記の振動除去操作を行ない、その時の交流磁
場の強さを記憶して、電子ビーム装置の動作を再開す
る。
【0008】
【作用】上記の交流磁場による電子ビームの振動を除去
する方法及び装置では、物質の異なるシャープなエッジ
を有するマークの境界部に電子ビームを止めて照射し、
発生する反射電子を検出して交流磁場によって振動する
電子ビームの振動状態を計測している。このとき、正確
に計測を行なうためには、まず、電子ビームの振動中心
を正確にマークの境界部に一致させることが必要であ
り、次に、電子ビームのサイズを、電子ビームの振動幅
よりも大きくして、少なくとも電子ビームの一部分が、
常に、マークの境界部上を照射しているようにする必要
がある。これは、もし、電子ビームのサイズが電子ビー
ムの振動幅よりも小さい場合には、或る時点では電子ビ
ームはマークの境界部から外れてしまい、単一の物質面
のみを照射するので、発生する反射電子の量が電子ビー
ムの位置の変動にもかかわらず、一定になってしまうか
らである。つまり、電子ビームが、例えば正弦波形状に
振動している場合でも、発生する反射電子の信号波形は
頭のつぶれた台形状になってしまう。したがって、この
波形からは電子ビームの振動の波形や振幅を正しく計測
することはできない。このため、本発明では、電子ビー
ムの振動を計測する場合には電子ビームのサイズを振動
幅よりも大きく設定し、正確に電子ビームの振動波形を
検出し、この信号波形に基づいて電子ビームの偏向系に
補正制御信号を重畳して、振動を除去する。
【0009】ところで、電子ビームを振動させる鏡体外
部の交流磁場は、必ずしも常に一定しているものではな
く、しばしば大きく変動する場合もある。したがって、
或る時点で電子ビームの振動を補正して除去しておいて
も、外部の交流磁場の状態が変化すれば、再び、電子ビ
ームに振動が生じる。したがって、本発明では、この鏡
体周辺部に交流磁場の検知器を設けて、常時、交流磁場
の計測を行なっている。そして、この磁場の強さが一定
値以上に変化した場合には、電子ビーム装置の動作を一
旦中断し、変化した交流磁場に合わせて電子ビームの振
動を除去する操作を行ない、終了後、再び電子ビーム装
置の動作を再開する。
【0010】こうして、交流磁場による電子ビームの振
動を除去すると共に、外部交流磁場を常に検知すること
によって、その変化に即応して電子ビームの振動除去の
操作を繰り返す。これにより、電子ビーム装置の安定動
作を可能にし、たとえば、電子ビーム描画装置の場合に
は、高精度の描画が可能になる。
【0011】
【実施例】
(実施例1)本実施例では、本発明に係る交流磁場によ
る電子ビームの振動を除去する方法及び装置に関して、
基本的な装置構成と動作とについて、図1、2を用いて
説明する。
【0012】まず、図1において描画制御部10はステ
ージ91を制御し、電子ビーム82の直下にマーク85
を移動する。その後、描画制御部10は偏向部30を経
由して偏向器84を制御し、電子ビーム82でマーク8
5上を走査する。この様子を図2の(1)に示す。斜線
部はマークであって、左はSi(シリコン)、右はW
(タングステン)である。走査によって、マーク85か
らは図2の波形(2)で示す反射電子が発生する。これ
を検出器70で検出し、信号処理部50で図2の波形
(2)に示すコンパレータレベル51で二値化すると、
図2(3)が得られる。従って、電子ビームの走査ピッ
チをpとし、図2(3)の0から1に変化する時のショ
ット数をNとすると、p×Nがマークの境界部を照射す
るための偏向の大きさである。このデータ(p×N)を
偏向部30に与えると、図2(4)に示すように、電子
ビーム82をマーク85の境界部に止めて照射すること
ができる。
【0013】コントラストが異なるマーク境界部に電子
ビームを止めて照射すると、例えば図2(1)に示す異
種材料で構成されたマークの場合、Si(シリコン)の
入射電子に対する後方散乱係数は約14%であるのに対
して、W(タングステン)は約50%と大きいので、コ
ントラストが発生する。したがって、電子ビームが境界
部を中心にして左右に揺らいでいると、この振動を反射
電子の強度変化として検出することができる。最良のコ
ントラストで振動を検出するためには、電子ビームの大
きさは小さいことが望ましい。しかし、あまりに小さい
と、電子ビームは境界部を外れてしまい、振動が検出さ
れなくなり、振動の様子を正しく求めることができなく
なる。逆に電子ビームが極端に大きいと、信号のコント
ラストが低下するという問題が生じる。
【0014】この問題を解決するために本発明では、先
ず最初に、ビームサイズ設定部20と成形偏向器83と
によって、電子ビームの大きさをマーク検出とその設定
精度である概ね0.05μm程度に設定して、境界部を
照射する。この時、電子ビームが、例えば50Hzで
0.05μmよりも大きく振動していると、境界部の反
射電子信号は、図2における周期20msの台形波形
(5)となる。台形になるのはビームが境界部を超えて
反射電子の強度が変化しない部位を照射するためであ
り、正しい振動波形ではない。そこで、正しい振動波形
を得るために描画制御部10では、この台形波形(図2
(5))が正弦波形(図2(6))となるように、ビー
ムサイズ設定部20を制御して、電子ビームのサイズを
広げる。このことによって、振動の様子を忠実に再現し
た波形(6)が得られる。
【0015】次に、電子ビーム82が電源周波数の振動
周期で揺れていると仮定すると、電子ビーム82の振動
は図2の波形(6)で示すように、反射電子信号の強度
変化として検出される。検出器70で検出した振動波形
(6)は、補正信号部40で有害な雑音が取り除かれ、
極性と振幅を制御して、偏向部30によって電子ビーム
82の振動を止めるように作用する。一方、補正信号部
40は、振動を補正する信号を保持する機能を持ち、適
正な補正信号を求める上記動作が終了した後は、電源に
同期した周期で繰り返し読みだして偏向部30の偏向信
号に加算する。このことによって、電子ビーム82の電
源周期の交流磁場による振動が補正され続ける。
【0016】一方、描画制御部10はこれら一連の動作
が終了すると、交流磁場処理部60に対して、電子ビー
ム鏡体80近傍の交流磁場波形を検出し初期値として記
憶する指令を出す。交流磁場処理部60は、記憶した波
形を電源周期で読み出すと同時に、引き続き、以後、常
時検出される交流磁場波形と比較し、磁場の強さ、或い
は、波形が異なっていたならば、描画制御部10に対し
て異常が生じたことを知らせる。時間が経過して装置周
辺の磁場の強さに変化が生じた場合、描画制御部10は
描画動作を中断し、ステージ91を動かして、図2にお
ける波形(1)からの手順を再度繰り返す。
【0017】こうして、交流磁場による電子ビームの振
動を除去し、かつ、交流磁場の強さが変化したならば、
自動的に電子ビームの振動を補正し直す。このことによ
って、電子ビーム装置周辺の交流磁場、或いは、鏡体に
流れる交流電流によって生じる交流磁場による電子ビー
ムの位置変動を除去することができる。
【0018】(実施例2)図3に、可変成形ビーム方式
の電子ビーム描画装置に、本発明に係る電子ビームの振
動除去の方法及び装置を適用した実施例を示す。本実施
例は、装置周辺の交流磁場を検出して、これに基づいて
電子ビームの偏向に補正をかける方式であるが、さら
に、コントラストの高いマークの境界部を自動的に求め
て電子ビームを照射する手段、及び最適な信号対雑音比
でビーム位置変動を検出する手段などを付加して、操作
性を良くしたものである。
【0019】まず、鏡体80において、電子銃81より
生じた電子ビームは、開口を有する成形絞り87、88
と可変成形用偏向器83とで、面積可変の可変成形ビー
ム82となる。この電子ビーム82は、偏向器84、対
物レンズコイル89で偏向や焦点が制御され、試料ステ
ージ91に搭載されたウェハ上の標準マーク85を照射
する。鏡体の内部には、これらの他にも偏向器やコイル
などがあるが、本発明とは関係がないので省略してあ
る。同図において、交流磁場を検出するための交流磁場
検出器63、アンプ62、スイッチ61、加算器32、
およびDAC21、アンプ22、および信号処理回路5
1とその周辺回路部50が、本発明に係る構成要素部で
ある。
【0020】描画制御部10は、ステージ制御部90を
介してステージ91を制御し、標準マーク85を電子ビ
ーム82の直下にセットする。次いで描画制御部10
は、電子ビーム82のサイズを所定の大きさに設定する
ように、データをDAC(D/A変換器)21にセット
する。この場合の所定の大きさとは、電子ビームをX
(Y)軸方向に走査することによってマークの境界部を
求め、その結果に基づいて電子ビームを該境界部に止め
て照射することができるために必要なサイズであって、
具体的な一例としては、概ね0.05μmである。この
後、描画制御部10は電子ビーム82をオンすると同時
にDAC31、加算器32を介して偏向器84を制御
し、境界部を含むマーク上をX軸方向に走査ピッチpで
順次走査する。なお、スイッチ61はオフにしておく。
走査によってマーク85から発生する反射電子信号は、
SSD検出器(半導体検出器)70で図2−(2)の波
形として検出され、信号処理部50は図2で既に説明し
た方法で、マークの境界部を照射するための偏向量(p
×N)を求める。求められた偏向量は描画制御部10を
介してDAC31にセットされる。このことによって自
動的にマーク85の境界部に電子ビーム82を止めて照
射することが可能になる。
【0021】以下、電子ビーム82は50Hzの交流磁
場によって0.05μmよりも大きな振幅で振動してい
ると仮定する。ここで、モニタ3はオシロスコープと同
様な機能を持ち、SSD検出器70の出力を波形として
観察することができる機能を持っている。したがって、
モニタ3の画面で振動の様子を観察することができる。
振動の振動幅が0.05μmよりも大きい場合には、図
2−(5)で示しているような台形波になる。頭部がつ
ぶれた台形波になってしまうのは、振動の振動幅が0.
05μmよりも大きいために、境界部以外のSiとかW
を照射してしまい、この部分では電子ビームが振動して
いても反射電子の強度は変化しないためである。このよ
うな台形波となっている場合には、描画制御部10を操
作してビームサイズ設定部20に与えるデータを大きく
して、電子ビームのサイズを大きくする。そして、モニ
タ画面で観察される波形が図2−(6)のように頭のつ
ぶれない正弦波になるように調整する。つまり、測定の
まずさに起因する振動波形の歪みをなくす訳である。こ
こでモニタ3は、2チャンネルの波形を同時に表示でき
る機能を持っており、残りの1つの入力にはアンプ62
の出力が入力され、交流磁場検知器63が置かれている
場所の交流磁場波形をモニタすることができる。ここで
交流磁場検知器63は、装置周辺の交流磁場波形を検知
し、これで電子ビームに偏向補正をすることによって、
電子ビームの振動を止めるための交流磁場センサであ
る。ただし、交流磁場雰囲気中に鉄などの金属が置かれ
ている場合、その金属の近傍においては歪みが生じ、場
所によってその様子が変わることは良く知られている。
したがって、モニタ3上の2つの波形を見ながら交流磁
場検知器63を置く場所を選べば、近似的に電子ビーム
の振動波形に近い波形が得られる。
【0022】任意のタイミングでスイッチ61をオンす
ると、交流磁場検知器63はコイルが置かれている場所
の磁場を検出しているため、アンプ62、スイッチ6
1、加算器32を経由し、電子ビームは周辺磁場に対応
した波形と大きさで偏向される。この様子はモニタ3で
観察することができる。このような条件においてアンプ
62のゲインを調整すると、振動波形の振幅は大きくな
るか、または小さくなる。大きくなった場合には、位相
が180度違っているためであるから、交流磁場検知器
63のコイルの裏表を反転し、位相を180度ずらす。
位相が一致したならば、モニタ3画面の波形の振幅が最
小になるように、アンプ62のゲインを調整する。以上
の操作によって、例えば、X軸方向の補正が終了する。
図では省略したが、Y軸についても上記と同じ構成が設
けられている。したがって、Y軸も上記と同様の調整を
する。以上詳述した構成および方法によって、自動的に
マークの境界部に電子ビームを止めて照射でき、かつ、
電子ビームの大きさを最適化することによって、歪みの
ない忠実な振動波形をモニタすることができ、しかも簡
単な構成で交流磁場による電子ビームの振動が除去でき
る。
【0023】(実施例3)図4に、本発明に係る交流磁
場による電子ビームの振動を除去する装置を、可変成形
ビーム方式の電子ビーム描画装置に適用した場合の他の
実施例を示す。本実施例は、磁場検知器で鏡体周辺の交
流磁場を検出して電子ビームの偏向に補正を加えるとい
う手段ではなく、検知された電子ビームの振動そのもの
を使って、電子ビームの偏向を補正するというものであ
る。
【0024】先ず、前記実施例で説明した手順および動
作で、既にマークの境界部が求められ、この境界部に電
子ビーム82が照射されているものとする。この時の電
子ビームのサイズは概ね0.05μmであって、かつ、
電子ビームはこれよりも大きい振動幅で振動しているも
のと仮定する。振動を示す反射電子信号はSSDセンサ
70で検出され、フィルタ401に入力される。フィル
タ401は、一般的なバンドパスフィルタであり、50
Hz成分の周波数が通過するような定数としてある。こ
れによって電子ビームの振動波形は有害な雑音成分が取
り除かれ、ADC(AD変換器)402を経由してメモ
リ403、メモリ409に書き込まれる。なお本実施例
では、バンドパスフィルタを用いたが、加算平均やスム
ージング処理を行なっても良い。
【0025】ここで、メモリ409は電子ビームの振動
を補正するための補正信号波形を保持するために用い、
メモリ403は振動波形を一時保持するために用いる。
これら2つのメモリ403、409はデータ書き込み
時、電源周期に同期してアドレスが繰り返される。40
5〜408のブロックは電源に同期してアドレスを発生
する回路の1例を示している。同期のためのACライン
信号は二値化回路408で二値化され、その立上りのタ
イミングでMM(短安定パルス発生器)407にトリガ
をかける。この出力でカウンタ406のアドレスをゼロ
リセットする。一方カウンタ406のクロック入力には
50kHz(20μs)周期のパルスが発振器405か
ら入力されている。これらによってカウンタ406は、
電源に同期したアドレスデータを発生させることができ
る。
【0026】2つのメモリ403、409のアドレス
は、20μsステップでインクリメントされ、50Hz
の周期でゼロクリアされているから、電源に同期した1
周期の振動波形がストアされる。少なくとも20ms経
過したならば描画制御部10はメモリ403への書き込
みを中止し、メモリ403の波形を読み取る。読み取っ
た波形が図2−(5)のように台形であったならば、ビ
ームサイズ設定部20に対して電子ビーム82が大きく
なるように所定のデータを設定する。上記手順でメモリ
に振動波形を書き込み、読みだすという手順を、図2−
(6)の正弦波状になるまで繰り返す。適正なビームサ
イズが求められたならば、このビームサイズを固定し、
描画制御部10はメモリ403の内容を読みだして記憶
する。これら一連の動作によって自動的に、しかも雑音
が除去された振動波形を求めることができる。
【0027】これら一連の動作が終了した後、描画制御
部10は、一旦ビーム82をオフし、メモリ403に対
してのみADC402の出力の書き込みを可能とし、メ
モリ409をリセットし、アンプ411に対しては適当
なゲインをセットする。これらの準備が終了した後、約
20msの間ビームをオンにする。メモリ409は電源
に同期した50Hzの周期で常にアドレスがインクリメ
ントされているから、メモリ409に既にストアされて
いた波形、つまり振動波形が電源に同期して読みださ
れ、DAC410、アンプ411、極性反転器412、
加算器32を経由し、偏向器84により電子ビーム82
を積極的に振動させる。そして、マーク85の境界部か
ら発生する反射電子信号は、前記同様メモリ403にス
トアされる。少なくとも20ms経過後、描画制御部1
0はビームをオフし、MPX404を切り替え、メモリ
403の内容をリードする。既に記憶してある振動波形
の振幅と比較し、小さくなっていたならば、アンプ41
1のゲインを更に大きくする。そして同様の手順を繰り
返し、最適なアンプ411のゲインを求める。もし、解
が得られない場合、極性反転器412を逆極性にセット
する。つまり、振動補正信号の極性を反転させる。その
後、上記手順を繰り返す。以上の方法によれば、振動の
波形そのもので電子ビームが直接補正されるので、ほぼ
完全に振動は止められる。
【0028】これらが終了したならば、描画制御部10
は交流磁場処理部60に対して、現在の交流磁場波形を
記憶する指令を出す。すなわち、交流磁場処理部60
は、電子ビーム鏡体周辺の交流磁場を検知する検知器6
3、アンプ62、ADC64、そして検知した交流磁場
波形を保持するメモリ65、および比較回路67とから
成る。メモリ65のアドレスはカウンタ406の出力で
制御されている。このため、アドレスは20μsステッ
プでインクリメントされ、50Hzの周期でゼロクリア
されている。したがって、検知器63で検出された交流
磁場波形は、電源に同期した1周期分の波形がストアさ
れる。少なくとも20ms経過したならば描画制御部1
0はメモリ65への書き込みを禁止し、読みだして比較
回路67の一方の入力端子へ入力する。比較回路67の
他方の入力にはADC64の出力が常時入力されてい
る。比較回路67はウインドコンパレータであって、2
つの振幅の差が所定値よりも大きくなったらば、異常信
号を描画制御部10に出力する機能を持っている。
【0029】その後、鏡体周辺の交流磁場の強さが変化
した場合、描画制御部10は比較回路67からの異常信
号を検出し、描画動作を中断する。そして、前述した電
子ビームの振動をなくすための一連の動作を実行した
後、メモリ65の内容を書き直す。その後、通常の描画
動作を続行する。
【0030】これらX軸方向の動作が終了すると、描画
制御部10は、ステージ制御部90を制御してマーク8
5をY軸方向に移動する。そして、図では省略してある
が、X軸用と同じ構成の補正回路を使ってY軸の電子ビ
ームの振動について、同様の手順を実行する。
【0031】図1、図3、図4、の実施例は、可変成形
方式の電子ビーム描画装置に適用した場合であった。し
かし、例えば、電子ビームを10nm径程度の細いビー
ムとして描画するスポットビーム方式の描画装置もあ
る。このような装置では、マークの境界部に電子ビーム
を正確に止めて照射するのが困難な場合もある。しか
し、本発明においては、電子反射率の異なるマークの境
界部にビームを固定して照射し、反射電子の強度変化に
基づいて電子ビームの位置変動を知るのであるから、電
子ビームは絞られている、つまり、合焦点である必要は
ない。
【0032】このような観点で、スポットビーム方式の
描画装置に実施した例を図4を用いて説明する。先ず描
画制御部10は、レンズ電源1を経由して対物レンズコ
イル89の励磁電流を最適値から少しずらす。つまり、
ディフォーカスにする。その結果、マーク85上の電子
ビーム82の面積が大きくなる。このことによって、可
変成形電子ビーム描画装置と同様の面積ビームになるか
ら、マークの境界部に電子ビームを照射することが可能
になる。なお、対物レンズでビームの大きさを変える
と、大きくするほど電子ビームの電流密度が低くなり、
信号対雑音比が若干低下する。その対策として、図では
省略したが、メモリ403、409を使って、多数回同
一波形を取り込み、平均化処理をする回路を具備してい
る。実際には、信号処理部50にも上記同様の平均化処
理回路が設けられている(図では省略)。
【0033】以上詳述した各実施例では、材質の異なる
マークの特定個所に電子ビームを止めて照射したときの
反射電子信号の強度変化を検知することにより、電子ビ
ームの振動を求めているが、同一の材質であって断面形
状が凸、または凹のマークを用いても同様の効果が得ら
れる。また、振動を検知するための信号は、2次電子を
検知しても良い。或いは、開口を有する板を用いて、そ
の境界部を特定個所として、透過電子の強度変化を求め
ても良い。
【0034】本発明は、電子ビームを偏向する機能を有
している電子ビーム装置、例えば、走査形電子顕微鏡、
測長SEM、或いは、偏向機能を持つ電子顕微鏡、さら
には、イオンビームを使った荷電ビーム装置等、それら
すべての装置に適用可能である。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る交流
磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置に
おいては、適正なビームサイズを有する電子ビームによ
って高いコントラストを有するマークの境界部を照射す
ることにより、電子ビームの交流磁場による振動を計測
することができ、得られた振動波形に基づいて電子ビー
ムの偏向系に補正制御信号を重畳して電子ビームの振動
を除去し、例えば、電子ビーム描画装置においては、高
精度の半導体デバイスの作製が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る交流磁場による電子ビームの振動
を除去する装置の基本構成を示す図である。
【図2】図1に示した装置において得られる振動波形に
関する説明図である。
【図3】本発明に係る実施例2の装置の基本構成図であ
る。
【図4】本発明に係る実施例3の装置の基本構成図であ
る。
【符号の説明】
10…描画制御部 20…ビームサイズ設
定部 30…偏向部 40…補正信号部 50…信号処理部 60…交流磁場処理部 70…検出器 80…電子ビーム鏡体 81…電子銃 82…電子ビーム 83、84…偏向器 85…マーク 90…ステージ制御部 91…ステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 公明 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高いコントラストを有するマークの境界部
    に電子ビームを照射して該電子ビームの交流磁場による
    振動を検出し、検出された振動量に基づいて上記電子ビ
    ームの偏向量を補正制御することにより電子ビーム装置
    における交流磁場による電子ビームの振動を除去する方
    法において、上記マークを照射して振動を検出する電子
    ビームのサイズを、該電子ビームの交流磁場による振動
    の幅よりも大きく設定することを特徴とする交流磁場に
    よる電子ビームの振動を除去する方法。
  2. 【請求項2】高いコントラストを有するマークの境界部
    に電子ビームを照射して該電子ビームの交流磁場による
    振動を検出し、検出された振動量に基づいて上記電子ビ
    ームの偏向量を補正制御することにより電子ビーム装置
    における交流磁場による電子ビームの振動を除去する装
    置において、上記電子ビームにより上記マーク上を走査
    して得られるマーク信号に基づき、上記マークの境界部
    に上記電子ビームを自動的に設定照射する手段と、該電
    子ビームのサイズを上記交流磁場による上記電子ビーム
    の振動幅よりも大きく設定する手段と、上記電子ビーム
    の上記マークの境界部照射によって得られる信号波形に
    基づき、上記電子ビームの偏向を補正制御する手段とよ
    りなることを特徴とする交流磁場による電子ビームの振
    動を除去する装置。
  3. 【請求項3】上記電子ビームの上記マークの境界部照射
    により得られる信号波形に含まれる雑音を除去する雑音
    除去手段と、該雑音除去手段によって整形された上記信
    号波形に基づき上記電子ビームの偏向器に上記交流磁場
    による振動を除去する補正制御信号を重畳させる手段と
    を具備したことを特徴とする請求項2に記載の交流磁場
    による電子ビームの振動を除去する装置。
  4. 【請求項4】上記電子ビーム装置の周辺に交流磁場検知
    器を設け、該交流磁場検知器により、上記電子ビームの
    振動を除去した時点の上記交流磁場の強さを記憶させ、
    以後、常時、上記電子ビーム装置周辺における交流磁場
    の変動を計測し、上記記憶された交流磁場の強さと比較
    して、該変動の大きさが或る一定の値を超えた場合に
    は、上記交流磁場による電子ビームの振動を除去する操
    作を再設定することを特徴とする請求項2または3に記
    載の交流磁場による電子ビームの振動を除去する装置。
  5. 【請求項5】上記電子ビーム装置周辺における交流磁場
    の変動の大きさが或る一定値を超えた場合には、上記電
    子ビーム装置の動作を一時中断し、上記電子ビームの交
    流磁場による振動を除去する操作を再設定し、該振動の
    除去操作が終了した時点で、再び上記電子ビーム装置周
    辺における交流磁場の強さを記憶させ、かつ、上記電子
    ビーム装置の動作を再開させることを特徴とする請求項
    4に記載の交流磁場による電子ビームの振動を除去する
    装置。
  6. 【請求項6】請求項2から5までのいずれかに記載の交
    流磁場による電子ビームの振動を除去する装置を備えた
    ことを特徴とする半導体デバイス製造用の電子ビーム描
    画装置。
JP5209175A 1993-08-24 1993-08-24 交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置 Pending JPH0765760A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5209175A JPH0765760A (ja) 1993-08-24 1993-08-24 交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5209175A JPH0765760A (ja) 1993-08-24 1993-08-24 交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0765760A true JPH0765760A (ja) 1995-03-10

Family

ID=16568579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5209175A Pending JPH0765760A (ja) 1993-08-24 1993-08-24 交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0765760A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2321555B (en) * 1997-01-27 1999-12-22 Hitachi Ltd Charged particle beam apparatus
JP2007324044A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Hitachi High-Technologies Corp 走査型荷電粒子線装置、その像表示方法、および走査型顕微鏡
JP2012049045A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Hitachi High-Technologies Corp 計測または検査装置およびそれを用いた計測または検査方法
JP2012230007A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Jvc Kenwood Corp 周波数解析装置、周波数解析方法、及びプログラム
US11024485B2 (en) 2018-06-19 2021-06-01 Nuflare Technology, Inc. Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same
KR20220015925A (ko) 2020-07-31 2022-02-08 주식회사 히타치하이테크 하전입자선 장치 및 전기 노이즈의 계측 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2321555B (en) * 1997-01-27 1999-12-22 Hitachi Ltd Charged particle beam apparatus
US6043490A (en) * 1997-01-27 2000-03-28 Hitachi, Ltd. Vibration cancellation system for a charged particle beam apparatus
JP2007324044A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Hitachi High-Technologies Corp 走査型荷電粒子線装置、その像表示方法、および走査型顕微鏡
JP2012049045A (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 Hitachi High-Technologies Corp 計測または検査装置およびそれを用いた計測または検査方法
JP2012230007A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Jvc Kenwood Corp 周波数解析装置、周波数解析方法、及びプログラム
US11024485B2 (en) 2018-06-19 2021-06-01 Nuflare Technology, Inc. Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same
KR20220015925A (ko) 2020-07-31 2022-02-08 주식회사 히타치하이테크 하전입자선 장치 및 전기 노이즈의 계측 방법
JP2022026395A (ja) * 2020-07-31 2022-02-10 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置および電気ノイズの計測方法
US11735395B2 (en) 2020-07-31 2023-08-22 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device and method of measuring electrical noise

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0765760A (ja) 交流磁場による電子ビームの振動を除去する方法及び装置
US4937458A (en) Electron beam lithography apparatus including a beam blanking device utilizing a reference comparator
JP3330382B2 (ja) 集積回路の試験・修復装置
JPH0353439A (ja) 電子光学鏡筒
JP2873839B2 (ja) 集束イオンビーム装置におけるアパーチャー検査方法
JPH0458104A (ja) 電子線寸法計測装置
JP3960544B2 (ja) ビーム調整用試料、ビーム調整方法及びビーム調整装置
JP2000162286A (ja) 電子ビームテスタ及び画像処理装置
JP2001304839A (ja) 電子ビーム測長装置及び測長方法
JP3065472B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置における矩形ビームのサイズ及び位置決め調整方法
JP2004108979A (ja) 走査電子顕微鏡を用いた検査方法および装置
JP3383175B2 (ja) 走査型顕微鏡の像表示方法および走査型顕微鏡
JPH07286842A (ja) 寸法検査方法及びその装置
JP4917839B2 (ja) 走査型荷電粒子線装置、その像表示方法、および走査型顕微鏡
JPH09190788A (ja) 集束ビームの測定方法
JPS63202835A (ja) 荷電ビ−ムの自動調整方法および自動調整装置
JP2007042514A (ja) ステージおよびステージ停止位置補正方法
JPH03254053A (ja) 一次電子着地誤差の補正方法
JPH0413680B2 (ja)
JPH0261951A (ja) フィラメント像の振動補正装置を備えた電子顕微鏡
JPH05102019A (ja) アライメントマーク位置検出装置
JPH01134845A (ja) 自動非点収差補正装置
JPS62296351A (ja) 荷電ビ−ム装置
JPH04339577A (ja) ビーム収束位置計測装置
JPH07130597A (ja) 電子線描画装置